「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a radiation sensitive resin composition etc. having high sensitivity and a good development margin, capable of forming an interlayer insulation film having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance, relative dielectric constant, etc. and capable of forming microlenses having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance etc. and a good melt shape.例文帳に追加

高感度で、良好な現像マージンを有しており、優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率、比誘電率等を併せ備えた層間絶縁膜を形成でき、また優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率等を併せ備え、良好なメルト形状を有するマイクロレンズを形成しうる感放射線性樹脂組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic component which comprises enabling its thinning and downsizing as a result of densifying integrated elements, and enhancing Q factor in the element which employs mainly an inductive element such as an inductor and a resonator, as a result of enhancing a patterning accuracy and an interlayer accuracy, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

内蔵素子の高密度化が可能となり、その結果、薄型化、小型化が可能となると共に、パターニング精度や層間精度を高くすることができ、インダクタ、共振器等のような主として誘導成分を用いる素子においてはＱ値の高いものが得られる構成の電子部品とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic coating film 13 having low oxygen plasma resistance and a low dielectric constant is utilized for the formation of the multilayered wiring structure of the semiconductor device by forming the film 13 after multilayered wiring is formed, and an inter-wiring interlayer insulating film 7 is selectively removed in a self-aligning way by using the multilayered wiring as a mask.例文帳に追加

多層配線を形成後、配線をマスクとし、自己整合的に配線間の層間絶縁膜７を選択除去した後、塗布型有機低誘電率膜１３を形成することで、酸素プラズマ耐性が低い塗布型有機低誘電率膜１３を半導体装置の多層配線構造の形成に利用する。 - 特許庁

To improve close contact property between a barrier layer and a conductor path and also suppress rise of electric resistance of the conductor path in view of forming the barrier layer composed of a manganese compound at the internal surface of a concave part formed to an interlayer insulating film and also forming the conductor path mainly composed of copper from the upper part of the barrier layer.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンの化合物からなるバリア層を形成し、このバリア層の上から銅を主成分とする導電路を形成するにあたって、バリア層と導電路との密着性の向上を図り、また導電路の電気的抵抗の上昇を抑えること。 - 特許庁

Since the dummy patterns are formed in the peripheral area, the film thickness of the interlayer insulating film 5 can be made almost equal in the areas on which the poly-Si layers 4a are formed and the peripheral areas and respective contact holes 5a can arrive at respective diffusion layers 2 in both areas within almost the same etching time.例文帳に追加

このように、周辺領域にダミーパターンを形成することで、層間絶縁膜５の膜厚をＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａが形成された領域と周辺領域とでほぼ同等とすることができ、いずれの領域についてもほぼ同じエッチング時間で各コンタクトホール５ａが各拡散層２に到達するようにできる。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

For instance, a WCSP 10 and a chip 12 as electronic parts equipped with terminals are mounted on a mounting prepreg (a first insulating sheet) as shown in (b) of the diagram, and a wiring structure is formed on the mounting prepreg through, for instance, a build-up method making it (first insulating sheet) serve as an interlayer dielectric.例文帳に追加

例えば、端子部を有する電子部品としてＷＣＳＰ１０及びチップ部品１２を搭載用プリプレグ（第１絶縁性シート）に搭載し（ｂ）、この搭載用プリプレグ（第１絶縁性シート）をそのまま層間絶縁層として、当該層上に例えばビルドアップ工法により配線構造を形成する。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole.例文帳に追加

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。 - 特許庁

To provide a gas-barrier film superior in transparency and physical strength, having a high gas-barrier property also not lower the gas-barrier property and interlayer adhesive properties in each of a substrate, a vapour deposition thin-film layer and an adhesive layer even if it is under severe situations such as a boiling sterilization and heating-pressurizing sterilization.例文帳に追加

