「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a composite heat conductive member with simple configuration that is a laminated body configured to laminate so as to hold a thermally conductive sheet such as a graphite sheet which excels in thermal conductivity of creepage surface direction between thermally conductive metal plates, and that is capable to secure excellent heat conductivity throughout the lamination without causing an interlayer thermal flow bottleneck.例文帳に追加

沿面方向の熱伝導性に優れるグラファイトシート等の熱伝導シートを熱伝導金属板に挟んで積層状に構成した積層体であって、層間の熱流動ネックを招くことなく積層体の全厚に及ぶ良好な熱伝導を確保することができる簡易な構成の複合熱伝導部材を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which facilitates forming of silica based coating as an interlayer insulating film, is excellent in storage stability, is comparatively inexpensive, and is excellent in heat resistance, crack resistance, resolution, and transparency, to provide a forming method of the silica based coating using the photosensitive resin composition, and to provide a semiconductor device, a flat panel display and an electronic device member comprising the silica based coating.例文帳に追加

層間絶縁膜としてシリカ系被膜の形成が容易で保存安定性に優れ、比較的安価で、耐熱性、クラック耐性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物、それを用いたシリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜を備える半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材の提供。 - 特許庁

This plane display device is constituted by forming a semiconductor layer and auxiliary capacitor electrodes in the same layer on a glass substrate, forming a gate insulating film atop the same, forming gate electrodes and auxiliary capacitor feeder lines in the same layer atop the same, forming an interlayer insulating film atop the same and forming source electrodes and drain electrodes atop the same.例文帳に追加

本発明の平面表示装置は、ガラス基板上に半導体層と補助容量電極とを同層に形成し、その上面にゲート絶縁膜を形成し、その上面にゲート電極と補助容量給電線とを同層に形成し、その上面に層間絶縁膜を形成し、その上面にソース電極とドレイン電極を形成する。 - 特許庁

There is employed the method of forming, by a plasma CVD method, the low-permittivity interlayer insulation film with the ratio of carbon to silicon of 2.5 or larger and specific permittivity of 3.8 or lower and characterized in that hydrocarbon is not used as an insulation film material when forming the film by the plasma CVD method.例文帳に追加

また、プラズマＣＶＤ法によって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上であり、かつ比誘電率が３．８以下である低誘電率層間絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマＣＶＤ法によって成膜する際に、絶縁膜材料として炭化水素を用いないことを特徴とする低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を採用する。 - 特許庁

To provide a layered structure, especially for a printed wiring board, that prevents a reduction in resolution and achieves excellent adhesion to an underfill resin section and a molded resin section, while keeping the coefficient of linear thermal expansion of the entire photosensitive resin layer as low as possible, and to provide a photosensitive dry film used as a solder resist, an interlayer resin insulation layer or the like in the layered structure.例文帳に追加

感光性樹脂層全体として線熱膨張係数をできるだけ低く維持できると共に、解像性の低下もなく、アンダーフィル樹脂部やモールド樹脂部との密着性に優れた積層構造体、特にプリント配線基板等の積層構造体、及びそのソルダーレジストや層間樹脂絶縁層等として用いられる感光性ドライフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which can be heated and sintered at a low temperature and in a short time and has a high sensitivity with respect to radiation and the curing film obtained from which has a heat resistance, transparency and solvent resistance, is therefore suitably used for forming a spacer, a protection film, and an interlayer dielectric film of a flexible display and is excellent in terms of storage stability.例文帳に追加

低温かつ短時間での加熱・焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有し、得られた硬化膜は耐熱性、透明性，耐溶剤性を有することで、フレキシブルディスプレイのスペーサー、保護膜、層間絶縁膜等の形成に好適に用いられ、さらに保存安定性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

In a display area and a control area formed more on the inner side than a terminal 200, at parts where a video signal line DL or wiring G1, G2 formed in the same layer as the video signal line and a scanning line GL or the wiring formed in the same layer as the scanning line cross, an interlayer insulating film and an a-Si film are interposed therebetween to perform insulation.例文帳に追加

端子２００よりも内側に形成された表示領域および制御領域においては、映像信号線ＤＬ、あるいは映像信号線と同層で形成された配線Ｇ１、Ｇ２と、走査線ＧＬ、あるいは走査線と同層で形成された配線が交差する部分においては、間に層間絶縁膜とａ−Ｓｉ膜を介して絶縁する。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 - 特許庁

