「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

After silicide films 116n and 116p, a first interlayer insulating film 145, and first plugs 150n and 150p are formed on a silicon substrate 100 on which a highly concentrated source-drain regions 101b and 102b are formed, a Ti/TiN/W deposited film 151 is formed.例文帳に追加

高濃度ソース・ドレイン領域１０１ｂ，１０２ｂが形成されたシリコン基板１００上に、シリサイド膜１１６ｎ，１１６ｐ，第１の層間絶縁膜１４５，第１プラグ１５０ｎ，１５０ｐを形成した後、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ積層膜１５１を形成する。 - 特許庁

The present invention relates to a nitride-based light emitting device having a buffer layer, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer formed on a substrate, wherein an Al_1-xSi_xN interlayer is formed inside of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＮからなる中間層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a laminated film having a high wetting tension of a bonded layer bonded onto a base material layer adhesive face, and excellent adhesion affinity, having a seal layer of low sliding friction coefficient, and an excellent anitiblocking property, and having strong adhesiveness between the respective layers, and capable of preventing interlayer separation.例文帳に追加

基材層接着剤面に貼合せる貼合せ層の濡れ張力が大きく接着親和性が良好で、シール層の滑り摩擦係数が小さくアンチブロッキング性に優れ、然も、各層間の接着が強固で層間剥離がない積層フィルムを提供する。 - 特許庁

The magnetic recording head 40 includes a write pole 42, a return pole 44, a wire positioned between the write pole 42 and the return pole 44, a first free layer 56, and a first interlayer 72 positioned between the write pole 42 and the first free layer 56.例文帳に追加

この磁気記録ヘッド４０は、書込み磁極４２と、戻り磁極４４と、書込み磁極４２と戻り磁極４４の間にあるワイヤ４８と、第１の自由層５６と、書込み磁極４２と第１の自由層５６の間にある第１の中間層７２とを備える。 - 特許庁

In a circuit apparatus, a projection 60 projecting in a thickness direction is provided on the upper surface of and the lower surface of a conductive pattern 11 of a metal core layer, and an interlayer connection for making wiring layers conduct to each other is provided on a region in which the projection 60 is provided.例文帳に追加

回路装置では、金属コア層である導電パターン１１の上面および下面に厚み方向に突出する突出部６０を設けており、この突出部６０が設けられた領域に、各配線層同士を導通させる層間接続部を設けている。 - 特許庁

For a hybrid integrated circuit, the connection of fixed potential of the earth or the like of each integrated circuit chip 106 is performed through a through connection 110 made in a through hole piercing a lower insulating layer 102, an interlayer insulating layer 104, and a through hole 110.例文帳に追加

各集積回路チップ１０６の接地などの固定電位の接続を、下部絶縁層１０２および層間絶縁層１０４を貫通するスルーホール内に形成された貫通接続部１１０を介し、そしてアイランド１０１ａを介して行うようにした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents excessive polishing in the vicinity of an orientation flat (OF) when an interlayer insulation film formed of a silicon oxide film on a metal pattern is flattened and polished by a CMP method, and excels in uniformity of the thickness of the insulation film.例文帳に追加

金属パターン上のシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜をＣＭＰ法で平坦化研磨するとき、オリエンテーションフラット（ＯＦ）近傍において過剰研磨がなく、絶縁膜の膜厚均一性がよい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a bit line diffusion layer 11, a bit line insulating film 12, an ONO insulating film 4, a second gate electrode 6, a contact diffusion layer 13, an interlayer insulating film 9, a contact electrode 8, an ultraviolet-ray blocking film 22, and an ultraviolet-ray blocking film 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線拡散層１１と、ビット線絶縁膜１２と、ＯＮＯ絶縁膜４と、第２ゲート電極６と、コンタクト拡散層１３と、層間絶縁膜９と、コンタクト電極８と、紫外線遮光膜２２と、紫外線遮光膜２１とを備える。 - 特許庁

Before a hole work process, where a hole 15 for forming an interlayer connection wiring (via hole) 18 is opened with laser, related to a surface conductor film 20, the conductor on surface is removed to reduce the film thickness of the surface conductor film, while the laser reflectivity of surface is decreased.例文帳に追加

層間接続用配線（ビアホール）１８形成用の孔１５をレーザによりあける孔加工工程の前に、表面導体膜２０に対して、表面の導体を除去して表面導体膜の膜厚を薄くしつつ、表面のレーザ反射率を低下させる。 - 特許庁

