interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
To provide a manufacturing method of a multi-layered circuit board (mother board, semiconductor chip mounting board), a semiconductor package and the like, which are capable of securing a bonding strength between an interlayer insulating layer and a wiring without forming recesses and projections of a degree of exceeding 1 μm on the surface of the wiring, and capable of transmitting a high-speed electric signal efficiently.例文帳に追加
配線の表面に1μmを超す程度の凹凸を形成することなく層間絶縁層と配線の接着強度が確保でき、高速電気信号を効率よく伝送可能な多層回路基板(マザーボード、半導体チップ搭載基板)と半導体パッケージ等の製造方法を提供する。 - 特許庁
After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加
基板1上に層間絶縁膜10及び下部電極用導電膜の下側層11a等を形成した後、下側層11a上に下部電極用導電膜の上側層11bとして厚さが50nm〜500nm、例えば約175nmのPt膜をDCマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁
The curable composition for the interlayer film of the laminated glass contains a polymer (A) whose main chain includes an alkyl acrylate monomer unit and/or an alkyl methacrylate monomer unit and which contains at least one group including hydrolyzable silicon per one molecule, a silane coupling agent (B) and a tin catalyst and/or a titanium catalyst (C).例文帳に追加
主鎖がアクリル酸アルキルエステル単量体単位および/またはメタクリル酸アルキルエステル単量体単位を含み、加水分解性ケイ素含有基を1分子あたり少なくとも1個有する重合体(A)と、 シランカップリング剤(B)と、 スズ触媒および/またはチタン触媒(C)とを含有する合わせガラス中間膜用硬化性組成物。 - 特許庁
To provide an antireflection film excellent in weather resistance and durability which does not cause natural interlayer peeling between a UV-curing hard coat resin layer and an antireflection layer due to changes with time or easy interfacial peeling between the UV-curing hard coat resin layer and the antireflection film by a pressure-sensitive adhesive tape.例文帳に追加
経年変化により紫外線硬化型ハードコート樹脂層と反射防止層との層間で自然剥離や、粘着テープにより容易に紫外線硬化型ハードコート樹脂層と反射防止膜層との間で界面剥離が発生することのない耐候性、耐久性に優れた反射防止フィルムの提供。 - 特許庁
The toner contains at least a colorant, a binder resin and a release agent, wherein the toner contains an organic modified layered inorganic mineral prepared by modifying at least a part of interlayer ions with organic ions, and the modification rate of the organic ions X [%] in the organic modified layered inorganic mineral satisfies 50≤X<100.例文帳に追加
少なくとも着色剤、結着樹脂、離型剤を有するトナーにおいて、該トナーは、層間のイオンの少なくとも一部を有機物イオンで変性した有機変性層状無機鉱物を含有し、該有機変性層状無機鉱物中の有機物イオン変性率X〔%〕が、50≦X<100であることを特徴とする。 - 特許庁
The interlayer film for the heat-shielding laminated glass contains a matrix resin, a plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles each having a surface coated with an amorphous (noncrystalline) indium oxide and/or antimony-doped tin oxide fine particles each having a surface coated with an amorphous(noncrystalline) tin oxide.例文帳に追加
マトリックス樹脂、可塑剤、並びに、アモルファス状(非結晶質)酸化インジウムにより表面が被覆された錫ドープ酸化インジウム微粒子及び/又はアモルファス状(非結晶質)酸化錫により表面が被覆されたアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有することを特徴とする遮熱合わせガラス用中間膜。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which an inexpensive and highly reliable high integrated circuit can be formed by suppressing an excessive facility investment, keeping a high productivity and forming physically and electrically appropriate connection in an interlayer wiring with a multilayer wiring structure using a wiring material made mainly of Cu.例文帳に追加
余剰な設備投資を抑制し、かつ高い生産性を保持して、Cuを主成分とする配線材を用いた多層配線構造の配線層間において、物理的、電気的に良好な接続を形成することによって、安価で信頼性の高い高集積回路となる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
