「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode 104ab of a driving transistor and a contact hole 109a, reaching an N-type diffusion layer 106b are formed in an interlayer film 108 covering a memory cell and a silicide layer 110, are formed selectively by silicidation, prior of forming a high resistance load thereon by growing polysilicon.例文帳に追加

メモリセルを覆う層間膜１０８に、駆動用トランジスタのゲート電極１０４ａｂと、Ｎ型拡散層１０６ｂに達する接続孔１０９ａを形成し、シリサイデーションを行って選択的にシリサイド層１１０を形成し、その上にポリシリコンを成長して高抵抗負荷を形成する。 - 特許庁

To provide a cross-point type ferroelectric memory of high quality, wherein a memory cell array constituted of ferroelectric capacitors in the cross-point type ferroelectric memory in which lamination of a plurality of layers is performed, and memory cell array arranged in each layer via an interlayer insulator prevents noise from adjacent memory cell array.例文帳に追加

強誘電体キャパシタからなるメモリセルアレイが、複数層積層されたクロスポイント型強誘電体メモリにおいて、層間絶縁層を介して各層に配置されたメモリセルアレイが、隣接するメモリセルアレイから受けるノイズを防止して、高品質なクロスポイント型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a superconductive device in which a film thickness is about 300 nm or more and a flat epitaxial growth with an oxide superconductive layer is possible, and which has an interlayer insulating layer having ε_r 40 or less at operating temperatures of about 40 K or less and is suitable for a high-speed operation with small wiring capacity.例文帳に追加

膜厚が約３００ｎｍ以上で酸化物超電導層との平坦なエピタキシャル成長が可能であり、かつ約４０Ｋ以下の動作温度においてε_rが４０以下である層間絶縁層を有し、配線容量が小さく高速動作に適した超電導素子を提供する。 - 特許庁

A charge accumulator 22, a CCD embedded channel 23, and a channel stop layer 24 are formed on the front surface of a p-type silicon substrate 21; a transfer electrode 25 that also works as a signal charge reader, and an interlayer insulating film 26 are formed thereon; and a pixel electrode 27 is then formed thereon.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板２１の表面部に、電荷蓄積部２２、ＣＣＤ埋め込みチャネル２３、チャネルストップ層２４が形成され、その上に信号電荷読出し部を兼ねた転送電極２５、層間絶縁膜２６が形成され、その上に画素電極２７が形成されている。 - 特許庁

An inductor is made of the second metallic wiring 14b in vortex form, and right below it, a polysilicon 5b where a metallic silicide 8b is made is provided across the first and second interlayer insulating films 9 and 12, and the polysilicon 5b is provided with a cut 15, constituting a first shield pattern.例文帳に追加

インダクタは渦巻き形状の第２層金属配線１４ｂで形成され、その直下には、第１および第２層間絶縁膜９、１２を挟んで、金属シリサイド８ｂが形成されたポリシリコン５ｂが設けられ、ポリシリコン５ｂには切り込み１５が設けられて第１のシールドパターンを構成している。 - 特許庁

Furthermore, the display device includes a first light shielding film and a second light shielding film, in which the first light shielding film is provided so as to overlap a first electrode of the monitor element and the second light shielding film is electrically connected to the first light shielding film through a contact hole formed in an interlayer insulating film.例文帳に追加

また、第１の遮光膜及び第２の遮光膜を有し、第１の遮光膜がモニター素子の第１の電極と重なるように設けられているとともに、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して第２の遮光膜が第１の遮光膜と電気的に接続されている。 - 特許庁

Although a serious line defect appears on a picture display in the case the interlayer short circuit takes place between the drain wire and the shield common electrode, the line defect can be repaired or made to disappear by cutting off both sides of the slit on which the short circuit has taken place with the laser repair etc. and separating the place where the short circuit has taken place.例文帳に追加

ドレイン配線とシールド共通電極との層間ショートが発生した場合、画面表示上は重大な線欠陥となるが、ショート発生部のスリットの両脇をレーザーリペア等で切断し、ショート箇所を分離することで、線欠陥をリペア・消滅することができる。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation material with a high resistance to heat and a low expansion coefficient, and excellent in peel-resistance at a low surface roughness after a roughening process adapted to a (semi)additive process, and well-balanced resin properties such as a coefficient of elasticity, a strength at break and an elongation at break.例文帳に追加

