「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

The electromagnetic shielding sheet includes at least: a first shielding layer 1 and a second shielding layer 2 composed so as to shield an electromagnetic wave; and an interlayer 3 by which the first shielding layer 1 and the second shielding layer 2 can be positioned apart at a prescribed distance in a thickness direction.例文帳に追加

電磁波を遮断し得るように構成している第一の遮断層１と第二の遮断層２と、第一の遮断層１及び前記第二の遮断層２とを厚み方向に所定寸法離間させて位置付け得る介在層３とを少なくとも具備していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive relief pattern forming material for which an alkali developer can be used in a development process as a material for a surface protective film or an interlayer insulation film of a semiconductor device, and which ensures a low residual stress because of a low curing temperature and exhibits excellent heat resistance and mechanical characteristics.例文帳に追加

半導体装置の表面保護膜または層間絶縁膜材料用途として、現像工程でアルカリ現像液が使用でき、低いキュア温度により、残留応力が低く、優れた耐熱性、機械特性等を発現するポジ型感光性レリーフパターン形成材料を提供する。 - 特許庁

Then, an area between the gate structures adjacent each other is opened in each of the liner film and an interlayer insulating film in the second area arranged thinly with the gate structures Gb, to form the second contact hole 34r remaining with the liner film having the second film thickness in a bottom part.例文帳に追加

次に、ゲート構造体が疎に配置された第２領域におけるライナー膜及び層間絶縁膜に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第２の膜厚を有するライナー膜が残存する第２のコンタクトホール３４ｒを形成する。 - 特許庁

To provide a polishing composition suitable for chemical machine polishing (CMP) for a semiconductor part such as a semiconductor substrate and an interlayer insulation film and an optical part such as a recording medium part, flattening a surface of an object to be polished and capable of increasing the polishing speed, and a polishing method.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

An area between gate structures adjacent each other is opened in each of the liner film 22b and an interlayer insulating film 23 in the first area arranged densely with the gate structures Gb, to form the first contact hole 28r remaining with the liner film having the first film thickness in a bottom part.例文帳に追加

ゲート構造体Ｇｂが密に配置された第１領域におけるライナー膜２２ｂ及び層間絶縁膜２３に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第１の膜厚を有するライナー膜が残存する第１のコンタクトホール２８ｒを形成する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 303 is formed in a P^-type well region 302, a light-blocking film 315 and a transparent conductive film 321 are formed on the N-type photoelectric conversion region 303 through a second interlayer insulation film 314.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁

The printed wiring board comprises a core substrate 7; coating layers 61, 62 coating the surface; an upper conductive layer 51 and a lower conductive layer 52 provided at the upside and downside of the core substrate and coating layer via them; and an interlayer conductive part 2 for energizing the upper conductive layer and the lower conductive layer.例文帳に追加

コア基板７と，その表面を被覆する被覆層６１，６２と，コア基板及び被覆層を介してその上側及び下側に設けた上側導電層５１と下側導電層５２と，上側導電層と下側導電層との間の電気導通を行うための層間導電部２とからなる。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive resin composition having a sufficient sensitivity, to provide an interlayer insulating film that uses the positive radiation-sensitive resin composition, has a superior melt flow resistance, heat resistance, and solvent resistance and has a superior voltage holding ratio, and to provide a formation method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、十分な感度を有するポジ型感放射線性樹脂組成物、並びにこのポジ型感放射線性樹脂組成物を用い、優れた耐メルトフロー性、耐熱性及び耐溶媒性を有し、電圧保持率に優れる層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material containing a general-purpose DIR coupler capable of producing a high edge effect and a high interlayer effect by releasing a development inhibitor without forming an azomethine dye after a coupling reaction with the oxidized body of a developing agent.例文帳に追加

現像主薬酸化体とのカップリング反応後、アゾメチン色素を形成することなく現像抑制剤を放出することにより、大きなエッジ効果および重層効果を発現することが可能な汎用性の高いDIRカプラーを含有するハロゲン化銀写真感光材料を提供すること。 - 特許庁

A passivation film 3 with an opening K where an Al electrode 1 being formed via an interlayer insulation layer 2 is partially exposed is formed on a wafer, and a wiring layer 7 that is connected to the Al electrode being exposed from the opening K and is exposed onto the wafer is formed.例文帳に追加

層間絶縁層２を介して形成されたＡｌ電極１の一部を露出する開口部Ｋを有したパッシベーション膜３をウエハ上に形成し、前記開口部Ｋから露出する前記Ａｌ電極１と接続され、ウエハ上面に延在する配線層７を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photoelectric conversion device, a first electroconductor arranged in a first hole formed at the first interlayer insulation layer electrically connects a first semiconductor region to the gate electrode of an amplifying MOS transistor not through wiring included in a wiring layer.例文帳に追加

