「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

In the thermal transfer sheet 10 comprising a photothermal conversion layer 14 and an image forming layer 16 provided on a support 12, an interlayer adhesive force between the layer 14 and the layer 16 is 2 to 10 g/cm.例文帳に追加

支持体１２上に、光熱変換層１４と画像形成層１６とを設けた熱転写シートにおいて、前記光熱変換層１４と前記画像形成層１６との層間密着力が２ｇ／ｃｍ以上１０ｇ／ｃｍ以下である熱転写シート１０である。 - 特許庁

To improve long-term reliability by preventing the growth of different phases by a metallic compound contained in the internal electrode material inside a stacked piezoelectric substrate, and preventing the deterioration of interlayer breakdown strength of a piezoelectric element in a piezoelectric actuator for needle selection in a knitting machine.例文帳に追加

本発明は編機選針用圧電アクチュエータに関し、積層型圧電体内部の内部電極材に含まれる金属化合物による異相の成長を防止し、圧電素子の層間耐圧劣化を防止することにより、長期的な信頼性の向上を図る。 - 特許庁

A first organic filling material film 7 is applied thicker than an interlayer insulation film 4 over the entire surface including the via holes 6, and then a second organic filling material film 8 having viscosity lower than that of the first organic filling material film 7 is applied.例文帳に追加

第１の有機系埋め込み材料膜７をヴィアホール６内を含む全面に層間絶縁膜４の膜厚よりも厚く塗布し、続いて第１の有機系埋め込み材料膜７よりも粘度の低い第２の有機系埋め込み材料膜８を塗布する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the semiconductor device, the interlayer insulating film 12 is formed on a substrate 11 so as to maintain the cyclic structure of an Si-O bond by plasma treatment using a film-forming gas having the cyclic structure of the Si-O bond.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有する成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を維持するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In an n-channel cell transistor where a control gate CG is stacked on a floating gate FG through an interlayer insulation film 8, the cell transistor is buried channel type and the floating gate FG is composed of a p-type polysilicon film 9.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ上に層間絶縁膜８を介してコントロールゲートＣＧを積み重ねたｎチャネル型セルトランジスタにおいて、このセルトランジスタを埋め込みチャネル型とし、さらに上記フローティングゲートＦＧをｐ型の多結晶シリコン膜９で構成するものである。 - 特許庁

While part of external light is reflected (a broken line arrow in the figure) in a reflective layer 51, the external light which intrudes a second interlayer insulating layer 16s is repeatedly reflected as indicated in the figure (a solid line arrow in the figure) between the reflective layer 51 and a reflective layer 52.例文帳に追加

反射層５１において一部の外光は反射（図中破線矢印）するが、第２層間絶縁層１６ｓに侵入した外光は、反射層５１と反射層５２との間において、図示（図中実線矢印）するように繰返し反射される。 - 特許庁

A channel 112 as a light receiving pixel is formed on a semiconductor substrate 110, and a gate insulating film 120, a gate electrode 121, an interlayer insulating film 122, an acrylic layer 123, a color filter 124 and a flattening layer 125 are sequentially laminated and formed above the channel.例文帳に追加

半導体基板１１０上には、受光画素としてのチャネル１１２が形成されており、その上方には、ゲート絶縁膜１２０、ゲート電極１２１、層間絶縁膜１２２、アクリル層１２３、カラーフィルタ１２４、平坦化層１２５が順次積層形成されている。 - 特許庁

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。 - 特許庁

A position corresponding to a light reception section 52 in a wiring structure layer 90, where the interlayer insulating film made of SOG, or the like and an Al layer are laminated, is etched back to form the opening 120.例文帳に追加

ＳＯＧ等からなる層間絶縁膜とＡｌ層とが積層された配線構造層９０の受光部５２に対応する位置をエッチバックして開口部１２０を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１３０を開口部１２０の側壁面及び底面に堆積する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer wiring board which is high in heat resistance and lessened in size, wherein circuit patterns provided to inner material layers can be lessened in positional deviation, interlayer deviation, and distortion, and a molding plate can be protected against damage.例文帳に追加