高耐熱で低膨張係数であり、(セミ)アディティブ工法に適合した粗化後の表面粗さが小さいところでの引きはがし強さに優れ、かつ弾性率、破断強度、破断伸びなどのバランスのとれた樹脂物性の層間絶縁材料を提供することである。 - 特許庁

In this manufacturing method, stop of a via hole 6 and stacking of an inner layer circuit board and an outer layer circuit board are concluded at the same time, using an interlayer stacking adhesive material 7 in vacuum degassing atmosphere at stacking of the inner layer circuit board which has the inner via hole 6 and the outer layer circuit board.例文帳に追加

インナ−・ビアホ−ル６を有する内層回路基板と外層回路基板との積層時に真空脱気雰囲気中で層間積層接着材７を用いてインナ−・ビアホ−ル６の孔埋め及び内層回路基板と外層回路基板との積層処理を同時に行う。 - 特許庁

The backing paper comprises an acrylic resin having ≥20°C and ≤100°C glass transition temperature in paper, has a Stockigt sizing degree of ≥20 seconds and ≤120 seconds and ≥20N/m and ≤35N/m paper interlayer strength measured according to B method of JIS P 8139 (peel strength test method of combination board layer).例文帳に追加

紙中にガラス転移温度が20℃以上100℃以下のアクリル系樹脂を含有させ、ステキヒトサイズ度が20秒以上120秒以下で、かつＪＩＳ Ｐ ８１３９（板紙のすき合わせ層の剥離強さ試験方法）のＢ法に準じて測定した紙層間強度が20Ｎ／ｍ以上35Ｎ／ｍ以下の範囲とする。 - 特許庁

By bending the substrate surface while heating it up, the adhesive layer 13 gets softened, and the substrate formation unit layers 11 are deformed while maintaining their adhesion property and sliding to a curving direction, thus being constructed so that the deformation of the interlayer connecting part 14 may be tolerated in the deformation area 14c.例文帳に追加

基板を加熱しながら曲面化させることにより、接着層１３が軟化して、基板構成単位層１１間が密着性を維持しつつ曲面方向に沿って滑りを伴って変形し、変形領域１４ｃ内で層間接続部１４の変形が許容されるように構成される。 - 特許庁

To provide a method of forming a photosensitive resin film with which a silica-based coating film usable as an interlayer dielectric is relatively easily formed and which is excellent in process margin and makes a formed silica-based film excellent in resolution and heat resistance, and to provide a method of forming a silica-based coating film using the same.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、プロセスマージンに優れ、形成されるシリカ系被膜が解像性及び耐熱性に優れる感光性樹脂膜の形成方法及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The respective interlayers are electrically connected to each other via contact holes appropriately opened in the respective interlayer insulating films; and thereby a TFT 30, a storage capacitance 70, and a pixel electrode 9a, etc., are formed in a pixel region 10a, and TFT 30p, 30n, etc., are formed in a peripheral region 10b.例文帳に追加

各層間絶縁膜に適宜開孔されるコンタクトホールを介して各層間が電気的に接続されることにより、画素領域１０ａには、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０、及び画素電極９ａ等が形成され、周辺領域１０ｂには、ＴＦＴ３０ｐ，３０ｎ等が形成される。 - 特許庁

The thickness of an electrode film 7 of the semiconductor chip 100 is made 3.5-10 μm, thus preventing cracks in an interlayer insulating film 6 and an n semiconductor substrate 1 for ultrasonic bonding even if the diameter of the bonding wire (aluminum wire 12) is increased to 300 μm or larger.例文帳に追加

半導体チップ１００の電極膜７の厚みを３．５μｍから１０μｍにすることで、ボンディングワイヤ（アルミワイヤ１２）の直径を３００μｍ以上に太線化しても、層間絶縁膜６やｎ半導体基板１にクラックを発生させることなく、超音波ボンディングできる。 - 特許庁

The interference type filter layers 31, 32 and 33 for B, R and G are respectively pattern-formed corresponding to a pixel electrode 41b for B, a pixel electrode 41r for R and a pixel electrode 41g for G and laminated each other through light transmissive interlayer films 35, 36 and 37.例文帳に追加

Ｂ，Ｒ，Ｇ用の干渉型フィルタ層３１，３２，３３を、それぞれＢ用の画素電極４１ｂ，Ｒ用の画素電極４１ｒ，Ｇ用の画素電極４１ｇに対応してパターン形成し、これらをそれぞれ透光性の層間膜３５，３６，３７を介して互いに積層する。 - 特許庁

