「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of a multilayer wiring substrate comprises a bump forming process of forming bumps for interlayer connection on a substrate, an insulating layer formation process of forming an insulating layer on the substrate, wherein the bumps are formed, a thermocompression bonding process for bonding copper foil by thermocompression on an insulating layer, and a patterning process of patterning copper foil.例文帳に追加

基材上に層間接続のためのバンプを形成するバンプ形成工程と、バンプが形成された基材上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層上に銅箔を熱圧着する熱圧着工程と、銅箔をパターニングするパターニング工程とを有する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which reduces a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieves both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and prevents metallic contamination of a wafer.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減して、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜などの層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立でき、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating film, more specifically, an insulating film which is suitably used as an interlayer insulating film of a semiconductor element device and formed to a proper uniform thickness, and has superior film characteristics of a dielectric constant, a Young's modulus, etc.例文帳に追加

本発明は、絶縁膜、さらに詳しくは、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた絶縁膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

A lower electrode film 31', a ferroelectric film 33', and an upper electrode film are successively formed on an interlayer insulating film 20 provided on a silicon substrate 10, and the upper electrode film is patterned into a specified shape, to form an upper electrode 35 for a ferroelectric capacitor 50.例文帳に追加

シリコン基板１０上に形成された層間絶縁膜２０上に下部電極膜３１´と強誘電体膜３３´と上部電極膜とを順次形成し、この上部電極膜を所定形状にパターニングして強誘電体キャパシタ５０の上部電極３５を形成する。 - 特許庁

On a second interlayer insulating film 30, a wiring layer 33 is formed, which has a first wire 33a to be connected to the control gate electrode 24 and a second wire 33b to be connected to the intermediate electrode 22 of the ferroelectrics FET and is connected to the gate electrode 14 of the CMOS.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３０の上に、制御ゲート電極２４に接続される第１の配線３３ａと、強誘電体ＦＥＴの中間電極２２に接続される第２の配線３３ｂとを有し、ＣＭＯＳのゲート電極１４に接続される配線層３３を形成する。 - 特許庁

A contact hole 103 and a recessed groove 104 for wiring are formed on an interlayer insulation film 102 being deposited on a semiconductor substrate 101, and a TiN/Ti film 105 being used as a diffusion prevention film is formed on the wall surfaces of the contact hole 103 and the recessed groove 104.例文帳に追加

半導体基板１０１の上に堆積された層間絶縁膜１０２にコンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４を形成した後、コンタクトホール１０３及び配線用凹状溝１０４の壁面に拡散防止膜となるＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of an EVA film roll 13 for an interlayer of a laminated glass is characterized by rotationally driving a winding shaft 11, while controlling to set a winding tensile force approximately constant, to roll round an ethylene-vinyl acetate copolymer resin film 10 around the outer circumference of a winding shaft 11.例文帳に追加

巻取軸１１を回転駆動させることにより、略一定の巻取張力となるように制御しながら、前記巻取軸１１の外周にエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂フィルム１０を巻き取ることを特徴とする合わせガラス中間膜用ＥＶＡフィルムロール１３の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element wherein deterioration of characteristics of a ferroelectric capacitor which is to be caused by increase of electron density and ion density can be prevented in a process, in which an interlayer insulating film which covers an upper part of the ferroelectric capacitor is etched by using a plasma.例文帳に追加

本発明は、プラズマを利用して強誘電体キャパシタ上部を覆う層間絶縁膜をエッチングする過程において、電子密度及びイオン密度増加による強誘電体キャパシタ特性低下を防止できる、半導体メモリ素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an excellent electrophotographic developing roller having high interlayer adhesion between a conductive shaft body and a cover layer, preventing peeling of the cover layer even when a large number of sheets (for instance, 5,000 sheets) are printed and providing a high-quality print image without an image defect in a halftone image part.例文帳に追加

導電性軸体と被覆層との層間接着性が良好で、多数枚（例えば、５０００枚）プリントを行っても被覆層の剥がれが発生せず、ハーフトーン画像部に画像欠陥の無い高品質のプリント画像が継続して得られる優れた電子写真用現像ローラの提供。 - 特許庁

Through-holes 100 are provided to a glass board 1 by sandblasting, a wiring pattern 120 and an interlayer insulation layer 110 are formed on the glass board 1, a plating wiring 101 is formed on the inner surface of the through-holes 100, or the through-holes are filled up with conductive matter for the formation of a multilayered wiring board.例文帳に追加