光電変換装置の製造方法において、第１の層間絶縁層に配された第１のホールに配された第１の導電体によって、第１の半導体領域と増幅用ＭＯＳトランジスタのゲート電極とが配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a filler composition for the space between layers which, when used in the three-dimensional stacking of semiconductor device chips, forms a highly thermally conductive interlayer filling layer simultaneously with the bonding of the solder bumps or the like of a semiconductor device chip to the land, a coating fluid, and a process for producing a three-dimensional integrated circuit.例文帳に追加

半導体デバイスチップの３Ｄ積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which level difference in each region on an interlayer insulating film formed on an interconnect line by polishing can be reduced even if a dense region and a sparse region exist in the interconnect line formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線に密の領域と疎の領域とがあったとしても、研磨によって、配線上に形成された層間絶縁膜上における各領域上の段差を少なくすることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the pressure of evaporation gas is easily applied to a corner part of an upper part of the trimming element T and the pressure of the evaporation gas applied to a corner part of a lower part of the trimming element T decreases; thus, the occurrence of a crack 5 in the interlayer insulation film 2 in the lower part of the trimming element T can be prevented.例文帳に追加

その結果、トリミング素子Ｔの上辺のコーナー部に気化ガスの圧力がかかりやすくなり、トリミング素子Ｔの下辺のコーナー部にかかる気化ガスの圧力が小さくなるので、トリミング素子Ｔの下側の層間絶縁膜２のクラック５発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a fuel tube which can make two characteristics such as low fuel permeability and pliability compatible by lamination and allows sufficient interlayer adhesion of an inner layer and an outer layer by self-adhesion without depending on an adhesive as an intermediary or adding it.例文帳に追加

積層によって燃料低透過性と柔軟性という二特性の両立を図ることができるだけでなく、接着剤を介したり含有させたりしなくても、内層と外層とが自己接着により十分な層間接着力で接着している燃料チューブを提供する。 - 特許庁

The insulating film 30 has an interlayer 30b formed of a mixture of a lowermost layer 30a and an uppermost layer 30c between the lowermost layer 30a composed of a bonding coat material such as Ni-Al and Ni-Cr and the uppermost layer 30a composed of alumina or spinel or mullite.例文帳に追加

絶縁被膜３０は、Ｎｉ−ＡｌやＮｉ−Ｃｒ等のボンディングコート材からなる最下層３０ａとアルミナ或いはスピネル或いはムライトからなる最上層３０ｃとの間に、最下層３０ａと最上層３０ｃとの混合体からなる中間層３０ｂを有している。 - 特許庁

Alternatively, the lower layer metallization can be prevented from spreading to an interlayer insulation film by forming a thick metal layer having high electrical conductivity, so as to exhibit high antidiffusion effect of lower layer metallization for embedding a level difference occurring at the opening in the anitidiffusion insulation film.例文帳に追加

また、拡散防止絶縁膜の開口部に生じる段差部を埋め込むように、電気伝導度が高く、かつ、下層配線金属の拡散防止効果の高い金属層を厚く形成することにより、下層配線金属の層間絶縁膜への拡散を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a sidewall structure for reducing failure such as void when an interlayer insulating film is formed even if the clearance between a sidewall formed at the sidewall portion of the gate electrode of an MISFET and the sidewall of an adjacent MISFET is narrow, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極の側壁部に形成されるサイドウォールと、隣接するＭＩＳＦＥＴのサイドウォールとの間隔が狭くても、層間絶縁膜の形成時にボイド等の不良を低減させるためのサイドウォールの構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A via hole 60A formed on a lid plating layer 36a and having the greater part of its bottom formed in a part other than on a through hole 36 is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a via hole 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａの上に形成されているバイアホール６０Ａであって、その底部の大部分がスルーホール３６上以外の部分に形成されるバイアホール６０Ａは、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるバイアホール１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁

The film forming chamber is reduced in pressure, ammonia gas is introduced into the chamber, the specimen is heated as a pretreatment, and then ammonia gas and thin silicon film forming gas are introduced into the chamber, by which a silicon nitride film is formed on the lower electrode 25a and the interlayer insulating film.例文帳に追加

成膜室を減圧かつアンモニアガス雰囲気にした状態で試料に熱を加える前処理をした後、成膜室内にアンモニアガスおよびシリコン系薄膜形成用ガスを導入して、前記下部電極上および前記層間絶縁膜上にシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

