「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

The thermal infrared detection part 3 includes: on a heat insulating layer 33 of the silicon substrate 1, a temperature detection part 36 consisting of an n-type polysilicon layer (silicon layer) 34, a p-type polysilicon layer (silicon layer) 35 and an electrode 37; and an interlayer insulating film (protective film) 49 and a passivation film (protective film) 60 protecting the temperature detection part 36.例文帳に追加

熱型赤外線検出部３は、シリコン基板１の熱絶縁層３３上にｎ形ポリシリコン層（シリコン層）３４、ｐ形ポリシリコン層（シリコン層）３５および電極３７からなる温度検出部３６と、温度検出部３６を保護する層間絶縁膜（保護膜）４９およびパッシベーション膜（保護膜）６０とを備える。 - 特許庁

After a part or all of the metal wiring is buried in a temporarily cured layer 6 formed at a predetermined depth in a crust of an insulating sheet 1, it is fully cured and the interlayer insulating film is formed thereon.例文帳に追加

絶縁シート１の表層における所定の深さに形成した仮硬化層６中に、金属配線の一部または全部を埋入した後本硬化し、その上に層間絶縁膜を形成することにより、絶縁シート１，金属配線および層間絶縁膜それぞれの密着性を向上させて剥離を防止することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing a multilayer wiring board for forming a plurality of interlayer insulating layers and wiring on one side or both sides of a core substrate has steps of processing the surface of the wiring with a solution containing an imidazole-type silane coupling agent, cleaning it with water, and then drying it at a temperature of less than 50°C.例文帳に追加

コア基板の片面または両面に、層間絶縁層と配線を複数層形成する多層配線基板の製造方法において、前記配線表面を、イミダゾール系シランカップリング剤を含んだ溶液により処理した後、水洗を行い、さらに５０℃未満の温度において乾燥する工程を有する多層回路基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene ether and a film-forming composition containing the same, which can form an organic film containing a small amount of metallic impurities, which is excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics in an interlayer insulation film material in semiconductors, etc.例文帳に追加

ポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

To provide an overprint card excellent in various properties, displaying a sufficient interlayer adhesion without depending on a dissolving power of an ink solvent even if using a polyester based resin as a card base material, and further having a concealing layer capable of using a leafing type aluminum pigment excellent in concealment.例文帳に追加

本発明の解決しようとする課題は、ポリエステル樹脂系のカード基材を用いた場合であっても、インキの溶剤の溶解力に依存せずに十分な層間密着性を発揮し、さらに隠蔽性の優れたリーフィングタイプのアルミニウム顔料を使用することも可能な隠蔽層を有する、諸物性に優れたオーバープリントカードを提案するものである。 - 特許庁

To provide a method for improving connection reliability between a multichip module and a mounting board which is connected to a secondary side of a multilayer wiring substrate of the multichip module, wherein the multichip module is formed by mounting semiconductor devices on a primary side of the multilayer wiring substrate which is formed by laminating wiring layers on both sides (primary and secondary sides) of an insulating substrate together with interlayer insulating films, respectively.例文帳に追加

絶縁基板とその両面（１次側並びに２次側）に層間絶縁膜を含めて夫々形成された配線層からなる配線基板、及び配線基板の１次側の面に搭載された半導体装置を備えたマルチチップモジュールと、配線基板の２次側に接続される実装基板との接続信頼性を高める手段を提供する。 - 特許庁

In the solid-state image sensing element having the selective transistor 206 adjacent to an amplifying transistor 205, an interlayer insulating layer 7 is provided between a first well region 2a of the amplifying transistor 205 and a second well region 2b of the selective transistor 206, and an impurity concentration of the second well region 2b is higher than that of the first well region 2a.例文帳に追加

増幅トランジスタ２０５と隣接した選択トランジスタ２０６を有する固体撮像素子において、増幅トランジスタ２０５の第１ウェル領域２ａと選択トランジスタ２０６の第２ウェル領域２ｂとの間には層間絶縁層７が設けられ、第１ウェル領域２ａの不純物濃度よりも第２ウィル領域２ｂの不純物濃度が高い。 - 特許庁

