「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(125ページ目) - Weblio英語例文検索

The step includes a step to pattern the organic insulating film 33, a step to apply plasma to the substrate including the organic insulating film 33, a step to form contact holes 26, 27 throughout the inorganic insulating film 32, a step to deposit the transparent conductive film on the interlayer insulating film, and a step to form the transparent electrodes 71, 72 by patterning the transparent conductive film.例文帳に追加

その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The method includes: a step of providing the semiconductor substrate in which a transistor including junctions are formed, a step of performing a first heat treatment step in which a protective film is formed on the top of a semiconductor substrate including junctions, and a step of forming an interlayer dielectric on the semiconductor substrate including a protective film.例文帳に追加

接合領域を含むトランジスタが形成された半導体基板が提供される段階と、接合領域を含む半導体基板の上部に保護膜を形成する第１の熱処理工程を行う段階と、保護膜を含む半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a heat shrinkable multilayer film and a heat shrinkable label which uses the heat shrinkable multilayer film as a base film wherein no delamination occurs in being affixed when it is used as the heat shrinkable label of a container, which is excellent in heat resistance, oil resistance, tearability along perforation and appearance, and which can prevent interlayer strength after printing process from decreasing.例文帳に追加

容器の熱収縮性ラベルとして用いた場合、装着時に層間剥離が発生することがなく、耐熱性、耐油性、ミシン目におけるカット性、外観に優れるとともに、印刷工程後の層間強度の低下を防止することが可能な熱収縮性多層フィルム及び該熱収縮性多層フィルムをベースフィルムとする熱収縮性ラベルを提供する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit module (radio communication module) includes: a flexible substrate 15; a semiconductor circuit chip (radio IC chip 10) provided on the flexible substrate 15; a coil pattern 20 which is formed on the flexible substrate 15 and coupled to the semiconductor circuit chip (radio IC chip 10); and a reinforcement member (interlayer conductor 26) for reinforcing strength of the flexible substrate 15.例文帳に追加

フレキシブル基板１５と、該フレキシブル基板１５に設けられた半導体回路チップ（無線ＩＣチップ１０）と、フレキシブル基板１５に形成されて半導体回路チップ（無線ＩＣチップ１０）に結合されているコイルパターン２０と、フレキシブル基板１５強度を補強するための補強部材（層間導体２６）とを備えた半導体集積回路モジュール（無線通信モジュール）。 - 特許庁

Lower layer portions 72, 71 among SD wiring lines 71, 72, 73, 74 consisting of multilayers formed on the interlayer insulating film 6 are determined as the lower electrodes of the organic EL layers 9 and a passivation film 8 covering the TFT and SD wiring line is provided with a role of a bank to separate pixels.例文帳に追加

ＴＦＴを覆って層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６上に形成された多層膜からなるＳＤ配線７１、７２、７３、７４のうちの下層部分７２、７１を有機ＥＬ層９の下部電極とし、前記ＴＦＴと前記ＳＤ配線を覆うパッシベーション膜８に画素を分離するバンクの役割を持たせる。 - 特許庁

The thermal head 20A comprises an insulating substrate 21, a plurality of heating elements 23 arranged linearly on the substrate 21, and a common electrode 25 and an individual electrode 24 connected with the heating element 23, respectively, wherein the heating element 23 consists of a plurality of heating element layers 23a and 23b laminated through an interlayer dielectric 27.例文帳に追加

本発明に係るサーマルヘッド２０Ａは、絶縁性の基板２１と、基板２１の上に直線的に複数配置された発熱抵抗体２３と、発熱抵抗体２３にそれぞれ接続された共通電極２５及び個別電極２４とを備え、発熱抵抗体２３は、層間絶縁膜２７を介して積層された複数の発熱抵抗層２３ａ，２３ｂからなる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition having high radiation sensitivity and a development margin that achieves formation of a preferable pattern feature even a developing time exceeds the optimum developing time in a developing process, and capable of forming a patterned thin film with excellent adhesiveness, and to provide an interlayer insulating film and a microlens formed from the composition.例文帳に追加