透明性・物理的な強度物性に優れ、且つ高いガスバリア性を有すると共に、高温、高湿、煮沸殺菌や加熱・加圧殺菌などの厳しい状況下であっても、ガスバリア性や基材、蒸着薄膜層、接着剤層のそれぞれの層間密着性が低下しないガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a silicon substrate 101, a capacitor element having a lower electrode 133, a capacitor insulation film 135, a TiN film 137 and a W film 139; and an interlayer insulation film 107 covering the end and a part of the upper surface of the lower electrode 133 and having a concave portion at a position corresponding to the lower electrode 133.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１、下部電極１３３、容量絶縁膜１３５、ＴｉＮ膜１３７およびＷ膜１３９を含む容量素子、および下部電極１３３の端部と上面の一部とを覆い、下部電極１３３に対応する位置に凹部が設けられた層間絶縁膜１０７を含む。 - 特許庁

To eliminate a malfunction caused by a difference of an aspect ratio of each contact hole when a wiring layer is formed on a field oxide film and the contact hole to electrically connect an interlayer insulating film to the wiring layer, and an element area is formed simultaneously, and to control an influence of a semiconductor apparatus on an yield or the like.例文帳に追加

フィールド酸化膜の上に配線層を形成し、層間絶縁膜に対して、配線層や素子領域との電気的な接続を行うためのコンタクトホールを同時に形成する場合において、それぞれのコンタクトホールのアスペクト比の相違による不具合を解消し、半導体装置の歩留まりなどへの影響を抑制する。 - 特許庁

The coating composite for producing an interlayer insulation film contains (A) a silica precursor composed of at least one kind of compound selected from a specified alkoxysilane, its hydrolyzate and polycondensate, and (B) an organic solvent wherein the crystallization index, indicative of the total content of a specified metal at most 1 ppm, is 0.14-0.63.例文帳に追加

（Ａ）特定のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも１種以上の化合物からなるシリカ前駆体と、（Ｂ）有機溶媒とを含有し、特定の金属の含有量の合計が最大でも１ｐｐｍである結晶化指数が０．１４〜０．６３の層間絶縁膜製造用塗布組成物。 - 特許庁

The surface propagating speed in the electric rotating machine and the voltage increasing rate at the connection between a cable and the machine are measured by using a surge power source and the voltage born by interlayer insulation is determined based on the measured surge propagation speed and voltage increasing rate and the duration of wavefront of a specimen inverter.例文帳に追加

サージ電源を用いて回転電機内サージ伝播速度およびケーブル−回転電機接続部の電圧増加率を計測し、計測したサージ伝播速度、電圧増加率と供試インバータの波頭長に基づいて、層間絶縁分担電圧を求め、回転電機の部分放電特性、課電寿命特性と比較する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition to be used for an interlayer dielectric or a protective film of a substrate for circuit formation includes: (a) a polymer having a structural unit expressed by formula (A); (b) a compound that generates a radical when irradiated with active rays and has a structure expressed by formula (B); and (c) a solvent.例文帳に追加

回路形成用基板の層間絶縁膜又は保護膜用の感光性樹脂組成物であって、（ａ）下記式（Ａ）で表わされる構造単位を有するポリマーと、（ｂ）活性光線照射によりラジカルを発生する化合物で、下記式（Ｂ）で表される構造を含む化合物と、（ｃ）溶媒とを含有してなる感光性樹脂組成物。 - 特許庁

A contact hole 29 which exposes a source region 27 is formed in an interlayer insulating film 28 covering a gate electrode 25 and a source region 27 on an n^+ type semiconductor substrate 21 wherein a plurality of longitudinal MOSFETs 210 are formed, and the contact hole 29 is filled with a conductor plug 31 via a barrier metal film 30.例文帳に追加

複数の縦型ＭＯＳＦＥＴ２１０が形成されたｎ^＋型半導体基板２１上のゲート電極２５およびソース領域２７を覆う層間絶縁膜２８にソース領域２７を露出するコンタクト孔２９が形成され、コンタクト孔２９の内部にバリアメタル膜３０を介して導電体プラグ３１が充填されている。 - 特許庁

