「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索

The interlayer 3 is formed having a layer composed of an electron donor acceptor complex or metal, or a metal compound layer 3a having a work function of 3.7 eV or smaller, a light transmitting layer 3b containing a conductive material, a layer 3c composed of a charge transport organic material, and a layer 3d composed of a hole injection material.例文帳に追加

中間層３は、電荷移動錯体からなる層または３．７ｅＶ以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層３ａと、導電体材料を含有する光透過性の層３ｂと、電荷輸送性有機材料からなる層３ｃと、ホール注入材料からなる層３ｄとを備えて形成されている。 - 特許庁

A cross-linking combination layer consisting of one kind or more selected from copolymeric saponified matter of diacetoneacrylamide-fatty acid vinylester, a hydrazine compound, and a diamine compound is included in an interlayer between a support basement and a thermal coloring component layer in thermal recording material with a thermal coloring component layer set on the support basement.例文帳に追加

支持基体上に感熱発色成分層を設けた感熱記録用材料における支持基体と感熱発色成分層との層間および感熱発色成分層上に、（Ａ）ジアセトンアクリルアミド−脂肪酸ビニルエステルの共重合体のケン化物と（Ｂ）ヒドラジン系化合物、ジアミン系化合物から選ばれる１種以上とからなる架橋結合層を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device is provided with a process for forming a wiring trench 38 in an interlayer insulating film 34, a process for forming the wiring layer 44 whose main material is Cu in the wiring trench 38, and a process for performing nitrogen two-phase flow treatment in which nitrogen gas and hotwater are sprayed simultaneously to the surface of the wiring layer 44 embedded in the wiring trench 38.例文帳に追加

層間絶縁膜３４に、配線溝３８を形成する工程と、配線溝３８内に、Ｃｕを主材料とする配線層４４を形成する工程と、配線溝３８内に埋め込まれた配線層４４の表面に対して、窒素ガスと水とを同時に吹き付ける窒素二流体処理を行う工程とを有する。 - 特許庁

A silicon oxide film (SiO_2), made of the higher order silane, is far smaller in stress than a conventional oxide film, hardly causes warpage, has proper embedding ability, and is smaller in density of the trench than an interlayer insulation film which is formed on the flat principle surface of the semiconductor substrate, thereby achieving low relative permittivity.例文帳に追加

この高次シランから形成されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ_2 ）は、ストレスが従来の酸化膜より格段に小さく殆ど反りのない性質をもち、埋め込み性が良く、トレンチ内での密度が半導体基板の平坦な主面上に形成された同じ材料の層間絶縁膜より小さく従って比誘電率が小さいという特性を有する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition having high radiation sensitivity and such a development margin as to form a good pattern shape even by development for over an optimum developing time in a developing step, the composition easily forming a patterned thin film excellent in adhesion and being suitable for forming an interlayer dielectric or microlenses.例文帳に追加

高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる、層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適な感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

In the laminated glass, at least an interlayer film for laminated glass and glass plates are laminated on each other and integrated, and Head Injury Criteria (HIC) value measured in accordance with the provision by European Enhanced Vehicle-safety Committee; EEVC/WG17 is equal to or less than 1,000.例文帳に追加

少なくとも合わせガラス用中間膜とガラス板とが積層され、一体化されている合わせガラスであって、ヨーロピアン・エンハンスド・ビークル−セーフティ・コミッティー（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ−ｓａｆｅｔｙ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ；ＥＥＶＣ／ＷＧ１７）の規定に準拠して測定した頭部衝撃指数（Ｈｅａｄ Ｉｎｊｕｒｙ Ｃｒｉｔｅｒｉａ；ＨＩＣ）値が１０００以下である合わせガラス。 - 特許庁

The interlayer adhesive is obtained by mixing an aqueous slurry of undissolved particles of raw starch or a modified starch obtained by subjecting the raw starch to a nonionic treatment with an aqueous solution of a high-molecular weight cationic polyacrylamide derivative having an advanced structural type molecular structure, and sprayed or coated between the sheet plies to produce the paperboard or the like by combination papermaking.例文帳に追加