The capacitor comprises an interlayer insulation film pattern arranged on a semiconductor substrate having an opening for exposing the upper surface of the semiconductor substrate, a silicide pattern formed on the semiconductor substrate exposed through the opening, and a lower electrode covering the inner wall of the opening where the silicide pattern is formed.例文帳に追加
本発明によるこのキャパシタは、半導体基板上に配置されて半導体基板の上部面を露出させる開口部を有する層間絶縁膜パターン、開口部を通じて露出された半導体基板に形成されるシリサイドパターン及びシリサイドパターンが形成された開口部の内壁を覆う下部電極を含む。 - 特許庁
To provide a method for producing a highly reliable heat dissipation substrate for mounting in semiconductor which has stable heat dissipation functionality and mechanical strength, and which is free from interlayer peeling because metal layers are formed in integrated form.例文帳に追加
合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive radiation-sensitive composition for forming an interlayer insulating film which has excellent light resistance and heat resistance and inhibits decrease in transmittance and in a voltage retention rate through maintaining high radiation sensitivity of the radiation-sensitive composition and suppressing generation of radicals and peroxides.例文帳に追加
感放射線性組成物の放射線感度を高いレベルに保ちつつ、ラジカルや過酸化物の発生を抑制することで、優れた耐光性及び耐熱性を有し、かつ透過率及び電圧保持率の低下を抑えた層間絶縁膜等を形成可能なポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁
An insulation member 40a composed of a hydrophilic material is formed in a region Z1 on the pixel electrode 34 and corresponding to a position where a metal frame 21GF for a gate electrode and an electrode 21C for gate connection are superposedly disposed and formed via a interlayer insulation film 32, and to an outer periphery part thereof, respectively.例文帳に追加
画素電極34上であってゲート電極用メタルフレーム21GFとゲート接続用電極21Cとが層間絶縁膜32を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Z1に親水性材料で構成された絶縁部材40aを形成した。 - 特許庁
To provide a foam sheet for polishing for a polishing pad used in surface flattening work to semiconductor device wafers for interlayer insulation film or metal wiring, in which polishing speed is high compared to conventional parts, and in which device surface flatness after polishing and uniformity in the wafer surface are balanced to realize high precision polishing.例文帳に追加
層間絶縁膜や金属配線等の、半導体のデバイスウエハの表面平坦化加工に用いられる研磨パッドにおいて、従来パッドに比べて研磨速度が速く、研磨後のデバイス表面の平坦性とそのウエハ面内均一性のバランスの良い、高精度な研磨を実現する研磨用発泡シートを提供する。 - 特許庁
To provide a multilayer wiring board in which in an electric connection in an interlayer between respective wiring layers of the multilayer wiring board, a wiring pitch for ensuring a via forming part is not widened and a wiring length or a wiring width is not increased, thereby not increasing a production size also, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
多層配線基板の各配線層の層間での電気的接続において、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げたり、配線長さや配線幅を増加させることがなく、かつこれにより、製品サイズも増加させることのない、多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To enable a more clear image to be retained by giving superior ink absorptivity, ink fastness, water resistance and an anti-running property with respect to an ink jet record medium formed of a dye fastness layer consisting of an interlayer compound and binding agent that accepts and retains water soluble dye by an intercalation reaction.例文帳に追加
水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とからなる染料定着層が形成されてなるインクジェット用被記録媒体に対し、良好なインク吸収性、インク定着性、耐水性及び耐にじみ性を付与し、更に鮮明な画像を保持可能とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can reduce on-state resistance through a gate electrode (MOS gate) with a trench electrode structure expanding in the depth direction (vertical direction) of a substrate, and can suppress a leak current even if wiring is formed on the surface of the substrate with an interlayer insulating film between, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