内層材の回路のパターンの位置ずれと層間ずれと歪みを小さくすることができ、また、耐熱性を高くすることができると共に小型化することができ、さらに、成形プレートが傷付かないようにすることができる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 20 covering the ferroelectric capacitor 19 formed on a semiconductor substrate 1 employs an insulator containing metal oxide such as a perovskite metal oxide insulator, a bismuth stratified perovskite oxide ferroelectric or the like.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された強誘電体キャパシタ１９を被覆する層間絶縁膜２０として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method capable of improving the adhesion on an interlayer dielectric of the wiring of a narrow wiring width, preventing the falling and peeling of the wiring and performing manufacture at a low cost.例文帳に追加

本発明の課題は、配線幅の細い配線の層間絶縁膜上での密着性を向上させ、配線の倒れ及び剥がれを防止すると共に、低コストで製造することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board small in residual stress by heat history, having an excellent low warpage property and excellent interlayer connection reliability, excelling in productivity and cost performance, and responding to increase of wiring density, in relation to a multilayer board small in board thickness.例文帳に追加

基板厚が薄い多層配線基板に対し、熱履歴による残留応力が少なく、優れた低反り性を有し、および優れた層間接続信頼性、かつ、生産性およびコスト性に優れ、配線の高密度化に対応した多層配線基板を提供する。 - 特許庁

At least one of the first magnetic portion, and the second magnetic portion includes a first magnetic layer having a positive magnetic strain which adjoins the barrier layer, a second magnetic layer, and a multilayer structure having an interlayer between the first magnetic layer and the second magnetic layer.例文帳に追加

第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。 - 特許庁

The interlayer insulation films are prepared, e.g., by applying a borazine-based resin composition containing an organic silicon borazine-based polymer and ethylbenzene and having ≥0.5 mass% solid concentration and ≤30 ppm content of metallic impurities by spin coating and drying the same.例文帳に追加

層間絶縁膜５，７は、例えば有機ケイ素ボラジン系ポリマーとエチルベンゼンとを含んでおり、固形分濃度が０．５質量％以上であって且つ金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下とされたボラジン系樹脂組成物をスピンコートで塗布し乾燥させて得られる。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 20 includes a first silicon oxide layer 20b, formed through a polycondensation reaction that occurs between a silicon compound and a hydrogen peroxide, and a second silicon oxide layer 20c formed on the first silicon oxide layer 20b which includes impurities.例文帳に追加

層間絶縁層３０Ａは、少なくとも、シリコン化合物と過酸化水素との重縮合反応によって形成された第１のシリコン酸化層２０ｂと、第１のシリコン酸化層の上に形成され、不純物を含有する第２のシリコン酸化層２０ｃと、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent intrusion of the water in the outside air without increasing the number of manufacturing processes and has superior characteristics even when the device uses an interlayer insulating film made of a material having a low dielectric constant.例文帳に追加

製造工程を増加することなく外気中の水の侵入を防止することができ、低誘電率膜からなる層間絶縁膜を用いた半導体装置においても良好な特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even if the surface of the end 31 of the diffusion layer 30 is not made to perfectly adhere to the surface of the end 21 of the catalyst layer 20, it is acceptable if the volume of the interlayer air-gap is reduced by applying the catalyst layer along the bent shape of the end part 31 of the diffusion layer 30.例文帳に追加

完全に、拡散層３０の端部３１表面と触媒層２０の端部２１表面とを密着させなくても、拡散層３０の端部３１の屈曲形状に沿うように塗布して層間空隙の体積を減少させればよい。 - 特許庁

Thus, the corner of the chip can physically be reinforced, so that the exfoliation from the corner of the chip upon dicing liable to take place between interlayer insulating films 62, 65, 69, 73 of low dielectric constant and barrier films 64, 68, 72, 76 such as thin SiCN film can be suppressed.例文帳に追加