生澱粉または生澱粉に非イオン的処理を施した改質澱粉の未溶解粒子の水性スラリーに、高度構造型分子構造を有する高分子量カチオン性ポリアクリルアミド誘導体の水溶液が混合されてなる層間接着剤を、シート層間に噴霧、塗布して、抄き合わせ抄造によって板紙などを製造する。 - 特許庁

The high frequency semiconductor device comprises a ground plate provided on a semiconductor substrate and connected with the ground potential, and a plurality of line conductors provided in multilayer on the ground plate through an interlayer insulation film with the power supply points being integrated by interconnecting respective layers through through holes located at the electrical intermediate points thereof.例文帳に追加

半導体基板上に設けられ、接地電位に接続される接地プレートと、接地プレート上に層間絶縁膜を介して多層に設けられ、その電気的中間点に位置するスルーホールによって各層間が相互に接続されることで、給電点が統合される複数の線路導体とを備えることを特徴とする高周波半導体装置。 - 特許庁

A resin impregnated porous filler is obtained by inserting a coupling agent or an inorganic material into between layers of a laminar clay mineral to prepare an interlayer crosslinked material, three-dimensionally binding the laminar clay mineral to obtain a porous filler having all of meso pores, micro pores and macro pores, and impregnating the macro pores of the porous filler with a resin.例文帳に追加

層状粘土鉱物の層間にカップリング剤あるいは無機物を挿入し層間架橋体を調製し、該層状粘土鉱物の立体化を行って得られる、メソ気孔、ミクロ気孔及びマクロ気孔を併せ持つ多孔質フィラーであって、前記多孔質フィラーのマクロ気孔に樹脂を含浸させたことを特徴とする樹脂含浸多孔質フィラー。 - 特許庁

This elastic warp knitted fabric whose two layers comprising mutually facing front and back side base knitted fabrics F and B containing at least non-elastic yarns 1, 3 and elastic yarns 2, 4 are integrally bound to each other by crossing and interlacing either of the non-elastic yarns 1, 3 with either of the elastic yarns 2, 4 in the interlayer 5.例文帳に追加

少なくとも非弾性糸１、３と弾性糸２、４を含んで編成されるそれぞれフロント側Ｆ、バック側Ｂの相対する２層の基布の各層の前記非弾性糸１、３と弾性糸２、４のうちいずれか１つの糸が層間５で交差し絡むことにより両層が一体となるように結合されている伸縮性経編地。 - 特許庁

To provide a decorative sheet in which a transparent acrylic resin film 1 having excellent weather resistance, transparency, moldability and the like is provided on a base sheet 4 and a surface state is regulated to desired matting feeling and which can be easily manufactured without generating a design fault such as an interlayer adhesion fault, a silver grain, a blister or the like.例文帳に追加

耐候性や透明性、成形加工性等に優れた透明アクリル系樹脂フィルム１が基材シート４上に設けられた化粧シートにおいて、表面状態が所望の艶消し感に調整されており、しかも層間密着不良や銀目、膨れ等の意匠不良を発生することなく容易に製造可能な化粧シートを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate without a core layer comprises (a) a step to form an insulating layer on the whole surface of a metallic sheet, (b) a step to form a via-hole on the insulating layer for interlayer electrical connection between the metallic sheet and other layer surface, and (c) a step to form many projected functional pads by etching the metallic sheet.例文帳に追加

（ａ）金属シートの一面に絶縁層を形成する段階と、（ｂ）上記絶縁層に上記金属シートと他面の層間電気的接続のためのビアホールを形成する段階と、及び（ｃ）上記金属シートをエッチングすることで突出された多数の機能パッドを形成する段階とを含むコア層のない基板製造方法が提供される。 - 特許庁