An anode electrode 10a and an interlayer insulating layer 10b are laminated in respective patterns by printing on a substrate 10, then a hole carrier layer 11, a luminescent layer 12, an electron carrier layer 13 and a cathode electrode 14 are laminated in this order by a vacuum deposition method using no metal mask.例文帳に追加

基板１０の上に、印刷によりアノード電極１０ａと層間絶縁層１０ｂとを、それぞれのパターンに積層した後に、正孔輸送層１１，発光層１２，電子輸送層１３，カソード電極１４を、この順序で、メタルマスクを用いない真空蒸着法にて積層する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a lower electrode 13 that covers the surfaces of a plurality of grooves 12 provided in a first interlayer insulating film 11, a capacitance insulating film 14 that covers from above the lower electrode 13, and an upper electrode 15 that covers the upper parts of the plurality of lower electrodes by sandwiching the capacitance insulating film 14.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第１の層間絶縁膜１１内に設けられた複数の溝部１２の表面を覆う下部電極１３と、下部電極１３の上を覆う容量絶縁膜１４と、容量絶縁膜１４を挟んで複数の下部電極の上方を覆う上部電極１５とを備えている。 - 特許庁

To provide a prepreg which can give an FRP having neither internal voids nor surface pinholes and excellent in strength and external appearances and further in interlayer peeling resistance even by the molding under a low pressure of only a vacuum pressure without using an autoclave while retaining workability equal to that of a conventional prepreg.例文帳に追加

本発明は、従来のプリプレグ並みの作業性を維持しながら、オートクレーブを用いず、真空圧のみの低圧下での成形においても内部のボイドや表面のピンホールがなく、強度と外観に優れ、更に層間の耐剥離性に優れたＦＲＰを得ることができるプリプレグを提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device has at least one thin-film transistor having a channel region 113n, a semiconductor layer having a crystalline region including a source region and a drain region 112, a gate insulating film 107 provided between a gate electrode 108n and a channel region, and an interlayer insulating film 117 on the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置は、チャネル領域１１３ｎ、ソース領域およびドレイン領域１１２を含む結晶質領域を備えた半導体層と、ゲート電極１０８ｎとチャネル領域との間に設けられたゲート絶縁膜１０７と、半導体層上の層間絶縁膜１１７とを有する少なくとも１つの薄膜トランジスタを備える。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device is performed by a method, wherein a polysilicon film 13 is formed in a contact hole 12 formed in a first interlayer insulating film 11 on a silicon substrate 10, in such a way that the upper part of the film 13 is left in the hole 12.例文帳に追加

シリコン基板１０上の第１の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２に、その上部が残るようにポリシリコン膜１３を形成した後、ポリシリコン膜１３上に堆積されたコバルト膜に対して熱処理を行なって、ポリシリコン膜１３の表面部にコバルトシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁

To provide a laminated varistor excelling in a surge current withstand characteristic by not only effectively preventing occurrence of interlayer separation by improving adhesiveness between a ceramic sintered body having a nonlinear resistance characteristic and an internal electrode but also having the area of the internal electrode further large, in the laminated varistor.例文帳に追加

積層型バリスタにおいて、非直線抵抗特性を有するセラミック焼結体と内部電極との密着性を高めて、層間剥離の発生を効果的に防止するだけでなく、内部電極の面積をより多く保持することによって、サージ電流耐量特性に優れている、積層型バリスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 23 surrounding contact holes 26 for connecting a wiring 21 of a second wiring layer with a wiring 28 of a third wiring layer is constituted using the insulating material having relatively small Young's modulus compared with Young's modulus of the insulating material constituting the insulating film 25 surrounding the wiring groove 27.例文帳に追加

第２配線層の配線２１と第３配線層の配線２８とを接続するための接続孔２６を取り囲む層間絶縁膜２３を、配線溝２７を取り囲む絶縁膜２５を構成する絶縁材料が有するヤング率と比較して、相対的に小さいヤング率を有する絶縁材料で構成する。 - 特許庁

The multilayer wiring board has at least two-layered wiring layers, an interlayer dielectric disposed between the wiring layers, and conductor posts for having continuity between the wiring layers; and the conductor post is of a truncated cone shape with 1 micrometer to 20 micrometers in thickness and 10 micrometers to 200 micrometers in diameter.例文帳に追加

少なくとも２層の配線層と、該配線層間に設けられた層間絶縁膜と、該配線層間を導通させる導体ポストとを有してなる多層配線基板であって、前記導体ポストは、厚さが１マイクロメートルから２０マイクロメートルであり、直径が１０マイクロメートルから２００マイクロメートルの円錐台形である。 - 特許庁

