「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the cleaning solution selectively removes etching-derived by-products remaining on a source/ drain region 40 and the damaged surface of a silicon substrate 10 while minimizing damages to an impurity-doped interlayer insulating film 60, a predetermined distance A can be maintained between adjacent SACs 70.例文帳に追加

洗浄液は、不純物のドープされた層間絶縁膜６０に対する損傷は最小化しながら、ソース／ドレイン領域４０上に残留するエッチング副産物及び損傷されたシリコン基板１０の表面を選択的に除去するため、ＳＡＣ７０間に一定の距離Ａ'を保つことができる。 - 特許庁

An ink jet medium to be recorded is formed on a base material 2 with a dye-fixing layer 1 consisting of an interlayer compound and bonding agent for acceptably retaining water soluble dye through an intercalation, wherein a quaternary ammonium modified polyvinyl alcohol resin is used as a bonding agent.例文帳に追加

基材２上に、水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とからなる染料定着層１が形成されてなるインクジェット用被記録媒体において、結着剤として４級アンモニウム変性ポリビニルアルコール樹脂を使用する。 - 特許庁

The electrooptical device includes pixel electrodes (9a) provided for respective pixels and provided with a polygonal shape having a diagonal line along the pretilt direction of vertically aligned liquid crystal (50) and a first conductive layer (17) formed more on the lower layer side than the pixel electrodes through an interlayer insulating film on a substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられ、垂直配向液晶（５０）のプレチルト方向に沿った対角線を有する多角形状を有する画素電極（９ａ）と、画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に形成された第１導電層（１７）とを備える。 - 特許庁

The radiation sensitive resin composition is a positive radiation sensitive resin composition containing [A] an alkali-soluble resin, [B] 1,2-quinone diazide compound, and [C] a compound represented by the general formula (1), and is achieved by the interlayer insulating film made thereof and method of forming them.例文帳に追加

上記感放射線性樹脂組成物は、［Ａ］アルカリ可溶性樹脂、［Ｂ］１，２−キノンジアジド化合物、［Ｃ］一般式（１）で示される化合物を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物であり、それから形成された層間絶縁膜並びにそれらの製造方法によって達成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first wiring layer insulating film, a plurality of first copper wiring lines 8 buried and formed in the first wiring layer insulating film, and an interlayer insulating film (second dielectric constant film 10) formed on the first copper wiring lines 8 and the first wiring layer insulating film.例文帳に追加

第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。 - 特許庁

Each pixel has a photoelectric conversion part 202 which converts incident light into an electric signal, an optical waveguide 218 formed on the photoelectric conversion part 202, an interlayer insulating film 220 formed around the optical waveguide 218, and a color filter 212 formed on the optical waveguide 218.例文帳に追加

それぞれの画素は、入射光を電気信号に変換する光電変換部２０２と、光電変換部２０２上に形成された光導波路２１８と、光導波路２１８の周囲に形成された層間絶縁膜２２０と、光導波路２１８上に形成されたカラーフィルタ２１２とを備える。 - 特許庁

The pixel electrodes are electrically connected to the first conductive layer through a connection part (9a') formed in a contact hole (33) opened in the interlayer insulating film in an area including a vertex that the diagonal line along the pretilt direction passes through among the vertexes of the pixel electrodes.例文帳に追加

画素電極は、画素電極の頂点のうちプレチルト方向に沿った対角線が通る頂点を含む領域において、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（３３）に形成された接続部（９ａ´）を介して、第１導電層に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board having a resin interlayer dielectric layer excellent in reliability of connection of conductor circuits with each other, because dielectric constant and dielectric loss tangent are small, a signal delay and a signal error scarcely occur even if high frequency signals are used, and mechanical characteristics are excellent.例文帳に追加

誘電率や誘電正接が小さく、高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラーが発生しにくく、また、機械的特性にも優れるために導体回路同士の接続の信頼性が高い層間樹脂絶縁層を有する多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By covering a step that is caused between the lower lead electrode 3 and the substrate with the interlayer dielectric 5, when a conductive film for the lower electrode is deposited on the substrate and patterned by etching, there is not the fear that etching residue at the step caused by a conventional manufacturing method may be caused.例文帳に追加