To obtain a linear aromatic polymer which comprises a thermosetting resin curable through a crosslinking reaction even at 280°C or below, and can be used as a material for an interlayer insulating film, to provide its manufacturing method, and to obtain a coating liquid which can form an insulating film excellent in chemical resistance.例文帳に追加

２８０℃以下であっても架橋反応を起こし硬化し得る熱硬化性樹脂であって、層間絶縁膜材料として用いることができる線状芳香族ポリマーとその製法、および耐薬品性に優れた絶縁膜を形成し得る塗布液を提供する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition is used as a forming material of a coating, a printing ink, a color filter, an electronic part, an interlayer insulation film, a wiring-coating film, an optical member, an optical circuit, an optical circuit part, a reflection-preventing film, a hologram or a construction material.例文帳に追加

本発明の感光性樹脂組成物は、塗料又は印刷インキ、或いは、カラーフィルター、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光学部材、光回路、光回路部品、反射防止膜、ホログラム又は建築材料の形成材料として用いられる。 - 特許庁

Conductor patterns 31U, 41U, and 51U are formed in the +Z direction, and wiring boards 30U, 40U, and 50U which are formed with through holes and solder bumps of an interlayer conductive connection structure are located in order on the +Z-direction side of a double-sided wiring board 20.例文帳に追加

＋Ｚ方向側に導体パターン３１Ｕ，４１Ｕ，５１Ｕが形成されるとともに、層間導通接続構造であるスルーホールと半田バンプが形成された配線基板３０Ｕ，４０Ｕ，５０Ｕが、両面配線基板２０の＋Ｚ方向側に順次配置される。 - 特許庁

A lower layer circuit pattern 16, including a connecting pad 6, is formed on the main surface of a core substrate 11, a via hole bottom strengthening pad 7 is formed on this connection pad 6, and a via hole 5 reaching the via hole bottom strengthening pad 7 is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

コア基板１１の主面に接続パッド６を含む下層の回路パターン１６が形成され、この接続パッド６上にビアホール底強化パッド７を形成され、層間絶縁膜１０にビアホール底強化パッド７に達するビアホール５が形成されている。 - 特許庁

When so etching an interlayer insulating film 5 including a porous low dielectric-constant film 3a as to form a contact hole 7a, fluorine A remains in the inside of the porous low dielectric-constant film 3a which is present near a sidewall 3b of the contact hole 7a, because of the use of a fluorine-based gas.例文帳に追加

多孔質低誘電率膜３ａを含む層間絶縁膜５をエッチングしてコンタクトホール７ａを形成するとき、フッ素系ガスを用いるため、フッ素Ａがコンタクトホール７ａの側壁３ｂ付近の多孔質低誘電率膜３ａの膜中に残留する。 - 特許庁

In the semiconductor device, grooves 200, 300, 400, and 500 are formed to respectively pass through interlayer insulating films 3, 5, 7, and 9 and silicon nitride films 2, 4, 6, and 8 in the vertical direction, and wiring layers 30, 50, 70, and 90 are respectively formed in the grooves 200, 300, 400, and 500.例文帳に追加

層間絶縁膜３，５，７，９およびシリコン窒化膜２，４，６，８それぞれを上下方向に貫通するように溝２００，３００，４００，５００が形成されており、その溝２００，３００，４００，５００内には配線層３０，５０，７０，９０が形成されている。 - 特許庁

The silicon nitride film 206 is formed under the state, in which gate wirings 204 on a substrate 201 are covered, and the interlayer insulating film 207, consisting of the silicon oxide based material, is formed onto the silicon nitride film 206 in a state, in which irregularities by the gate wiring 204 are embedded.例文帳に追加

基板２０１上のゲート配線２０４を覆う状態で、窒化シリコン膜２０６を形成し、この窒化シリコン膜２０６上にゲート配線２０４による凹凸を埋め込む状態で酸化シリコン系材料からなる層間絶縁膜２０７を形成する。 - 特許庁