To provide a roughened surface forming resin composition excellent in adhesiveness between a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer, less suffering from the occurrence of cracks during heat cycle, and having good flexibility, heat resistance, moisture resistance, electrical properties and flame resistance, and to provide a highly reliable multilayer printed wiring board and a prepreg for a printed wiring board.例文帳に追加

導体回路と層間樹脂絶縁層との接着性に優れ、ヒートサイクル時のクラック発生が少なく、可撓性が良好で、耐熱性、耐湿性、電気特性、難燃性等に優れた粗化面形成用樹脂組成物、並びにそれを用いた高信頼性の多層プリント配線板及びプリント配線板用プリプレグを提供する。 - 特許庁

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment.例文帳に追加

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。 - 特許庁

At the position where the seal material 5 is contact with a transfer electrode 7 provided in a peripheral region of the array substrate 1, a coating film (a protective film 6 or a gate insulating film 13 and interlayer dielectrics 16 and 17) formed covering a display region of the array substrate 1 is expanded to come into contact with the seal material 5.例文帳に追加

シール材５がアレイ基板１の周辺領域に設けられたトランスファ電極７と接する位置において、アレイ基板１の表示領域を覆って形成された被覆膜（保護膜６、あるいはゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６，１７）がシール材５と接するように拡張されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition capable of obtaining a cured film having high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, capable of forming a pattern with small exposure energy, and used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or clad material of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持つ硬化膜を得ることができ、かつ低い露光量でのパターン形成が可能である、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

To eliminate the need to suppress a film forming temperature in film forming a PZT or the like on a conductive plug, and to make it possible to suppress an inward diffusion of an oxygen generated at the time of the PZT manufacturing to a lower electrode when forming a capacitor on the conductive plug embedded in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に埋め込まれた導電プラグ上にキャパシタを形成する場合、その導電プラグ上にＰＺＴなどを成膜する際の成膜温度を抑える必要性がなく、且つ、ＰＺＴの製造時に生じる酸素の下部電極への内向拡散を抑制することを可能にしようとする。 - 特許庁

The wiring circuit board uses a number of metal protrusions 53(57), which penetrates an interlayer insulating film interposed between metal layers, as the means for connection between upper and lower conductors, wherein the protrusions 53(57) for connection between upper and lower conductors are positioned at cross points of a lattice arranged with fixed intervals.例文帳に追加

金属層間に介在する層間絶縁膜を貫通する金属からなる多数の上下導体間接続用突起５３（５７）を上下導体間接続手段とする配線回路基板において、上下導体間接続用突起５３（５７）を上記一定の間隔をおいて配列された格子の各交点上に配置する。 - 特許庁

This plasma CVD system is equipped with nozzles 11, 12 for forming a film of a material having low relative permittivity, as a protective film on a surface of an interlayer insulating film, having low relative permittivity formed on a semiconductor wafer 18, and a heating means for heating the semiconductor wafer 18 to the predetermined temperature, to form a BN film having low relative permittivity.例文帳に追加

半導体ウェーハ１８に成膜された低比誘電率の配線間絶縁膜の表面に、保護膜としての低比誘電性膜材料を成膜するためのノズル１１、１２と、半導体ウェーハ１８を所定の温度に加熱し、低比誘電率ＢＮ膜を成膜する加熱手段とを備えている。 - 特許庁

To provide epoxy resin compositions that are suitable for being used as an insulating layer of a multi-layer printed wiring board, which can achieve an insulating layer (interlayer insulating layer) whose roughened surface shows a high cohesive force to a plated conductor, even though the roughness of the roughened surface after a roughening treatment is comparatively small.例文帳に追加

多層プリント配線板の絶縁層としての使用に好適なエポキシ樹脂組成物であって、粗化処理後の粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がメッキ導体に対して高い密着力を示す絶縁層（層間絶縁層）を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a gas barrier material which shows a high adhesive strength between a plastic film as a base material and a vapor-deposited film and is free from any visually recognizable phenomenon such as an interlayer release between layers with reliable gas barrier properties and moistureproofness to an oxygen gas, a water vapor and the like and is useful mainly as a packaging material.例文帳に追加

基材としてのプラスチックフィルムと蒸着膜との密着強度に優れ、その層間において層間剥離等の現象が認められず、かつ、酸素ガス、水蒸気等に対するガスバリア性、防湿性等に優れ、主に、包装用材料として有用なバリア性材料を提供することである。 - 特許庁