下部引き出し電極３と基板との間に生じる段差部分を、層間絶縁膜５で覆うことにより、下部電極用の導体膜を基板上に堆積してエッチングによりパターニングする際、従来の製造方法では段差部分に生じていたエッチング残渣が生じるおそれがなくなる。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which allows for electrical inspection of whether or not the deviation of an inner layer pattern from an interlayer connection via falls within an allowable range, with a small number of detection units, without having an impact on the finish state of the inner layer pattern by etching.例文帳に追加

少ない検出部で、エッチング加工による内層パターンの仕上り状態に影響を受けることなく層間接続用ビアに対する内層パターンずれが、許容範囲内であるか否かを電気的に検査することが可能な多層プリント配線板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The package substrate has a shape in which bottomed-holes having a plurality of shapes are formed and the interlayer connections are made in a plurality of layer, and also has a structure that the connections are made after a conductive process with only a single process of plating or with thick nonelectrolyte plating or with conductive paste.例文帳に追加

複数形状を有する非貫通孔の形状で、少なくとも、その層間接続方法が多段と成る形状を有し、且つその接続方法が導電化後、一回のめっき、或いは、厚付け無電解めっきや導電ペーストにより接続された構造を有するパッケージ基板。 - 特許庁

In this electro-optical device, a flattening film 80 is formed between electrodes 74, 75 and the like each of which is connected to the wiring formed on a junction board such as a flexible board and the like and a first interlayer insulating layer 284 is formed on the flattening film 80 and at edge parts of the electrodes 74, 75.例文帳に追加

フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。 - 特許庁

To provide a commutator for a motor and its manufacturing method, which is capable of significantly shortening work time and preventing occurrence of an interlayer short circuiting by reducing wire processing and bonding man-hours of jumper wires, and preventing a segment from swelling by a large amount to the outside, by eliminating a space of the jumper wires.例文帳に追加

渡り線の線処理及び接合工数を削減して、作業時間を大幅に短縮すると共にレアショートの発生を防止でき、さらに渡り線スペースを無くしてセグメントが外部に大きく膨らむのを防止できるモータ用整流子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, applying etching using a photo resist 110 formed with a first via-hole opening 111 and a second via-hole opening 112 with a wider base area than that of the first via-hole opening 111 to the interlayer insulation film 108 forms the first and second via-holes 113, 114.例文帳に追加

次いで、第一のビア用開口部１１１および第一のビア用開口部１１１よりも底面積の広い第二のビア用開口部１１２が形成されたフォトレジスト１１０を用いたエッチングにより、層間絶縁膜１０８に、第一のビアホール１１３と、第二のビアホール１１４を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayered structure comprising at least a polyester resin layer and a resin layer having a combination of adhesive and gas-barrier properties, which effectively prevents delamination from occurring even in a two-step blow molding process, and excels in appearance characteristics, interlayer adhesion and functionality.例文帳に追加

少なくともポリエステル樹脂層、及び接着性兼ガスバリヤー性樹脂層から成る多層容器において、２段ブロー成形法によっても層間剥離の発生が有効に抑制され、外観特性、層間接着及び機能性に優れた多層構造体を提供することである。 - 特許庁

The ferroelectric storage element having the structure covering at least a part of the ferroelectric thin film (4) and further covering an interlayer insulation film of BPSG(boron phosphorous silicate glass) small in the diffusion coefficient of hydrogen is provided by the lamination of Ti (9), the oxidation films (8) and (8').例文帳に追加

また、水素を吸蔵するＴｉ（９）と酸化膜（８）および（８’）の積層で強誘電体薄膜（４）の少なくとも一部を覆い、さらに水素の拡散係数が小さいＢＰＳＧ（boron phosphorus silicate glass）（１２）の層間絶縁膜で覆う構造を有する強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

Similarly, after a second side wall metal 8 is provided on the side wall within a trench 7 of a second interlayer dielectric 6 including a porous second low dielectric constant film 6b, a second etching stopper layer 6a is etched and an upper layer 9 is formed that connects to the via plug 5.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 - 特許庁

