「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

The photosensitive film has a cushion layer, a photosensitive layer of 1-50 μm thickness and a cover film in this order on a base film, and the interlayer adhesive power of the cushion layer and photosensitive layer is lower than that of the base film and cushion layer but higher than that of the photosensitive layer and cover film.例文帳に追加

本発明の回路形成用感光性フィルムは、ベースフィルムの上に逐次クッション層、厚みが１〜５０μｍの感光層、カバーフィルムを有し、クッション層と感光層との層間接着力が、ベースフィルムとクッション層との層間接着力より小さくかつ感光層とカバーフィルムとの層間接着力より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

This MOS transistor consists of a source region, a channel region, a drain region, an interlayer oxide film formed on a region between the source region and the drain region, a gate oxide film which is formed on the channel region by self alignment, and a gate electrode which is formed on the channel region via the gate oxide film by self alignment.例文帳に追加

ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との領域上に形成された層間酸化膜と、チャネル領域上に自己整合的に形成されたゲート酸化膜と、チャネル領域上にゲート酸化膜を介して自己整合的に形成されたゲート電極とからなるＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁

A titanium film 10 is formed on an interlayer insulating film 3, where a contact hole 6 and an interconnection trench 9 are formed and on an impurity diffusion layer 2 exposed from the contact hole 2, then a titanium silicide film 11 is formed at the bottom of the contact hole 6 by causing a reaction between the titanium film 10 and the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びコンタクトホール６から露出した不純物拡散層２上に、チタン膜１０を形成し、このチタン膜１０と不純物拡散層２とを反応させ、コンタクトホール６の底に、チタンシリサイド層１１を形成する。 - 特許庁

A first flatting film 31 (embedding part 31a) made of a material having a high refractive index is formed on each light-receiving part in a plurality of high sensitivity pixels, and an interlayer dielectric made of a material having a lower refractive index than the first flatting film is formed on each light-receiving part in a plurality of low sensitivity pixels.例文帳に追加

複数の高感度画素における各受光部の上には、屈折率が高い材料からなる第１の平坦化膜３１（埋め込み部３１ａ）が形成されており、複数の低感度画素における各受光部の上には、屈折率が第１の平坦化膜よりも低い材料からなる層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

The third sub-layer may have a magnetic anisotropy that is less than that of the second sub-layer of each of the magnetic islands and/or may serve as an interlayer, extending between the first sub-layer and the soft magnetic under-layer of the recording medium, and having a structure to help to produce the greater anisotropy of the first magnetic sub-layer.例文帳に追加

第３のサブレイヤは各磁気アイランドの第２のサブレイヤよりも小さい磁気異方性を有し、かつ／または記録媒体の第１のサブレイヤおよび軟磁性下層間を延びる中間層として働くことができ、第１の磁気サブレイヤのより大きな異方性を作り出すのを助ける構造を有する。 - 特許庁

During the formation process of the capacitive element C for storing information, collapse of the storage electrode 23a can also be protected by making the device into a configuration, in which the lower side of the storage electrode 23a of the capacitive element C for storing information is supported by an interlayer insulating film 11h1 and insulating films 21a and 21b.例文帳に追加

また、情報蓄積用容量素子Ｃの形成工程中において、情報蓄積用容量素子Ｃの蓄積電極２３ａの下部を層間絶縁膜１１ｈ1および絶縁膜２１ａ，２１ｂで支える構成にすることにより、蓄積電極２３ａの倒壊を防止することができる。 - 特許庁

Then, a second interlayer insulating film 210 is formed on the whole that includes the bit line 208 and the pad 209, and material films for a lower electrode, a ferroelectric body, and an upper electrode are successively formed thereon and patterned for the formation of a capacitor 211 composed of a lower electrode 211A, a ferroelectric film 211B, and an upper electrode 211C.例文帳に追加

次にビット線及び該パッドを含む全体の上に第２層間絶縁膜２１０を形成し、その上に下部電極用、強誘電体及び上部電極用の各物質を順次成膜後、パターニングして下部電極２１１Ａ、強誘電体膜２１１Ｂ及び上部電極２１１Ｃからなるキャパシタ２１１を形成する。 - 特許庁

The electro-optical device includes, on a substrate, display electrodes, and interlayer insulating films provided below the display electrodes to electrically insulate at least one of wiring lines and electronic elements that drive the display electrodes, and at least one of the display electrodes, the wiring lines and electronic elements from each other.例文帳に追加