The semiconductor element of the present invention includes a semiconductor substrate 1; an interlayer insulating film 2 and 3 in which a damascine pattern is formed on the semiconductor substrate 1; a diffusion prevention film 4 which is formed in the damascene pattern and is made of CoFeB which is a ternary system material; a seed film 5 which is formed on the diffusion prevention; and copper wiring 7 which is filled on the seed film.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１；前記半導体基板１上にダマシンパターンが形成された層間絶縁膜２、３；前記ダマシンパターン内に形成され、三元系物質であるＣｏＦｅＢからなる拡散防止膜４；前記拡散防止膜上に形成されるシード膜５；及び、前記シード膜上に充填される銅配線７を含む。 - 特許庁

Accordingly, by forming the drive power supply line 93 and the common potential line 91 on the TFT array substrate 10 and forming the interlayer insulating film 43 between these lines, a capacitance can be constituted by using the multilayer structure, as it is, formed on the TFT array substrate 10, without having to install a capacitor element that is to be a capacitance.例文帳に追加

したがって、ＴＦＴアレイ基板１０上に駆動電源線９３及び共通電位線９１と、これら配線間に層間絶縁膜４３を形成することによって、容量とされるコンデンサ素子を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された多層構造をそのまま利用して容量を構成することが可能である。 - 特許庁

A gate electrode comprising poly-Si 4 and WSi 5 is provided via a gate oxide film 3 in an active region on a semiconductor substrate 1 isolated by an isolation region 2 and a capacity contact hole 8 reaching a diffusion region is formed contiguously to a gate electrode, while being self-aligned in an interlayer insulation film 7 deposited to cover the electrode.例文帳に追加

半導体基板１上の素子分離領域２により分離された能動領域に、ゲート酸化膜３を介して多結晶Ｓｉ４とＷＳｉ５からなるゲート電極を設け、該電極を覆って堆積した層間絶縁膜７に、ゲート電極に対し隣接し自己整合的に形成された拡散領域まで貫通する容量接続孔８を形成する。 - 特許庁

In an uppermost layer of the multi-layered wiring on a substrate, that is, having a plurality of layers each laminated with an interlayer insulating film provided therebetween, and having wiring formed in the respective layers; a metal member electrically connected to a node having a constant potential provided thereto is formed in a region other than regions having the wiring arranged therein.例文帳に追加

本発明では、基板上の多層配線、即ち、それぞれが層間絶縁膜を介して積層された複数の層と、それぞれの層内に形成された配線とを有する多層配線の最上位の層内において、配線が配置された領域以外の領域に、定電位が与えられるノードに電気的に接続するメタル部材が形成される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having no safety problem, superior in sensitivity, resolution and storage stability as a solution, and having such a proper development margin that a proper pattern profile can be formed, even after the lapse of the optimum developing time in a developing step, and to provide an interlayer insulation film and microlenses formed from the composition.例文帳に追加

安全性に問題がなく、感度、解像度、溶液としての保存安定性等に優れ、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような良好な現像マージンを有する感放射線性樹脂組成物、ならびにそれから形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

To provide a hardenable flux and a hardenable flux sheet capable of surely conducting solder joining, not requiring the cleaning/removing of a remaining flux after solder joining, holding the electric insulation property even in a high temperature and high humidity environment, and capable of carrying out high reliability solder joining, in mounting a semiconductor chip and interlayer connection of multilayer interconnection substrate.例文帳に追加

半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続において、確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、信頼性の高い半田接合を可能とする、硬化性フラックス及び硬化性フラックスシートを提供する。 - 特許庁

The interlayer for the laminated glass comprises at least a resin layer (A) containing an ethylene-vinyl acetate copolymer and a resin layer (B) containing a polyvinyl butyral resin, and the resin layer (B) contains a plasticizer with a solubility parameter of 17-26 (J/cm^3)^1/2 and a molecular weight of ≥820.例文帳に追加

エチレン酢酸ビニル共重合体を含む樹脂層（Ａ）と、ポリビニルブチラール樹脂を含む樹脂層（Ｂ）との積層体を少なくとも含む合わせガラス用中間膜であって、 前記樹脂層（Ｂ）が、溶解度パラメーターが１７〜２６（Ｊ／ｃｍ^3）^1/2であり且つ分子量が８２０以上である可塑剤を含むことを特徴とする合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