To prevent a thin-film transistor(TFT) from deteriorating in characteristics due to the occurrence of recesses or gaps on an interlayer insulating film, owing to a step difference caused by the thickness of an active layer and to provide a display device which provides a satisfactory display using the above TFTs as switching devices.例文帳に追加

能動層の厚みに起因する段差によって生じる層間絶縁膜の窪みあるいは空隙が生じることによるＴＦＴ特性の劣化を防止するとともに、そのＴＦＴをスイッチング素子として用いた良好な表示を得ることができる表示装置を提供する。 - 特許庁

The solar cell is also provided with a compound layer 20 containing a group Ia element and Al in at least one interlayer selected from among the interlayers between the substrate 11 and the first conductive layer 13, between the first conductive layer 13 and the light absorbing layer 14, and between the light absorbing layer 14 and the second conductive layer 17.例文帳に追加

基板１１と第１の導電層１３との間、第１の導電層１３と光吸収層１４との間、および光吸収層１４と第２の導電層１７との間から選ばれる少なくとも１つの層間に、Ｉａ族元素とＡｌとを含む化合物層２０を備える。 - 特許庁

The whole winding capacity of a secondary winding 10 is reduced by reducing the electrostatic energy stored in the winding 10 by dividing the winding 10 into many block winding sections 12a-12n, and making lower the voltage per one round across electric wires faced oppositely to each other through an interlayer insulating distance.例文帳に追加

２次巻線１０を多数のブロック巻線部１２ａ〜１２ｎに分割し、かつ層間絶縁距離を隔てて対向する電線間の１巻当たりの電圧を小さくすることで、巻線に蓄積する静電エネルギーを小さくすることにより、２次巻線全体の巻線容量を低減化する。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which has such properties as high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, and which is for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate or an interlayer insulation film having a pattern of good resolution or a core or cladding material of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持ち、かつ良好な解像度のパターンを有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

A semiconductor device having a metal-insulator-semiconductor (MIS) structure in which each deuterium concentration near interfaces between a semiconductor substrate and a film or a layer formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation film, a wiring layer and a protective insulation film is 1x1019 cm-3 and over.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x1019cm-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

By pouring a filling material A containing a reinforcement material into a space 12 (e.g., interlayer exfoliation part) formed inside the composite material, cutting work and preparation of repair material which are required in the conventional art are made unnecessary, production of waste is suppressed, and the repairing processes are simplified.例文帳に追加

強化材を含有する充填材Ａを、複合材料１０内に形成された隙間（例えば層間はく離部）１２に注入することで、従前のような切削作業、修復材料の準備を不要とし、廃棄物の発生を抑制して、修復工程の簡素化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a resin composition having a small dielectric constant, excellent in pattern accuracy and adhesiveness to a substrate, capable of developing with water or a diluted alkaline solution, and suitable for forming a printed circuit board, a solder resist for IC package or a interlayer dielectric layer or the like, and a photosensitive film using the resin composition.例文帳に追加

パターン精度、基板との密着性に優れ、水又は希アルカリ溶液で現像ができ、プリント配線基板やＩＣパッケージ用のソルダーレジストや層間絶縁層等の形成に適する低誘電率樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁

Since a conductive paste is subjected to screen print on a ceramic green sheet 2, the coil conductor pattern 3a is formed so that the connection land 5 overlaps with a through hole provided to the ceramic green sheet 2, and at the same time the interlayer connection via hole 4 is formed by charging the through hole with the conductive paste.例文帳に追加

そして、導電ペーストをセラミックグリーンシート２上にスクリーン印刷することによって、セラミックグリーンシート２に設けた貫通孔に接続ランド５が重なるようにコイル導体パターン３ａを形成すると同時に、貫通孔に導電ペーストを充填して層間接続用ビアホール４を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in coating properties from which a silica based film used as an interlayer insulating film is relatively easily formed, wherein the formed silica based film being excellent in heat resistance, resolution properties, and transparency, and a method of forming the silica based film using the same.例文帳に追加

塗布性に優れ、層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ形成されるシリカ系被膜が耐熱性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The through-hole 21 for interlayer connection bored in a sheet 16 where the beltlike coil conductor pattern 14 is formed is such that the area of one opening 21a is larger than the area of the other opening 21b and the axis slant to the other end side of the beltlike coil conductor pattern 14.例文帳に追加

