「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

A test electrode 280 faced via an interlayer insulating film 214 to the other-side end portion 212y of the second electrode 212 and test wiring 29 electrically connected to the test electrode 280 are formed on the substrate 20.例文帳に追加

基板２０上には、第２電極２１２の他方側端部２１２ｙに層間絶縁膜２１４を介して対向する検査用電極２８０と、検査用電極２８０に電気的に接続された検査用配線２９とが形成されている。 - 特許庁

Since the Al-Cu alloy is used for the wiring 18, even if it is used in a high-temperature condition, the highly reliable wiring 18 capable of preventing failure due to diffusion of the wiring material in the interlayer insulating film 12 can be formed.例文帳に追加

配線１８にＡｌ−Ｃｕ合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜１２中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線１８を形成することができる。 - 特許庁

The first, second, and third dummy metal layers 20, 21, 22 are electrically insulated from the semiconductor element and wiring of the integrated circuit region 31 by the first to third interlayer insulating films 12, 14, 16.例文帳に追加

第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２は、集積回路領域３１の半導体素子や配線とは第１乃至第３の層間絶縁膜１２，１４，１６によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

To provide a feed block the maintenance of which is easy because of a simple structure and which dissolves the interlayer instability phenomenon at the time of coextrusion molding to afford a product stable in appearance quality.例文帳に追加

簡単な構造であるのでメンテナンスが容易であるとともに、共押出成形時における層間不安定現象を解消して、外観品質の安定した製品を得ることができるフィードブロックを提供することを目的としている。 - 特許庁

To improve interlayer adhesion strength, and hence to prevent problems of separation, or the like from occurring in reflow treatment, or the like, in a wiring board in a structure where a ceramic dielectric layer and a polymer material dielectric layer are laminated compositely.例文帳に追加

セラミック誘電体層と高分子材料誘電体層とが複合積層された構造を有する配線基板において、層間の密着強度を高め、ひいてはリフロー処理時等における剥がれ等の問題も生じにくくする。 - 特許庁

In the buffer region, the density of flattening pads 134 arranged in the wiring 132 for suppressing roughness of an interlayer insulating film 136 is decreased stepwise as it approaches the light receiving part 72 from the standard value in a region 142.例文帳に追加

緩衝領域では、層間絶縁膜１３６の凹凸を抑制するために配線１３２間に配置される平坦化パッド１３４の密度を領域１４２における標準値から受光部７２に近づくにつれて段階的に下げる。 - 特許庁

To provide a base film for a five-layered dicing sheet which shows high interlayer adhesive strength, excellent distensibility and rack storability/recoverability of the used sheet, in a dicing sheet used during cutting a semiconductor wafer or the like.例文帳に追加

半導体ウェハ等をカット加工する際に使用するダイシングシートにおいて、層間接着強度が強く、より優れた拡張性と使用済み該シ−トのラック収納・回収性とを有する５層のダイシングシ−ト用基体フイルムの提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device preventing damage to other films and film peeling while forming an interlayer insulating film having a dielectric constant of 2.5 or less, in a state that film strength is maintained without deteriorating wiring characteristics.例文帳に追加

他の膜へのダメージや膜剥がれを防ぐとともに、配線特性を劣化させることなく、膜強度を維持した状態で、誘電率２．５以下の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a resin composition which gives a cured item excellent in flexibility and resistances to soldering heat, heat degradation, and nonelectrolytic gold plating, can be developed with an organic solvent or a dilute alkali solution, and is suitable for a solder resist and an interlayer insulation layer.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用、層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

An interlayer film 3, which is formed for covering a base pattern 1 on a substrate 2 and has a protrusion 3a corresponding to the base pattern 1 is planarized, by polishing for a previously calculated time t from the start of polishing, until the completion.例文帳に追加

基板２上の下地パターン１を被覆するよう形成され且つ下地パターン１に対応した凸部３ａを有する層間膜３を、予め算出された研磨開始から終了までの時間ｔの間研磨して平坦化する。 - 特許庁

Afterwards, after forming a through hole 102 to penetrate through the interlayer insulating layer 5, etching is applied on the buffer layer 4 so that a residual material 103 containing at least one kind of material out of two kinds or more of materials will remain.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜５を貫通する貫通孔１０２を形成した後、２種類以上の物質のうちの少なくとも１種の物質を含む残留物１０３が残存するように、緩衝層４をエッチングする。 - 特許庁

A manufacturing method is provided with a reduction process for reducing an aspect ratio of a partial region between gate electrodes and diffusion layers made to be lower than that of a region, except for the partial region between the gate electrodes, prior to the formation of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。 - 特許庁