To offer a thin film transistor(TFT) and a display unit which enable screen display with uniform brightness by avoiding defects such as bright spot, which occur when pattern shift is caused by a second gate electrode which restrains variations in threshold voltage resulting from polarization in a flattened film or an interlayer dielectric caused by moisture or impurity ions.例文帳に追加

水分あるいは不純物イオンによって平坦化膜又は層間絶縁膜の分極の発生による閾値電圧の変化抑制のための第２ゲート電極がパターンずれを起こした際の発生する欠点を抑制し、面内で均一な明るさの表示が得られるＴＦＴ及び表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole.例文帳に追加

少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve the stability and the strength of connections on a wiring circuit board 1 having interlayer connecting means for connecting, by the thermocompression bonding, copper bumps 5 at their top faces 5a to a copper wiring film 3 on a board 2 surface, thereby connecting the wiring film 3 to a separate copper wiring film 6.例文帳に追加

基板２表面の銅配線膜３に銅バンプ５をその頂面５ａにて熱圧着により接続して銅バンプ３を銅配線膜３と別の銅配線膜６との間を接続する層間接続手段とした配線回路基板１において、その接続の安定性を高め、且つ接続強度を強める。 - 特許庁

Moreover, storage capacitances (70) each of which is electrically connected to the TFT and the pixel electrode and shield layers (400) each of which is arranged between the data line and the pixel electrode and interlayer insulator films_(43) which are formed as underlyings of the pixel electrodes are provided on a substrate so that they constitute portions of the layered structure.例文帳に追加

この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the concentration of stress on a boundary between wiring and a low-dielectric insulated film, even if a low-dielectric insulated film is used as an interlayer insulated film for multilayer wiring, can suppress the peeling of the insulated film, and is provided with a wiring structure with improved heat dissipation performance.例文帳に追加

多層配線の層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜を使用しても、配線と低誘電率絶縁膜との境界部分における応力集中を低減でき、絶縁膜の剥れを抑制でき、さらに放熱能力を向上した配線構造を具備した半導体装置を提供する。 - 特許庁

This scrub sponge is formed by superposing a sponge layer on a nonwoven fabric layer, the sponge layer includes a surface rubber latex sponge layer, and a soft urethane sponge layer defined as an interlayer by being interposed between the surface layer and the nonwoven fabric layer, and the rubber latex sponge layer has a density of 60-100 kg/m3 and a tensile stress at 100% extension of 20-60 kPa.例文帳に追加

スポンジ層と不織布層とが積層され、前記スポンジ層は、表層のゴムラテックススポンジ層と、前記不織布層との間に介在させて中間層とする軟質ウレタンスポンジ層を備え、前記ゴムラテックススポンジ層は、密度が６０〜１００ｋｇ／ｍ^３、１００％伸長時の引張り応力が２０〜６０ｋＰａである。 - 特許庁

According to the projecting part 43a, the distance between the pixel electrode 9a and the data line 6a is widened as compared with the case where the third interlayer insulating film 43 is formed as a uniform insulating film, and parasitic capacity generated by using the pixel electrode 9a and the data line 6a as capacitance electrodes is reduced.例文帳に追加

このような凸部４３ａによれば、第３層間絶縁膜４３を一様な絶縁膜として形成する場合に比べて、画素電極９ａ及びデータ線６ａ間の距離を広げることができ、画素電極９ａ及びデータ線６ａの夫々を容量電極として発生する寄生容量を低減できる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a porous insulating film which can form a silicone film suitable for use as an interlayer insulating film in a semiconductor device and the like and having an appropriate uniform thickness, is excellent in heat resistance, hardly causes a crack and is also excellent in dielectric characteristics and reflow properties, and the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能であり、しかも耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、更に誘電率特性およびリフロー性に優れた多孔質絶縁膜形成用組成物等を提供すること。 - 特許庁

Therein, the catalyst-carrying ceramic granules 15 which carry a catalyst facilitating the combustion of the graphite fine particles are packed into interlayer apertures 14 of the corrugated roll-shaped metal porous bodies 13 and, thereby, the unburned graphite fine particles are removed from the metal filter 1 by facilitating the combustion by the aid of the catalyst.例文帳に追加