これによって、チップのコーナー部を物理的に補強でき、低誘電率の層間絶縁膜６２，６５，６９，７３と薄いＳｉＣＮ膜のようなバリア膜６４，６８，７２，７６との間で起こりやすい、ダイシング時のチップのコーナー部からの剥がれを抑制できる。 - 特許庁

The magnetic thin film 15 comprises a pair of magnetic layers 7, 9 and a nonmagnetic intermediate layer 8 sandwiched between the pair of magnetic layers 7, 9, and is configured that sense current flows in the direction perpendicular to the pair of magnetic layers 7, 9 and a surface of the nonmagnetic interlayer 8.例文帳に追加

磁性薄膜１５は、一対の磁性層７，９と、一対の磁性層７，９の間に挟まれた非磁性中間層８と、を有し、センス電流が一対の磁性層７，９、及び非磁性中間層８の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can make two different conductive type impurity regions of high concentration appear in a contact hole, even if the number of masks is reduced by the utilization of an interlayer insulation film as a channel contact mask.例文帳に追加

層間絶縁膜のチャネルコンタクトマスクとしての利用によりマスク数を減らしてもコンタクトホールに高濃度の異なる二つの導電型の不純物領域を出現させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a novel polyorganosiloxane compound excellent in heat resistance, transparency, low-dielectric property and solvent resistance and suitable for interlayer dielectric films on TFT substrates, a photosensitive resin composition and a heat curable resin composition comprising the same, and a patterning process.例文帳に追加

耐熱性、透明性、低誘電率特性、耐溶剤性に優れ、ＴＦＴ基板用層間絶縁膜として好適である新規なポリオルガノシロキサン化合物、これを含む感光性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element, using a method for stably glow discharge plasma treatment by continuously generating a uniform glow discharge plasma under a pressure close to the atmospheric pressure, when manufacturing a low permittivity interlayer insulating thin film in the manufacturing step of the element.例文帳に追加

半導体素子の製造工程における低誘電率層間絶縁薄膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理を行う方法を用いる製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of forming an interlayer insulation film of semiconductor device which allows easily embedding of an insulation material between metal wirings having narrow spacing without generating a void in a process of embedding an insulation material between metal wirings for electrical insulation.例文帳に追加

金属配線同士の間に絶縁物質を埋め込んで電気的に絶縁させる過程において、間隔の狭い金属配線同士の間にもボイドなく容易に絶縁物質を埋め込むことが可能な半導体素子の層間絶縁膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having excellent high resolution, heat resistance, adhesion, electrical properties, thermal shock resistance, PCT resistance and electroless plating resistance required as a solder resist and an interlayer dielectric material of a printed wiring board and as an electroless plating resist.例文帳に追加

プリント配線板のソルダーレジストや層間絶縁材料、無電解めっきレジストとして要求される高解像度、耐熱性、密着性、電気特性、耐熱衝撃性、耐ＰＣＴ性、耐無電解めっき性に優れた感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

It also includes a hole formation process wherein a hole 11a reaching deep in the semiconductor substrate 10 is formed from the surface RS of the semiconductor substrate 10 using the LOCOS oxide film 12 formed in the interlayer film formation process as an etching mask.例文帳に追加

孔形成工程では、層間膜形成工程にて形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１２をエッチングマスクとして利用して、半導体基板１０の表面ＲＳから該半導体基板１０の深層に至る孔１１ａを形成する孔形成工程を備える。 - 特許庁

In an element substrate 10 of an electro-optic device 100, a stress relaxation film 46 formed from a doped silicon oxide film is formed between a third interlayer insulation film 44 formed from non-doped silicon oxide film and a pixel electrode 9a formed from an aluminum film or the like.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。 - 特許庁

An insulating film 4, a sealing film 7, or an interlayer insulating film 10 is formed by a resin having modules of elasticity of 20 to 200 Kg/mm2, thus greatly reducing the warpage of the wafer that has caused problems conventionally, and hence improving the yield in manufacture.例文帳に追加