This device is composed of a silicon substrate 1, a silicide layer 2 formed on the silicon substrate 1, and field oxide films 3 formed on the silicide layer 2 separated from each other by a certain space and equipped with a monitoring pattern 7, formed outside an element region and an interlayer insulating film 4 which is formed on the silicide layer 2 and the field oxide films 3.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１と、そのシリコン基板１上に形成されたシリサイド層２と、そのシリサイド層２に間隔を隔てて複数配置されたフィールド酸化膜３からなり、素子領域の外部に形成されたモニターパターン部７と、シリサイド層２及びフィールド酸化膜３上に形成された層間絶縁膜４と、を有する。 - 特許庁

To provide a photosensitive flame-retardant resin composition used as a soldering resist and an interlayer dielectric for a printed wiring board, a high density multilayer laminate, a semiconductor package, etc., excellent in suitability to development with a dilute aqueous alkali solution, giving a coating film excellent in heat resistance, chemical resistance, mechanical characteristics, etc., after curing and excellent in flame resistance without using a halide.例文帳に追加

プリント配線板，高密度多層積層板，半導体パッケージ等のソルダーレジストや層間絶縁材料に使用する、希アルカリ水溶液での現像性に優れ、且つ、硬化後の塗膜は、耐熱性，耐薬品性，機械的特性等に優れ、更にハロゲン化物を使用せずに難燃性に優れた感光性難燃樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric.例文帳に追加

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。 - 特許庁

To provide a dielectric composition in which a transparent high dielectric constant layer is formed in a region requiring transparency in information display members of a flat panel display, a flexible display, a display of a personal digital assistant, a touch panel, or the like, and in which a transparent capacitor can be formed by combination with a transparent electrode or the like as an interlayer insulation film.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、携帯情報端末のディスプレイ、タッチパネルなどの情報表示部材で、透明性が必要とされる領域に透明な高誘電率層を形成し、層間絶縁膜として透明電極などと組み合わせることにより透明なキャパシタを形成することができる誘電体組成物を提供する。 - 特許庁

To appropriately inhibit high-frequency noise without mounting a capacitor to a multilayer circuit board, by easily increasing capacitance in the capacitor using the interlayer insulating layer of the multilayer circuit board as a dielectric layer, and by increasing and reducing the density and thickness of a circuit, respectively.例文帳に追加

多層回路基板及びその製造方法に関し、多層回路基板にコンデンサを搭載することなく、高周波ノイズを良好に抑止できるようにする為、多層回路基板の層間絶縁層を誘電体層とするキャパシタに於けるキャパシタンスを容易に増大させることができるようにし、回路の高密度化及び微細化を進めることを可能にする。 - 特許庁

On the insulating interlayer film 110, there are formed: data wiring 114a connected with drain region 105D through a first contact hole 112a on the drain region 105D, and a pixel electrode 114b formed on the same layer as data wiring 114a and connected with the source region 105S through a second contact hole 112b on source region 105S.例文帳に追加

層間絶縁膜１１０上に、ドレーン領域１０５Ｄ上の第１コンタクトホール１１２ａを通じて、ドレーン領域１０５Ｄと連結されるデータ配線１１４ａと、データ配線１１４ａと同一な層で、ソース領域１０５Ｓ上の第２コンタクトホール１１２ｂを通じて、ソース領域１０５Ｓと連結される画素電極１１４ｂを形成する。 - 特許庁

A material mainly containing an organic Si compound R^1_xSi(OR^2)_4-x (where R^1 is a phenyl or a vinyl group, R^2 is an alkyl group, and x is an integer of 1-3.) is plasma polymerized or reacted with an oxidizer to form an organic-containing Si oxide interlayer insulation film.例文帳に追加

一般式：Ｒ^1_xＳｉ（ＯＲ^2 ）_4-x （但し、Ｒ^1 はフェニル基又はビニル基であり、Ｒ^2 はアルキル基であり、ｘは１〜３の整数である。）で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises the steps of introducing a material gas between the counterposed electrodes under the pressure which is close to the atmospheric pressure, in the case of forming the low permittivity interlayer insulating thin film in the element, applying a pulse-like electric field between the opposed electrodes to generate the glow discharge plasma in the material gas, and forming the thin film.例文帳に追加