基板深さ方向(縦方向)に伸長するトレンチ電極構造のゲート電極(MOSゲート)を通じて、オン抵抗の低減を図りながら、基板表面に層間絶縁膜を介して配線が形成された場合にあっても、リーク電流を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加
多結晶Si膜10および内壁膜12aをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー14を除去するアッシングとを3回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜9にソース/ドレイン領域6に達するコンタクトホール13を形成する。 - 特許庁
On a polysilicon wiring 2 formed in ladder-like manner by a gate connection wiring part 245 for electrically connecting a plurality of gate electrode parts 21 to their both ends, respectively, there is formed a gate signal wiring 25 made of aluminum which extends in the direction in which the plurality of gate electrode parts 21 are arranged in parallel via an interlayer dielectric.例文帳に追加
複数のゲート電極部21およびそれらの両端部をそれぞれ電気的に接続するゲート接続配線部24によりはしご状に形成されたポリシリコン配線2上に、層間絶縁膜を介して、複数のゲート電極部21が並ぶ方向に延びるアルミニウム製のゲート信号配線25を形成する。 - 特許庁
The manufacturing method therefor comprises a forming process for forming a pattern including wiring, TFTs, or the like on the TFT array board, and a process for forming an interlayer insulating film by a high density plasma CVD on the top side of the projecting parts constructed by the presence of the above pattern in the gap area between pixel electrodes adjacent to each other.例文帳に追加
その製造方法は、TFTアレイ基板上に、配線やTFT等を含むパターンを形成する形成工程と、相隣接する画素電極の間隙となる領域に、上記パターンの存在によって構築された凸部の上側に、高密度プラズマCVDによって層間絶縁膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁
In the case a transparent insulating substrate 1 formed on a glass substrate 100 and a transparent insulating substrate formed on another glass substrate are stuck together, a region in an interlayer insulating film 33(16) formed on the glass substrate 100 other than that corresponding to the transparent insulating substrate 1 is removed by etching beforehand.例文帳に追加
ガラス基板100上に形成された透明絶縁性基板1と他のガラス基板上に形成された透明絶縁性基板22とを張り合わせる際、予めガラス基板100に形成された層間絶縁膜33(16)における、透明絶縁性基板1以外の領域をエッチング除去しておく。 - 特許庁
N-type impurities are implanted with high consentration into n-type high-concentration impurity regions 37c, 38c of NMOS thin-film transistors having LDD structures, via contact holes 45, 46 respectively for connections of their source-drain electrodes which are formed in an interlayer and gate insulation films 44, 40 provided on the regions 37c, 38c.例文帳に追加
LDD構造のNMOS薄膜トランジスタのn型不純物高濃度領域37c、38cには、その上に設けられた層間絶縁膜44およびゲート絶縁膜40に形成されたソース・ドレイン電極接続用のコンタクトホール45、46を介してn型不純物が高濃度に注入される。 - 特許庁
To provide a barrier sealant film which has an intermediate layer composed of a relatively soft barrier resin layer having high oxygen-barrier ability and sufficiently high interlayer adhesive strength.例文帳に追加
耐衝撃性に優れ、且つ高い酸素バリア性を有する、比較的柔軟なバリア性樹脂層を提供することができ、また、このバリア層をシーラントフィルムの中間層として用いてバリア性シーラントフィルムを提供することができ、しかも層間の接着強度が十分に高いバリア性シーラントフィルムを提供することができるものである。 - 特許庁
To provide a recording and reproducing system of a multilayer structure disk, which reduces the influence of interlayer crosstalk and performs high quality recording and reproduction.例文帳に追加
従来の多層光情報記録媒体では、一番奥の情報層の位置は、記録再生光入射側表面からみて0.1mm程度に制限されているため、情報層を複数設けるほど、情報層を隔てる中間層厚みが薄くなり、層間クロストークの影響で記録再生品質が悪化するといった課題が生じる。 - 特許庁
Thereby, a C surface of a crystal gain stands up along a thickness direction of the layer, and a stacked body with a crystal structure in which an interlayer interface exists is manufactured.例文帳に追加
冷却面垂直方向から、溶融された材料を、冷却面に向けて供給するとともに、溶融材料の加速力により溶融材料を冷却面に押し付けつつ一層毎に急冷凝固させて、層の厚さ方向に沿って結晶粒のC面が起立し、層間界面が存在する結晶構造の積層体を製造する。 - 特許庁