The polyester film which is intended for use as an interlayer for laminated glass and is highly adhesive to polyvinyl butyral has a crosslinked primer layer on at least one side of the polyester film, wherein the crosslinked primer layer is formed from a composition comprising a silane coupling agent and alkaline inorganic fine particles having an average particle size of 1-150 nm.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面にシランカップリング剤及び平均粒子径１〜１５０ｎｍのアルカリ性無機微粒子を含む組成物から形成された架橋プライマー層を有するポリビニルブチラール易接着性合わせガラス中間膜用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide an interlayer connecting member of a multilayer printed wiring board which is high in the positioning accuracy of a metal ball, without producing a residue and the like due to drilling and laser processing which is not influenced by heat in processing, ad to provide its manufacturing method, a multilayer printed wiring board and its manufacturing method.例文帳に追加

金属球の位置決め精度が高く、ドリリングやレーザ加工による残渣等が生ぜず、加工時の熱による影響もない多層プリント配線板の層間接続部材とその製造方法並びに多層プリント配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the upper-layer wiring part 124A of the charge release contact 124 is formed in such state as buried in the embedded recessed part 122A so that the protrusion amount of the upper-layer wiring part 124A with respect to the interlayer insulating film 120 becomes less, resulting on a smaller step.例文帳に追加

この結果、電荷抜きコンタクト１２４の上層配線部１２４Ａは、埋設凹部１２２Ａに埋め込まれた状態で形成され、層間絶縁膜１２０に対する上層配線部１２４Ａの突出量を小さくし、それによる段差を小さくする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11, consisting of an SiO2 film 9 and an SiN film 10, is formed on the entire surface and after a flattened insulating film 14, which have open parts at positions corresponding to a source 7a and drain 7c is formed on the film 10, the contact holes 12 are formed.例文帳に追加

そして全面にＳｉＯ_2膜９、ＳｉＮ膜１０からなる層間絶縁膜１１を形成し、それをソース７ａ及びドレイン７ｃに対応した位置に開口部を有する平坦化絶縁膜１４を形成した後、コンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

Separately from an interlayer conductive part 17 formed with a conductive paste filled in a via hole, a strain restraining pillar-shaped part 21 is formed which is filled in a blind hole formed in the adhesive layer 13 and is formed with the conductive paste coming into non-contact with a conductive layer 12.例文帳に追加

バイアホールに充填された導電性ペーストによる層間導通部１７とは別に、接着層１３に形成されたブラインドホールに充填されて導体層１２とは非接触の導電性ペーストによる歪抑制柱状部２１を形成する。 - 特許庁

The NAND flash memory has a structure that a silicon nitride film 21 is formed as a spacer in the side wall of an interlayer insulating film 20 in a contact hole 8 between the gate electrodes 5, 5 of a memory cell region 2 and the contact hole 9 of a high voltage resistance transistor 6 in the peripheral circuit region 3.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、メモリセル領域２のゲート電極５、５間のコンタクトホール８と周辺回路領域３の高耐圧トランジスタ６のコンタクトホール９とに、層間絶縁膜２０の側壁にスペーサとしてのシリコン窒化膜２１を形成する構成である。 - 特許庁

Interlayer resin insulating layers and conductor circuits are formed successively on the board, in which the capacitor is housed or built for the formation of the multilayered printed wiring board, and the capacitor, the conductor circuit, and the upper and lower conductor circuit are connected through via holes.例文帳に追加

また、上記コンデンサが内臓または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、該コンデンサと導体回路および上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

Since wet etching is employed for the etching of the interlayer insulating film, the amount of the insulating film 15 on the sides of the wiring lines 10 to be etched can be reduced, and the insulation resistance between the contact plug 25 filling the contact hole 18 and the wiring line 10 can be improved.例文帳に追加

層間絶縁膜のエッチングにウェットエッチング法を採用しているため、配線１０の側面上の絶縁膜１５に対するエッチング量が低減し、コンタクトホール１８を充填するコンタクトプラグ２５と配線１０との間の絶縁耐性が向上する。 - 特許庁

To provide a resin composition coated in thick films with good in-plane uniformity in coating and alkali developed and giving cured products having high resolution and suitable for uses as surface protection films, interlayer insulating films and insulating films for high-density mounting boards.例文帳に追加

塗布時の面内均一性が良好で、高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高い硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein the contact hole of an interlayer insulation film is filled with an upper conductive layer and the upper conductive layer is substantially electrically connected with an lower conductive layer even the semiconductor device is miniaturized.例文帳に追加