半導体素子における低誘電率層間絶縁薄膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The inductance L_1 uses an inductor circuit pattern disposed between layers of a package as a laminated circuit board housing the quartz vibrating reed X_1 and the IC chip 40; and bonding pads a-d drawn to a surface of the package via interlayer wiring and the like from a plurality of first lead terminals disposed between beginning and terminal ends of the inductor circuit pattern.例文帳に追加

インダクタンスＬ_1は、水晶振動子Ｘ_1及びＩＣチップ４０を収容する積層回路基板としてのパッケージの層間に設けられたインダクタ回路パターン、及び、そのインダクタ回路パターンの始端から終端の間に設けられた複数の第１引出端子から層内配線などによりパッケージの表面に引き出されたボンディングパッドａ〜ｄを用いている。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having no safety problem, superior in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a proper development margin that a proper pattern profile can be formed, even after the lapse of the optimum developing time in a developing step, and to provide an interlayer insulation film and microlenses formed from the composition.例文帳に追加

安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物ならびに該組成物から形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

An auxiliary capacitor 20 is disposed in approximately a position below a pixel transistor 40 with an interlayer insulating film 30 formed with a connecting hole 30a in-between and a lower electrode layer 21 of the auxiliary capacitor 20 is electrically connected through a connecting electrode 31 formed in the connecting hole 30a to an impurity region 41A of the pixel transistor 40.例文帳に追加

補助容量２０は、接続孔３０ａが形成された層間絶縁膜３０を間にして、画素トランジスタ４０の略下方位置に設けられると共に、補助容量２０の下部電極層２１は接続孔３０ａに形成された接続電極３１を介して画素トランジスタ４０の不純物領域４１Ａと電気的に接続される。 - 特許庁

In the transflective liquid crystal display panel 10A, a pixel electrode 19 and a TFT as a switching element are electrically connected through a contact hole 20 formed in an interlayer insulating film 17 at the position where a reflector 18 is formed; and a protrusion 32 as an alignment regulating means for liquid crystal molecules is formed at the position opposing to the contact hole 20.例文帳に追加

本発明の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、反射板１８が形成されている位置の層間絶縁膜１７に形成したコンタクトホール２０を介して画素電極１９とスイッチング素子であるＴＦＴとが電気的に接続され、液晶分子の配向規制手段である突起３２がコンタクトホール２０と対向する位置形成されている。 - 特許庁

To provide abrasives and a polishing method in which in a CMP technology of flattening an interlayer dielectric, a BPSG film, and a shallow trench isolating insulating film, a selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film and a flatness are enhanced, whereby a CMP process can be efficiently and fast performed, and a process management can be easily performed.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、ＣＭＰプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board comprises the processes of mounting the chip type resistor on an inner layer substrate, with a support body on the upper side and a resistor on the land side; stacking an interlayer insulation layer on the inner layer substrate; polishing the laminate; and forming a conductor layer on the polished laminate via an insulation layer.例文帳に追加

支持体を上側、抵抗体をランド側にしてチップ型抵抗体を内層基板に実装する工程と；前記内層基板に層間絶縁層を積層する工程と；前記積層板を研磨する工程と；前記研磨後の積層板に絶縁層を介在せしめて導体層を形成する工程とを有する多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

The barrier metal film 21 is so formed as to cover the inside of the openings 17 and 20 and consists of a tantalum film containing α-Ta and β-Ta having different crystal structures, with the ratio of β-Ta with respect to α-Ta being not less than 1 nor more than 5 in a portion in contact with the low specific permittivity interlayer insulation film 8.例文帳に追加

バリアメタル膜２１は、開口部１７，２０の内側を覆って設けられているとともに結晶構造が互いに異なるα−Ｔａおよびβ−Ｔａを含むタンタルの膜からなり、かつ、α−Ｔａとβ−Ｔａとの組成比が低比誘電率層間絶縁膜８に接する部分において１以上５以下となっている。 - 特許庁

To provide a prepreg for a printed circuit board moldable by hot-pressing at a relatively low temperature, having sufficient adhesiveness to conductors and giving an interlayer insulation layer having high heat-resistance, low dielectric constant, low dielectric loss tangent, low water absorption and high flame retardancy, and provide a multilayer printed circuit board having high performance and high density and producible in high work efficiency by using the prepreg.例文帳に追加