ここで、波型ロール状の金属多孔体１３の層間隙間１４内には、黒煙微粒子の燃焼を促進させるための触媒を担持した触媒担持セラミックス粒体１５が詰められていることにより、未燃黒煙微粒子は、触媒の助けを借りて燃焼が促進され、金属フィルタ１から除去される。 - 特許庁

To provide a deodorizing filter medium having neither structural problems such as interlayer exfoliation nor problems in productivity and exhibiting the deodorizing performance more excellent than that of the filter medium obtained by using a polyurethane base material because of the laminar effect equal to that of the filter medium having a honeycomb structure.例文帳に追加

層間剥離等の構造上の問題や生産性の問題を生じることなく、しかも上記ハニカム構造基体を用いた場合と同等の層流効果により、ポリウレタンフォーム基材を用いた場合を凌駕する優れた脱臭性能を発揮し得る脱臭フィルターを提供することを目的とする。 - 特許庁

In an electrostatic image-developing toner comprising a colored resin particle comprising a binder resin and a coloring agent and an external additive, the external additive comprises a microparticle of an inorganic layered clay compound, and the interlayer distance between the layers of the inorganic layered clay compound is 1.5 to 4 nm.例文帳に追加

結着樹脂及び着色剤を含んでなる着色樹脂粒子、並びに外添剤を含有する静電荷像現像用トナーにおいて、該外添剤が、無機層状粘土化合物の微粒子を含有し、該無機層状粘土化合物の層間距離が１．５〜４ｎｍであることを特徴とする静電荷像現像用トナーを用いる。 - 特許庁

The chemical mechanical polishig method comprises a step of polishing the semiconductor integrated circuit with the silica system film obtained by coating a composite for forming the film including a siloxane resin (a), and an alkylene glycol dialkylehter or a dialkylene glycol dialkylehter (b) used as the interlayer insulating film with the use of a polishing liquid including no inorganic abrasive grain.例文帳に追加

（ａ）シロキサン樹脂と、（ｂ）アルキレングリコールジアルキルエーテル又はジアルキレングリコールジアルキルエーテルと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系被膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、無機砥粒を含まない研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加

通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

Then, a Cu film is formed on the interlayer insulating film with a Ta film 8 in-between in a manner that the first wiring groove 7 is embedded, and they are polished by CMP method, thereby forming a first embedded wiring 9a wherein only the first wiring groove 7 is embedded by the Cu film with the Ta film 8 in between.例文帳に追加

その後、第１配線溝７内を埋め込む状態で、層間絶縁膜上にＴａ膜８を介してＣｕ膜を形成し、これらをＣＭＰ法によって研磨することにより、第１配線溝７内のみにＴａ膜８を介してＣｕ膜を埋め込んでなる第１埋め込み配線９ａを形成する。 - 特許庁

The lamination is cut off at the position of the detection mark pattern, and the position of the cross section of the detection mark pattern exposed on the cut off surface is detected to detect the interlayer displacement.例文帳に追加

少なくとも２層以上のセラミックグリーンシートに検出用マークパターンを設け、ガイドピンにより複数のセラミックグリーンシートを位置合わせして積層した後、熱圧着して一体化したグリーンシート積層体で、前記検出マークパターン位置で切断し、切断面に露出した検出用マークパターン断面の位置を検出することにより層間ずれを検出する。 - 特許庁

The shading film 7 includes a first shading film 7a formed to cover the sides and the upper surface of the interlayer dielectric 6, and a second shading film 7b formed to expose the corners of the first shading film 7a, and to covers other than the corners on the sides and the upper surface of the first shading film 7a.例文帳に追加

遮光膜７は、層間絶縁膜６の側面及び上面を覆うように形成された第１の遮光膜７ａと、第１の遮光膜７ａの角部を露出する一方、第１の遮光膜７ａの側面及び上面における角部以外の部分を覆うように形成された第２の遮光膜７ｂとを有している。 - 特許庁