高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感放射線性組成物およびそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供することにある。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a wiring groove 5a that is formed at an interlayer insulation film 5, a double-layer TIN layer 12 with different crystal orientations while being formed at the bottom of the wiring groove 5a, and an Al alloy wiring 15a that is formed on the double-layer TiN layer 12 and is buried into the wiring groove 5a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜５に形成された配線用溝５ａと、この配線用溝５ａの底部に形成された互いに結晶方位の異なる２層のＴｉＮ層１２と、この２層のＴｉＮ層１２の上に形成され、上記配線用溝５ａの内部に埋め込まれたＡｌ合金配線１５ａと、を具備するものである。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition free of any safety problem, excellent in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a good development margin that a good pattern profile can be formed in a developing step even after the lapse of the optimum developing time, and to provide an interlayer dielectric and microlenses formed of the same.例文帳に追加

安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物、ならびにそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること - 特許庁

In manufacturing the multilayer circuit board, copper foils each stuck on thermoplastic resin films 8 of crystal transition which serve as the insulating layers are etched to form the conductive patterns 3, base members 7 are formed in each of which conductive paste 9 is filled in via holes that constitute the interlayer connectors, and the base members 7 are stacked and subjected to thermal pressing for integration.例文帳に追加

多層配線基板を製造するにあたり、絶縁層となる結晶転移型の熱可塑性樹脂製のフィルム８に貼付された銅箔をエッチングして導体パターン３を形成すると共に層間接続部を構成するビアホール内に導電ペースト９を充填した基材７を形成し、それら基材７を積層して熱プレスして一体化する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a multilayer circuit board including the flexible part having flexibility, a first laminate 110 having at least an insulating base film is stacked through an interlayer adhesive layer 200 having a opening 22 at least at a surface of a side where the terminal 20a is exposed in the internal-layer circuit board 100 in which the terminal 20a is exposed.例文帳に追加

可撓性を有するフレキシブル部を備えた多層回路基板の製造方法において、端子２０ａを露出させた内層回路基板１００の少なくとも端子２０ａの露出側の面に、開口２２を有する層間接着層２００を介して、少なくとも絶縁ベースフィルムを有する第１の積層板１１０を積層する。 - 特許庁

By this reason, the film thickness of a fourth interlayer insulating film 106 is uniformly formed, and at subsequent forming processes of a first through-hole 108a and a second through-hole 108b, an identical amount is removed by etching on the first copper wiring 103a of the broader width and the second copper wiring 103b of the narrower width.例文帳に追加

その為、層間絶縁膜である第４の絶縁膜１０６の膜厚が均一に形成され、その後の第１のスルーホール１０８ａ及び第２のスルーホール１０８ｂの形成時において、エッチングによる除去が幅の広い第１の銅配線１０３ａ上と幅の狭い第２の銅配線１０３ｂ上で同一量行うことが可能となる。 - 特許庁

To provide a formation method of an organic compound layer that has improved flexibility in an element configuration, improves element performance, is efficient, and stable production without causing interlayer mixture even if a plurality of organic EL layers are laminated, and to provide a manufacturing method of an organic EL element using the organic compound layer.例文帳に追加

複数の有機ＥＬ層を積層して構成しても層間の混合が生じることがなく、素子構成の柔軟性が高く、素子性能の向上が図られ、かつ効率が良く安定した生産が可能になる、有機化合物層の形成方法及びこの有機化合物層を使用した有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁

To provide a decorative material which can improve the weatherability of a pattern printing layer 3, can further sustain physical properties such as the interlayer adhesive strength or the surface strength of the decorative material over a long time, and is improved in weatherability and durability in the decorative material having at least the pattern printing layer 3 using an isocyanate-curable type urethane resin as a binder.例文帳に追加

イソシアネート硬化型ウレタン系樹脂をバインダーとする絵柄印刷層３を少なくとも有する化粧材において、絵柄印刷層３の耐候性をさらに向上させ、化粧材の層間密着強度または表面強度等の物性をさらに長期間に亘り持続させることのできる、耐候性や耐久性の改善された化粧材を提供する。 - 特許庁