Further, the method includes a stage of forming the storage capacitor on the interlayer dielectric so that the storage capacitor partially overlaps with the semiconductor layer and is electrically connected to the pixel-electrode-line-side source/drain region through the contact hole, and also has an in-groove part 70t overlapping the groove.例文帳に追加

更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 - 特許庁

When the ITO film to be an pixel electrode 4 is deposited after that, oxygen transfer at the interface between the interlayer insulating film and the ITO film is prevented and side etching of the ITO at the interface can be suppressed, because the oxygen ratio of the film surface in the nitrogen plasma treatment is lower than that in oxygen plasma treatment.例文帳に追加

その後、絵素電極４となるＩＴＯ膜を成膜する際に、窒素プラズマ処理では膜表面の酸素割合が酸素プラズマ処理よりも低いため、層間絶縁膜とＩＴＯとの界面における酸素移動を防いで界面でのＩＴＯのサイドエッチングを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a laminated glass and an interlayer film for the laminated glass which have high performance for mitigating the impact given externally and, particularly in the case of using it as glass for vehicles, have high performance for mitigating the impact when head comes into collision with the glass due to the occurrence of a bodily injury accident.例文帳に追加

外部から加えられた衝撃を緩和する性能に優れ、特に車両用のガラスとして使用した場合において、対人事故が発生して頭部が衝突したときの衝撃緩和性能に優れる合わせガラス及び合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide: an organic semiconductor device having suitable layer constitution that gives no damage to an active layer, especially, during the formation of an interlayer dielectric and through-hole processing in an active substrate composed of an organic transistor; a method of manufacturing the same; and an active matrix display device using the organic semiconductor device.例文帳に追加

有機トランジスタからなるアクティブ基板作製において、特に層間絶縁膜の形成やスルーホール加工によって活性層にダメージを与えない最適な層構成の有機半導体装置及びその製造方法、並びに該有機半導体装置を用いたアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having good sensitivity, having high surface hardness and solvent resistance as well as excellent flatness (residual film rate), and to provide an interlayer insulating film for a display element and a method for forming the film, which is obtained from the above composition and does not induce display failure.例文帳に追加

良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性（残膜率）を有する感放射線性樹脂組成物、表示不良を引き起こさない当該組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which simultaneously achieves low temperature calcination and storage stability and has high radiation sensitivity, and to provide a cured film as an interlayer dielectric film, a protection film or a spacer, which is suitable for flexible display applications and is excellent in surface hardness, solvent resistance and dielectric constant.例文帳に追加

低温焼成と保存安定性とを両立し、かつ高い放射線感度を有する感放射線性樹脂組成物、及びフレキシブルディスプレイ用として好適な、表面硬度、耐溶媒性及び比誘電率に優れる層間絶縁膜、保護膜又はスペーサーとしての硬化膜の提供。 - 特許庁

A plurality of openings 33B are formed at predetermined intervals in the interlayer insulating film 29 formed directly under the bonding pad BP, and plugs 34 made of the same conductive film (W/TiN/Ti) as the plug 34 in a through hole 33A are buried in the respective openings 33B.例文帳に追加

ボンディングパッドＢＰの直下の層間絶縁膜２９には複数の開孔３３Ｂが所定の間隔を置いて形成されており、それぞれの開孔３３Ｂの内部にはスルーホール３３Ａの内部のプラグ３４と同じ導電膜（Ｗ／ＴｉＮ／Ｔｉ）からなるプラグ３４が埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin-coated aluminum sheet which hardly generates an interlayer peeling and cracking in resin coating films and hardly generates a fissure in the resin coating films during drawing, squeezing, etc., and prevents the easy peeling of the resin coating films from the aluminum sheet, and a molding consisting of such aluminum sheet.例文帳に追加

絞り加工、しごき加工などの際に、層間剥離や樹脂被覆膜にクラックが発生し難く、樹脂被覆膜に亀裂が発生し難く、かつ、樹脂被覆膜がアルミニウム板から容易に剥離することがない熱可塑性樹脂被覆アルミニウム板、およびこのアルミニウム板よりなる成形体を提供する。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film which is curable at ≤450°C, provides a film having proper uniform thickness, dielectric constant characteristics, water absorption characteristics, excellent CMP resistance and a small void size, useful as interlayer dielectrics in a semiconductor element.例文帳に追加

