「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

The battery pack 20 has a plurality of flat plate shape battery cells 21 connected electrically in series and formed vertically superimposed to make a battery stack so as to have a prescribed voltage and capacity, and an interlayer member 25 is interposed between respective battery cells 21.例文帳に追加

電池パック20は、所定の電圧，容量となるよう、複数個の扁平板状の電池セル21を電気的に直列接続したものを上下に重ねて形成された電池スタックとなっており、段積みされた各電池セル21間には層間部材25が挟み込まれている。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive resin composition for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide having such properties as high hardness, high resoluiton, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant.例文帳に追加

高硬度、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To suppress the producing of a level difference in the interlayer insulating film for a lower-layer wiring having a recess produced by dishing, thereby generating the deterioration of accuracy of photolithography upon forming via plugs or short-circuit between the via plugs, in the manufacture of a multi-layered wiring having big-width interconnect lines.例文帳に追加

太幅配線を有する多層配線の製造において、ディッシングにより生じた凹部のある下層配線の上層の層間絶縁膜に段差が生じ、ビアプラグ形成時のフォトリソグラフィ精度低下やビアプラグ間短絡が生じることを抑制する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method in which excellent adhesion of a photosensitive layer to a substrate to be processed is achieved and small variation in sensitivity and excellent working efficiency are ensured, and by which a permanent pattern such as a protective film, an interlayer insulation film or a solder resist pattern can be efficiently formed with high definition.例文帳に追加

被処理基体と感光層との優れた密着性が得られ、感度のばらつきが小さく、作業効率に優れ、保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細かつ効率的に形成可能なパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide an extrusion molded cement plate mounting structure whereby a plurality of extrusion molded cement plates can be mounted in a single operation and interlayer displacement can be absorbed without formation of a large-weight, large-strength frame and flexible joints.例文帳に追加

個々の押出し成形セメント板を一体に剛接合して大型パネルを製作すると、層間変位を大型パネル同士の間で吸収しなければならず、大重量に耐える柔接合部の構成が必要となり、メンバー、フレームが大きく且つ大重量になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device, that can improve coverage of a wiring layer formed at a contact hole aperture in a plurality of contact holes which are formed close to the interlayer insulation film and obtain a contact structure having higher reliability.例文帳に追加

層間絶縁膜中に近接して形成された複数のコンタクトホールにおいて、コンタクトホール開口部に形成する配線層の被覆性を向上させ、高信頼性を有するコンタクト構造を得ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming an interlayer film employs mixture gas of one kind or more of straight chain organic silicon material gas and one kind or more of annular organic silicon material gas as material gas in a film deposition process of 100°C or below of vacuum ultraviolet radiation CVD.例文帳に追加

真空紫外光ＣＶＤ法にて、１００℃以下の成膜工程において、材料ガスとして、一種以上の直鎖状の有機シリコン材料ガスと一種以上の環状の有機シリコン材料ガスとの混合ガスを用いる層間膜の製造方法。 - 特許庁

A top wiring layer 8 connected to the tungsten plug 6' is formed on an interlayer dielectric 3 after an oxide layer including a grinding chip 7 is removed by performing dry etching or wet etching of the oxide layer including the grinding chip 7 formed on the tungsten plug 6'.例文帳に追加

タングステンプラグ６´上に形成された研磨屑７を含む酸化層のドライエッチングまたはウェットエッチングを行うことにより、研磨屑７を含む酸化層を除去してから、タングステンプラグ６´に接続された上層配線層８を層間絶縁膜３上に形成する。 - 特許庁

By checking which coplanar line has a resonance frequency corresponding to the frequency of the high-frequency circuit fluctuated in the characteristics, the direction of the interlayer displacement and the amount of displacement caused in the ceramic multilayer substrate fluctuated in the characteristics of the high-frequency circuit can be checked.例文帳に追加

特性が変動した高周波回路の周波数がいずれのコプレーナ線路の共振周波数と一致するかを測定することで、高周波回路の特性が変動したセラミック多層基板で生じている層間ずれの方向とずれ量の確認が行える。 - 特許庁