A barrier film of a silicon nitride film 39D is set under an interlayer insulating film 39, comprising an SOG film which coats a floating gate 34 and a control gate 36, etc., so that even if H or OH contained in the SOG film diffuses, it will not be trapped by a tunnel oxide film for improved trap up rate.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、フローティングゲート３４とコントロールゲート３６等を被覆するＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜３９下面にシリコン窒化膜３９Ｄによるバリア膜が介在することで、ＳＯＧ膜に含まれるＨあるいはＯＨが拡散しても、トンネル酸化膜３３にトラップされなくなり、トラップアップレートが改善する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in adhesiveness to a copper substrate and excellent also in heat resistance and properties of a cured film; a method for producing a relief pattern using the same and having good adhesiveness to a substrate; and electronic components having an interlayer insulation film or a surface protection film and constituting a semiconductor device or a multilayer wiring board with high reliability.例文帳に追加

銅基板との接着性に優れ、耐熱性、硬化膜特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた、基板との接着性良好なレリーフパターンの製造方法、層間絶縁膜又は表面保護膜を有する、信頼性の高い半導体装置や多層配線板となる電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive siloxane composition free of whitening of a coating film, coloring in heat curing, reflow of a pattern, blistering and creasing, having such properties as high resolution, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, and used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide.例文帳に追加

塗布膜の白化や熱硬化時の、着色、パターンのリフロー、発泡、皺の発生が起こることなく、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

Crack preventing areas 7 are formed in the plural position of the surface direction of a thin film device layer 2 formed by laminating a device part through an insulating interlayer film, a full cutting groove 4 for cutting out a head chip by crossing the thin film device layer 2 is formed such that the starting point 41 and the end point are positioned in the forming region of the crack preventing area 7.例文帳に追加

絶縁性層間膜を介してデバイス部を積層形成してなる薄膜デバイス層２の、面方向の複数位置に割れ防止領域７を形成し、薄膜デバイス層２を横断してヘッドチップを切り出すための全切溝４を、それぞれ割れ防止領域７の形成域内にその始点部４１と終点部が位置するように形成する。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

In manufacturing the semiconductor device (e.g. TFT), a film applied with polysilazane (-(SiH_2NH)-) used as, for example, an interlayer dielectric is formed on a substrate 100, and thermal processing using a thermal source of flames of a gas burner using a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is performed to bake the polysilazane-applied film and to modify the polysilazane conversion SiO_2.例文帳に追加

半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上に例えば層間絶縁膜となる、ポリシラザン（−（ＳｉＨ_2ＮＨ）−）塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、ポリシラザン塗布膜を焼成するとともに、ポリシラザン転化ＳｉＯ_2の改質を行う。 - 特許庁

Then, an opening portion 15 is formed on the first interlayer insulating film 13 so that the upper surface of the conductive thin film 14 is exposed, and thinning treatment is carried out onto the conductive thin film 14 formed on the bottom of the opening portion 15, and then oxidation treatment is carried out onto the surrounding portion of the exposed conductive thin film 14.例文帳に追加

そして、第１層間絶縁膜１３に対して導電性薄膜１４の上面が露出するように所定位置に開口部１５を形成し、当該開口部１５の底面に形成されている導電性薄膜１４を薄膜化処理した後、当該露出されている導電性薄膜１４の周辺部分に酸化処理を施す。 - 特許庁

A printed-wiring board is manufactured by forming an interlayer insulation layer 3 on both the sides of a substrate 1 by a rotor coater 4, where the substrate 1 has a surface-side conductor circuit 21 on the surface 11 and at the same time a backside conductor circuit 22 on the backside 12 and has a smaller area of the surface-side conductor circuit 21 than that of the backside conductor circuit 21.例文帳に追加

表側面１１に表側導体回路２１を有すると共に裏側面１２に裏側導体回路２２を有し，かつ裏側導体回路２２の面積が表側導体回路２１の面積よりも小さい基板１の両面に，ロールコーター４によって層間絶縁層３を両面同時に形成することにより，プリント配線板を製造する方法。 - 特許庁

The polycrystalline thin film has an interlayer 25 formed by laminating a first layer 23 and a second layer 24 sequentially on a metal base 21, wherein the crystal structure of the first and second layers 23, 24 is a rock salt structure and a fluorite structure, respectively, and the orientation axis of the first layer 23 and the second layer 24 are the same and both with <100> orientation.例文帳に追加