比較的低温で加熱加圧成形でき、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率及び難燃性の層間絶縁層を形成できるプリント配線基板用プリプレグ、並びにそれを用いて作業性良く製造できる高性能、高密度の多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Contacts 12 can be formed in the interlayer insulating film 10, to connect a diffusion layer 7 with bit lines 32 as intersecting voids 11 by forming a sidewall insulating film 14 on the inner wall of the contacts 12, a short circuit between bit lines 32 through contacts 12 can be eliminated, and parasitic capacitance between word lines can be reduced as well.例文帳に追加

コンタクト１２の内壁に側壁絶縁膜１４を形成することにより、ボイド１１と交差するようにして層間絶縁膜１０に拡散層７とビット線３２とを接続するためのコンタクト１２を形成することを可能とし、ビット線３２間のコンタクト１２を通じての短絡を無くすと共に、ワード線間の寄生容量を減じることができる。 - 特許庁

More specifically, the linear defect which is considered to occur in an insulating film 13 formed on the HSQ film 12 due to the desorption of a hygroscopic component is suppressed by reducing the hygroscopic property of the HSQ film 12, by using the HSQ film 12 containing a relative quantity of SiH or an absolute quantity of H as one insulating layer of an interlayer insulating film.例文帳に追加

具体的には、しきい値以上に相当するように相対的なＳｉＨ量又は絶対的なＨ量を含有するＨＳＱ膜１２を層間絶縁膜２の一絶縁層として用い、ＨＳＱ膜１２の吸湿性を低減させ、吸湿成分の脱離に起因して上部絶縁層１３に発生すると考えられる線状欠陥を抑止する。 - 特許庁

To provide a curable resin composition excellent in flame retardancy and moisture resistance in a cured product, a cured product thereof, and a resin composition for printed wiring boards, a printed wiring board, a resin composition for flexible wiring boards, a resin composition for semiconductor sealing materials and a resin composition for an interlayer insulation material for build-up substrates, using the curable resin composition.例文帳に追加

硬化物における難燃性、耐湿性に優れる硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び、該硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A sag-preventing pattern 3 is provided at the end part of a packaging circuit resin board with a thin film having an interlayer insulation film 4 that is provided between a lower wiring layer and an upper wiring layer comprising a dry film, adjoining the region with the relatively high density of at least an actual wiring layer 2 on the end part side of the board from the actual wiring layer 2.例文帳に追加

下層配線層と上層配線層との間に設ける層間絶縁膜４をドライフィルムによって構成した薄膜付実装回路樹脂基板の端部に、少なくとも実配線層２の密度が相対的に粗な領域に隣接し、且つ、前記実配線層２より基板の端部側にダレ防止用パターン３を設ける。 - 特許庁

The frequency characteristic in a high-frequency region, and DC superposing characteristic of this planer magnetic element which is constituted by sandwiching a spiral planar coil 3 and insulating films 2 between upper and lower thin magnetic films 1 and 4, are improved by scattering magnetic power 6 in an insulating film 7 between coil wires and interlayer insulating films 8.例文帳に追加

スパイラル平面コイル３と、絶縁膜２および平面コイル３を挟み込む上部，下部磁性体薄膜１，４とを積層した平面型磁気素子の、コイル線間絶縁膜７，層間絶縁膜８にそれぞれ磁性粉体６を分散させることにより、高周波領域における周波数特性，直流重畳特性の改善を図る。 - 特許庁

Dielectric films 11 to 15 containing at least a photo-bleeching material out of photo-bleeching, inorganic, and organic materials are formed on a substrate 10, and the light energy of ultraviolet rays applied to the dielectric films 11 to 15 is adjusted, thus reducing the relative dielectric constant of the interlayer insulating films 11 to 15 with a simple configuration.例文帳に追加

基板１０上にフォトブリーチング材料、無機材料及び有機材料のうち少なくともフォトブリーチング材料を含む誘電体膜１１〜１５を形成し、その誘電体膜１１〜１５に照射する紫外線光の光エネルギーを調節するという簡単な構成により層間絶縁膜１１〜１５の比誘電率を低くすることができる。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide soluble in organic solvents and suitably usable as an overcoating material for a flexible wiring substrate, an interlayer insulation material, etc., excellent in heat-resistance, electrical properties, flexibility, etc., a photosensitive polyimide ink composition containing the photosensitive polyimide, and an insulating film produced by curing the photosensitive polyimide ink composition.例文帳に追加