The capacitor of the semiconductor memory is provided with a lower electrode 10 for covering the bottom of a storage node hole 9, and for covering the side surface to a height lower than the height of the upper surface of a second interlayer insulating film 8, a capacity insulating layer 11 for covering the top of the lower electrode, and an upper electrode 12 for covering the top of the capacity insulating layer 11.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置のキャパシタは、ストレージノードホール９の底面を覆い、側面を第２の層間絶縁膜８の上面の高さよりも低い高さまで覆う下部電極１０と、下部電極の上を覆う容量絶縁膜１１と、容量絶縁膜１１の上を覆う上部電極１２とを備える。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which is used in formation of a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate having such properties as high transmittance, heat resistance and insulation, an interlayer insulation film of a semiconductor device, or a core or cladding material of an optical waveguide, and which has high sensitivity, shortens developing time, and gives a pattern film readily soluble in an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

高い透過率、耐熱性、絶縁性の特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板用平坦化膜、半導体素子の層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材などの形成に用いられる、高感度で現像時間を短縮でき、パターン膜がアルカリ水溶液に容易に溶解する感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film is provided with trenches 11m and 11n extending in a specified direction in parallel with the major surface while being spaced apart from each other between the memory cell and the circumferential edge 54, and a trench 11p branched from the trenches 11m and 11n to extend in a direction different from the extending direction of the trenches 11m and 11n.例文帳に追加

層間絶縁膜には、メモリセルと周縁５４との間に位置して、主表面に対して平行に延在し、かつ互いに間隔を隔てて所定の方向に延びる溝１１ｍおよび１１ｎと、溝１１ｍおよび１１ｎから枝分かれし、溝１１ｍおよび１１ｎが延びる方向とは異なる方向に延びる溝１１ｐとが形成されている。 - 特許庁

The interlayer peeling of a laminated material having at least a structure containing an electroconductive composition layer 4 sandwiched between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 is carried out by applying a voltage between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 to effect the anodic oxidization of the anode-side electrode and the peeling of the laminate at the interface between the electrode and the electrically conductive composition layer 4.例文帳に追加

第１，第２の電極２，３間に導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陽極側の電極を陽極酸化し、該電極と導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁

A layered silica-metal oxide porous body has a structure obtained by forming an interlayer cross-linkage of SiO_2 by dehydration condensation of silicic acid between lamellar crystals of silicon tetrahedrons SiO_4, has numerous pores of ≥10 Å diameter and has solid acidity exhibited by bonding atoms of a metal different from silicon to the lamellar crystals.例文帳に追加

珪素四面体ＳiＯ_4 の層状結晶の間に珪酸の脱水縮合によるＳiＯ__2 の層間架橋が形成された構造を有するとともに、１０Å以上の径の多数の細孔を備え、且つ前記層状結晶に珪素と異なる金属原子が結合することにより発現した固体酸性を備えていることを特徴とする層状シリカ−金属酸化物多孔体。 - 特許庁

The interlayer insulating film TH4 between third and fourth layer wiring M3 and M4 is set to the laminated structure film of a TEOS film TH4a formed by the CVD method, an SOG film TH4b formed by applying an SOG film onto the TEOS film TH4a and by performing heat treatment, and a TEOS film TH4c formed on the SOG film TH4b.例文帳に追加

第３層配線Ｍ３と第４層配線Ｍ４との層間絶縁膜ＴＨ４を、ＣＶＤ法により形成されたＴＥＯＳ膜ＴＨ４ａ、ＴＥＯＳ膜ＴＨ４ａ上にＳＯＧ膜を塗布し、熱処理を施すことにより形成されたＳＯＧ膜ＴＨ４ｂおよびこのＳＯＧ膜ＴＨ４ｂ上に形成されたＴＥＯＳ膜ＴＨ４ｃの積層構造膜とする。 - 特許庁

An amorphous silicon film 14 whose top 14b is flattened is made by subjecting it to ion implantation shown by the arrow 13, with 0 degrees for incident angle, 20 keV of implantation energy, and 8×1015 atom/cm2, using a large current machine, to the topside of the amorphous silicon film having a recess made in an upper side 8b of an interlayer oxide film 8.例文帳に追加

層間酸化膜８の上面８ｂに形成された凹凸を有する非晶質シリコン膜１１の上面１１ｂに対して、大電流機を用いて注入量８×１０^15ａｔｏｍ／ｃｍ^2 、注入エネルギー２０Ｋｅｖ、入射角０度で矢印１３で示すイオン注入を行うことにより、上面１４ｂが平坦化された非晶質シリコン膜１４を形成する。 - 特許庁