本発明は、金属基材２１上に順に、第一層２３と第二層２４を積層してなる中間層２５をなし、前記第一層２３と前記第二層２４の結晶構造はそれぞれ、岩塩構造と蛍石構造であり、前記第一層２３と前記第二層２４の配向軸が同じであり何れも＜１００＞配向していることを特徴とする。 - 特許庁

The electrooptical device has a pixel electrode (9a), TFT (30) connected to it, a data line (6a) connected to it and a capacity line (300) which is laminated/formed across an interlayer insulating film (42) with respect to the data line and includes a main line part extending in a direction crossing the data line in a plane view on a TFT array substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続されたデータ線（６ａ）と、データ線に対して層間絶縁膜（４２）を介して積層形成されており平面的に見てデータ線と交差する方向に伸びる本線部分を含む容量線（３００）とを備える。 - 特許庁

The non-asbestos hydraulic sheet contains 1.0-2.0 mass% polyvinyl alcohol-based fiber having 40-70% cross-sectional circularity in the total solid portion and 2.0-4.0 mass% eucalyptus pulp having 100-500 mL freeness in the total solid portion and has ≥2.0 N/mm^2 interlayer adhesive strength and ≤0.25% dimensional change rate.例文帳に追加

断面充実度が４０〜７０％であるポリビニルアルコール系繊維を全固形分中１．０〜２．０質量％、濾水度１００〜５００ｍｌであるユーカリパルプを全固形分中２．０〜４．０質量％含有してなり、層間密着強度が２．０Ｎ／ｍｍ^２以上かつ寸法変化率が０．２５％以下であることを特徴とするノンアスベスト水硬性抄造板。 - 特許庁

The charge control agent for the electrophotographic toners consisting of an interlayer compound intercalated with a cationic surfactant between layers of clay minerals having a laminar structure and the electrophotographic toners containing a binder resin, release agent and charge control agent, in which the charge control agent is the charge control agent for the electrophotographic toners.例文帳に追加

層状構造を有する粘土鉱物の層間に、陽イオン性界面活性剤がインターカレーションされてなる層間化合物からなる電子写真トナー用電荷調整剤、結着樹脂、離型剤及び電荷調整剤を含有してなる電子写真用トナーであって、該電荷調整剤が前記電子写真トナー用電荷調整剤である電子写真用トナー。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide a practical and extremely-easy chemical method for synthesizing a layered double hydroxide containing an easily-exchangeable anion (for example, a nitrate ion and a chlorine ion) from hydrotalcite or its analogues containing a hard-to-exchange carbonate ion in an interlayer without varying the particle size and uniformity of hydrotalcite.例文帳に追加

難イオン交換性の炭酸イオンを層間に含むハイドロタルサイトないしその類似化合物から、簡単で温和な化学的手法によって、交換が容易な陰イオン（例えば、硝酸イオン、塩素イオンなど）を含む層状複水酸化物を、粒径や均一性に変化を及ぼすことなく得るための、実用性に富んだ極めて簡便な化学的合成手法を提供する。 - 特許庁

The autonomously vibrating material comprises a hydrophobic medium and, dispersed therein, an organic compound-layered inorganic substance composite and is manufactured by enlarging the interlayer distance of the layered inorganic substance by insertion of an organic ammonium cation, subsequently incorporating the layered inorganic substance into the hydrophobic medium having dissolved an organic guest compound therein and dispersing the layered inorganic substance by stirring.例文帳に追加

疎水性媒質とその中に分散された有機化合物−層状無機物質複合体とからなる自律振動性材料であり、層状無機物質の層間を有機アンモニウムカチオンの挿入により拡大したのち、有機ゲスト化合物を溶解した疎水性媒質中に加え、かきまぜて分散させることにより製造する。 - 特許庁

To provide a cleaning method which forms a structure having an interlayer insulating film and a reflection preventing film provided on a semiconductor substrate after a heat treatment, and polishes the structure then to clean, wherein foreign matters such as particle grains and metal contaminants can be suppressed from adhering to a cleaning surface.例文帳に追加

熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に行う洗浄方法において、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能な洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, even when the stray light layer distance dn is small and a lens shift occurs, the optical disk device 190 generates the tracking error signal STE3 having no influence of stray light patterns W formed from interlayer stray light beams LN from a plurality of recording layers Y, thereby achieving tracking control with high accuracy.例文帳に追加