The layered double hydroxide comprises: a fundamental layer of a metal double hydroxide expressed by formula (I): Mg_1-xAl_x(OH)_2 (wherein, x is 0.2 to 0.33); and an accumulation in which magnesium phenoxyacetate and interlayer water are intercalated into the middle of the fundamental layer.例文帳に追加

式（Ｉ）： Ｍｇ_１−ｘＡｌ_ｘ（ＯＨ）_２ （Ｉ）（式中、ｘは０．２ないし０．３３である。）の金属複水酸化物の基本層と、フェノキシ酢酸マグネシウムおよび層間水が該基本層の中間にインタカレートされている累積物よりなる層状複水酸化物。 - 特許庁

In this manufacturing method, a photosensitive silazane film 52 is exposed and developed, and a hard mask 52A which is formed of the photosensitive silazane film 52 and regulates positions of a wiring pattern and a contact hole 60 of a wiring layer 66A is formed on an interlayer insulating film 50.例文帳に追加

本製造方法では、感光性シラザン膜５２を露光及び現像することにより、層間絶縁膜５０上に、配線層６６Ａの配線パターン及び接続孔６０の位置を規定する、感光性シラザン膜５２からなるハードマスク５２Ａを形成する。 - 特許庁

The X side clock signal line 92 and the X side inversion clock signal line 93 are respectively formed from the conductive films existing in the positions different from each other via interlayer insulating film and overlap on each other at least partly when flatly viewed on a TFT array substrate 10.例文帳に追加

Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なる。 - 特許庁

Since internal stress caused when heat treatment is performed can be reduced by forming the light shielding layer 120 using the three layered structure and tensile stress between the light shielding film 120 and the interlayer insulating film or the semiconductor layer is reduced, the occurrence of the cracks can be prevented.例文帳に追加

遮光膜１２０を三層構造とすることで、熱処理の際に発生する内部ストレスを減少させることができ、遮光膜１２０と層間絶縁膜や半導体層との間の引っ張り応力が低減されるため、クラックの発生を防止することができる。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 15 is deposited on a semiconductor substrate 11 on which a transistor having a gate electrode 13a, etc., is formed and a capacitor section of a memory cell composed of storage node electrodes, etc., or a conductor wiring is formed on the insulating film 15.例文帳に追加

ゲート電極１３ａ等を有するトランジスタが形成されている半導体基板１１の上に、第１の層間絶縁膜１５を堆積し、第１の層間絶縁膜１５の上に、ストレージノード電極等からなるメモリセル容量部又は導体配線を形成する。 - 特許庁

An electrode assembly is prepared with a positive electrode having a carbon material of 30 to 500 m^2/g as a specific surface area and of 0.35 to 0.38 nm interlayer distance in a d002 plane, a negative electrode, and an electrolyte having at least a lithium compound as a solute.例文帳に追加

比表面積が３０〜５００ｍ^２／ｇであってｄ００２面の層間距離が０．３５〜０．３８ｎｍの炭素材料を有する正極と、負極と、溶質として少なくともリチウム化合物を有する電解液を備えた電極体を用意する。 - 特許庁

The transflective liquid crystal device has a liquid crystal layer interposed between a color filter substrate provided with a unit pixel constituted of a plurality of sub pixels and having colored layers of G, R and B and an element substrate having an interlayer insulating film forming a multi gap structure.例文帳に追加

半透過反射型の液晶装置は、複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、Ｇ、Ｒ、Ｂの各着色層を有するカラーフィルタ基板と、マルチギャップ構造を形成する層間絶縁膜を有する素子基板との間に液晶層を挟持してなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a circuit board establishing interlayer connection using a conductive protrusion in which a fine circuit pattern can be formed and both a thick film circuit pattern and a fine circuit pattern can be formed on the same substrate.例文帳に追加

導電性突起を用いて層間接続を行う回路基板において、微細回路パターンの形成、さらには厚膜回路パターンおよび微細回路パターンの両者を同一基板上に形成することができる回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polysiloxane based positive radiation sensitive composition which can form an interlayer insulation film having superior storage stability, radiation sensitivity, and melt flow-proofness, and high various performance such as surface hardness, refractive index, heat resistance, transparency, or low dielectric property.例文帳に追加