Accordingly, chemicals for forming the low permittivity (Low-k) interlayer insulating film coated on a processing substrate W can be heat treated, and temperature fluctuation of the substrate after/before heat treatment can be suppressed within the releasable temperature range of the chemicals to the open air, resulting in moderate treatment without causing excessive reaction.例文帳に追加

これにより、処理基板Ｗに塗布された低誘電率（Low-k）層間絶縁膜を形成するための薬液を加熱処理することが可能となり、また、加熱処理前後における基板温度を薬液の大気開放可能温度域以内に抑えることが可能で、過剰反応になることなく適正な処理が行える。 - 特許庁

To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.例文帳に追加

配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁

The upper electrode includes a first electrode layer (9a) facing the dielectric film and a second electrode layer (9b) which is formed on the upper layer side of the first electrode layer and is electrically connected to a conductive layer through a first contact hole (33) opened in the first electrode layer, the dielectric film, and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

上側電極は、誘電体膜に面する第１電極層（９ａ）と、１電極層よりも上層側に形成され、第１電極層、誘電体膜及び第１層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホール（３３）を介して導電層に電気的に接続された第２電極層（９ｂ）とを有する。 - 特許庁

To suppress problems such as leakages between wirings caused by the surface of a lower copper wiring being sputtered, where although a natural oxide film on the surface of the lower copper wiring at the bottom of the connection hole can be removed by sputter etching, the sputtered copper adheres to the sidewall of a connection hole and the stuck copper shifts within an interlayer insulating film, and others.例文帳に追加

スパッタエッチングにより接続孔底部の下層銅配線表面の自然酸化膜を除去することはできるが、その表面がスパッタされ、スパッタされた銅が接続孔側壁に付着し、付着した銅が層間絶縁膜中を移動することで引き起こされていた配線間リーク等の問題を解決することにある。 - 特許庁

To provide microparticles capable of performing CMP in a short time without causing grinding defects on a silicon oxide membrane, a metal embedded membrane and the like in CMP technologies such as interlayer insulating film planarization, shallow trench separation forming and metal embedding wiring forming, to provide an abrasive, and to provide a method for grinding substrates and a method for producing the semiconductor devices by using the abrasive.例文帳に追加

層間絶縁膜平坦化、シャロートレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属埋め込み膜等へ研磨傷を発生させずに短時間でＣＭＰが実施できる微粒子、研磨材、それを用いた基板の研磨方法、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 10 includes a first insulating portion 11, a first conductive portion 21 formed on one surface 11a of the first insulating portion 11, and a second insulating portion 12 through which an interlayer conductive portion 23 comprising a second conductive portion 22 penetrates in a thickness direction to be in contact with the first conductive portion 21.例文帳に追加

多層プリント配線板１０は、第一絶縁部１１と、この第一絶縁部１１の一面１１ａに形成された第一導電部２１と、この第一導電部２１と接するように、第二導電部２２からなる層間導通部２３が厚さ方向に貫通して配された第二絶縁部１２とを備えている。 - 特許庁

The polymer liquid crystal material is obtained by selecting at least two kinds of arbitrary polymers having a weight-average molecular weight different from each other from the group consisting of a plurality kinds of polymers each having a different weight-average molecular weight and mixing the selected polymers in an appropriate mixing ratio so that the smectic liquid crystal phase has the desired interlayer distance.例文帳に追加

重量平均分子量が異なる複数種類の高分子からなる群の中から、スメクチック液晶相の層間隔が所望の層間隔となるように、重量平均分子量が互いに異なる任意の高分子を２種類以上選択し、選択した高分子の混合比を適宜変えて混合する。 - 特許庁

A MIM capacitor 11 (constituted of a lower electrode film 8a, a capacitor insulating film 9a, and an upper electrode film 10a) formed on a lower interlayer insulating film 3, can dispense with connection holes for the upper electrode, by being formed with a height same as that of a plug 14a connecting between a lower layer wiring 6 and an upper wiring 14c.例文帳に追加