A liquid crystal device 1 includes: an upper capacitor electrode 300 and a lower capacitor electrode 71 formed in the respective layers different from each other on a TFT array substrate 10 and electrically insulated by a second interlayer insulating film 42; a side wall 91; a connecting conductive film 93; a dielectric film 75; and a contact hole 85.例文帳に追加

液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０上の互いに異なる層に夫々形成されており、第２層間絶縁膜４２を介して互いに電気的に絶縁された上部容量電極３００及び下部容量電極７１、サイドウォール９１、接続用導電膜９３、誘電体膜７５及びコンタクトホール８５を備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a plurality of lower electrodes 11 arranged in a matrix form; a plurality of recording layer patterns 13 provided on the lower electrodes 11 and containing a phase change material; and an interlayer insulation film 12 provided between the lower electrodes 11 and the recording layer patterns 13, and including a plurality of openings 12a for exposing parts of the lower electrodes 11.例文帳に追加

マトリクス状に配置された複数の下部電極１１と、下部電極１１上に設けられ、相変化材料を含む複数の記録層パターン１３と、下部電極１１と記録層パターン１３との間に設けられ、下部電極１１の一部を露出させる複数の開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２とを備える。 - 特許庁

To provide a polishing pad which can carry out polishing rapidly while preventing generation of fine polishing scratches and a manufacturing method of a polishing object by carrying out polishing rapidly while preventing generation of polishing scratches when an interlayer insulation film, a BPSG film, a shallow trench separating isolation film and other polishing object surfaces are flattened by polishing.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら、研磨を高速に実施することができる研磨用パッド及び研磨傷の発生を抑制しながら高速に研磨を実施し、被研磨物の製造法を提供する。 - 特許庁

The ferrodielectric material memory device comprises a lower electrode 109, a capacitance insulation film 112 consisting of a ferrodielectric material film and an upper electrode 113 which are sequentially formed on a first interlayer insulation film 105 on a semiconductor substrate 100, and is also provided with a plurality of ferrodielectric material capacitors allocated in the word line direction and bit line direction.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０５の上に順次形成された下部電極１０９、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及１１２び上部電極１１３を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device has a silicon substrate 51, a base insulating film 59 formed above the silicon substrate 51, the capacitor formed on the base insulating film 59, and having a lower electrode 69a, a dielectric film 70a and an upper electrode 71a, and the interlayer insulating film 118 formed above the capacitor, and including at least a BN film 76.例文帳に追加

シリコン基板５１と、シリコン基板５１の上方に形成された下地絶縁膜５９と、下地絶縁膜５９上に形成され且つ下部電極６９ａ、誘電体膜７０ａ及び上部電極７１ａを有するキャパシタと、キャパシタの上方に形成され、少なくともBN膜７６を含む層間絶縁膜１１８とを有する半導体装置による。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

Insulating films 17 covering inner surfaces of a plurality of trenches 16 from a surface of the n+ type source layer 14 to the n- type drift layer 12; source embedded electrodes 18 on a bottom part in the insulating films 17; gate electrodes 19 embedded along a thickness of the p- type base layer 13 at upper part in the insulating films 17; and interlayer insulating films 20 formed thereon are provided.例文帳に追加

ｎ＋型ソース層１４の表面からｎ−型ドリフト層１２へ至る複数のトレンチ１６の内面を被う絶縁膜１７、絶縁膜１７内の底部のソース埋込電極１８、絶縁膜１７内の上部のｐ−型ベース層１３の厚さに沿って埋め込まれたゲート電極１９、及びその上の層間絶縁膜２０を有する。 - 特許庁

The contact hole which is formed in an interlayer insulating film 36 covering a MOS type transistor and a trench isolation structure 41 extends to a part of the source/drain region 34 and a part of the trench isolation structure 41 of the MOS type transistor, and an electrode plug 49 for contact which is in contact with the source/drain region 34 is formed in an aperture part of the contact hole.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタおよびトレンチ分離構造４１を覆う層間絶縁膜３６中に形成されたコンタクトホールが、ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域３４の一部およびトレンチ分離構造４１の一部に達し、その開口部内にソース・ドレイン領域３４に接触するコンタクト用電極プラグ４９が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a bump structure which reduces external stress to be generated in a manufacturing process of the element, especially, in a rear face polishing process, and less damages an interlayer insulation film which constitutes a circuit, and also to provide its manufacturing method, and a semiconductor device including the semiconductor element and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子の製造工程、特に半導体素子の裏面研磨工程で生じる外的応力を緩和し、回路を構成する層間絶縁膜へのダメージを軽減できるバンプ構造を備えた半導体素子及びその製造方法、並びにこの半導体素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