耐熱性、電気特性、及び柔軟性等に優れたフレキシブル配線板用オーバーコート材、及び層間絶縁材料等として好適に用いることができるとともに、有機溶媒に可溶性である感光性ポリイミド、前記感光性ポリイミドを含有する感光性ポリイミドインク組成物、及び前記感光性ポリイミドインク組成物を硬化させてなる絶縁膜の提供。 - 特許庁

The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101.例文帳に追加

露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid for cleaning a substrate in a production process of a semiconductor device and affording sufficient cleaning effects even when a low dielectric constant film containing carbon is used as an interlayer dielectric and to provide a method for producing the semiconductor device including a step of cleaning the substrate using the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において基板を洗浄する洗浄液であって、層間絶縁膜として炭素を含む低誘電率膜を使用した場合であっても十分な洗浄効果を得ることができる洗浄液、及びこの洗浄液を使用した基板洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the hologram, having at least a hologram forming layer 2 and a reflection thin film layer 3 on a support layer 1, at least one layer or interlayer region in the hologram structural layers including these layers contains an organic fluorescent dye, which is excited by IR rays and emits light in the IR region.例文帳に追加

支持層１上に少なくともホログラム形成層２と反射薄膜層３とが設けられてなるホログラムにおいて、上記の各層を含むホログラム構成層のうちの少なくともひとつの層または層間に、赤外線により励起されて赤外光領域で発光する有機蛍光色素が含まれていることを特徴とするホログラム。 - 特許庁

To provide a polymeric material having a low apparent viscosity, easy for spraying and having a sufficient adhesive force in the case of using a method of generating an ion complex and adding it to paper layers by spraying as an interlayer adhesive in producing a combination paper, and a method for producing the combination paper having a high strength by using the same polymeric material.例文帳に追加

抄き合わせ紙を製造する際の層間接着剤において、イオンコンプレックッスを生成させスプレ−により紙層に添加する方法を採用する場合、見かけ粘性が低くスプレ−容易で、十分な接着力を有する高分子物質と、それを使用することによって強度の高い抄き合わせ紙を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an easily openable laminated film which has large interlayer adhesion strength to an adjacent layer of a polypropylene resin, can materialize proper easily openable properties, is easy of adjustment of the easily openable properties, and is excellent in low temperature sealing properties as compared with a laminated film using linear low density polyethylene produced by using a Ziegler catalyst for a seal layer.例文帳に追加

シール層としてチーグラー触媒を用いて製造された直鎖状低密度ポリエチレンを用いた場合に比べて、ポリプロピレン系樹脂からなる隣接層との層間接着強度が大きく、適度な易開封性を実現することができ、易開封性の程度の調整も容易で、低温シール性にも優れる易開封性積層フィルムを提供すること。 - 特許庁

The forming method of the capacitor storage node of the semiconductor device comprises the steps of providing a semiconductor substrate on which an interlayer insulating film is formed, forming a first contact hole, forming a first insulating film, forming the storage node contact plug, depositing a second insulating film, depositing a third insulating film, forming a second contact hole, and depositing the storage nodes.例文帳に追加

層間絶縁膜が形成された半導体基板を提供するステップと、第１コンタクトホールを形成するステップと、第１絶縁膜を形成するステップと、ストレージノードコンタクトプラグを形成するステップと、第２絶縁膜を蒸着するステップと、第３絶縁膜を蒸着するステップと、第２コンタクトホールを形成するステップと、ストレージノードを蒸着するステップとを含む。 - 特許庁

The resin interlayer 18 is arranged in between a first layer 15 contacting with the first glass plate 12 and a second layer 16 contacting with the second glass plate 14 and includes a third layer 17 of which the Shore harness measured with a durometer at 20°C or higher but 40°C or lower is lower than those of the first layer 15 and the second layer 16.例文帳に追加

樹脂中間膜１８は、第１ガラス板１２に接する第１層１５と、第２ガラス板１４に接する第２層１６と、第１層１５と第２層１６との間に配置され、かつ２０℃以上４０℃以下でのデュロメータ測定によるショア硬度が第１層１５および第２層１６よりも小さい第３層１７とを含む。 - 特許庁