ガラス基板１にサンドブラストにより貫通孔１００を形成し、該ガラス基板の上に配線パターン１２０および層間絶縁層１１０を形成し、該貫通孔１００の内面にめっき配線１０１または導電性物質を充填して、多層配線基板を形成する。 - 特許庁

The hydrogen storage material is produced by; preparing an organic-graphite intercalation compound where the organic compound is inserted; and reducing the organic-graphite intercalation compound to remove at least a portion of the inserted organic compound from the organic-graphite intercalation compound and to produce a carbon material having an interlayer space.例文帳に追加

層間に有機化合物が挿入された黒鉛層間有機化合物を調製し、黒鉛層間有機化合物を還元して有機化合物の少なくとも一部を黒鉛層間有機化合物から除去して層間空間を有する炭素材料が得られ、これにより水素吸蔵材を構成する。 - 特許庁

The interlayer adhesive contains a resin composition obtained by reacting (a) a base agent made of an emulsion of a main resin that comprises one or more resins selected from an acrylic resin, an ethylene-vinyl acetate resin and an epoxy-based resin, with (b) an isocyanate compound having an isocyanate group.例文帳に追加

この層間接着剤は、（ａ）アクリル系樹脂、エチレン−酢酸ビニル系樹脂、およびエポキシ系樹脂から選ばれた１または２種以上からなる主樹脂のエマルションからなる主剤と、（ｂ）イソシアネート基を有するイソシアネート化合物と、を反応させて得られた樹脂組成物が含有されている。 - 特許庁

As at least a part of a light which deviates from an intrinsic incident course to the light receiving element 3 and is incident on an interlayer insulating film 9 can be reflected on the light receiving element 3 side by the reflection film 11, the condensing efficiency on the light receiving element 3 can be increased.例文帳に追加

受光素子３への本来の入射コースから外れて、層間絶縁膜９に入射してしまうような光の少なくとも一部を、反射膜１１によって受光素子３側へ反射させることができるので、受光素子３への集光効率を高めることができる。 - 特許庁

The interlayer insulating films 5, 7 are obtained, for example, by applying the borazine-based resin composition, which comprises an organic silicon borazine polymer and a high boiling aromatic solvent and has a non-volatile component concentration of at least 1mass% and a non-gelling time of at least 6 hr, by a spin-coating method and drying the coated film.例文帳に追加

層間絶縁膜５，７は、例えば有機ケイ素ボラジン系ポリマーと高沸点の芳香族系溶媒とを含んでおり、不揮発性成分濃度が１質量％以上であり、且つ、非ゲル化時間が６時間以上であるボラジン系樹脂組成物をスピンコートで塗布し乾燥させて得られる。 - 特許庁

Metal pins 30 as interlayer connecting members are inserted into through-holes, formed so as to be passed through the memory module 28, and they are electrically connected respectively to connecting lands at wiring layers 16 of the respective interposers 14 via solder pastes 26 filled into the through-holes.例文帳に追加

そして、このメモリモジュール２８を貫通して設けられた貫通孔に層間接続部材としての金属ピン３０が挿入され、貫通孔に充填された半田ペースト２６を介して、各インターポーザ１４の配線層１６の接続用ランドにそれぞれ電気的に接続している。 - 特許庁

To enhance transparency a heat insulating property and to improve electromagnetic wave transmittance and resistance to penetration by using an interlayer film suitably absorbing infrared rays.例文帳に追加

赤外線を好適に吸収することができるため遮熱性に優れるとともに、透明性が良好な合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を用いてなる遮熱性及び透明性に優れるとともに、電磁波透過性及び耐貫通性に優れる合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To easily artificially produce degenerated bentonite for elucidating the dynamic/hydraulic characteristics of bentonite degenerated by an ion exchange reaction between interlayer cations of a bentonite-based artificial barrier material and cations existing in the adjacent zone of the material; and to provide the degenerated bentonite for a test for the elucidation.例文帳に追加

ベントナイト系人工バリア材料の層間陽イオンと，該材料の隣接帯域に存在する陽イオンとの間で行われるイオン交換反応によって変質するベントナイトの力学・水理特性を解明するために，変質ベントナイトを人工的に製造し易くし，これを該解明のための試験に供する。 - 特許庁

The ink jet record medium is formed on the base material 2 with a dye fastness layer 1 consisting of an interlayer compound and binding agent that acceptance retains a water soluble compound by an intercalation reaction, wherein the dye fastness layer 1 is contained with polyglycerol fatty acid ester.例文帳に追加