半導体装置が微細化されても、層間絶縁膜のコンタクト・ホール内に上層の導電層が充填され、上層の導電層と下層の導電層とが電気的に充分に接続された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in such performances as sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness and coating property, having improved adhesiveness particularly to an inorganic material, and suitable for forming an interlayer dielectric in an LCD manufacturing process.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性、平坦性、コーティング性などの性能に優れているだけでなく、特に無機質材料との接着性が顕著に向上して、ＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜を形成するのに適合する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Parts (25-1, 25-2) of the metal electrode 25 extend on an interlayer insulation film 34 located on the plate electrodes 18a, 19a and the parts (25-1, 25-2) of the metal electrode and plate electrodes 18a, 19 are respectively capacitance-coupled.例文帳に追加

金属電極２５の一部（２５−１、２５−２）は、プレート電極１８ａ、１９ａの上に位置する層間絶縁膜３４上に延在しており、金属電極の一部（２５−１、２５−２）とプレート電極１８ａ、１９のそれぞれとは互いに容量結合している。 - 特許庁

A groove is formed in a first interlayer insulating film 6 deposited on a semiconductor substrate 1, such that by making the groove have an inverted tapered configuration, a gate electrode 8 can be embedded in the groove so as not to produce voids in the subsequent step.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された第１の層間絶縁膜６中に溝部を形成する際に、逆テーパ型に形成することにより、この後の工程で前記溝部にゲート電極８を埋め込む際に、ボイドが発生しないようにして埋め込むことができる。 - 特許庁

Furthermore, an interlayer insulating film 8 composed of BPSG and an electrode pad 9 composed of aluminum are formed on the stress mitigating member 7 and the ground insulating film 3, while a PSG film 10 and a protective film 12 composed of a polyimide film 11 are laminated and formed thereon.例文帳に追加

さらに、応力緩和部材７と下地絶縁膜３の上には、ＢＰＳＧからなる層間絶縁膜８とアルミニウムからなる電極パッド９が形成され、その上にはＰＳＧ膜１０及びポリイミド膜１１からなる保護膜１２が積層形成されている。 - 特許庁

To provide laminated glass which has excellent ability of relieving impact applied from the outside and exhibits, particularly when used as glass for motor vehicles, excellent impact relieving ability when a head portion collides with the glass in a vehicle-to-person accident; and an interlayer film therefor.例文帳に追加

外部から加えられた衝撃を緩和する性能に優れ、特に車両用のガラスとして使用した場合において、対人事故が発生して頭部が衝突したときの衝撃緩和性能に優れる合わせガラス及び合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide a PVA resin composition having excellent melt moldability which enables to form a film superior in transparency without the occurrence of an odor during melt molding or leaving an odor on a product, and enables to obtain a laminated film having superior interlayer adhesion strength.例文帳に追加

溶融成形性に優れ、溶融成形時に臭気が発生したり、製品に臭気が残存することがなく、透明性に優れたフィルムが得られ、さらには層間接着強度に優れた積層フィルムを得ることができるＰＶＡ系樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A third interlayer insulating film 43 is formed between a data line 6a and a pixel electrode 9a and a part thereof extended to a region R where the data line 6a and the pixel electrode 9a are superposed is formed so as to be thicker as compared with the other part.例文帳に追加

第３層間絶縁膜４３は、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に形成されており、データ線６ａ及び画素電極９ａが相互に重なる領域Ｒに延びる部分が他の部分に比べて厚くなるように形成されている。 - 特許庁

Laminated on the polished surface of the element is an interlayer insulating layer 12, and on which an oxide superconducting layer 13 as a lower electrode, a barrier layer 14 and an oxide superconducting layer 15 are sequentially laminated in this order, thus completing an oxide superconducting element.例文帳に追加

この表面上に層間絶縁層１２を積層し、その上に下部電極を構成する酸化物超電導層１３、バリア層１４、上部電極を構成する酸化物超電導層１５を形成して酸化物超電導素子を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display, in which usable materials are hardly constrained and which can curb equipment cost necessary for manufacture and enables to form a bubble-free transparent interlayer between a display panel and a protective plate in a short time.例文帳に追加

使用可能な材料の制約が少なく，製造に必要な設備コストを抑えることが出来，さらに短時間で表示パネルと保護板の間に気泡の混入が無く透明な中間膜を形成する事が可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the elapsed time T is in a gray zone between a DVD discrimination threshold (Step 1010) and a CD discrimination threshold (Step 1014), the disk is rotated for a designated period of time (Step 1100), pickup positioning is performed (Step 1102), and the interlayer spacing is measured once again.例文帳に追加