This method of manufacturing a multilayer printed wiring board comprises a first process of feeding conductive paste whose volume is larger than the capacity of a blind hole into the blind hole for interlayer connection and then giving acceleration to the conductive paste and a second process of removing an excess of the conductive paste supplied to the blind hole.例文帳に追加

非貫通孔の容積以上の体積の導電性ペーストを層間接続のための非貫通孔部分に供給した後、導電性ペーストに加速度を与えることにより、導電性ペーストを非貫通孔に充填するプロセス、及び非貫通孔の容積に対して過剰な導電性ペーストを除去するプロセスを有する多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

First, a TEG film E of the wafer W formed with a low dielectric constant interlayer insulation film (Low-k film) is cut to a predetermined depth by a first blade 10, and then the wafer W is cut from above the groove cut out by the first blade 10 by means of a second blade 11 which is wider than the first blade 10.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成されたウェーハＷのＴＥＧ膜Ｅを第１のブレード１０により所定深さまで切削し、第１のブレード１０よりも幅の厚い第２のブレード１１により、第１のブレード１０が切削した溝上を第２のブレード１１で切削し、ウェーハＷの切断を行なう。 - 特許庁

Then, a resist pattern 11 and the foreign matter defects are removed by a process, which selectively embeds organic compound 9 in the wiring embedding groove 5 and an organic repaired film 10, a process, which forms a resist pattern 11 for forming the wiring embedding groove 5 again, and a process, which etches the interlayer insulating film and the organic repaired film 10 at the same time.例文帳に追加

そこで配線埋込溝５に有機化合物９を選択的に埋め込み有機修復膜１０を形成する工程、配線埋込溝５形成のためのレジストパターン１１を再度形成する工程、層間絶縁膜２と有機修復膜１０を同時にエッチングする工程を行うことによってレジストパターン１１，異物欠陥が除去される。 - 特許庁

To provide a solid imaging device and the manufacturing method thereof wherein the optical reflection caused by the difference between the refractive index of a wiring interlayer film and the one of a metal-diffusion preventing film is reduced, without the conventional selective removal of the metal-diffusion preventing film disposed above a sensor portion, and the diffusion of its metal wiring to its semiconductor substrate can be prevented.例文帳に追加

従来のようにセンサ部の上方の金属拡散防止膜を選択的に取り除くことなしに、配線層間膜と金属拡散防止膜との屈折率の違いによる光の反射を低減するとともに、半導体基板への金属配線の拡散を防止することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a copper oxide film 21 only on the surface of wiring 15 embedded in an interlayer insulating film 12 and composed of copper or a copper alloy; selectively removing the copper oxide film 21; and forming the cap film 31 which prevents the diffusion of copper only on areas from which the copper oxide film 21 is removed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２に埋め込まれた銅もしくは銅合金からなる配線１５の表面のみに酸化銅膜２１を形成する工程と、酸化銅膜２１を選択的に除去する工程と、酸化銅膜２１を除去した領域のみに銅の拡散を防止するキャップ膜３１を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Each organic EL element has a thick film 33ac of relatively large film thickness provided nearby the center of an exposed part where a portion of a lower electrode is not covered with an interlayer insulating film 33b to be exposed, and a thin film 33ae of relatively small film thickness arranged on the exposed part and nearby an end of the exposed part.例文帳に追加

各有機ＥＬ素子が、下部電極の一部が層間絶縁膜３３ｂによって被覆されずに露出した露出部の中央部近傍に配置された膜厚が相対的に大きな厚膜部３３ａｃと、露出部上であって当該露出部の端部近傍に配置された膜厚が相対的に小さな薄膜部３３ａｅとを有する。 - 特許庁

To provide a fuel system resin hose which is excellent in fuel barrier properties, heat resistance, heat-aging resistance and has high interlayer adhesive force of each layer even when each layer is laminated directly (direct lamination structure) without forming an adhesive layer on the interface of each layer and without being subjected to adhesive treatment such as plasma treatment (without using an adhesive).例文帳に追加

燃料低透過性、耐熱性や耐熱老化性に優れるとともに、各層の界面に接着剤層を形成したり、プラズマ処理等の接着処理を行うことなく（接着剤レスで）、各層を直接積層する直接積層構造としても、各層の層間接着力に優れている燃料系樹脂ホースを提供する。 - 特許庁