To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.例文帳に追加

表面高さが低い下部拡散層２４と表面高さが高い下部配線層２６が、表面が平坦な層間絶縁膜３８に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層２４と下部配線層２６に達するコンタクトホール３６と３８を、表面高さが高い下部配線層２６を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁

To provide a solar cell rear surface protection sheet, and a solar cell module using the same, which are durable for a long period of time in a severe natural environment, especially excellent in durability excelling in competence for environment resistance such as weather resistance, interlayer adhesive strength, dampproofness, gas barrier competence, as other characteristics, and are manufactured at a very low cost.例文帳に追加

本発明は、長期間にわたる過酷な自然環境に耐え得る、特に耐候性などの耐環境適性や層間接着強度に優れる耐久性、その他の諸特性として防湿性、ガスバリア性などに優れ、かつ、非常に安価に製造することが可能となる太陽電池用裏面保護シートおよびそれを用いた太陽電池モジュールを提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A heat treatment unit 4 as the heat treatment apparatus is provided with a chamber 42 for accommodating a wafer W on which the low dielectric constant interlayer insulating film is formed, a formic acid supply mechanism 44 for supplying a gas-phase formic acid into the chamber 42, and a heater 43 for heating the wafer W in the chamber 42 to which the formic acid has been supplied by the formic acid supply mechanism 44.例文帳に追加

熱処理装置としての熱処理ユニット４は、低誘電率膜層間絶縁膜が成膜されたウエハＷを収容するチャンバー４２と、このチャンバー４２内に気相の蟻酸を供給する蟻酸供給機構４４と、蟻酸供給機構４４によって蟻酸が供給されたチャンバー４２内でウエハＷを加熱するヒーター４３とを具備する。 - 特許庁

A method of manufacturing a multilayer printed wiring board is characterized in including: laminating a plurality of sheets of prepregs having through-holes filled with a conductive paste with a predetermined insulating layer thickness in such a way that positions of through-holes become identical; then coating both sides with metal foils; and holding the laminated prepregs between metal plates, heating and pressing them to perform interlayer connection between metal foils at predetermined positions.例文帳に追加

貫通孔を有し、該貫通孔内に導電性ペーストを充填したプリプレグを所定の絶縁層厚さで、かつ貫通孔位置が同一位置になるように複数枚重ねた後、その両面に金属箔を配し、金属プレートで挟み加熱加圧して所定位置の金属箔間の層間接続を行うことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

Furthermore, it has a plurality of partial wires formed of a plurality of conductive films placed on mutually different layers via an interlayer insulating film respectively and mutually electrically connected, and it is equipped with an image signal line, including a portion wired in a direction along an edge of a pixel array region with the plurality of pixel portions aligned thereon, to supply image signals to the plurality of data lines.例文帳に追加

更に、層間絶縁膜を介して相異なる層に位置する複数の導電膜から夫々形成されると共に互いに電気的に接続された複数の部分配線を有しており、複数の画素部が配列された画素アレイ領域の一辺に沿った方向に配線された部分を含む、複数のデータ線に画像信号を供給するための画像信号線を備える。 - 特許庁

In a process of manufacturing a part built-in substrate, a semiconductor part 1 is fixed to a metal plate 8a with an adhesive 9, further, interlayer insulating layers 4-1 to 4-3 and wiring layers 6-1 to 6-3 are sequentially laminated on the metal plate 8a and the semiconductor part 1 to form other wiring layers 8 with the metal plate 8a.例文帳に追加

部品内蔵基板を製造する工程において、金属板８ａに接着剤９を用いて半導体部品１を固定し、さらにその金属板８ａ及び半導体部品１の上に層間絶縁層４−１〜４−３及び配線層６−１〜６−３を順次積層させ、金属板８ａで他の配線層８を形成していくことを特徴としている。 - 特許庁