基材２上に、水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とからなる染料定着層１が形成されてなるインクジェット用被記録媒体において、染料定着層１にポリグリセリン脂肪酸エステルを含有させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit wafer having an SiOC film as its interlayer insulator film 12 includes a process of forming a modified layer 13 on the surface of the SiOC film.例文帳に追加

層間絶縁膜１２としてＳｉＯＣ膜を有する半導体集積回路ウエハの製造方法であって、前記ＳｉＯＣ膜を形成するとともにＳｉＯＣ膜の表面に改質層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路ウエハの製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device has an embedded-wiring structure, and a third interlayer insulation film 6b provided in the periphery of a first embedded metal wiring 15 is formed out of a silicon carbide film, whose film quality is improved by projecting on it a gas plasma which contains nitrogen ions and ammonia ions.例文帳に追加

この半導体装置は、埋め込み配線構造を有しており、埋め込まれる第一の金属配線１５の周囲に設けられる第三の層間絶縁膜６ｂが、窒素イオンおよびアンモニアイオンを含むガスプラズマが照射されて膜質改善されたシリコン炭化膜によって形成されている。 - 特許庁

The interlayer film for the heat-shielding laminated glass contains a matrix resin, a plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles each having a surface coated with an insulative metal oxide and/or antimony-doped tin oxide fine particles each having a surface coated with an insulative metal oxide.例文帳に追加

マトリックス樹脂、可塑剤、並びに、絶縁性金属酸化物により表面が被覆された錫ドープ酸化インジウム微粒子及び／又は絶縁性金属酸化物により表面が被覆されたアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有することを特徴とする遮熱合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

This composition for an interlayer insulating film includes silica precursor containing a specific amount of silicon atoms derived from 2 and/or 3 functional alkoxysilane with respect to the silicon atoms derived from 4 functional alkoxysilane, a specific block copolymer, a specific solvent and moreover acid, as needed.例文帳に追加

４官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して２及び／又は３官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を特定量含むシリカ前駆体と、特定のブロックコポリマーと、特定の溶媒、更に、必要に応じて酸を包含する層間絶縁性膜用の組成物。 - 特許庁

The heat-resistant filler composed of an organic-clay composite whose dispersibility is not reduced by heating is produced by subjecting an interlayer inorganic cation of a swellable layered silicate to a cation exchange treatment using a carboxyalkyl-tris(4-phenoxyphenyl)phosphonium salt being a new compound.例文帳に追加

膨潤性層状ケイ酸塩の層間の無機カチオンを、新規化合物であるカルボキシアルキルトリス（４−フェノキシフェニル）ホスホニウム塩を用いて作製することで、加熱によっても分散性の低下が少ない有機粘土複合体からなる耐熱性フィラーが得られることを見出した。 - 特許庁

The method comprises the step of providing the substrate (12) comprising cobalt or a cobalt-chromium alloy: an interlayer (16) consisting essentially of at least one of hafnium, manganese, niobium, palladium, zirconium, titanium, or alloys or combinations thereof; and the porous tantalum structure (10).例文帳に追加

本方法は、コバルトまたはコバルトクロム合金を含む基板（１２）と、必須的にハフニウム、マンガン、ニオブ、パラジウム、ジルコニウム、チタンのうち少なくとも１つ若しくはそれらの合金またはそれらの組み合わせからなる中間層（１６）と、多孔性のタンタル構造体（１０）と、を用意する段階を備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole and a spacer capable of preventing a contact failure due to a mask misalignment, preventing void occurrences in an interlayer insulation film of an adjacent conducive patterns and reducing a parasitic capacitance between semiconductor devices.例文帳に追加

マスク誤整列によるコンタクト不良を防止し、隣接する導電膜パターン間の層間絶縁膜内にボイドが発生することを防止でき、導電膜パターン間の寄生キャパシタンスを減少させることのできる、半導体装置のコンタクト孔及びスペーサ形成方法を提供する。 - 特許庁

After a conductive material has been embedded in a wiring groove, when an excess portion of the conductive material is removed with a CMP method, a polishing agent is dispersed through a groove formed by the dummy pattern 41, so that polishing amounts of the conductive material and the third interlayer insulation film become uniform.例文帳に追加

配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 - 特許庁

Copper barrier/copper seed layers 4 are deposited on a support substrate, for example, an interlayer derivative layer ILD by the metal-insulator- metal(MIM) capacitor manufacturing method, a derivative 8 is formed on the copper barrier/copper seed layers 4, and a metal layer 9 is formed on the derivative 8.例文帳に追加