This ethylene-α-olefine copolymer rubber composite material comprises an organic-modified layered clay mineral in the interlayer of which an organic substance with an onium ion is inserted, an ethylene-α-olefine copolymer rubber and an epoxy resin, wherein the organic-modified layered clay mineral is exfoliated and finely dispersed.例文帳に追加
層間にオニウムイオンを有する有機物を挿入した有機変性層状粘土鉱物と、エチレン・α−オレフィン系共重合体ゴムとエポキシ化合物を含み、かつ上記有機変性層状粘土鉱物が層間分離して微分散したエチレン・α−オレフィン系共重合体ゴム複合材料にある。 - 特許庁
To provide a CMOS integrated circuit, which that has a plurality of row region portions 2 arranged longitudinally and laterally and includes a plurality of wiring layers and in which interlayer wiring lines are connected via a via, capable of having higher wiring efficiency, a smaller chip size, and improved working speed by improving the patterns of a power source and a ground.例文帳に追加
複数のロウ領域部2が縦横に配置され、複数の配線層を備え、層間配線がヴィアを介して接続されたCMOS集積回路において、電源、接地のパターンを改良し、配線効率を上げ、チップサイズを小さくでき、動作速度を向上できる集積回路を提供する。 - 特許庁
Deposition temperatures of the HDP films 16 and 18 as interlayer insulating films are controlled to ≤365°C, preferably to the temperature range of 335 to 365°C, or more preferably to 350°C, and the deterioration in dark current and the increase in fine white flaws can be thereby suppressed to prevent the picture quality from deteriorating.例文帳に追加
層間絶遠膜であるHDP膜16,18のデポジション温度を、摂氏365度以下、好ましくは、摂氏335度〜摂氏365度の温度範囲、さらに好ましくは、350度に制御することにより、暗電流の劣化および微小白傷の増加を抑制することができて画質劣化を防止する。 - 特許庁
In the multilayer optical recording medium, the many recording layers configure a plurality of recording layer groups each comprising a predetermined number of recording layers, a gap layer is formed between the plurality of recording layer groups, and a distance between the plurality of recording layer groups, which corresponds to a thickness of the gap layer is made longer than a maximum interlayer distance of the predetermined number of recording layers.例文帳に追加
多数の記録層は各々が所定数の記録層からなる複数の記録層群を構成し、複数の記録層群の間にはギャップ層が形成され、ギャップ層の厚さである複数の記録層群の群間距離は、所定数の記録層の最大層間距離より長くされた多層光記録媒体。 - 特許庁
More specifically, the plug PLG has the upper surface presenting an upward convex domed shape, an upper end of a barrier conductor film BF1 is higher than the upper surface of the contact interlayer dielectric CIL, and an upper end of a tungsten film WF is further higher than the upper end of the barrier conductor film BF1.例文帳に追加
つまり、プラグPLGは、上面が上に凸のドーム形状となっており、コンタクト層間絶縁膜CILの上面の高さよりもバリア導体膜BF1の上端部の高さが高く、かつ、タングステン膜WFの上端部の高さはバリア導体膜BF1の上端部の高さよりも高くなっている。 - 特許庁
To provide a radiation curable resin composition with excellent reactivity, and a prepreg for molding a composite material and members comprising the resin and a fiber reinforcement usable especially in the aeronautical or space field, and especially, a resin composition having compression characteristics and interlayer shear strength superior to those of conventional ones and advantageous in terms of cost.例文帳に追加
反応性に優れた放射線硬化樹脂組成物、及びこの樹脂と繊維強化材とからなる、特に航空・宇宙分野で利用可能な複合材料・部材を成形するためのプリプレグ、特に、従来のものよりも圧縮特性や層間せん断強度に優れ、且つ、コスト的にも有利な樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
A source electrode 107 is formed of a first metal layer 1071 of MoW and a second metal layer 1072 of Al, on which a coating type insulating film 109 is formed, and further a common electrode 110, an interlayer insulating film 111 and a pixel electrode 112 are formed on the coating type insulating film 109.例文帳に追加