基板上に、表示用電極と、表示用電極を駆動するための配線及び電子素子の少なくとも一方と、表示用電極と配線及び電子素子の少なくとも一方との各々を相互に電気的に絶縁するために表示用電極よりも下層に設けられた層間絶縁膜とを備えている。 - 特許庁

To provide a medium to be ink jet recorded having good ink absorbency, scarce ink retransfer, good image presevability, fixability and water resistance in the medium formed with a dye adsorption layer containing an interlayer compound for receiving and holding water soluble dye by an intercalation reaction and a binder.例文帳に追加

水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とを有する染料吸着層が形成されてなる被記録媒体で、インク吸水性が良好でインクの再転写などが起こりにくく、かつ画像保存性、定着性、耐水性が良好であるるインクジェット被記録媒体を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of elements, an interlayer insulating film 2, and a pad 3, sequentially formed on the principal surface s1 of a silicon substrate 1, and is further provided with a bump electrode 4 electrically connected to the pad 3, and a rear surface electrode 6 formed on the rear surface s2 of the silicon substrate 1 and electrically connected with the bump electrode 4.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上に順に形成された複数の素子、層間絶縁膜２およびパッド３と、パッド３に電気的に接続するバンプ電極４と、シリコン基板１の裏面ｓ２に形成され、バンプ電極４に電気的に接続する裏面電極６とを有する半導体装置である。 - 特許庁

In the case of applying microprocessing to holes and trenches by dry-etching the interlayer insulating film in a plasma environment, fluorocarbon compound gas is employed for etching gas which is halogen group gas (halogen elements are F, I and Br) wherein at least one of the I and Br is 26% or below of the total amount of halogen in terms of an atomic composition ratio and a remaining material is F.例文帳に追加

プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。 - 特許庁

The steps of the end parts of the metallic wiring are relaxed by having formed the resin film 11 across the end parts of the metallic wiring 13, 14, and even if the interlayer insulating film 10 is changed in the shape, the end parts of the metallic wiring 13, 14 are prevented from peeling off and this makes it possible to prevent disconnection of the pixel electrode 12.例文帳に追加

金属配線１３，１４の端部に樹脂膜１１を形成したことにより、金属配線１３，１４の端部が有する段差が緩和され、層間絶縁膜１０が形状変化しても、金属配線１３，１４の端部の剥がれが防止され、画素電極１２の断線を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a first conductive layer formed on a support substrate and a second conductive layer formed on an interlayer insulating layer are electrically connected each other via a contact hole, and which can reduce contact failure between the first conductive layers and the second conductive layers inexpensively, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

支持基板上に形成された第１導電層と、層間絶縁層上に形成された第２導電層とをコンタクトホールによって電気的に接続した半導体装置において、安価に、前記第１導電層と第２導電層とのコンタクト不良を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

capacitances(70) each of which is electrically connected to the TFT and the pixel electrode and shield layers(400) each of which is arranged between the data line and the pixel electrode and interlayer insulator films(43) which are formed as underlay of the pixel electrodes are provided on the substrate while they are made to constitute portions of the layered structure.例文帳に追加

この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。 - 特許庁

To provide an organopolysiloxane-based pollution preventive composite coat which is excellent in interlayer peel strength and also little in environmental load without containing an antifouling agent even on any coat (layer), wherein the composite coat comprises of an organopolysiloxane-based finish coat excellent in pollution prevention and a tie coat to be coated on its lower surface.例文帳に追加

汚染防除性に優れたオルガノポリシロキサン系フィニッシュコート、および、その下面に塗装されるタイコートからなる複合塗膜であって、層間剥離強度に優れ、かつ何れの塗膜（層）にも防汚剤を含有せず環境負荷の少ないオルガノポリシロキサン系防汚性複合塗膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive thermosetting transfer material, which can be used to form a stable and substantially transparent and colorless interlayer insulation film which is uniform in thickness and excellent in insulation property, form accuracy of a contact hole, preservation stability and solvent resistance, and a manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display.例文帳に追加

均一厚であって、絶縁性及びコンタクトホールの形状精度に優れ、実質的に無色透明で保存安定性、耐溶剤性に優れた層間絶縁膜を安定的に形成し得るネガ型感光性熱硬化性転写材料及びハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently an interlayer insulating film and a spacer insulating film 117 formed on the entire surface are patterned, and self-alignment contact holes, making the semiconductor substrate 101 between the gate electrodes 107a expose, are formed, and spacers 117a are formed in the side wall of the gate electrodes 107a and the etching protecting film pattern 109a.例文帳に追加