The gate electrode comprises a first gate electrode 17A, formed so as to have a recess inside the trench 15 along the gate insulating film 16, an interlayer insulating film 18 formed along the surface on this recess side, and a second gate electrode 19A formed to fill the recess and consisting of the same material as the first gate electrode 17A.例文帳に追加

ゲート電極は、ゲート絶縁膜１６に沿ってトレンチ１５内部に凹部を有するように形成される第１のゲート電極１７Ａと、この凹部側の表面に沿って形成される層間絶縁膜１８と、凹部を埋め込むように形成され第１のゲート電極１７と同一の材料からなる第２のゲート電極１９Ａとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises lower storage nodes 10a-10d provided on a main surface 1a of a silicon substrate 1; a dielectric film 15 provided on the lower storage nodes 10a-10d; an upper cell plate electrode 11 provided on the dielectric film 15; and an interlayer insulating film 3 for covering the upper cell plate electrode 11.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１の主表面１ａ上に設けられた下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄと、下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄ上に設けられた誘電体膜１５と、誘電体膜１５上に設けられた上部セルプレート電極１１と、上部セルプレート電極１１を覆う層間絶縁膜３とを備える。 - 特許庁

The reflection electrode 24 electrically connected to the drain electrode 7 through a contact hole 11 formed in an interlayer insulation film 9 is formed in a two layer structure and an upper layer reflection electrode 24a disposed as an upper layer is formed by using Al and a lower layer reflection electrode 24b disposed as a lower layer is formed by using an alloy consisting essentially of Al.例文帳に追加

層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホール１１を介してドレイン電極７と電気的に接続する反射電極２４を二層構造とし、上層に配置された上層反射電極２４ａをＡｌにて形成して、下層に配置された下層反射電極２４ｂをＡｌを主成分とする合金にて形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the sputtering target material for Ni-W based interlayer, Ni-W based alloy powder made by a gas-atomizing method, is used as raw material powder, and this is solidified and formed at 900-1150°C, for obtaining the sputtering target material containing 5-20 at% W and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗ：５〜２０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したＮｉ−Ｗ系合金粉末を原料粉末とし、これを９００〜１１５０℃の温度で固化成形したことを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

The image sensor includes a semiconductor substrate where a circuit region is formed, an interlayer insulating film containing a plurality of metal wires formed on the semiconductor substrate, a plurality of pixel patterns that are connected to the metal wires and contain a lower electrode and a first conductive transmitting layer, and dummy pixel patterns among the pixel patterns.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは、回路領域が形成された半導体基板と、上記半導体基板の上に形成されて複数の金属配線を含む層間絶縁膜と、上記金属配線と連結されて下部電極及び第１導電型伝導層を含む複数のピクセルパターンと、上記ピクセルパターン間に形成されたダミーピクセルパターンとを含む。 - 特許庁

The liquid crystal display device of both transmission and reflection type is constituted, by taking the misalignment of interlayer insulating films 3 and reflection electrode materials 4 and 5 into consideration so as to avoid the direct contact of the electrode material constituting the transmissible display part and the electrode materials 4, 5 constituting the reflection display part in the boundary region of the transmissible display part and the reflection display part.例文帳に追加

透過反射両用型の液晶表示装置の透過表示部と反射表示部との境界領域において、透過表示部を構成する電極材料と反射表示部を構成する電極材料とが直接接触しないように、層間絶縁膜と反射電極材料との位置合わせずれを考慮した構成とする。 - 特許庁

A perpendicular magnetic recording medium includes a nonmagnetic interlayer formed on a nonmagnetic substrate, an antiferromagnetic layer having a thickness of 2 nm or more and 30 nm or less, a first nonmagnetic underlayer having a thickness of 0.2 nm or more and 5 nm or less, a first bit patterned ferromagnetic layer, a first bit patterned nonmagnetic layer, and a second bit patterned ferromagnetic layer.例文帳に追加