下層層間絶縁膜３上に形成されたＭＩＭ型キャパシタ１１（下部電極膜８ａ、キャパシタ絶縁膜９ａ、上部電極膜１０ａからなる）は、下層配線６と上層配線１４ｃを接続するプラグ１４ａと同じ高さに形成することにより、上部電極用接続孔を必要としない。 - 特許庁

The interlayer for laminated glass contains a matrix resin, a 6C-20C long chain carboxylic acid and a plasticizer, where the molecular volume of the long chain carboxylic acid is 145 cm^3/mol or above and the content of the long chain carboxylic acid is 0.02-12 mmol to 1 kg of the matrix resin.例文帳に追加

マトリックス樹脂、炭素数６〜２０の長鎖カルボン酸及び可塑剤を含有する合わせガラス用中間膜であって、前記長鎖カルボン酸の分子容積が１４５ｃｍ^３／ｍｏｌ以上で、かつ、前記長鎖カルボン酸の含有量がマトリックス樹脂１ｋｇに対して０．０２〜１２ｍｍｏｌである合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

A first interlayer dielectric 2 including a porous first low dielectric constant film 2b is formed on a lower layer wiring 1, a first side wall metal 4 is formed on the side wall of a via hole 3 which is provided on the first low dielectric constant film 2b, and thereafter a first etching stopper layer 2a is etched to expose the lower wiring 1.例文帳に追加

下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１低誘電率膜２ｂに設けられたビアホール３の側壁に第１サイドウォールメタル４が形成され、その後に第１エッチングストッパー層２ａがエッチングされて下層配線１が露出される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower layer interlayer insulation film 11 provided on a substrate 10, a lower layer wiring 16 consisting of a lower layer barrier metal layer 14 formed along the wall surface of the lower layer wiring groove 13 of the insulation film 11 and a copper film 15, an upper layer plug 22a, and an upper layer wiring 22b.例文帳に追加

半導体装置は、基板１０の上に設けられた下層層間絶縁膜１１と、下層層間絶縁膜１１の下層配線溝１３の壁面に沿って形成された下層バリアメタル層１４及び銅膜１５とからなる下層配線１６と、上層プラグ２２ａ及び上層配線２２ｂとを備えている。 - 特許庁

As for the semiconductor device having a power MISFET of mesh gate structure, e.g., a gate electrode can be arranged superposed with a source electrode by arranging the gate electrode partially on a source electrode via an interlayer insulation film by the above means, thereby the chip size can be reduced.例文帳に追加

上述した手段によれば、例えばメッシュゲート構造のパワーＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置について、ゲート電極を部分的にソース電極の上に層間絶縁膜を介して配置して、ソース電極と重ねてゲート電極を配置することができるので、チップサイズを縮小することができる。 - 特許庁

Consequently, the compressive shear strength of an adhesive layer 2 is set at 0.3 Mpa or higher, and a brush whose interlayer resistance is not lower than 1 kΩ and a thickness not larger than 200 μm on be made, and makes a carbon brush for electric machines adaptable to severe operating conditions such as high input, high-speed rotation, reversible operation, etc.例文帳に追加

これにより、接着層２の圧縮剪断強度を０．３ＭＰａ以上とし、層間の抵抗が１ｋΩ以上、厚み２００μｍ以下のブラシとすることができ、高入力、高速回転、可逆運転などの苛酷な運転条件に適応することができる電気機械用カーボンブラシとする。 - 特許庁

At a part (a) where there is the upper pixel electrode 24, a video signal voltage is applied to the liquid crystal 16 as is and at a part (b) where there is the opening part 24a, is applied with the voltage divided by the serial capacitances of the capacitance of the liquid crystal 16 and the capacitance of the interlayer insulating film 23 applied to the liquid crystal 16.例文帳に追加

上層画素電極２４がある部分ａでは映像信号電圧がそのまま液晶１６へかかり、開口部２４ａがある部分ｂでは液晶１６の静電容量と層間絶縁膜２３の静電容量との直列の容量を介して印加される容量分割電圧がかかる。 - 特許庁