その後全面に形成された層間絶縁膜及びスペーサ絶縁膜１１７をパターニングし、ゲート電極１０７ａの間の半導体基板１０１を露出させる自己整列コンタクトホールを形成し、ゲート電極１０７ａ及びエッチング阻止膜パターン１０９ａの側壁にスペーサ１１７ｓを形成する。 - 特許庁

The protection layers 3 are laminated on the semiconductor chip 1 to cover an electrode pad 2, a top of the interlayer connection body 4 is connected to the electrode pad 2, and the wiring 5 is arranged on a surface opposite to a surface covering the electrode pad 2 of the protection layer 3.例文帳に追加

保護層３は、半導体チップ１に積層されて電極パッド２を覆うとともに、層間接続体４は、その先端が電極パッド２と接続され、且つ配線５は、保護層３の電極パッド２を覆う面とは反対側の面に配設されてなることを特徴とする半導体装置のパッケージ構造。 - 特許庁

The resin compound for the interlayer insulation layers of a multilayer circuit board manufactured by a buildup method includes an epoxy resin, a phenol-xylilene resin hardening agent, and barium sulfate as essential components, and contains a 5-15 mass parts phenol-xylilene resin hardening agent and 20-50 mass parts barium sulfate to 100 mass parts epoxy resin.例文帳に追加

エポキシ樹脂、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤、および硫酸バリウムを必須成分として含み、エポキシ樹脂１００質量部に対し、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤５〜１５質量部、硫酸バリウム２０〜５０質量部が含有されている、ビルドアップ工法で製造される多層回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor device processes to form the gate insulating film 3a of a transistor to be inspected, the gate insulating film 3b of a switching transistor, gate electrodes 4a and 4b, two impurity regions 5b to be a source and a drain for the switching transistor, and a first interlayer insulating film 6.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法では、被検査トランジスタのゲート絶縁膜３ａ、及びスイッチング用トランジスタのゲート絶縁膜３ｂ、ゲート電極４ａ，４ｂ、前記スイッチング用トランジスタのソース及びドレインとなる２つの不純物領域５ｂ、第１の層間絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can correctly measure a wiring shape and a film thickness and a film quality of a wiring interlayer film in a monitor mark formation region which has less deviation with a function element formation region, and correctly measure overlay deviation between a lower layer pattern and an upper layer pattern in the monitor mark formation region.例文帳に追加

機能素子形成領域との乖離が少ないモニター用マーク形成領域において、配線形状並びに配線層間膜の膜厚・膜質を正確に計測し、かつモニター用マーク形成領域における下層パターンと上層パターンとの重ね合わせずれの正確な測定が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a color filter substrate 11 and a TFT substrate 12 mutually opposed to each other at a prescribed interval and a columnar spacer 20 formed between the substrates 11 and 12 and an organic interlayer insulating film 39 is formed on the surface opposed to the color filter substrate 11 of the TFT substrate 12.例文帳に追加

本液晶表示装置は、所定の間隔をあけて相互に対向するカラーフィルタ基板１１及びＴＦＴ基板１２と、双方の基板１１、１２間に形成された柱状スペーサ２０とを備え、カラーフィルタ基板１１のＴＦＴ基板１２と対向する面に有機層間絶縁膜３９が形成されている。 - 特許庁

The method comprises selecting at least two arbitrary polymers having a weight-average molecular weight different from each other from the group consisting of a plurality kinds of polymers each having a different weight-average molecular weight and mixing the selected polymers in an appropriate mixing ratio so that the smectic liquid crystal phase has the desired interlayer distance.例文帳に追加

重量平均分子量が異なる複数種類の高分子からなる群の中から、スメクチック液晶相の層間隔が所望の層間隔となるように、重量平均分子量が互いに異なる任意の高分子を２種類以上選択し、選択した高分子の混合比を適宜変えて混合する。 - 特許庁

To achieve a laminated type IEJ junction, without having to creating a mesa structure, since the deterioration of the film quality of an interlayer insulation film cannot be avoided due to the regulation of deposition temperature, in a process for utilizing the mesa structure when creating the lamination type IEJ junction regarding a high-temperature superconducting device.例文帳に追加

高温超電導体装置に関し、積層型ＩＥＪ接合を作成するに際し、メサ構造を利用するプロセスでは、堆積温度が規制されることに起因し、層間絶縁膜の膜質劣化を回避できないので、メサ構造を作成せずに積層型ＩＥＪ接合を実現することが基本になっている。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition used for forming an interlayer insulation film or the like of a semiconductor element and for forming a thick film pattern with irradiation of radiation or the like, has photosensitiveness, and enables a development without using a crosslinking agent, and to provide the semiconductor element using the photosensive composition.例文帳に追加