非磁性基板上に形成された非磁性中間層、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さを有する反強磁性層、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さを有する第１の非磁性下地層、第１のビットパターン状強磁性層、第１のビットパターン状非磁性層、第２のビットパターン状強磁性層を有する垂直磁気記録媒体。 - 特許庁

To provide a method for forming a composite coating film, comprising coating an aqueous base coating on an article to be coated, coating a clear top coating on the coated base coating and then simultaneously curing both the coatings, by which the composite coating film that has controlled compatibility and inversion between the interlayer interfaces of the composite coating film under high humidity condition and has a high flip-flop property is obtained.例文帳に追加

被塗物上に水性ベースコート塗料を塗装し、その上にクリヤートップコート塗料を塗装し、両者を同時に硬化させることよりなる複合塗膜形成方法において、高湿条件下での塗膜の層間界面でのなじみや反転を制御し、フリップフロップ性が高い複合塗膜の形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which has high radiation sensitivity and sufficiently high resolution, excels in adhesion to a substrate, a base or an upper layer, suppresses generation of a sublimate during baking in a film forming process, ensures a large development margin, and can be suitably used for forming an interlayer insulation film or microlenses.例文帳に追加

高い感放射線感度を有し、解像度が十分に高く、基板もしくは下地または上層との密着性に優れ、膜形成工程の焼成時における昇華物の発生が抑制され、且つ現像マージンが大きく、層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適に使用できる感放射線樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A soft magnetic layer 18 is provided in the vicinity of a magnet layer 14 formed on an insulator substrate 12 via an interlayer insulation layer 16, the magnetization control of the magnet layer 14 is performed by application of a pulse current generated by a pulse current generation circuit and a magnet field covering the soft magnetic layer 18 is changed so as to change the magnetic characteristics.例文帳に追加

絶縁体基板１２上に形成した磁石層１４の近傍に層間絶縁層１６を介して軟磁性層１８を設け、前記磁石層１４の磁化の制御を、パルス電流発生回路によって発生されたパルス電流の印加により行い、前記軟磁性層１８にかかる磁界を変化させることで、磁気特性を変化させる。 - 特許庁

As a protein having the bonding property to gold metal, the protein having following properties can be provided: the β-sandwich structure comprising two or more layers of the β-sheets arranged in the anti-parallel in which these interlayer spacings are not cross-linked with the disulfide bonds; in addition, the dissociation constant Kd of the protein to gold satisfies Kd≤1×10^-5 M.例文帳に追加

金に結合性を有するタンパク質として、前記タンパク質が少なくとも逆平行βシートから成るβシート層が二以上の層を形成するβサンドイッチ構造を有すると共に、前記層間がジスルフィド結合で架橋されておらず、且つ、タンパク質の金に対する解離定数Ｋｄが、Ｋｄ≦１×１０^-5Ｍを満足するタンパク質を提供する。 - 特許庁

In laser hole boring work of a conducting hole for interlayer connection in a build-up type multilayer printed wiring board, a working confirmation mark is provided to the end of a position recognition mark to eliminate such trouble that the hole having been worked is repeatedly worked by mistake even when the hole is a small-diameter hole which can not be determined to have been bored.例文帳に追加

ビルドアップ型の多層のプリント配線板における層間接続用の導通孔のレーザ穴明け加工において、位置認識マークの端部に加工確認マークを設けることにより穴明け済みかどうか判別できないような小径穴に対しても加工済みの穴を誤って重複加工するという不具合を解消する。 - 特許庁

Between layers of the second TFT90 and the transparent substrate 2, a dielectric multilayer film 30 for constituting a light resonance device 3 is formed, and between the layers of dielectric multilayer film 30 and the pixel electrode 4, the interlayer-insulating film 5 at an area flatly superposed on the light emitting layer 65, a gate-insulating film 92, and the insulation-protecting film 20 are removed.例文帳に追加