An injection groove 4 is formed by removing a transparent acrylic resin interlayer insulating film 3, placed between thin film transistors and wiring pattern to drive them on the lower side glass substrate 2 and display pixel electrodes, so as to stand in line with an injection port 35 on a rectangular frame 34 made of a sealing resin to enclose a liquid crystal.例文帳に追加

下側のガラス基板２上の薄膜トランジスタおよびこれを駆動するための配線パターンと表示画素電極との間の透明アクリル樹脂製の層間絶縁膜３を、液晶を囲い込むシール樹脂製の矩形枠３４の注入口３５に連なるように除去して注入溝４を作る。 - 特許庁

The active material comprises micropores which can provide capacity of electric double layer to interlayer of a carbon material, by forming a graphite oxide structure bounded to an oxygen in a part or all of interlayers of the carbon material containing an easily graphitized carbon and then removing a part or all of the oxygen in the interlayers.例文帳に追加

本発明の活物質は、易黒鉛化炭素を含む炭素物の一部または全部の層間に酸素と結合させた酸化黒鉛構造を形成させてから層間内の酸素の一部または全部を除去することにより炭素物の層間に電気二重層の容量発現が可能な微細空孔を有する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a printed wiring board, after holes for interlayer connection are formed in a prepreg, and the holes are filled with an electrically conductive paste, a metal foil or a core material on which a circuit has been formed is arranged on a surface or on both surfaces of the prepreg, and a heating-and-compressing process is conducted to form a laminated wiring board.例文帳に追加

プリプレグに層間接続用の孔加工を施し、この孔に導電性ペーストを充填した後、プリプレグの一面又は両面に金属箔又は回路形成を施したコア材のいずれかを配置し、加熱加圧成形することにより積層一体化する配線板の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which is superior in stability when left uncontrolled after exposure, will not cause pattern dripping during thermal hardening, has properties of a high resolution, high heat resistance, and high transparency after thermal hardening, and which is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film, and a core or a cladding material of a light waveguide.例文帳に追加

露光後放置安定性に優れ、熱硬化中にパターンだれが生じることなく、熱硬化後に高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of first partitioning an inspecting hole forming region 10 in a non-functional region 11b different from an element forming region 11a of a semiconductor wafer 11, and forming a first insulating film 12 having a thickness and a composition equivalent to those of an interlayer insulating film of the region 11a on the region 10.例文帳に追加

まず、半導体ウエハ１１の素子形成領域１１ａとは異なる非機能領域１１ｂに検査用ホール形成領域１０を区画し、検査用ホール形成領域１０に、素子形成領域１１ａの層間絶縁膜と厚さ及び組成が同等の第１の絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 2 laminating a first etching stopper layer 2a, a porous first dielectric constant film 2b, a first cap layer 2c, is formed on a lower layer wiring 1, and a via-hole 4 is also formed with the dry etching method using a resist mask 3 by utilizing a fluorocarbon gas including a large amount of carbon such as C_4F_8.例文帳に追加

下層配線１上に第１エッチングストッパー層２ａ、多孔質の第１低誘電率膜２ｂおよび第１キャップ層２ｃの積層した第１層間絶縁膜２を形成し、Ｃ_４Ｆ_８のような炭素含有量が多いフルオロカーボンガスを用いレジストマスク３を使用したドライエッチングによりビアホール４を形成する。 - 特許庁

In this wiring board 100, first solid conductor layers 126 are formed in the interlayer 136 between a core substrate 110 and a resin insulating layer 122 and first bumps 134b are connected to the first capacitor terminals 115b of the chip capacitors 113 through first via conductors 132b, the first solid conductor layers 126, and first through hole conductors 112b.例文帳に追加

配線基板１００は、コア基板１１０と樹脂絶縁層１２２との層間１３６に第１ベタ導体層１２６を形成し、第１ビア導体１３２ｂと第１ベタ導体層１２６と第１スルーホール導体１１２ｂとによって、第１バンプ１３４ｂとチップコンデンサ１１３の第１コンデンサ端子１１５ｂとを接続させる。 - 特許庁

On a top structural layer 54, made up of a stacked interlayer insulating film, and the like; an opening 92 is formed, a planarizing frame 90 is formed, by using the top metal wiring layer of the top structural layer 54 so as to surround the opening; and the surface of the top structural layer 54 on the outer edge of the opening 92 is planarized.例文帳に追加

層間絶縁膜等を積層して構成され、開口部９２が形成される上部構造層５４には、その最上層の金属配線層を用いて、開口部を取り囲む平坦化フレーム９０が形成され、開口部９２の外縁部における上部構造層５４の表面を平坦化する。 - 特許庁