Polymer-based primer is added to paper made of nonwoven fabric or woven fibers made of heat-resistant synthetic fiber, a middle layer is provided, a base that is formed by impregnating the paper with resin is subjected to thermally mold with copper foil, and the copper foil is subjected to pattern etching, thus obtaining a circuit formation substrate that has excellent copper foil coherency and base interlayer peeling strength.例文帳に追加

耐熱性合成繊維からなる不織布あるいは織布繊維からなるペーパーにポリマー系プライマーを付与し、中間層を設けた後、ペーパーに樹脂を含浸させて形成した基材を銅箔とともに圧熱成型して銅箔基材を形成した後、前記銅箔にパターンエッチングを施すことにより銅箔密着性、基材層間剥離強度に優れた回路形成基板を得る。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition suitably used for a surface protective film, an interlayer insulating film, and an insulating film for high-density mounting board, which has high solubility to general solvents and satisfactory sensitivity to g-ray and h-ray, can respond to highly thick application and alkali development, form a pattern of high resolution, and provide a cured product with high film remaining rate.例文帳に追加

一般的な溶剤に対する溶解性が高く、ｇ線、ｈ線に対する感度が良好で、高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高いパターンを形成することができ、残膜率が高い硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film comprises a polymer in which a first monomer which has a substituted acetylenyl group and is polymerizable to three-dimensional directions, e.g. an adamantane derivative having a substituted acetylenyl group, and a second monomer which has a substituted cyclopentanonyl group and is polymerizable to two-dimensional directions, e.g. an aromatic derivative having a substituted cyclopentanonyl group are polymerized three-dimensionally.例文帳に追加

層間絶縁膜は、置換アセチレニル基を有すると共に三次元方向に重合可能な第１のモノマー、例えば置換アセチレニル基を有するアダマンタン誘導体と、置換シクロペンタノニル基を有すると共に二次元方向に重合可能な第２のモノマー、例えば置換シクロペンタノニル基を有する芳香族誘導体とが三次元的に重合した重合体よりなる。 - 特許庁

The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.例文帳に追加

浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁

The device includes first and second gate layers 31 and 32 formed adjacent to each other on an Si substrate 20 without intervention of a diffusion layer therebetween, a drain diffusion layer 21 formed outside of the first gate layer 31, a source diffusion layer 22 formed outside of the second gate layer 32, and an interlayer insulating film 40 formed on the Si substrate 20 to cover the first and second gate layers 31 and 32.例文帳に追加

Ｓｉ基板２０上に拡散層を介さずに隣接して形成された第１、第２ゲート層３１，３２と、第１ゲート層３１の外側に形成されたドレイン用拡散層２１と、第２ゲート層３２の外側に形成されたソース用拡散層２２と、第１、第２ゲート層３１，３２を覆ってＳｉ基板２０上に形成された層間絶縁膜４０とを含む。 - 特許庁

To provide insulating members for horizontal members for outer peripheral wall and exterior insulating construction capable of permitting ventilation through walls without additional work to structural members even for exterior insulating method enhancing the rigidity of the second floor and also capable of preventing the degrading in the fixing force caused by interlayer displacement between the upper and lower stories of the building as well as degrading in the drop of airtightness of wall insulating portion.例文帳に追加

２階床の剛性を高めた外張り断熱工法においても、構造材に追加加工を施さずに壁内通気を可能とすると共に、建物の上下階の層間変位を原因とする断熱材の固定力、壁断熱部の気密性の低下を防止することが可能な外周壁横架材用断熱材および外張り断熱構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gas sensor adopts an organic / inorganic hybrid material as its sensor element being made up so that an organic compound is inserted into an interlayer of an inorganic compound having a laminar structure, and has a function detecting the gas based on changes in resistance.例文帳に追加

下記工程を含むことを特徴とするガスセンサ及びその製造方法であって、センサ素子として、層状構造を持つ無機化合物の層間に有機化合物を挿入した有機無機ハイブリッド材料を用いてなるガスセンサであって、抵抗値の変化によりガスを検知する作用を有することを特徴とする、ＶＯＣガスに対して、高い選択性を有するガスセンサ、及びその製造方法。 - 特許庁