金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）キャパシタの製造方法で、支持基板たとえば層間誘導体層ＩＬＤ上に銅バリア／銅シード層４を堆積し、この銅バリア／銅シード層４上に誘導体８を形成し、この誘導体８上に金属層９を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition suiting application in a surface protective layer, an interlayer insulation film, and an insulation film for a high density packaging board capable of very thick application and alkali development, and capable of providing a hard object with high resolution, superior tensile elongation after fracture, and superior heat resistance.例文帳に追加

高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高く、引張破断伸びに優れかつ耐熱性に優れた硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing easily and simply a multi-layered product excellent in interlayer adhesion force and cold shock property, laminated by polyamide and fluorine-containing ethylenic polymer, by a simultaneous multi-layer coextruding method, without requiring any additional process and without any specific limited adhesive material.例文帳に追加

ポリアミドと含フッ素エチレン性重合体とを積層してなる層間接着力や低温衝撃性に優れた多層積層体を、同時多層共押出し法によって、付加的工程の必要や特定の接着性材料に限定されることなしに容易かつ簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has a gate electrode comprising a conductor layer, a first insulating film and a second insulating film having an etching selection ratio lower than that of the first insulating film, a sidewall comprising the second insulating film formed on the side surface of the gate electrode and an interlayer insulating film coating them.例文帳に追加

導電体層、第１の絶縁膜、第１の絶縁膜よりエッチング選択比の小さい第２の絶縁膜からなるゲート電極と、ゲート電極側面に形成された第２の絶縁膜からなるサイドウォールと、それらを被覆する層間絶縁膜とを有する半導体記憶装置。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

To obtain a hardenable pressure-sensitive adhesive composition having a small volume shrinkage ratio when curing and exhibiting excellent adhesive properties, to prepare a sheet for manufacturing optical discs, which gives an optical disc suppressed in warpage and exhibits excellent adhesive properties to an adherend layer, and to provide an optical disc hardly undergoing warpage and exhibiting excellent interlayer adhesion.例文帳に追加

硬化時の体積収縮率が小さく、接着性に優れた粘接着剤組成物、得られる光ディスクの反りを抑制することができ、被接着層との接着性に優れた光ディスク製造用シート、反りが小さく、層間接着性に優れた光ディスクを提供する。 - 特許庁

To solve a problem that when a film such as a resist film or an interlayer insulating film is conventionally formed, it is difficult to make the film thickness uniform; for example, when an SOD film is formed using a spin coater, the film thickness is nonuniform as shown in Fig.(a), and remains as it is.例文帳に追加

従来のレジスト膜や層間絶縁膜の成膜を行う場合には、膜厚を均一に整えることが難しく、例えばスピンコータを用いるＳＯＤ膜を塗布すると、図９の（ａ）に示すようにＳＯＤ膜の膜厚が不均一になり、この状態がそのまま残る。 - 特許庁

Ultrasonic bonding can be performed, by setting the thickness of an electrode film 7 of a semiconductor chip 100 to 3.5 μm to 10 μm, allowing no crack to be generated in an interlayer insulating film 6 and an n-semiconductor substrate 1, even if a diameter of the bonding wire (aluminum wire 12) is made as thick as 300 μm or more.例文帳に追加

半導体チップ１００の電極膜７の厚みを３．５μｍから１０μｍにすることで、ボンディングワイヤ（アルミワイヤ１２）の直径を３００μｍ以上に太線化しても、層間絶縁膜６やｎ半導体基板１にクラックを発生させることなく、超音波ボンディングできる。 - 特許庁

To provide a photosensitive transfer material used in manufacture of a photomask, in which air bubbles are prevented from entering in lamination and a temporary support is released well from the interface of an interlayer uniformly and with excellent reproducibility subsequent to the lamination on a desired surface of a light transmitting substrate.例文帳に追加

フォトマスクの製造に用いられ、ラミネート時の気泡混入を防止でき、所望の光透過性基材の表面に積層された後の仮支持体の剥離を、中間層との界面において均一かつ再現性よく行い得る感光性転写材料を提供する。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor device includes a first main electrode, a semiconductor layer, a first conductivity type base layer, a second conductivity type base layer, gate trenches, a first conductivity type semiconductor region, a second main electrode, a gate insulator film, a gate electrode, and an interlayer film.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、ゲートトレンチと、第１導電形半導体領域と、第２の主電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間膜とを備えている。 - 特許庁