保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性、低誘電性等の諸性能に優れる層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a precursor composition capable of reducing the number of multilayering processes in the case of manufacturing a porous interlayer dielectric, and to provide a porous film obtained by using the precursor composition, a method for manufacturing the porous film, and a semiconductor device using the porous film.例文帳に追加

多孔質層間絶縁膜作製の際の多層化工程数を削減することができる前駆体組成物、この前駆体組成物を用いて得られた多孔質膜及びその作製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device which can ensure a sufficient adhesion between an interlayer insulating film (Low-k film) having a low dielectric constant and a magnetic resistance element, and can reduce an adverse influence on element characteristics caused by a peculiar magnetostriction phenomenon included in the magnetic resistance element.例文帳に追加

低誘電率を持つ層間絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）と磁気抵抗素子との間に十分な密着性を確保でき、磁気抵抗素子が持つ特有の磁歪現象による素子特性への悪影響を低減できる磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide an automobile friction material capable of preventing interlayer separation from occurring even under severe friction for a long time, and having characteristics such as a high dynamic friction coefficient in a surface layer part of a friction face side and a high heat conduction restraint property in a surface layer part of the other face side.例文帳に追加

長時間の激しい摩擦下でも層間剥離を起こすことがなく、また、摩擦面側の表層部では高い動摩擦係数、他方の面側の表層部では高い熱伝導抑制性などの特性を有する自動車用摩擦材料を提供する。 - 特許庁

A substrate is prepared wherein the surface of an embedded wiring formed inside an interlayer dielectric is selectively covered with a wiring protective film, the surface of the substrate is pre-cleaning by wet processing using a cleaning liquid, and then an insulation film is formed on the surface of the pre-cleaned substrate.例文帳に追加

層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The second region Ra2 overlaps with at least a part of the first region Ra1 when seen in plane view, is not coupled with the first region Ra1 by vias, and sandwiches the second interlayer insulating film ID2a between it and the first region Ra1.例文帳に追加

第２の領域Ｒａ２は、平面視において第１の領域Ｒａ１の少なくとも一部と重なり合い、かつ第１の領域Ｒａ１とビアによって接続されておらず、かつ第１の領域Ｒａ１との間に第２の層間絶縁膜ＩＤ２ａを挟んでいる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element through stable glow discharge plasma treatment, by continuously generating a uniform glow discharge plasma under a pressure close to the atmospheric pressure, when manufacturing an interlayer insulating film and/or a passivation film in the step of manufacturing the element.例文帳に追加

半導体素子の製造工程における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理により製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a laminated decorative sheet good in embossing processability, excellent in the wear resistance and scratch resistance of the sheet surface, hard to slip because the coefficient of dynamic friction is large, excellent in solvent resistance and interlayer adhesion at high temperatures, and in addition good in three-dimensional moldability.例文帳に追加

エンボス加工性が良好で、シート表面の耐摩耗性と耐傷付き性に優れ、動摩擦係数が大きいために滑りにくく、耐溶剤性と高温における層間密着性に優れ、さらに三次元成形性も良好である積層化粧シートを提供する。 - 特許庁

A discontinuity region 30' in which orientation directions of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer controlled with the rivet 16 are discontinuous with respect to orientation directions of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer on the inclined face of the interlayer insulating film is present in the aperture part 53.例文帳に追加

開口部５３には、リベット１６により規制される液晶層の液晶分子の配向方向が、層間絶縁膜の傾斜面における液晶層の液晶分子の配向方向に対して不連続となる不連続領域３０′が存在する。 - 特許庁

At least one of the solar battery cell separation regions includes: a first separation groove extending through the first electrode layer; and a second separation groove extending through the first photoelectric conversion layer, which is filled into the first separation groove, and the interlayer.例文帳に追加

太陽電池セル分離領域の少なくとも１つは、第１の電極層を通して伸張する第１の分離溝と、第１の分離溝内に充填された第１の光電変換層及び中間層を通して伸張する第２の分離溝とを具備する。 - 特許庁