MoWによる第1金属層1071とAlによる第2の金属層1072で形成されるソース電極107の上に塗布型絶縁膜109が形成され、塗布型絶縁膜109の上にコモン電極110、層間絶縁膜111、画素電極112が形成されている。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive resin composition excellent in developability, excellent also in transparency, solvent and heat resistances, showing good insulation even after storage, and excellent in fitness for ITO; to provide a cured film excellent in transparency, solvent and heat resistances; and to provide an interlayer dielectric excellent in insulation and fitness for ITO.例文帳に追加
現像性に優れ、透明性、耐溶剤性、耐熱性にも優れ、保存しても絶縁性が良好で、ITO適性の優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供し、透明性、耐溶剤性、耐熱性に優れた硬化膜を提供し、絶縁性、およびITO適性に優れた層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁
In a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer which exhibits a blue phase is sandwiched between a first substrate and a second substrate, a pixel electrode layer is electrically connected to a drain electrode layer of a transistor and a common electrode layer is electrically connected to a conductive layer formed by the same step as the drain electrode layer via an interlayer film.例文帳に追加
第1の基板と第2の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、層間膜を介して画素電極層はトランジスタのドレイン電極層と、共通電極層はドレイン電極層と同工程で形成される導電層と電気的に接続する。 - 特許庁
The method of manufacturing the printed circuit board includes: laminating a buildup layer 120 on a base substrate 110 including a circuit layer 115 connected with a first via 114 penetrating an insulating layer; processing a viahole 160 penetrating the buildup layer 120 including at least a part of the first via 114; and forming an interlayer connection member 162 in the viahole 160.例文帳に追加
絶縁層に貫設された第1ビア114と連結された回路層115が形成されたベース基板110にビルドアップ層120を積層し、第1ビア114の少なくとも一部を含むビルドアップ層120を貫くビアホール160を加工し、ビアホール160に層間連結部材162を形成する。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive resin composition for an organic insulating film having a wide development margin and forming an interlayer insulating film excellent in transparency, solvent resistance, heat resistance, insulation stability and fitness for ITO, an organic insulating film using the same, and an organic EL display device and a liquid crystal display device including the organic insulating film.例文帳に追加
現像マージンが広く、且つ、透明性、耐溶剤性、耐熱性、絶縁安定性、及びITO適性に優れた層間絶縁膜を形成しうる有機絶縁膜用ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた有機絶縁膜、該有機絶縁膜を具備する有機EL表示装置及び液晶表示装置の提供。 - 特許庁
To give excellent ink absorptivity, ink fixing property, water resistance and bleeding resistance, and also enable clear image to be further retained with respect to an ink jet medium to be recording with a dye-fixing layer formed consisting of an interlayer and bonding agent for acceptably retaining water soluble dye through an intercalation reaction.例文帳に追加
水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とからなる染料定着層が形成されてなるインクジェット用被記録媒体に対し、良好なインク吸収性、インク定着性、耐水性及び耐にじみ性を付与し、更に鮮明な画像を保持可能とする。 - 特許庁
The electrooptic device further includes a counter electrode 21 disposed opposite to the pixel electrode and a conductive film 6ax which is arranged in the under layer side via an interlayer insulation film 43 from the plurality of pixel electrodes, is disposed on at least a part in the first and second gap regions and is supplied with a prescribed potential.例文帳に追加
更に、第2基板上に、画素電極と対向配置された対向電極(21)と、複数の画素電極よりも層間絶縁膜(43)を介して下層側に配置され、第1及び第2間隙領域内の少なくとも一部に設けられると共に所定電位が供給される導電膜(6ax)とを備える。 - 特許庁
A tire cord comprises a polyester fiber, the polyester fiber comprises laminar nanoparticles having side lenths of 5-100 nm and an interlayer spacing of 1-5 nm, the laminar nanoparticle is composed of a compound comprising a metal element, especially at least one metal element selected from the group consisting of Zn, Mn, Co and Mg.例文帳に追加