Hereby, as hydrogen diffused from the interlayer dielectric 7 is trapped in the film 14 and moreover, the effect of the hydrogen trapped in the film 14 is stopped by the film 13 inserted between the film 14 and the element 12, a variation of the characteristics of the element can be inhibited.例文帳に追加

層間絶縁膜から拡散した水素を水素侵入防止膜中にトラップし、さらに、水素侵入防止膜と素子の間に挿入したシリコン酸化膜により、水素侵入防止膜にトラップされた水素の影響を遮断するため、素子の特性変動を抑制することができる。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

After that, a gate insulating film 224, a gate electrode 225, source, channel formation, and drain regions 218a, 218b, and 218c, an interlayer insulating film 226, contact holes 227 and 228, and source and drain electrodes 229 and 230, are formed.例文帳に追加

その後、ゲート絶縁膜２２４を形成し、ゲート電極２２５を形成し、ソース領域２１８ａとチャネル形成領域２１８ｂとドレイン領域２１８ｃを形成し、層間絶縁膜２２６を形成し、コンタクト・ホール２２７、２２８を形成し、ソース電極２２９とドレイン電極２３０を形成する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board 10 having such structure as disclosed above results in forming a plurality of function elements such as a resistor and the like between a plurality of first laminated insulating portions 11 by forming the interlayer connection portion 23 between the first insulating portions 11a and the first insulating portions 11b.例文帳に追加

このような構成の多層プリント配線板１０によれば、第一絶縁部１１ａと第一絶縁部１１ｂとの間に層間接続部２３を形成することで、積層された複数の第一絶縁部１１の間に、抵抗体などの機能素子を形成することができる。 - 特許庁

Thereby, only the second relay layer 400 and the pixel electrode 9aa can be reliably electrically connected without being affected by formation accuracy of the contact hole 85 and patterning accuracy of the second relay layer 400 extended from the contact hole 85 along the surface of a third interlayer insulating film 43.例文帳に追加

これにより、コンタクトホール８５の形成精度及びコンタクトホール８５から第３層間絶縁膜４３の表面に沿って延びる第２中継層４００のパターニング精度等に影響されることなく、確実に第中継層４００及び画素電極９ａａのみを電気的に接続できる。 - 特許庁

To readily and with excellent reliability ensure a contact area between a plug and an upper layer wiring layer even if the upper layer wiring layer is formed in border-less structure, in a semiconductor device of a multilayer wiring structure in which upper and lower wiring layers formed across an interlayer oxide film are connected to each other via the plug.例文帳に追加

層間酸化膜を挟んで形成される上下配線層をプラグを介して接続した多層配線構造の半導体装置において、上層配線層がボーダレス構造となっても、容易で信頼性良くプラグと上層配線層との接触面積を確保する。 - 特許庁

To eliminate, in use of a brace erected on an optional layer within a frame as a suspension member for supporting an intermediate layer, the difference in rigidity between the layer with the brace erected thereon and a layer free from the brace to avoid damage in the layers by interlayer deformation resulting from the difference in rigidity.例文帳に追加

架構内の任意の層に架設されるブレースを、中間層を支持させる吊り材として利用した場合に、ブレースが架設された層と架設されない層との間で剛性の差を生じさせず、剛性の差に起因する層間変形による層内の損傷を回避する。 - 特許庁

An electrode pad 7 and wiring 7' are formed on an interlayer insulating film 4 via a barrier metal film 5, the barrier metal film 5 is left around the electrode pad 7, and a barrier metal eliminated region 6 where the barrier metal film 5 is removed from under the electrode pad 7 is provided on the barrier metal film 5.例文帳に追加

層間絶縁膜４上にバリアメタル膜５を介して電極パッド７および配線７´を形成し、電極パッド７の周囲にバリアメタル膜５が残るようにして、電極パッド７下のバリアメタル膜５が除去されたバリアメタル除去領域６をバリアメタル膜５に形成する。 - 特許庁

Further, it has impurity capture layers 21, 22, 23, 24 containing both or either of chlorine and fluorine in at least one of the upper layer of the multi component glass substrate 1, the upper layer of the contamination-preventing insulating film 21, the upper layer of the gate insulating film 6, and the upper layer of the interlayer isolation insulating film 8.例文帳に追加

さらに、前記多成分ガラス基板１の上層、前記汚染防止絶縁膜２１の上層、前記ゲート絶縁膜６の上層、前記層間分離絶縁膜８の上層の少なくとも一つに、塩素とフッ素の双方または片方を含む不純物捕獲層２１，２２，２３，２４を有している。 - 特許庁