In a resin mold coil prepared by winding winding conductors 1 and interlayer insulating sheets 2 and then having a molding resin 4 filled into upper and lower end faces, at least one of upper and lower end portions 21 and 22 of each sheet 2 projects from a coil end face insulating member 3.例文帳に追加

巻線導体１と層間絶縁紙２とを巻回し、上下端面にモールド樹脂４を充填してなる樹脂モールドコイルにおいて、層間絶縁紙２の上下端部２１，２２の少なくとも一方は、コイル端面部絶縁部材３より突出している。 - 特許庁

The lattice type conductor layer wherein a roughened layer 5 is formed on a side surface is formed on a substrate of a multilayer printed wiring board, so that cracks which are generated by difference of thermal expansion coefficients of the conductor layer and the interlayer resin insulating layer on an interface of them are restrained.例文帳に追加

多層プリント配線板の基板上に、その側面に粗化層５が形成された格子状の導体層を形成することにより、導体層と層間樹脂絶縁層の境界で両者の熱膨張率差に起因して発生するクラックを抑制する。 - 特許庁

In the method for ashing an organic resist pattern formed on an interlayer insulation film which is formed on an article being processed, while at least partially including an organic low permittivity film, an mixed gas plasma of oxygen gas and nitrogen gas is used for ashing.例文帳に追加

被処理体上の少なくとも一部に有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成された有機レジストパターンをアッシングする方法において、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスのプラズマを用いてアッシングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a barrier metal film made of tantalum formed in contact with a low specific permittivity interlayer insulation film with suppressed or reduced damages, and which is also suppressed with poor connection between the Ta barrier metal film and a conductor covered thereby.例文帳に追加

タンタルからなるバリアメタル膜がダメージを抑制もしくは低減された低比誘電率層間絶縁膜に接して設けられているとともに、Ｔａバリアメタル膜およびこれに覆われた導電体の接続不良も抑制されている半導体装置を提供する。 - 特許庁

The capacitor CP10 includes a capacitor upper electrode 103 arranged so as to be embedded in an upper principal surface of an interlayer insulating film 3 and a capacitor dielectric film 102 provided so as to cover a side surface and undersurface of the capacitor upper electrode 103.例文帳に追加

キャパシタＣＰ１０は層間絶縁膜３の上主面内に埋め込まれるように配設されたキャパシタ上部電極１０３と、キャパシタ上部電極１０３の側面および下面を覆うように設けられたキャパシタ誘電体膜１０２とを有している。 - 特許庁

An etching stopper member, constituted of a material having a resistance to etching agent of a first interlayer insulating film 110, is formed under a cell plate electrode 116 so as to surround an active region along a peripheral edge of the electrode 116.例文帳に追加

セルプレート電極１１６の下方において、第１の層間絶縁膜１１０のエッチング剤に対する耐性を有する材料により構成されるエッチストッパ部材をセルプレート電極１１６の周縁部に沿って上記活性領域を取り囲むように形成する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure has a lower layer conductor wiring 12 and an upper layer conductor wiring 14 insulated from each other by an interlayer insulation film 13 provided with a via hole 15 for electrically conducting two conductor wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造は、層間絶縁膜１３によって相互に絶縁された下層導体配線１２と上層導体配線１４とを有し、当該２層の導体配線層の電気的導通を取るために層間絶縁膜１３にヴィアホール１５が設けられている。 - 特許庁

Forming an interlayer film 13 at the bottom of a copper-wire connection region of the aluminum electrode 6 or around the bottom so as to be covered by the aluminum electrode 6 can reduce defects of aluminum peeling and can prevent aluminum splash, thereby being adaptable to a narrow pad pitch.例文帳に追加

前記アルミ電極６の銅ワイヤ接続領域下層またはその周辺に、アルミ電極６に覆われるように層間膜１３を形成することにより、アルミ剥がれ不良を低減させ、かつアルミスプラッシュを抑制することで、狭パッドピッチ化への対応が可能となる。 - 特許庁

When the electro-optical device is manufactured, an interlayer dielectric 8 is selectively etched in a projection portion forming step to form recesses 8e in regions where a pixel electrodes 9a are expected to be formed and to leave projection streak portions 8f between adjacent recesses 8e.例文帳に追加