例えば半導体素子の層間絶縁膜等を形成するのに用いられ、感光性を有し、架橋剤を用いることなく現象が可能であり、かつ放射線等の照射により厚みのある膜パターンを形成することが可能な感光性組成物及び該感光性組成物を用いてなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHENOL RESIN, CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED ARTICLE THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEALING MATERIAL OF SEMICONDUCTOR, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR BUILD-UP SUBSTRATE例文帳に追加

リン原子含有フェノール類の製造方法、新規リン原子含有フェノール類、新規フェノール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

To provide a polycrystalline thin film capable of preventing warpage of a substrate due to internal stress of the film, by thinning an interlayer while maintaining good crystal orientation; and to provide an oxide superconductor with high critical current density and a superb superconducting property.例文帳に追加

本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止できる多結晶薄膜の提供と、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な酸化物超電導導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 which has a principal plane 1a and has an active element region 101 where a semiconductor element is formed and a cut region 102 extended around the active element region 101, both of which are defined on the principal plane 1a; and an interlayer insulating film 2 formed on the principal plane 1a.例文帳に追加

半導体装置は、主表面１ａを有し、主表面１ａ上に、半導体素子が形成された能動素子領域１０１と、能動素子領域１０１の周りに延在する切断領域１０２とが規定されたシリコン基板１と、主表面１ａ上に形成された層間絶縁膜２とを備える。 - 特許庁

The transparent pixel electrode 8 is connected to the drain electrode 6 via a contact hole 9 formed in the interlayer insulating film 7, and the contact hole 9 is formed so that the diameter is increasing from the drain electrode 6 toward the transparent pixel electrode 8, and the inner peripheral part of the opening has a curvature of 0.5 to 2.0 μm.例文帳に追加

透明画素電極８とドレイン電極６とが、層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール９を介して接続され、コンタクトホール９が、ドレイン電極６から透明画素電極８に向けて拡径に形成され、開口内縁部が０．５乃至２．０μｍの曲率を有するように形成されている。 - 特許庁

Since this panel is formed by sewing both plate materials by penetrating through a large number of holes arranged in the two plate materials oppositely arranged with the clearance by an FRP material having continuous reinforced fiber and a matrix resin, strength (the so-called interlayer strength) against separation and shearing between plates can be increased.例文帳に追加

連続した強化繊維とマトリックス樹脂を有するＦＲＰ材により、間隙をもって対向して配置された２枚の板材に設けられた多数の孔を貫通して両板材を縫いつけてパネルとしたから、板と板との間のはく離及びせん断に対する強度（いわゆる層間強度）を大きくすることができる。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

To keep an interlayer insulating film as wide as possible while performing a damascene process by the use of an existing metal wiring pattern mask and to make a space between pieces of metal wiring wide enough for preventing them from interfering with each other so as to provide a method of forming the metal wiring of a semiconductor device and capable of preventing it from malfunctioning.例文帳に追加

既存の金属配線パターンマスクを用いてダマシン工程を実施しながら層間絶縁膜の幅を最大限確保し、金属配線間の間隔を広めて相互干渉を防止することにより、半導体素子の誤動作を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

A power supply structure 1 comprising two power supply layers 11 and 13 and an interlayer insulating film 15 held between the power supply layers 11 and 13 is characterized in that at least one of the power supply layers 11 and 13 is composed of a conductive fine particle-dispersed film a having conductive fine particles dispersed in an organic material.例文帳に追加

２つの電源層１１，１３と、電源層１１−１３間に挟持された層間絶縁膜１５とを備えた電源構造体１であり、電源層１１，１３のうちの少なくとも一方が、有機材料に導電性微粒子を分散させた導電性微粒子分散膜ａからなることを特徴とている。 - 特許庁

In an interlayer insulation film 13 covering the power supply lead-out wiring 22A and the ground lead-out wiring 22B, a power supply wiring via contact 14A connecting the power supply wiring 12A with the bent part 24A, and a ground wiring via contact 14B connecting the ground wiring 12B with the bent part 24B are arranged.例文帳に追加

電源引き出し配線２２Ａと接地引き出し配線２２Ｂを覆う第１の層間絶縁膜１３の中には、電源配線１２Ａと屈曲部２４Ａを接続する電源配線ビアコンタクト１４Ａと、接地配線１２Ｂと屈曲部２４Ｂを接続する接地配線ビアコンタクト１４Ｂが配置されている。 - 特許庁