経過時間ＴがＤＶＤ判定閾値（ステップ１０１０）とＣＤ判定閾値（ステップ１０１４）の間のグレーゾーンにあるときはディスクを一定時間回転し（ステップ１１００）、ピックアップ位置決めを行って（ステップ１１０２）、層間隔の測定を再度行う。 - 特許庁

A silicon nitride film having a thickness of at least not less than three times of that of the lower electrode is provided on the interlayer insulating film with a plug formed, after patterning the silicon nitride film in a line shape in some cases, the deep hole is formed by depositing the thick insulating film.例文帳に追加

プラグが形成された層間絶縁膜上に、下部電極の厚さの少なくとも３倍以上の厚さからなる窒化シリコン膜を設け、場合によっては前記窒化シリコン膜をライン状にパターン化した後、厚い絶縁膜を堆積して深孔を形成する。 - 特許庁

This preform is structured of a plurality of laminated multi-axial cloths formed of carbon fibers with an elastic modulus in tension of 210 GPa and a breaking strain energy of 40 Mj/m^3 or more, and an interlayer toughness reinforcing material arranged between the layers of the multi-axial cloths.例文帳に追加

引張弾性率が２１０ＧＰａ以上で、かつ破壊歪みエネルギーが４０ＭＪ／ｍ^3 以上の炭素繊維からなる多軸布帛が複数枚積層され、該多軸布帛の層間には層間靭性補強材が配置されていることを特徴とするプリフォーム。 - 特許庁

According to this manufacturing method, generation of three kinds of defects at the internal portion of the laminated material 11, interlayer peeling, crack, and air hole can be prevented completely and a sintered material not including any defect at the internal part of the laminated material can be manufactured.例文帳に追加

この製造方法によれば、積層体１１の内部に発生する層間剥離、クラック、気孔の３種類の欠陥の全てについて発生の防止が可能であり、これによって積層体の内部に欠陥を含まない焼結体を作製することができる。 - 特許庁

Subsequently, a photosensitive organic material is formed on the interlayer insulating film 15, and the photosensitive organic material on a region separated from a contact hole CH2 is exposed via a mask 41 having a transmission part 41W and an extended transmission part 41C continuous with an end portion of the transmission part 41W.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１５上に、感光性有機材料を形成し、透過部４１Ｗ及びその端部と連続する拡張透過部４１Ｃを有したマスク４１を介して、コンタクトホールＣＨ２と離間した領域の感光性有機材料を露光する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of the step of an interlayer insulating film between a DRAM region and a logic region without causing any trouble, such as the increase etc., of parasitic capacitance, and at the same time, more accurately adjust the depth of a plate contact in a semiconductor device mixedly palletizing a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載半導体装置において、寄生容量の増大等の不具合を伴うことなくＤＲＡＭ領域とロジック領域の間における層間絶縁膜の段差の発生を抑制することと共に、プレートコンタクトの深さをより正確に調整する。 - 特許庁

To provide a polymer which can form a film which is usable as, e.g., an interlayer insulation film in a semiconductor element or the like, has a low dielectric constant, is excellent in mechanical strength and adhesiveness, and has a homogeneous quality; and a method for producing the polymer.例文帳に追加

例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる、膜の比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ均一な膜質が得られるポリマーの製造方法およびポリマーを提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a third electrode 116 opposite to the second electrode with a second interlayer insulating film 114 disposed therebetween; a second gate insulating film 117; a second CNT 118; and a second gate electrode 115 formed to have structures similar to the first gate insulating film, the first CNT, and the first gate electrode.例文帳に追加

更に、第２の層間絶縁膜１１４を挟み第２の電極と対向する第３の電極１１６と、各々第１のものと同様に構成された第２のゲート絶縁膜１１７、第２のＣＮＴ部１１８及び第２のゲート電極１１５を備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the opening with a tapered portion of an oxide-based interlayer insulating film, capable of obtaining wiring dimensions as designed and improved step coverage, without enlarging the diameter of the opening of the insulating film in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An upper electrode is formed over a heavily-doped region (source region or drain region), and a contact hole penetrating an interlayer insulating film is formed so as to overlap a region, where the upper electrode and the high-concentration impurity region overlap.例文帳に追加

高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）の上に上部電極を形成し、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを上部電極と高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）とが積層された領域と重なる位置に形成する。 - 特許庁