第２のＴＦＴ９０と透明基板２との層間に、光共振器３を構成する誘電体多層膜３０が形成され、誘電体多層膜３０と画素電極４との層間では、発光層６５と平面的に重なる領域の層間絶縁膜５、ゲート絶縁膜９２および絶縁保護膜２０が除去されている。 - 特許庁

After the etching stopper film 4 is exposed at the bottoms of the opening parts OP3, anisotropic dry etching shall be continued, and using the etching stopper film as an etching mask, contact holes CH1 penetrating an interlayer insulating film 3 to source, drain regions 11, 13 are formed, thereby obtaining the opening parts OP3 and the contact holes CH1 simultaneously in the same etching process.例文帳に追加

開口部ＯＰ３の底部にエッチングストッパ膜４が露出した後も異方性ドライエッチングを続行し、エッチングストッパ膜４をエッチングマスクとして、層間絶縁膜３を貫通してソース・ドレイン領域１１および１３に達するコンタクトホールＣＨ１を形成することで、開口部ＯＰ３とコンタクトホールＣＨ１とを同じエッチング工程で同時に得る。 - 特許庁

In an substantially rectangular remodeled window with a foamed cured body filled in almost the entire space between an existing window frame and a newly mounted window frame, when an interlayer deformation is horizontally applied to the upper side of the remodeled window, the allowable horizontal deformation quantity Δ is larger than C_1+C_2+H/W×(C_3+C_4).例文帳に追加

本発明は、既設窓枠と新設窓枠との間の空間部分の略全体に発泡硬化体が充填された、略長方形の改装窓において、改装窓の上辺に対して水平方向に層間変形を加えた時に、改装窓の許容水平変形量ΔがＣ_１＋Ｃ_２＋Ｈ／Ｗ×（Ｃ_３＋Ｃ_４）より大きくなる改装窓に関する。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This liquid resin composition for an interlayer for a glass laminate contains (A) a urethane prepolymer having isocyanate groups or (B) a urethane prepolymer having blocked isocyanate groups and (C) a polyamine compound having at least two active hydrogen atoms or a mixture of the polyamine compound with (D) a polyol compound having at least two active hydrogen atoms and does not contain a solvent.例文帳に追加

イソシアネート基を有するウレタンプレポリマー（Ａ）又は該イソシアネート基がブロックされたウレタンプレポリマー（Ｂ）と、活性水素を２個以上有するポリアミン化合物（Ｃ）又は該アミン化合物と活性水素を２個以上有するポリオール化合物（Ｄ）の混合物とを含有し、且つ溶剤を含有しない合わせガラス中間層用液状樹脂組成物。 - 特許庁

In this case, upper layer connection wiring 49, 52, 55 and 58 for connecting the bottom gate electrode 9, source/drain electrodes 10 and top gate electrode 8 of the thin-film transistor 3 to the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22 which are connected to conductive layers 35 and 36 are provided on the interlayer insulating film 40 covering the top gate electrode 8.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 - 特許庁

To provide a primer composition with excellent interlayer adhesiveness when the recoating time is taken long such that the primer composition is applied to a substrate, left for 24 hours and then coated with a radical polymerizable unsaturated resin coating material, and with a long pot life for coating, civil engineering and building structures using the same and a construction method of the civil engineering and building structure using the same.例文帳に追加

基体にプライマー組成物を塗布後一昼夜置いてラジカル重合性不飽和樹脂被覆材を塗布するような塗り継ぎ時間を長く取った場合の層間接着性に優れかつ塗布のための可使時間の長いプライマー組成物、これを用いた土木建築構造体及びこれを用いる土木建築構造体の施工方法にある。 - 特許庁

To provide a film-forming composition having a relatively low dielectric constant, high thermal stability, high mechanical strength and high glass transition temperature, preferably being applied by spin coating and forming a good interlayer insulation film by using a polymer dielectric material enabling to fill the gaps of a surface becoming flat and also patternized, and a method for forming the film.例文帳に追加

比較的低い誘電率、高い熱安定性、高い機械強度及び高いガラス転移温度を与え、好ましくはスピンコーティングにより適用し、平坦になりかつパターン化された表面の間隙を満たすことを可能にするポリマー誘電体を用い良好な層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物及び膜の製造方法を提供する。 - 特許庁