帯状コイル導体パターン１４が形成されているシート１６に設けた層間接続用貫通孔２１は、一方開口部２１ａの面積が他方開口部２１ｂの面積より大きく、かつ、軸心が帯状コイル導体パターン１４の他端側に傾いている。 - 特許庁

In a substrate polishing method, a polishing rate R_S when a convex 4 in an interlayer insulating film 3 is polished is calculated by showing the rate in a relation of a polishing rate R when a flat face is polished after the convex 4 is removed, the pattern density D of metal wiring 2 and a correction factor K.例文帳に追加

本発明の基板研磨方法では、層間絶縁膜３における凸部４を研磨するときの研磨レートＲ_Sを、凸部４を除去した後に平坦な面を研磨するときの研磨レートＲと、金属配線２のパターン密度Ｄと、補正係数Ｋとの関数で示すことにより算出する。 - 特許庁

Further, in the resin film 11, the surface roughness of the interlayer insulating film 10 can be smoothened, the alignment defects of liquid crystal and those of liquid crystal molecules caused by non-uniform electric field can be prevented, and minute defects of the light emitting device caused by the surface roughness of the pixel electrode 12 can be suppressed.例文帳に追加

さらに、樹脂膜１１は層間絶縁膜１０の表面荒れを平坦化し、液晶分子の配向不良や不均一電界による液晶分子の配向不良を防ぎ、画素電極１２の表面荒れに起因する発光装置の微小欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

A plurality of the layers (first to fifth layers) that use at least any one of semiconductor films or conductor films are formed on a TFT substrate 10, and further, a ground insulating film 12 and first to third interlayer insulating films 41 to 43 are, respectively formed between the respective layers.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１０に、半導体膜或いは導電体膜の少なくとも何れかを用いた複数の層（第１〜第５層）が形成され、さらに、各層の層間に下地絶縁膜１２及び第１〜第３層間絶縁膜４１〜４３がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulation film that is suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor element device, or the like, can form a film having an appropriate and uniform thickness, and has improved film characteristics of permittivity, Young's modulus, or the like, and to provide an insulation film manufacturing method.例文帳に追加

半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, including an interlayer insulating layer having a dielectric constant of about 1, which is capable of realizing at least one of formation of a proper shape of lines and the prevention of deterioration in the lines, even after the formation of air gaps.例文帳に追加

比誘電率が約１の層間絶縁層を備える半導体装置において、配線を良好な形状で形成すること、及びエアギャップ形成後においても配線の変質を抑制することの少なくともいずれか一方を実現できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

This interlayer for laminated glass is obtained by film formation of a resin composition comprising 100 pts.wt. of a polyvinyl acetal resin, 20-60 pts.wt. of triethylene glycol di-2-ethylhexanoate, and 0.01-0.1 pt.wt. of a magnesium carboxylate mixture (the weight ratio: magnesium 2-ethylacetate/magnesium acetate = 0.5-3).例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂１００重量部、トリエチレングリコールジ２−エチルヘキサノエート２０〜６０重量部及びカルボン酸のマグネシウム塩混合物（２−エチル酢酸マグネシウム／酢酸マグネシウム（重量比）＝０．５〜３）０．０１〜０．１重量部を含有する樹脂組成物が製膜されて成る合わせガラス用中間膜、同ガラス。 - 特許庁

A light-shielding electrically conductive layer 80a made of a material different from the material to form the data lines is formed in an island state in the non-opening region of pixels which is between the data lines adjacent to each other on a first interlayer insulating film 4 and which extends along the scanning lines and capacitor lines.例文帳に追加

第１層間絶縁膜４上の相隣接するデータ線間であって前記走査線及び容量線に沿って伸びる画素の非開口領域に、データ線の形成材料とは異なる材料からなる遮光性の導電層８０ａを島状に設ける。 - 特許庁

The transfer head 20 decides the presence of the mistake of the pickup by a pickup-mistake inspection means immediately after the lead frames 1 in the magazine 3 are picked up while whether articles picked up by the proximity sensor 23 are the lead frames 1 or interlayer paper 2 is decided by the proximity sensor 23 even when there is no pick-up mistake.例文帳に追加

転送ヘッド２０がマガジン３内のリードフレーム１をピックアップした直後にピックアップミス検査手段によりピックアップミスの有無を判断すると共に、ピックアップミスが無かった場合でも近接センサ２３によりピックアップしたものがリードフレーム１又は層間紙２の何れであるかを判断する。 - 特許庁