４５０℃以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、ＣＭＰ耐性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

This system is made executable as a series of works in the conventional manufacturing process of a multilayer wiring board so that the process can be simplified, and it is not necessary to use solder being an environmental load substance for inter-part or interlayer connection so that this multilayer wiring board can be made suitable even for an environment.例文帳に追加

本方式は従来の多層配線基板の製造工程の中で一連の作業として実施可能であるから、工程を簡略化できると共に、部品間や層間の接続に環境負荷物質である半田を使用しなくて済むことから環境問題に対しても好適である。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in high resolution, heat resistance, adhesion, electrical properties, thermal shock resistance, PCT resistance and electroless plating resistance required as a solder resist and an interlayer insulating material of a printed wiring board and as an electroless plating resist and having good storage stability.例文帳に追加

プリント配線板のソルダーレジストや層間絶縁材料、無電解めっきレジストとして要求される高解像度、耐熱性、密着性、電気特性、耐熱衝撃性、耐ＰＣＴ性、耐無電解めっき性に優れ、かつ保存安定性の良い感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

The wiring 9 composed of a first metal layer 9a composed of an aluminum film or an aluminum alloy film and a second metal layer 9b composed of a silver film or a silver alloy film patterned in the same shape as that of the first metal layer 9a is formed on a second interlayer insulating film 8.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８上には、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜からなる第１の金属層９ａ及び第１の金属層９ａと同一形状にパターン化された銀又は銀合金からなる第２の金属層９ｂからなる配線９が形成されている。 - 特許庁

An electrically conductive film is formed on the second interlayer insulating film 9, and patterned by dry etching to form an inspection signal input pad 14b connected to the other impurity region 5b and a switching signal input pad 14a connected to the gate electrode 4b.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜９に導電膜を形成し、この導電膜をドライエッチングによりパターニングすることにより、他方の不純物領域５ｂに接続する検査信号入力用パッド１４ｂと、ゲート電極４ｂに接続するスイッチング信号入力用パッド１４ａとを形成する。 - 特許庁

At the time of shift from the layer 1 to the layer 2 (S24:Y), the last laser power Pwr1 of the layer 1 adjusted by R-OPC is multiplied by the interlayer power ratio α, and is set to laser power at the time of shift to the layer 2 (S32), recording for the layer 2 is started with this power (S28).例文帳に追加

レイヤー１からレイヤー２への移行時（Ｓ２４：Ｙ）には、Ｒ−ＯＰＣにて調整されたレイヤー１の最終レーザパワーＰｗｒ１に層間パワー比率αを乗じてレイヤー２移行時のレーザパワーに設定し（Ｓ３２）、このパワーでレイヤー２に対する記録を開始する（Ｓ２８）。 - 特許庁

To provide a device for reducing a product cost as much as possible and attaining safety of work by wholly mechanizing respective operations of pulling-out and cutting of a winding adhesive tape, the formation of a loop, terminal fitting of the loop and sticking to interlayer paper, and promoting complete labor reduction in the work and an increase in efficiency.例文帳に追加

巻き接着テープの引き出し、切断、ループの形成、ループの端子嵌め着け、層間紙への貼り着けの各操作を総て機械化して、作業の完全な省力化と能率増進とを計ることにより、製品コストの可及的な低減と作業の安全化とが達成される装置を提供する。 - 特許庁

An end portion E4 of the auxiliary electrode 150 is formed to be located on the outer side of an end portion E1 of the common electrode 72 within a plane of a substrate 10, and the end portion E1 of the common electrode 72 is formed to be located on the inner side of an end portion E2 of the second interlayer insulating film 35.例文帳に追加

補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。 - 特許庁

To provide a technique by which increase in resistance and flocculation of a nickel silicide film which is formed on gate electrodes, a source region and a drain region of a MISFET can be suppressed while hydrogen, moisture or the like included in an interlayer insulating film can be efficiently eliminated.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にニッケルシリサイド膜を形成した場合に、このニッケルシリサイド膜の高抵抗化および凝集を抑制できる一方で、層間絶縁膜中に含まれる水素や水分を充分に除去できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a method of fabrication, in which the contact resistance of an Al alloy interconnection can be prevented from increasing in a contact hole by preventing formation of reaction products with Al when a contact hole is made in an interlayer insulation film by etching.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a color filter layer formed on a semiconductor substrate including a light sensing element region, a gate electrode, an interlayer insulating film, and metal wiring; the infrared ray interception filter formed on the color filter layer; and a microlens formed on the infrared ray interception filter layer.例文帳に追加