絶縁膜４、封止膜７あるいは層間絶縁膜１０を弾性率が２０から２００Ｋｇ／ｍｍ2の樹脂により形成することによって、従来問題となっていたウェハの反りを大幅に低減させて、製造上の歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multi-layer printed wiring board by which a via hole can be made in an optional layer while a sheet material with conductor wiring is used to reduce the frequency of pressing, and to provide such a multi-layer printed wiring board that is superior in interlayer adhesion and conduction reliability.例文帳に追加

導体配線を形成したシート材料を用いてプレス回数を低減させながら任意の層にバイアホールを形成することができ、且つ層間密着性と高い導通信頼性を有する多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

First the ferroelectric film 317 is deposited to be thick, and then, the ferroelectric film 317 is flattened by a CMP method with the interlayer dielectric 316 as a stopper, which can be deposited with a uniform thickness on an entire wafer, to form the ferroelectric film 317a.例文帳に追加

まず、強誘電体膜３１７を厚く堆積し、その後に、ウエハ全体で膜厚を均一に堆積可能な層間絶縁膜３１６をストッパとして、ＣＭＰ法で強誘電体膜３１７を平坦化して、強誘電体膜３１７ａを形成する。 - 特許庁

The sidewall-removing liquid, containing a fluorine compound, certain types of amino alcohols, an organic solvent and water having a pH of 9-11, can remove sidewall at a low temperature and in a short time, without corroding the metal wiring material or the interlayer material.例文帳に追加

本発明のフッ素化合物、アミノアルコール類、有機溶剤と水を含有し、ｐＨを９〜１１としたサイドウォール除去液により、金属配線材料や層間材料等を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method wherein sufficient resist residual film is ensured on a shoulder part of a large area resist pattern when an interlayer dielectric is etched and dimension shift after etching is restrained, and a semiconductor device manufacturing system.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜のエッチング時の大面積レジストパターン肩部においても十分なレジスト残膜を確保してエッチング後の寸法シフトを抑制する半導体装置製造方法および半導体装置製造システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

A wiring groove T is formed in an upper IMD (interlayer dielectric) 4 including a plurality of voids S, and the voids S which are exposed to the wiring groove T are each embedded with an insulating film 5, followed by embedding upper wiring 8 in the wiring groove T through a barrier film 7.例文帳に追加

複数の空隙Ｓを含む上側ＩＭＤ（層間絶縁膜）４に配線溝Ｔを形成し、その配線溝Ｔに露出した空隙Ｓに埋込絶縁膜５を埋め込んだのち、配線溝Ｔ内にバリア膜７を介して上側配線８を埋設する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the generation of a crack or the like, capable of obtaining a region for the arrangement of wiring or the like which functions as an element in a plurality of interlayer insulating films, and capable of reducing a manufacturing cost.例文帳に追加

クラックの発生等を防止することができ、複数の層間絶縁膜内において、素子として機能する配線等を配設できる領域を広くとることができ、製造コストの削減を図ることができる、半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The negative photosensitive resin composition is spin-coated and dried on a semiconductor substrate 1 on which a first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulating film 4 have been formed, and light is illuminated through a mask of a pattern for forming a window 6C in a predetermined portion.例文帳に追加

第１導体層３、第２導体層７及び層間絶縁膜４が形成された半導体基板１に、ネガ型感光性樹脂組成物をスピンコートして乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンのマスク上から光を照射する。 - 特許庁

A base region 13 is formed in a surface region of a drift region 11, a source region 14 is formed in a surface region of the base region 13, and an oxide film 20, a gate electrode 30 and an interlayer insulating film 40 are formed on the drift region 11.例文帳に追加

ドリフト領域１１の表面領域にはベース領域１３が形成され、ベース領域１３の表面領域にはソース電極１４が形成され、ドリフト領域１１上には、酸化膜２０、ゲート電極３０、及び、層間絶縁膜４０が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the multilayer printed circuit board laminates an outer layer build-up layer in an inner layer core substrate, forms a laminated circuit substrate by forming an aperture at the copper foil of the outer layer build-up layer, and establishes interlayer connection by forming a hole for conduction for a step via in the substrate.例文帳に追加