The original plate for the planographic printing plate is characterized by sequentially disposing an interlayer containing a compound which contains a metal element with two or more valences and a photosensitive layer containing an infrared ray absorbent, a radical generator and a radical polymerizable compound on an aluminum support which has a roughened surface with an anodic oxidation coating film formed thereon.例文帳に追加

粗面化し陽極酸化被膜を形成したアルミニウム支持体上に、２価以上の金属元素を含む化合物を含有する中間層、赤外線吸収剤、ラジカル発生剤及びラジカル重合性化合物を含有する感光層を順次設けてなることを特徴とする平版印刷版用原版。 - 特許庁

In the head 10, the magnetic core 13 constituting the magnetic core is made to be a thin film lamination structure in order to reduce an eddy current loss and insulating materials 14 are used as interlayer insulating materials.例文帳に追加

金属磁性薄膜１３ａを積層した金属磁性膜１３を磁気コアとする磁気ヘッド１０であって、磁気コアを構成する金属磁性膜１３は渦電流損失を低減するため薄膜積層構造になっており、層間絶縁性材料として絶縁性の磁性材料１４を用いた磁気ヘッド１０を提供する。 - 特許庁

The volume of a silicon oxide film 17 on an interlayer insulating film 16 in the neighborhood of the control hole C3 in shunt wiring by providing source wiring in a region between a contact portion in the shunt wiring of a selective transistor on a source side and shunt wiring of an adjacent selective transistor.例文帳に追加

ソース側の選択トランジスタのシャント配線のコンタクト部と、隣接する選択トランジスタのシャント配線との間の領域にもソース線の配線を設けることにより、シャント配線のコンタクトホールＣ３付近の層間絶縁膜１６上のシリコン酸化膜１７の体積を低減していることを特徴としている。 - 特許庁

To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric formed by using an insulating material, which has a low dielectric constant and is superior in heat resistance, thermal conductivity, and mechanical strength, and has a low thermal expansion coefficient, and is capable of restraining the diffusion of metal constituting a wiring material into an insulating film, and provide a semiconductor device composed of this.例文帳に追加

低誘電率であって、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加

素子分離膜２０２とＴｒが形成された半導体基板２０１上に第１層間絶縁膜２０５を形成後、ビット線用接続孔２０６と接続導通パッド用接続孔２０７を形成し、全体の上に第１伝導層を形成しパターニングしてビット線２０８及び接続導通パッド２０９を形成する。 - 特許庁

A highly heat-resistant flat film 16, typically an interlayer dielectric film (which forms a base film of a light emitting element later) of a TFT constituting skeleton structure by bonding silicon (Si) and oxygen (O) is formed by a coating method, and after the film formation, an end part or an opening part is formed in a tapered shape.例文帳に追加

本発明は、高耐熱性平坦化膜１６、代表的にはシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるＴＦＴの層間絶縁膜（後に発光素子の下地膜となる膜）の形成方法として塗布法を用い、成膜後に端部または開口部をテーパー形状とする。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 7 covering an MOSFET (the semiconductor device) 100 is formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 and on the top face of a gate electrode 5, and a first wiring layer 9 is formed in the region other than above the channel region 6 of the MOSFET 100 on the top face thereof.例文帳に追加

半導体基板１の主面上及びゲート電極５の上面上には、ＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）１００を被覆する第一層間絶縁膜７が形成され、その上面上の前記ＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域６の上方以外の領域には第一配線層９が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display panel having reflection plates with which a reflection plate forming material is exposed by one operation with optimum exposure in simultaneously applying photolithography to the reflection plate forming material existing on an interlayer film and in a contact hole, and further a distance between mutually adjacent reflection plates close to a mask designed value is materialized within a short time period.例文帳に追加

層間膜上及びコンタクトホール内の反射板形成材料に対して同時にフォトリソグラフィー法を適用する際、一括して最適露光量で露光でき、しかも短時間でマスク設計値に近い隣接する反射板間距離を実現できる反射板を有する表示パネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an organic film layer 12 having a function of an interlayer insulation formed on a nitride film 11 for protecting aluminum wirings of an LSI chip 10, in such a manner that the film layer 12 on an aluminum pad 13 is removed by a photolithography; and a contact hole formed to connect a metal layer 14 laminated on the film layer 12.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１０のアルミ配線を保護する窒化膜１１の上に、層間絶縁の働きをする有機膜層１２が形成され、アルミパッド１３上の有機膜層１２がフォトリソグラフィにより除去され、有機膜層１２に積層されるメタル層１４との接続のためのコンタクトホールが形成される。 - 特許庁