本発明によるＣＭＯＳイメージセンサは、光感知素子領域、ゲート電極、層間絶縁膜、金属配線を含む半導体基板上に形成されたカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層上に形成された赤外線遮断フィルタと、赤外線遮断フィルタ層上に形成されたマイクロレンズとを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing laminated glass having excellent adhesive power of an interlayer film for the laminated glass to a glass plate and exhibiting various properties necessary as the laminated glass such as excellent transparency, penetration resistance and weather resistance without necessitating an autoclave.例文帳に追加

合わせガラス用中間膜とガラス板との接着力に優れ、かつ、優れた透明性、耐貫通性及び耐候性等の合わせガラスとして必要な諸性能を発現し得る合わせガラスを、オートクレーブを必要とすることなく製造することができる合わせガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer printed circuit board comprises a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer laminated and formed on both surfaces of a substrate, and the optical waveguide formed on the substrate and the circuit board further comprises an elastic material layer formed between the substrate and the optical waveguide.例文帳に追加

基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されるとともに、上記基板上に光導波路が形成された多層プリント配線板であって、上記基板と前記光導波路との間に弾性材層が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

To provide an antireflection film improving generation of spotted unevenness and also the interlayer adhesion between a hard coat layer and an antireflection layer, while maintaining the good visibility of the antireflection film; a polarizer equipped with the same; and an image display device.例文帳に追加

本発明の目的は、反射防止フィルの良好な視認性を維持したまま、斑点状のムラ発生を改良し、更にハードコート層と反射防止層との層間密着の改良を図った反射防止フィルム、また、それが具備された偏光板、及び画像表示装置を提供することにある。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING EPOXY RESIN, CURABLE RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILDUP SUBSTRATE例文帳に追加

リン原子含有エポキシ樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

The interlayer film contains a thermoplastic resin, a plasticizer and a light-absorbing agent having a thiophenyl group-having anthraquinone structure, wherein the content of the light-absorbing agent is 0.003-0.007 pt.wt. based on 100 pts.wt. of the thermoplastic resin.例文帳に追加

熱可塑性樹脂と、可塑剤と、チオフェニル基を有するアントラキノン構造を有する光吸収剤とを含有する合わせガラス用中間膜であって、前記熱可塑性樹脂１００重量部に対する前記光吸収剤の含有量が０．００３〜０．００７重量部である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

The photosensitive resin composition for an interlayer insulation film of a semiconductor device comprises (A) an alkali-soluble polyamic acid having a structure represented by a general formula (1), (B) a photopolymerizable compound having a urethane bond and an ethylenically unsaturated group in a molecule, and (C) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するアルカリ可溶性のポリアミック酸と、（Ｂ）分子内にウレタン結合及びエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、を含む、半導体素子の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide an internal electrode material and a method for manufacturing the same capable of thinning an interlayer clearance while not having defects such as delamination, cracks or the like, even platinum or palladium is used for the internal electrode material, when manufacturing a laminated dielectric element.例文帳に追加

積層型誘電体素子を製造するに際して白金又はパラジウムを内部電極材料として用いても、その積層間隔を薄層化することが可能で、かつ、デラミネーションやクラック等の不具合が発生することがない内部電極材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The package structure of the semiconductor device comprises a semiconductor chip 1 having a semiconductor element and an electrode pad 2, and a protection layer 3 having a wiring 5 structuring an electric circuit on one surface and a plurality of interlayer connection bodies 4 penetrated from the specific position to the other surface.例文帳に追加

半導体素子及び電極パッド２を有する半導体チップ１と、一方の面に電気回路を構成する配線５を有してその所定の位置から他方の面に貫通する複数の層間接続体４を有する保護層３からなる半導体装置のパッケージ構造。 - 特許庁