内層コア基板に外層ビルドアップ層を積層し、外層ビルドアップ層の銅箔に開口を形成して積層回路基材を形成し、この基材にステップビアホール用の導通用孔を形成して層間接続を行う多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

To provide a composition which is capable of forming a silicone-based film that is usable suitably as an interlayer insulation film in a semiconductor element or the like and has an appropriate uniform thickness and besides is excellent in the dielectric constant characteristics and film strength, and to provide an insulation film and also a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 4, between a second main electrode region 34(2) of the transistor 3 and the barrier film 10, a plug having a second plug 5(2) and a sixth plug 6(2) thereon is also disposed on a second main electrode region 34(2).例文帳に追加

また、トランジスタ３の第２の主電極領域３４（２）とバリア膜１０との間の層間絶縁膜４において、第２の主電極領域３４（２）上には第２のプラグ５（２）とそれに積層された第６のプラグ６（２）とを有するプラグが配設されている。 - 特許庁

To provide a CMP method whereby the organic substances wherewith an interlayer insulating film is impregnated can be removed efficiently therefrom, after residual slurries and polishing residues present on the surface of a substrate are cleaned and removed therefrom by the cleaning liquid containing a surface active agent.例文帳に追加

基板表面上に残留するスラリー及び研磨残留物を界面活性剤を含む洗浄液で洗浄除去した後に、層間絶縁膜に染み込んだ有機物質を効率的に除去することが可能なＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a light absorbing antireflective coating material is deposited on the interlayer insulating layer to form a light shield and is followed by another planarized IMD layer so as to reduce the transmission of the incident light toward the underlying active devices.例文帳に追加

その後、本発明の実施形態では、光吸収反射防止コーティング材料を層間絶縁層の上に析出し、光シールドを形成し、それに他のプレーナ処理したＩＭＤ層が続き、下に存在する能動デバイスに向かう入射光の透過を低減するようにする。 - 特許庁

Consequently, connection reliability of the via conductors 34, 70 can be prevented from dropping due to the warpage of the insulation layer 32 and the interlayer resin insulation layer 68 on a memory 42 caused by reflow heating when a CPU 90 is mounted and heating/cooling during a heat cycle.例文帳に追加

このため、ＣＰＵ９０を実装する際のリフロー加熱、ヒートサイクル時の加熱・冷却によるメモリ４２上の絶縁層３２、層間樹脂絶縁層６８の反りによるビア導体３４とビア導体７０との接続信頼性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

To solve the problem that soldering paste is liable to fly off or bleed out when parts are installed inside a printed wiring board so as to provide a built-in part mounted printed wiring board which is excellent in interlayer adhesion when the parts installed inside are sealed up with an insulating material.例文帳に追加

内層部へ部品を設置する際に生じるはんだペーストの飛び散りやニジミの問題を解消し、加えて絶縁基材にて内層部に搭載された部品を封止する際の層間接着性に優れた部品内蔵型プリント配線板の提供。 - 特許庁

According to this method, the resistance changing rate (ΔR/R) can be raised compared with before while maintaining the low RA and the coercive force of the free magnetic layer 8 can be kept in the low condition as before while the interlayer connecting magnetic field Hin can be made smaller than before further.例文帳に追加

これにより、低いＲＡを維持したまま、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来、また、フリー磁性層８の保磁力を従来と同様に低い状態に保ち、さらには、層間結合磁界Ｈｉｎを従来より小さくできる。 - 特許庁

The occurrence of a crack at the peripheral part of the contact hole 5 is prevented, since the thickness obtained by adding the thickness of the transparent electrode 6 of the first layer to the thickness of the transparent electrode 7 of the second layer can be secured at the peripheral part of the contact hole 5 in the interlayer insulating film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜４のコンタクトホール５周縁部は２層目の透明電極７の厚さに対してさらに１層目の透明電極６の厚さを加えた厚さが確保できるため、コンタクトホール５周縁部におけるクラック発生が防止される。 - 特許庁