ポリエステル繊維から構成されたタイヤコードで、該ポリエステル繊維が1辺の長さが5〜100nm、層間間隔が1〜5nmである層状ナノ粒子を含み、該層状ナノ粒子は金属元素、特にZn、Mn、Co、Mgの群から選ばれる1種以上の金属元素を含む化合物から構成されている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a module having a built-in component which can sufficiently expose a terminal electrode of a surface mounting component in an insulating resin layer without damaging the electrode without largely depending on the irradiation amount of a laser beam, and can unfailingly connect an interlayer connection conductor to the terminal electrode of the surface mounting component.例文帳に追加
レーザー光の照射量に大きく依存することなく、表面実装型部品の端子電極を傷つけることなく絶縁樹脂層において十分に露出させて、層間接続導体と表面実装型部品の端子電極を確実に接続することができる部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a biaxially oriented self-tack protective film for in-mold lamination which shows excellent transparency and appearance property without the generation of interface irregularities or interlayer void, and also without the generation of floating or peeling to an adherend during high temperature fabrication, and for these advantages, enables an easy visual product inspection of the adherend, and exhibits an insignificant tack acceleration under high temperatures.例文帳に追加
界面ムラや層間ボイドの発生が無く透明性・外観特性に優れ、高温加工時の被着体との浮きや剥がれも発生しないために、被着体の目視での検品が容易であり、かつ高温下での粘着力昂進が小さいインモールドラミネーション用二軸延伸自己粘着性プロテクトフィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a heat-shrinkable laminated film which excels in heat shrinkage characteristics, transparency, and interlayer adhesion at an ordinary temperature, is hard to peel even if treated at a high temperature, is restrained from whitening that occurs when bending the film during processing or the like, and is suitably used for a shrink package, shrink binding package, a shrink label, or the like.例文帳に追加
熱収縮特性、透明性、常温における層間接着に優れ、高温で処理しても剥離しにくく、かつ、加工時等にフィルムを折り曲げた際に生じる白化を抑制した、収縮包装、収縮結束包装や収縮ラベル等の用途に適した熱収縮性積層フィルムの提供。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device includes an element manufacturing process wherein a semiconductor element is formed on a semiconductor substrate 10 and an interlayer film formation process wherein a LOCOS oxide film 12 having an opening at a desired position is formed as a constituent component of the semiconductor device on the surface RS of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
当該半導体装置の製造方法は、半導体基板10に半導体素子を作製する素子作製工程と、当該半導体装置の構成要素として、所望の位置で開口するLOCOS酸化膜12を半導体基板12の表面RSに形成する層間膜形成工程とを備える。 - 特許庁
A semiconductor storage device is provided with a plurality of gate electrodes 50 extending in a first direction, reinforcing insulating films 90 which extend in a second direction crossing the first direction and are connected to the adjacent gate electrodes and interlayer insulating films 95 which are installed between the adjacent gate electrodes and have hollows inside.例文帳に追加
半導体記憶装置は、第1の方向へ延伸する複数のゲート電極50と、第1の方向に対して交差する第2の方向に延伸し、隣接するゲート電極に接続された補強絶縁膜90と、隣接するゲート電極間に設けられ、内部に空洞を有する層間絶縁膜95とを備えている。 - 特許庁
An interlayer movement to another recording layer is executed only in a predesignated area during recording/reproducing while applying beams emitted from a recording/reproducing light source 1 and a servo light source 16 to a 3-dimensional recording medium 8 provided with a servo layer 31 indicating positional information or the like beforehand and capable of recording data in a depth direction.例文帳に追加
位置情報などを示すサーボ層31を予め有し、かつ深さ方向にデータ記録が可能な3次元記録媒体8に、記録再生用光源1及びサーボ用光源16から出射されたビームを照射しながら、記録再生時は他の記録層への層間移動を予め指定した領域においてのみ実行する。 - 特許庁