The interlayer for laminated glass includes an electrolyte layer and an electrochromic layer formed on at least one surface of the electrolyte layer, wherein the electrochromic layer contains 3-100 pts.wt. of polyvinyl acetal resin based on 100 pts.wt. of an electrochromic compound, the polyvinyl acetal resin has a hydroxy group content of 20-50 mol%.例文帳に追加

電解質層と、前記電解質層の少なくとも片面に形成されたエレクトロクロミック層とを有する合わせガラス用中間膜であって、前記エレクトロクロミック層は、エレクトロクロミック化合物１００重量部に対して、ポリビニルアセタール樹脂を３〜１００重量部含有するものであり、前記ポリビニルアセタール樹脂は、水酸基含有率が２０〜５０モル％である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

A method for manufacturing the interlayer film for laminated glass comprises: step (A) of preparing a colorant composition by heating and kneading 100 pts.wt. ethylene-polar monomer copolymer and 0.5-20 pts.mass colorant; and step (B) of mixing the colorant composition with a crosslinking agent and forming a film from the resulting composition.例文帳に追加

エチレン−極性モノマー共重合体と、前記エチレン−極性モノマー共重合体１００質量部に対して０．５〜２０質量部の着色剤とを加熱混練して着色剤組成物を作製する工程（Ａ）と、 前記着色剤組成物を架橋剤と混合し、これにより得られた組成物を製膜する工程（Ｂ）と、を含む合わせガラス用中間膜の製造方法。 - 特許庁

This resin composition is obtained by compounding 100 parts wt. of a synthetic resin such as one or more kinds of thermoplastic resins selected from a polyolefin, polyamide, polyester, polyacetal, polystyrene and aromatic polycarbonate with preferably 0.1-100 parts wt. of a laminar titanic acid nanosheet which has preferably 1-5 nm interlayer distance and is swollen.例文帳に追加

好ましくは、その層間距離が１〜５ｎｍである膨潤化された層状チタン酸ナノシートを、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリアセタール、ポリスチレン及び芳香族ポリカーボネートから選ばれる１種または２種以上の熱可塑性樹脂などの合成樹脂に、好ましくは合成樹脂１００重量部に対して、０．１〜１００重量部となるように配合したことを特徴とする樹脂組成物。 - 特許庁

The prepreg is produced, for example, by placing a film having gas barrier properties, in which a clay mineral having a plate-like crystal structure is unidirectionally aligned and densely stacked, in at least one interlayer part in a laminate of a carbon fiber-reinforced prepreg comprising a sheet-shaped carbon fiber reinforcing material and a matrix resin and then heating and/or pressing the laminate.例文帳に追加

かかるプリプレグは、例えば、シート状の炭素繊維強化材とマトリックス樹脂とからなる炭素繊維強化プリプレグの積層体の少なくとも一つの層間に、板状の結晶構造を持つ粘土鉱物が、一方向に配向し且つ緻密に積層したガスバリア性のフィルム状物を配置し、その後、この積層体を加熱及び／又は加圧することによって得られる。 - 特許庁

The radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film contains [A] an alkali-soluble resin of a copolymer formed by copolymerizing a monomer containing (a1) unsaturated carboxylic acid and/or unsaturated carboxylic anhydride, and (a2) an epoxy group-containing unsaturated compound, [B] a 1,2-quinonediazide compound, and [C] a compound including two or more mercapto groups in one molecule.例文帳に追加

本発明は、［Ａ］（ａ１）不飽和カルボン酸及び／又は不飽和カルボン酸無水物、並びに（ａ２）エポキシ基含有不飽和化合物を含む単量体を共重合してなる共重合体のアルカリ可溶性樹脂、［Ｂ］１，２−キノンジアジド化合物、及び［Ｃ］１分子中に２個以上のメルカプト基を有する化合物を含有する層間絶縁膜形成用の感放射線性樹脂組成物である。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which is free of warpage, because of the problem that when a resin to form an interlayer resin insulating layer and a solder resist layer is applied and cured, a work sheet warps and then the multilayer printed wiring board formed by cutting the work sheet by a cutting tool such as dicing also warps to lower mounting reliability of a mounted electronic component.例文帳に追加