Next, a plurality of contact plugs 20 are formed in the interlayer dielectric 19 so as to be connected to the control gate 11 of the nonvolatile memory cell, the source or the drain 17 of the nMOS transistor, and the source and the drain 18 of the pMOS transistor, respectively.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１９中に、夫々、不揮発性メモリセルのコントロールゲート１１、ｎＭＯＳトランジスタのソース又はドレイン１７、ｐＭＯＳトランジスタのソース又はドレイン１８に接続される複数個のコンタクトプラグ２０を形成する。 - 特許庁

To provide a stator in which an interlayer insulating material is not damaged easily at the coil end during a coil end shaping process or a lacing process and high insulation performance can be ensured, and to provide an insulation method between the coil phases in the stator.例文帳に追加

コイルエンドの成形工程やレーシング工程などの際に、コイルエンドにおける相間絶縁材が破損を生じ難く、高い絶縁性能を確保することのできるステータと該ステータにおけるコイル相間の絶縁方法を提供する。 - 特許庁

To attain the stable interlayer jump in a short time for applying the focus control to each recording layer of a disk having the plural recording layers in such a manner that the effect is not absorbed by the external disturbance or the change of the moving speed of an objective lens.例文帳に追加

複数の記録層を有するディスクの各記録層にフォーカス制御をかけるための層間ジャンプを、外乱や対物レンズの移動速度の変化に影響を吸収されず、短時間で安定に行なえるようにする。 - 特許庁

Contact members 25 and 25 penetrate the interlayer insulating film 23 and the coating film 21 vertically above each source/drain diffusion region 13a, 13b and are connected electrically with the source/drain diffusion regions 13a and 13b.例文帳に追加

各ソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂ上でそれぞれ層間絶縁膜２３と被覆膜２１とを上下方向に貫通してそのソース／ドレイン拡散領域１３ａ，１３ｂに電気的に接続されたコンタクト部材２５，２５とを備える。 - 特許庁

On an interlayer insulation film 121 of an underlying metallization layer (not shown), a capacitor element C1 is formed of a capacitor insulation film 14 and an overlying metal pattern 15 in a specified region on a specified metallization metal 13.例文帳に追加

直下のメタル配線層（図示せず）の層間絶縁膜１２１上において、所定の配線層メタル１３上の所定領域にキャパシタ絶縁膜１４及びその上のメタルパターン１５とで構成される容量素子Ｃ１を有する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 43 electrically insulates a drive power supply line 93, including the branched line 93y from a common potential line 91, including the branched line 91y, as well as, acts as dielectric film of a capacitance C1.例文帳に追加

層間絶縁膜４３は、分岐配線９３ｙを含む駆動電源線９３及び分岐配線９１ｙを含む共通電位線９１間を電気的に絶縁すると共に容量Ｃ１の誘電体膜として兼用されている。 - 特許庁

The capacitive element region C includes: a plurality of capacitance lines CpL1-CpL4 laminated on a semiconductor substrate; and a plurality of interlayer insulating layers formed between the upper and lower portions of the plurality of capacitance lines CpL1-CpL4.例文帳に追加

容量素子領域Ｃは、半導体基板上に積層された複数の容量線ＣｐＬ１〜ＣｐＬ４と、それら複数の容量線ＣｐＬ１〜ＣｐＬ４の上下間に形成された複数の層間絶縁層とを備える。 - 特許庁

To provide an interlayer for a laminated glass and the glass, by using which no moire patterns appear or they only appear to a practically negligible extent, and which is excellent in handling and deaeration quality.例文帳に追加

モアレ模様が出現しないか、モアレ模様が出現しても実質的に問題とならない程度に軽減され、さらに取り扱い性及び脱気性にも優れた合わせガラス用中間膜及びそれを用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of interfacial delamination of a hydrophobic membrane to be used for interlayer dielectrics and a hydrophilic membrane to be used for a liner membrane or a barrier membrane in a multilayer wiring structure using the hydrophobic membrane like a low-k membrane.例文帳に追加

ｌｏｗ−ｋ膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in heat resistance as the surface protective film and interlayer dielectric of a semiconductor device, having excellent electrical characteristics, mechanical characteristics, etc., and also having high sensitivity and high resolution and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜として、耐熱性に優れ又卓越した電気特性、機械特性等を有し、高感度かつ高解像度であるポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulation layer 20 comprises a first insulation layer 30, a second insulation layer 50 formed on the first insulation layer 30, and an intermediate layer 40 formed between the first insulation layer 30 and the second insulation layer 50.例文帳に追加