This synthetic resin sheet is a laminated sheet composed of a sheet made from a composition as an interlayer and two olefin resin thin films bonded on both sides thereof, where the composition comprises 30-70 pts.wt. of an elastomer obtained by hydrogenating a block copolymer of a vinyl aromatic compound and a conjugated diene compound, and 70-30 pts.wt. of an olefin resin.例文帳に追加
ビニル系芳香族化合物と共役ジエン化合物とのブロック共重合体をさらに水素添加して得られたエラストマー30〜70重量部と、オレフィン樹脂70〜30重量部とからなる組成物製シートを中間層とし、その両側にオレフィン樹脂の薄膜を貼り合わせて積層シートとする。 - 特許庁
The method for processing the substrate includes a step of forming an interlayer 4 between a chemical amplification type resist film 3 and an antistatic film 5, a step of exposing a desired pattern to a substrate specimen 1; a step of performing a thermal process to the substrate specimen 1 after the exposure; and a step of performing a development process to the substrate specimen 1 after the heat treatment.例文帳に追加
化学増幅型のレジスト膜3と帯電防止膜5との間に中間膜4を形成する工程と、基板試料1に所望のパターンを露光する工程と、露光後の基板試料1に対し加熱処理を施す工程と、加熱処理の後に基板試料1に現像処理を施す工程とを有する。 - 特許庁
In the liquid crystal display panel 1, the surface of a signal line 16 is formed of Mo, the surface of the signal line 16 is coated with an insulating film 19 having a thickness from 0.005 to 0.02 μm, and formed of silicon nitride, and further the surface of the insulating film 19 is coated with an interlayer resin film 20.例文帳に追加
本発明の液晶表示パネル1は信号線16の表面がMoで形成されており、信号線16の表面は厚さが0.005μm以上、0.02μm以下の窒化ケイ素からなる絶縁膜19で被覆され、更に絶縁膜19の表面は層間樹脂膜20で被覆されている。 - 特許庁
From among the light emitted from a backlight device 600, although the light emitted in an oblique direction may possibly be reflected between layers of interlayer insulating films 7, 8 and a light shielding film 11a and travel toward the optical sensor 310, such ambient light is shielded by a light shielding film 6k formed inside a through-hole 7k.例文帳に追加
バックライト装置600から出射された光のうち、斜め方向に出射された光が層間絶縁膜7、8の層間や遮光膜11aで反射して光センサ310の方に進行するおそれがあるが、かかる外乱光は、貫通穴7k内部に形成された遮光膜6kにより遮られる。 - 特許庁
This plate type heat exchanger 1 is provided with a plurality of heat transmission plates 2 stacked with one another and having clearances 4 between layers, and partition walls 3 interposed between the clearances 4, having inlets 51 and outlets 52 opened in the edge parts of the heat transmission plates 2, and partitioning and forming interlayer passages extending in the surface direction of the heat transmission plates 2.例文帳に追加
プレート式熱交換器1は、積層され、層間に隙間4を有する複数の伝熱プレート2と、該隙間4に介装され、該伝熱プレート2の縁部に開口する流入口51と流出口52とを持ち該伝熱プレート2の面方向に延びる層間流路を仕切り形成する仕切壁3とを備える。 - 特許庁
Furthermore, by using a heat insulating member having heat insulation performance or a heat radiating member with good heat conduction for the interlayer member 25, partial deterioration of lifetime of the battery pack 20 caused by the battery cells 21 in the center part of the battery pack 20 having high temperature is prevented, and the lifetime of the battery pack 20 as a whole can be extended.例文帳に追加
また、層間部材25に断熱性を有する断熱部材又は熱伝導性が良い放熱部材を使用することで、電池パック20の中心部に位置する電池セル21が高温となることにより発生する電池パック20の部分的な寿命低下を防ぎ、電池パック20全体として寿命を延ばすことができる。 - 特許庁
After a first interlayer insulating film 27 is formed on the first insulating film 23, a third opening (not shown) is formed, and insulating spacers 33 are formed only on the both side walls by forming a plurality of bit lines 29 in a direction perpendicular to the gate electrode, while filling the third opening.例文帳に追加
第1絶縁膜23上に第1層間絶縁膜27を形成した後、第1パッド層の表面を露出させる第3開口部(図示なし)を形成し、これを埋立てながら、ゲート電極と直交する方向に複数本のビットライン29を形成してその両側壁のみに絶縁性スペーサ33を形成する。 - 特許庁
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