層間樹脂絶縁層、ソルダレジスト層となる樹脂を塗布し、樹脂を硬化させた際にワークシートに反りが発生し、ワークシートをダイシングのような切断手段で切断して成る多層プリント配線板にも反りが発生し、そのため実装される電子部品の実装信頼性が低くなってしまう問題が生じるため、反りの無い多層プリント配線板を提供する点である。 - 特許庁

In the multi-wiring film forming step, a dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed in a region other than the dicing region in the scribe line region, and no dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed at least on an upper part of the interlayer insulating film in the dicing region.例文帳に追加

そして、前記多層配線膜を形成する工程において、前記スクライブライン領域における前記ダイシング領域を除く領域には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成し、前記ダイシング領域における前記層間絶縁膜の少なくとも上部には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成しない。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the interlayer insulating film 10 including the organic insulating film 12 and the inorganic insulating films 11, 13 on a semiconductor substrate 1, and sticking the film 12 and the films 11, 13 by irradiating an electron beam EB or an ultraviolet beam UV to the film 10.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３の積層膜を含む層間絶縁膜１０を形成する工程と、層間絶縁膜１０に対して電子線ＥＢあるいは紫外線ＵＶを照射して、有機絶縁膜１２と無機絶縁膜１１，１３とを密着させる工程とを有する。 - 特許庁

To provide a weak alkaline developable photosensitive resin composition which enables formation of a solder resist having sufficiently high heat resistance and thermal shock resistance and formation of a dry film showing sufficiently excellent storage stability, a photosensitive film for a permanent resist using the composition, a resist pattern forming method, a printed wiring board and a method for producing the same, a surface protective film, and an interlayer insulating film.例文帳に追加

充分に高い耐熱性及び耐熱衝撃性を備えたソルダーレジストを形成でき、かつ、充分に優れた貯蔵安定性を示すドライフィルムを形成できる、弱アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物及びこれを用いた永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、表面保護膜、層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

In an NAND type flash memory 1, all contacts formed in a single interlayer dielectric, i.e. bit-line contacts CB and non-bit-line contacts CN are arranged at some of a plurality of lattice points LP of tub-dimension lattice L arrayed at a period P1 in a direction V1 and at a period P2 in a direction V2 crossing the direction V2.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１において、単一の層間絶縁膜中に形成された全てのコンタクト、すなわち、ビット線コンタクトＣＢ及び非ビット線コンタクトＣＮを、方向Ｖ１に沿って周期Ｐ１で配列されると共に方向Ｖ２に対して交差する方向Ｖ２に沿って周期Ｐ２で配列された２次元格子Ｌの複数の格子点ＬＰの一部に配置する。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes word lines 1, bit lines 2 arranged so as to intersect with the word lines 1, an insulating film 3 arranged at each of intersections of the word lines 1 and the bit lines 2, an interlayer dielectric filling between the word lines 1 and between the bit lines 2, and a resistance varying material 4 connected to the bit lines 1 and shifted between a low resistance state and a high resistance state.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ワード線１と、ワード線１と交差するように配置されたビット線２と、ワード線１とビット線２との各交差部に配置された絶縁膜３と、ワード線１の間及びビット線２の間を埋め込む層間絶縁膜と、ビット線１に接続され、低抵抗状態と高抵抗状態との間で遷移する抵抗変化材４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes, on a semiconductor surface having a necessary circuit formed thereon, at least one insulating layer having a resin composition including an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and the components of an organic filler having a primary average particle size of not larger than 1 μm, wherein a circuit using copper as a wiring conductor for interlayer connection in the same layer is formed on an optional portion.例文帳に追加

必要な回路が形成された半導体表面に、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び平均一次粒子径１μｍ以下の有機フィラーの成分を含む樹脂組成からなる絶縁層を１層又は複数層備え、かつ同一層内及び層間接続の配線導体として銅を用いた回路を任意の箇所に形成してなる半導体装置。 - 特許庁