層間絶縁層２０は、第１の絶縁層３０と、第１の絶縁層３０の上に設けられた第２の絶縁層５０と、第１の絶縁層３０と第２の絶縁層５０との間に設けられた中間層４０とを有する。 - 特許庁

To provide a windshield which can have a reduced thickness difference in spite of its two unparallel principal planes, has an optical strain not or hardly recognizable by the driver and to provide an interlayer suitable for manufacturing such windshield.例文帳に追加

２つの主面を非平行としながらも厚さの差を小さくでき、しかも光学的な歪が運転者に視認されない、または視認されにくいウインドシールドと、そのようなウインドシールドを製造するのに適した中間膜とを提供する。 - 特許庁

A conductive field plate forming a capacitance between the conductive field plate and the resistive field plate is formed on a gap by a plurality of the peripheral field plates when a voltage is applied between the first and second main electrodes through an interlayer insulating film.例文帳に追加

複数の周回フィールドプレートによる間隙上には層間絶縁膜を介して第１及び第２の主電極間への電圧印加時に、抵抗性フィールドプレートとの間で容量を形成する導電性フィールドプレートを設ける。 - 特許庁

To make an organic polymer film of an interlayer dielectric to be porous without cutting the bridging portion of an organic polymer, and to uniformly disperse discontinuous holes having the size of a molecule level in the organic polymer film.例文帳に追加

層間絶縁膜となる有機高分子膜を有機高分子の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させる。 - 特許庁

To provide a non-asbestos hydraulic sheet useful particularly as a building material and capable of securing sufficient interlayer adhesive strength and dimensional stability without using asbestos and remarkably increasing the cost.例文帳に追加

特に有用な建築材料である水硬性抄造板であって、アスベストを使用しない、大幅なコストアップを伴うことなく、層間密着強度及び寸法安定性が充分に確保されたノンアスベスト水硬性抄造板を提供する。 - 特許庁

The polyolefin composite resin composition is obtained by melt kneading a composition comprising (A) a phyllosilicate, (B) an interlayer dilating agent, and (C) a silane compound having an unsaturated bond and/or a reactive functional group with (D) a polyolefin resin.例文帳に追加

層状珪酸塩（Ａ）、層間拡張剤（Ｂ）及び、不飽和結合及び／又は反応性官能基を有するシラン化合物（Ｃ）からなる組成物とポリオレフィン系樹脂（Ｄ）を溶融混練してなるポリオレフィン系複合樹脂組成物である。 - 特許庁

To obtain a new adamantane tricarboxylic acid derivative capable of forming highly crosslinked polybenzazole polymers which are useful as insulating film-forming materials capable of easily forming film thicknesses especially required for interlayer insulating film uses.例文帳に追加

高い架橋度を有するポリベンズアゾール類を構成でき、特に層間絶縁膜用途として必要とされる膜厚を容易に形成しうる絶縁膜形成材料として有用な新規なアダマンタントリカルボン酸誘導体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device causing no interfacial delamination between a gate electrode and an interlayer insulating film and no damage to an irradiated object regardless of high speed heating by light irradiation for activation.例文帳に追加

活性化のための光照射による急速加熱を行っても、ゲート電極と層間絶縁膜の界面剥離や、被照射物に損傷を与えることのない半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The interlayer connection bonding sheet (100a) for a multilayer wiring board is formed by laminating an adhesion layer (20a) containing alkenylphenol, maleimides, and an inorganic filler on at least one side surface of an insulating base (10) composed of a resin composite.例文帳に追加

樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）の少なくとも片面にアルケニルフェノール、マレイミド類、及び無機充填材を含有する接着層（２０ａ）が積層されている、多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）。 - 特許庁

Thereafter, oxygen or hydrogen is bonded to a dangling bond of a semiconductor thin film 34 constituting the TFT 40, 43 by subjecting the resulting structure to heat treatment in a water atmosphere, and the interlayer insulating film 44 is made to be dense.例文帳に追加

その後、水分雰囲気中において熱処理を行うことによりＴＦＴ４０、４３を構成する半導体薄膜３４のダングリングボンドに酸素または水素を結合させると共に、層間絶縁膜４０の緻密化を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second conductive layer 10a is formed below the reflection electrode 13 in the region corresponding to the reflection electrode 13 through the interlayer insulating film while a great number of holes are formed in the layer to produce recesses and projections.例文帳に追加

反射電極１３の下方には、層間絶縁膜を介して反射電極１３に対応する領域に積層されると共に多数の穴が開孔されることにより凹凸状に形成された第２導電層１０ａを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing warpage deformation in a semiconductor substrate in a configuration, where an interlayer insulating film having a relatively large thickness is formed on the semiconductor substrate (semiconductor wafer), and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板（半導体ウエハ）上に比較的大きな厚さの層間絶縁膜が形成される構成において、半導体基板に反り変形が生じることを抑制できる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 5 on a cobalt silicide film 4 on a semiconductor substrate 1 is etched, and a barrier metal film 106 and a further tungsten film 7 are deposited by inorganic CVD method, and a first W plug 108 is formed.例文帳に追加