これにより光ディスク装置１９０は、迷光層間隔ｄｎが狭い場合において、かつレンズシフトが生じていても、複数の記録層Ｙからの層間迷光ビームＬＮによりそれぞれ形成される迷光パターンＷの影響を排除したトラッキングエラー信号ＳＴＥ３を生成でき、精度良くトラッキング制御を行うことができる。 - 特許庁

To provide a stripper composition excellent in removability of a photoresist residue while suppressing corrosion in a metal wiring material and an interlayer material in the manufacture of a semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device including a step of bringing the stripper composition into contact with a substrate on which a photoresist residue is stuck.例文帳に追加

半導体素子の製造において、金属配線材料および層間材料の腐食が抑えられるとともに、フォトレジスト残渣の除去能力に優れた剥離液組成物を提供すること、および該剥離液組成物と、フォトレジスト残渣が付着した基板とを接触させる工程を含む半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring board which can deposit or fill plating stably and evenly in a pierced hole or an unpierced hole to form a via hole for interlayer connection and keep the thickness of metal foil or a wiring circuit constant to make easy to form a minute wiring circuit and to perform impedance matching.例文帳に追加

層間接続用のビアホールを形成する際のめっきを、貫通孔、又は非貫通孔内に安定して（均一に）析出（或いは充填）することができ、且つ、金属箔（又は、配線回路）の厚みを一定に保ち、微細配線回路形成、及びインピーダンス整合を容易に行うことができるプリント配線板の製造方法の提供。 - 特許庁

To obtain an interlayer suitable for affording laminated glass excellent in the basic performance including impact absorption and penetration resistance required for laminated glass, substantially causing no whitening on the peripheral edge even in case of being left to stand for a long period in a highly humid atmosphere, slight in the volatilization of the plasticizer therein as well, therefore excellent in trim cuttability.例文帳に追加

衝撃吸収性や耐貫通性などの合わせガラスとして必要な基本性能に優れ、湿度の高い雰囲気下に長期間放置された場合でも合わせガラスの周縁部に白化現象を殆ど起こさず、しかも可塑剤の揮散が少なく、従ってトリムカット性にも優れる合わせガラスを得るに適する合わせガラス用中間膜、同ガラス。 - 特許庁

The ferroelectric memory device has a lower electrode 109, a capacitive insulating film 112 consisting of a ferroelectric film, and an upper electrode 113, which are sequentially formed on a first interlayer insulating film 105 on a semiconductor substrate 100, and is also provided with a plurality of ferroelectric capacitors arranged in the word line direction and the bit line direction.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０５の上に順次形成された下部電極１０９、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及１１２び上部電極１１３を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

A contact hole formed in an interlayer insulating film 36 covering a MOS transistor and a trench isolating structure 41 reaches part of the source-drain area 34 of the transistor and part of the structure 41 and an electrode plug 49 for contact which is brought into contact with the area 34 is formed in the opening of the contact hole.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタおよびトレンチ分離構造４１を覆う層間絶縁膜３６中に形成されたコンタクトホールが、ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域３４の一部およびトレンチ分離構造４１の一部に達し、その開口部内にソース・ドレイン領域３４に接触するコンタクト用電極プラグ４９が形成されている。 - 特許庁

To provide a decorative sheet having excellent weather resistance and being gentle to an environment to be manufactured in high yield in the sheet in which a design is printed by using printing ink having excellent interlayer close adhesive properties to a sheet surface and an adhesive force by using a polyolefin resin sheet as a base material sheet.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂シートを基材シートとして用い、シート面との優れた層間密着性及び粘着力を有する印刷インキを用いて絵柄印刷を施した化粧シートとすることによって、該化粧シートを歩留りよく製造することのでき、優れた耐候性を有し、かつ環境に優しい化粧シート及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multilayer circuit board that can surely eliminate smears in a desmear process without decreasing the productivity of the multilayer circuit board, prevent a reduction in adhesive strength between an interlayer dielectric and a wiring, and manufacture a highly reliable multilayer circuit board, and to provide a multilayer circuit board manufactured by the method, a board with semiconductor chips mounted thereon, and a semiconductor package using the board.例文帳に追加

多層回路基板の生産性を低下させることなく、デスミア工程でスミアを確実に除去可能で、層間絶縁層と配線の接着強度の低下を防ぎ、、信頼性の高い多層回路基板の製造方法及びこれから得られる多層回路基板、半導体チップ搭載基板並びにこの基板を用いた半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