Outline of an opening 17 in the cover layer 15 of a mother board printed wiring board 11 is made smaller than the outline of a resin substrate 21 provided with a wiring circuit on one side, and the entire circumference of the contour of an interlayer adhesion layer 24 of the resin substrate 21 and the cover layer 15 around the opening 17 are overlapped.例文帳に追加

マザーボードプリント配線板１１のカバー層１５の開口部１７の外形を片面配線回路付き樹脂基材２１の外形よりも小さくし、樹脂基材２１の層間接着層２４の外郭全周を開口部１７の周りのカバー層１５とオバーラップさせる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, for example, a semiconductor substrate 10 having a second insulating film (interlayer insulating film 30) formed thereon is placed in an annealing furnace subjected to annealing treatment at a temperature of 600°C or higher, and thereafter the semiconductor substrate is removed from the annealing furnace in a gas atmosphere containing an oxygen gas.例文帳に追加

例えば、第２絶縁膜（層間絶縁膜３０）が形成された半導体基板１０をアニール炉に入れ６００℃以上のアニール処理を施した後、酸素ガスが含まれるガス雰囲気下で前記半導体基板を前記アニール炉から取り出す半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a wiring structure under a bump for reducing the probability of the occurrence of a crack in a semiconductor chip to solve the problem of delamination of interlayer film due to the occurrence of a crack in an LSI wiring layer in a UBM lower layer immediately under the solder bump in an outer periphery of the LSI chip.例文帳に追加

ＬＳＩチップ外周の半田バンプ直下のＵＢＭ下層の、ＬＳＩ配線層に、クラックが発生し、層間膜の剥離が発生する問題を解決するため、半導体チップに発生するクラックの確率を低減する、バンプ下の配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a developer for photosensitive polyimides, with which polyimide patterning for interlayer insulating films for multi-layered circuit boards and for α-ray shield layers, buffer coat layers and others for semiconductor memory devices is attained within a shorter period of time than with conventional developers and with which high resolution of developed patterns is ensured.例文帳に追加

本発明は、多層配線板用の層間絶縁膜や半導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、バッファーコート膜などのポリイミドパターン加工を従来と比較し短時間にて行え、現像パターンの解像度が高い感光性ポリイミド用現像液を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

An opening 71 of a solder resist layer 70 is formed such that the opening 71 overlaps a peripheral portion of a solder pad 75 by 5 μm and overlapping thickness thereof is 20 μm; and therefore, the solder pad 75 does not come off from an interlayer insulating layer 150 and the connection reliability is improved.例文帳に追加

ソルダーレジスト層７０の開口７１を、半田パッド７５の周辺部に５μｍ重なり、且つ、重なりの厚みを２０μｍになるように形成してあるため、半田パッド７５が層間樹脂絶縁層１５０から剥離することがなくなり、接続信頼性が向上する。 - 特許庁

A light-shielding film 2 having a mesh structure in which a light-shielding material 21 is disposed like a mesh is disposed on the main surface of an interlayer insulating film 1 corresponding to the upper portion of an n-type source region 104 and a p-type impurity region 105 which constitute a photodiode PD.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤを構成するＮ型ソース領域１０４およびＰ型不純物領域１０５の上部に対応する層間絶縁膜１の主面上には、遮光体２１が網目状に配設されて網目状構造を有する遮光膜２が配設されている。 - 特許庁

Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.例文帳に追加

これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

The display device is formed by dividing any of the wiring at the crossing parts of electrode lines such as scanning lines and signal lines, and power source lines and other wiring, and also connection lines for connecting the divided wiring via a gate insulating layer or an interlayer dielectric and the other kinds of insulating layers are formed.例文帳に追加

走査線や信号線等の電極線と電源線他の配線との交差部において何れかの配線を分断して形成すると共に、ゲート絶縁層または層間絶縁層と他の種類の絶縁層とを介して分断された配線を接続する接続線を形成する。 - 特許庁

To reduce the number of steps required for forming solder balls 12 for connecting bumps 6 of a wiring circuit board 2 using the bumps 6 as an interlayer connecting means to another board, e.g. a wiring layer 16 of a printed circuit board 14 to achieve low-cost manufacturing of the wiring circuit board 2.例文帳に追加

バンプ６を層間接続手段とする配線回路基板２のバンプ６と他の基板、例えばプリント回路基板１４の配線層１６等との間を接続する半田ボール１２の形成に要する工程を少なくすることのでき、延いては配線回路基板２の低価格化を図る。 - 特許庁