半導体基板１上のコバルトシリサイド膜４上の第１の層間絶縁膜５をエッチングして、無機ＣＶＤ法によるバリアメタル膜１０６、更にタングステン膜７を堆積して第１のＷプラグ１０８を形成する。 - 特許庁

This self-adhesive tape has a self-adhesive layer containing a lipophilic layered clay mineral on a base sheet, wherein the layered clay mineral is exfoliated and dispersed, and the interlayer distance of the layered clay mineral is 50 Å or larger.例文帳に追加

本発明の粘着テープは、親油性の層状粘土鉱物を含む粘着剤層を基材シート上に有し、該層状粘土鉱物が剥離分散しており、該層状粘土鉱物の層間距離が５０Å以上である。 - 特許庁

To provide a vulcanizing adhesive composition which can improve interlayer adhesiveness between acrylic rubbers and metals without subjecting the metals to a surface treatment, for example, a blast treatment, a primer treatment, or a chemical conversion treatment such as a zinc phosphate treatment.例文帳に追加

金属にリン酸亜鉛処理などの化成処理、ブラスト処理あるいはプライマー処理といった表面処理を行うことなく、アクリルゴムと金属との層間接着性を改善せしめる加硫接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can let a gate electrode include a conductive material having a preferable work function and need not consider a relationship in etching condition between component materials of the gate electrode and an interlayer insulating layer.例文帳に追加

ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

When desired wiring patterns 2 and 5 are formed on a plurality of layers via an interlayer insulating layer 4, layers 3, 6 and 9 of different types of metals are formed on surfaces or bottoms of the patterns 2 and 5 to prevent the occurrence of ion migration.例文帳に追加

層間絶縁層４を介して複数層に所要の配線パタ−ン２，５を形成する場合に、配線パタ−ン２，５の表面又は底部に層間絶縁層４とイオンマイグレ−ションを起こさない異種金属層３，６，９を形成する。 - 特許庁

The bottom of a groove 12a formed at when a machining is stopped is irradiated with the plasma of a gas containing fluorine by stopping the machining once without forming the wiring groove 12 to an interlayer insulating film 3 by one-time machining.例文帳に追加

一回の加工によって層間絶縁膜３に配線溝１２を形成するのではなく、一旦加工を停止して、その時点で形成されている溝１２ａの底部に向けてフッ素を含有するガスのプラズマを照射する。 - 特許庁

Subsequently, after interlayer insulating films 7 are formed on the upper layers of the semiconductor substrate 1 and the gate electrode 4, a plurality of contact plugs 8 are formed to secure the electrical connection of the source-drain diffusion regions 6 with the gate electrode 4.例文帳に追加

その後、半導体基板１及びゲート電極４の上層に層間絶縁膜７を形成した後、各ソース・ドレイン拡散領域６及びゲート電極４夫々との電気的接続を確保する複数のコンタクトプラグ８を形成する。 - 特許庁

This interlayer insulating adhesive is characterized by containing the first epoxy resin, the second epoxy resin different from the first epoxy resin, a polyether sulfone resin, silica and a phosphine oxide compound as essential components.例文帳に追加

本発明の層間絶縁接着剤は、第１のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂とは異なる第２のエポキシ樹脂と、ポリエーテルサルホン樹脂と、シリカと、ホスフィンオキサイド化合物とを必須成分とすることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a polishing agent and a high speed polishing method, by which a high speed polishing is realized with sufficient planarity as it is without causing a polishing scratch, in a CMP (chemical mechanical polishing) technology for flattening an interlayer insulating film and a shallow trench separation insulating film and the like.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜などを平坦化するＣＭＰ技術において、研磨傷を発生させず、平坦性が良いまま高速研磨を行うことを可能にする研磨剤及び研磨法を提供する。 - 特許庁

A flattening film (a color filter 109 and a transparent organic interlayer insulating film 111) making the outermost surface 121 are formed to cover the TFT 120 as well as to make the outermost surface 121 in almost equal height to the top face of the protruding pattern 115.例文帳に追加

最表面１２１を形成する平坦化膜（カラーフィルター１０９と透明有機層間絶縁膜１１１）を形成し、ＴＦＴ１２０を覆うと共に、最表面１２１を凸パターン１１５の頂面とほぼ同じ高さにする。 - 特許庁