The composition for forming an interlayer insulating film of the present invention includes as component (a) a siloxane resin such as alkoxy silane having a carbon content of 10 mass % or less, as component (b) a solvent such an alcohol capable of solving the siloxane resin, and as component (c) a diazabicyclo compound such as 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene.例文帳に追加

本発明の層間絶縁膜形成用組成物は、（ａ）成分として炭素含有量が１０質量％以下であるアルコキシシラン等のシロキサン樹脂と、（ｂ）成分としてそのシロキサン樹脂を溶解可能なアルコール等の溶媒と、（ｃ）成分として1.8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン等のジアザビシクロ化合物とを含有して成るものである。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition having a low dielectric property, a low hygroscopic property and excellent thermosetting property and an electronic element including an electronic part such as a semiconductor device and a thin film multilayer wiring board which has a resin cured film such as a surface protective film, a passivation film, interlayer insulating film excellent in film characteristics such as a low dielectric property and low hygroscopic property.例文帳に追加

低誘電、低吸湿および優れた熱硬化特性を有する熱硬化性樹脂組成物、並びに低誘電、低吸湿等の膜特性に優れる表面保護膜、パシベーション膜、層間絶縁膜等の樹脂硬化膜を有する半導体装置、薄膜多層配線板等の電子部品などの電子部材を提供する。 - 特許庁

In the uppermost layer of a substrate including multilayer interconnection, i.e. a plurality of layers that are laminated via interlayer insulating films respectively and wirings formed in the respective layers, with a metal member formed in a region other than the region in which wirings are arranged, the metal member is electrically connected to a node, to which a prescribed electric potential is applied.例文帳に追加

本発明では、基板上の多層配線、即ち、それぞれが層間絶縁膜を介して積層された複数の層と、それぞれの層内に形成された配線とを有する多層配線の最上位の層内において、配線が配置された領域以外の領域に、定電位が与えられるノードに電気的に接続するメタル部材が形成される。 - 特許庁

In this case, the substrate is heated in a hydrogen-containing atmosphere, after the step of forming the interlayer insulating film and prior to the step of forming the metallic wiring in which the barrier metal layer contains titanium.例文帳に追加

シリコン基板上に、層間絶縁膜を形成する工程と、バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程の後で、かつ前記バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程の前に、水素を含む雰囲気での熱処理を行うこととした。 - 特許庁

The hydrotalcite type particle powder is characterized in that an Mg-M-Al-based hydrotalcite type particle which has a core-shell structure in which an Mg-Al-based hydrotalcite particle is made a core particle, and a hydrotalcite layer consisting of aluminum and a divalent metal M is formed on the particle surface, is heat treated at 150-350°C to dehydrate interlayer water.例文帳に追加

Ｍｇ−Ａｌ系ハイドロタルサイト粒子を芯粒子とし、該粒子表面にアルミニウムと２価金属Ｍから構成されるハイドロタルサイト層を形成したコア−シェル構造を有するＭｇ−Ｍ−Ａｌ系ハイドロタルサイト型粒子粉末を１５０℃〜３５０℃で熱処理を行い、層間水を脱水することを特徴とするハイドロタルサイト型粒子粉末である。 - 特許庁

In a semiconductor chip 50 in which an optoelectronic integrated circuit comprising a photo diode 40 having a dent part 19 defined by an interlayer insulator film in the upper part of the photo diode 40 and an NPN bipolar transistor 30, etc. is formed, in general, those parts other than a dent part 19 region on the photo diode 40 and a dicing region 21 are coated by a light-shielding film 17.例文帳に追加

その上部に層間絶縁膜からなる窪み部１９を有するフォトダイオード４０とＮＰＮバイポーラトランジスタ３０等からなる光電子集積回路が形成された半導体チップ５０において、一般的にはフォトダイオード４０上の窪み部１９領域及びダイシング領域２１以外を遮光膜１７で被覆する。 - 特許庁

The compound semiconductor element comprises: a gate semiconductor layer 10; a cathode semiconductor layer 12; an Au alloy cathode electrode 14 formed on the cathode semiconductor layer 12; an Au alloy gate electrode 16 formed on the gate semiconductor layer 10; an interlayer dielectric film 18; an Al wiring 20 on the cathode electrode 14 and the gate electrode 16; and a protection film 22.例文帳に追加

化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。 - 特許庁