電気光学装置を製造するにあたって、突条部形成工程において、層間絶縁膜８を選択的にエッチングして、画素電極９ａの形成予定領域に凹部８ｅを形成するとともに、隣接する凹部８ｅの間に突条部８ｆを残す。 - 特許庁

To obtain a junction having low inductance and the small variation of inductance by preventing the formation of a superconducting electrode extended while crossing the inclined plane of an interlayer insulating film in a lamp edge junction by adopting a simple means regarding a superconductive junction.例文帳に追加

超伝導接合に関し、簡単な手段を採ることで、ランプエッジ接合に於いて、層間絶縁膜の斜面を越えて延在する超伝導電極が生成されないようにし、低インダクタンスで、且つ、インダクタンスのばらつきが少ない接合を実現できるようにする。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

A cushioning film 11 that becomes an interlayer film is provided between a semiconductor electrode 3 on a semiconductor chip 1 and a bump 6, and a columnar connection 12 for electrically connecting the semiconductor electrode 3 and the bump 6 through the cushioning film 11 is provided.例文帳に追加

半導体チップ１上の半導体電極３とバンプ６との間に層間膜たる緩衝材膜１１を有し、前記緩衝材膜１１を貫通して半導体電極３とバンプ６とを電気的に接続する柱状の接続部１２を有した構成とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents an insulating film at an upper end of a dummy gate electrode from being lost and also prevents an insulating film at an upper end of a cell gate electrode from being removed too much when an interlayer insulating film is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法によって層間絶縁膜を平坦化するときに、ダミーゲート電極の上端部の絶縁膜が消失するのを防ぐと共に、セルゲート電極の上端部の絶縁膜が取り除かれ過ぎるのを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing agent capable of efficient and high-speed polishing with reduced influence of pattern density dependency and easy polishing process management without polishing scratches, with respect to CMP technology for smoothening an interlayer dielectric film, a BPSG film, and a shallow-trench-isolation insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、パターン密度依存の影響を少なく、効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、研磨できるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

In the CFRP molded body 1, the pins 5 are inserted into the plurality of holes 4 formed on the resin bodies 3 to be laid between the carbon fiber layers 2, are fixed and, as the result, the interlayer toughness of the CFRP molded body 1 can be improved.例文帳に追加

ＣＦＲＰ成形体１においては、炭素繊維層２間に掛け渡されるように樹脂体３に形成された複数の孔４にピン５が挿入されて固定されることになるので、ＣＦＲＰ成形体１の層間靭性を向上させることができる。 - 特許庁

A passive component 3A and an active component 3B are temporarily held by an inductive paste 9A filled inside a via hole 8 formed on a first substrate 1, together with a segmentalized interlayer connecting member 4 in which wiring circuits 24 at both sides are made continuous by plated through-holes 25.例文帳に追加

第１基板１に形成されたビアホール８内に充填された導電性ペースト９Ａに、受動部品３Ａと能動部品３Ｂと両面の配線回路２４がメッキスルーホール２５にて導通された個片化されてなる層間接続部材４とを仮保持させる。 - 特許庁

The conductive paste 14A is brought into contact with another wiring circuit 24 of the interlayer-connecting member 4 to laminate the second substrate 2, in such manner as to sandwich the insulating embedded member 5 with the first substrate 1 and the second substrate 2; and thereafter, the elements are compressively bonded.例文帳に追加

絶縁性埋め込み部材５を第１基板１と第２基板２とで挟み込むようにして、層間接続部材４の他方の配線回路２４に導電性ペースト１４Ａを接触させて第２基板２を積層した後、これらを加熱圧着する。 - 特許庁

To provide a permanent pattern forming method by which permanent patterns such as a protective film, an interlayer insulation film and a solder resist pattern can be efficiently formed with high definition, by improving exposure performance without incurring a cost increase of an apparatus and a reduction of exposure speed.例文帳に追加

装置のコストアップや、露光速度の低下を招くことなく、露光性能を向上させることにより、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能な永久パターン形成方法を提供する。 - 特許庁