「laser structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The laser also has impurity-diffused areas 111 formed on the end faces of the laser by performing solid-phase Zn diffusion for forming the end-face window structures.例文帳に追加

１１１はレーザ端面に端面窓構造を形成するためにＺｎの固相拡散により設けられた不純物拡散領域である。 - 特許庁

The semiconductor laser includes a first light emitting element 10 having a laser structure 12 on a substrate 13, a second light emitting element 20 having laser structures 22A and 22B on the substrate 23, and a supporting substrate 30.例文帳に追加

基板１３上にレーザ構造１２を有する第１発光素子１０と、基板２３上にレーザ構造２２Ａ，２２Ｂを有する第２発光素子２０と、支持基体３０とを備える。 - 特許庁

To improve oscillation efficiency of a slab type solid-state laser by improving the excitation lamps of the laser and their peripheral structures, and causing a solid-state laser medium to efficiently absorb the energy of exciting light.例文帳に追加

スラブ型固体レーザ装置の励起ランプ，およびその周辺構造を改良し、励起光エネルギーを固体レーザ媒質に効率よく吸収させて発振効率の向上化を図る。 - 特許庁

A laser structure forming an annular active region 12A and a laser structure similarly forming an annular active region 12B are provided, and the laser structures are connected optically.例文帳に追加

リング形状の活性領域１２Ａをなすレーザ構造と、同じくリング形状の活性領域１２Ｂをなすレーザ構造とを備え、これらのレーザ構造が光学的に結合されている。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser having a plurality of current constriction structures with assured reliability of elements, a manufacturing method for the surface emitting laser, and an image forming apparatus.例文帳に追加

素子の信頼性を確保した複数の電流狭窄構造を有する面発光レーザ、該面発光レーザの製造方法、画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Since the space between the structures A and B is filled with the embedding layer 32, planarity of the semiconductor laser 30 and a semiconductor laser array 10 is enhanced.例文帳に追加

このように構造部Ａ，Ｂ間が埋め込み層３２によって埋められることで、半導体レーザ３０及び半導体レーザアレイ１０の平坦性が向上する。 - 特許庁

The structures are created in the photoresist by transmitting the laser light through the substrate up into the photoresist.例文帳に追加

レーザ光を基板を通してフォトレジストに上向きに伝達することにより、フォトレジスト内に構造が形成される。 - 特許庁

This laser array has a plurality of stripe structures in one LD chip and p-electrodes on the p-type contact layers which become the uppermost layers of the stripe structures.例文帳に追加

特に、この窒化物半導体レーザアレイは、１つのＬＤチップに複数のストライプ構造を備え、かつストライプ構造の最上層となる各ｐ型コンタクト層に、ｐ電極を有する。 - 特許庁

To provide a plastic material having structure sites whose structures are changed by the irradiation of laser light.例文帳に追加

レーザーの照射により構造が変化した部位を有するプラスチック構造体の加工に適したプラスチック材料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser provided with a plurality of semiconductor laser elements having different compound semiconductor layers constituting light emitting structures in a monolithic structure.例文帳に追加

発光構造を構成する化合物半導体層が相互に異なる、複数個の半導体レーザ素子をモノリシック構造で備えた半導体レーザ装置を提供する。 - 特許庁

To simplify formation of an electrical contact to a laser diode array, avoid the use of special structures, and mount a heat sink to the laser diode array by eliminating a sapphire substrate after laser diode array structure is grown.例文帳に追加

レーザダイオードアレイ構造の成長後にサファイア基板を除去して、レーザダイオードアレイへの電気的コンタクトの形成の簡略化と特別な構造の使用の回避、更に優れたヒートシンクのレーザダイオードアレイへの取り付けを、可能にする。 - 特許庁

To provide a correction method for measurement values of a laser interferometer that does not require a laser interferometer for correcting measurement values, other than a laser interferometer where the measurement values are corrected, and that has a different structure from the conventional structures.例文帳に追加

計測値が補正されるレーザ干渉計の他に、計測値を補正するためのレーザ干渉計を設置する必要がなく、従来の構成と異なるレーザ干渉計の計測値の補正方法を提供する。 - 特許庁

The invention relates to the compounds having a specific benzothiazole structure applicable to short wave length laser beam, and having structures represented by formula (I)-(IV).例文帳に追加

短波長レーザー光に適用できる特定なベンゾチアゾール構造を有する化合物である、下式（Ｉ）〜（IV）の化合物に関する。 - 特許庁

The semiconductor laser element is constituted by forming a pair of laminated structures each of which is composed of a first-conductivity clad layer and an active layer and has a triangular cross section on a mask layer having selectively formed openings and second-conductivity clad layers on the structures.例文帳に追加

よって、本発明は、特にＧａＮ系半導体を用い、傾斜結晶層を有する半導体素子でレーザー発振を実現する素子構造を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser integrated element capable of highly accurately aligning the optical axes of a plurality of semiconductor laser structures having different output wavelengths, and to provide a method for manufacturing the element.例文帳に追加

出力波長が互いに異なる複数の半導体レーザ構造の光軸を精度よく合わせることができる半導体レーザ集積素子及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

The periodical structure formed by the laser beams can form a plurality of very fine periodical structures on a workpiece 105 by laser beams 103 polarized in a plurality of deflection directions for the purpose of following the polarizing direction of the laser beams.例文帳に追加

レーザ光によって形成される周期構造は、レーザ光の偏光方向に従うため、複数の偏光方向に変更されたレーザ光１０３は加工対象物１０５に複数の微細な周期構造を形成することができる。 - 特許庁

To provide a laser diode capable of aligning polarization directions of light beams emitted from a plurality of laser structures and also changing a polarization direction of a light beam emitted from a single laser structure to a desired direction.例文帳に追加

複数のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を揃えたり、単一のレーザ構造部から射出される光の偏光方向を所望の方向に向けたりすることの可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Furthermore the first and second laser parts 41 and 42 are provided with current-constricted layers 61 and 62 at the tops of the laminated structures, respectively.例文帳に追加

また、第１のレーザ部４１及び第２のレーザ部４２は、それぞれ、積層構造の上部に電流狭窄層６１、６２を有する。 - 特許庁

In the method for fabricating a quantum dot formation surface, a plurality of quantum dot structures having quantum dot shape are simultaneously formed on the surface of the solid material with one batch of laser irradiation by applying laser irradiation to the surface of the solid material, and the quantum dot structures are periodically arrayed on the surface of the solid material.例文帳に追加

本発明の量子ドット形成表面の製造方法においては、固体材料の表面にレーザー照射を施して、該表面に量子ドット形状を有する量子ドット構造を１バッチの照射で複数個同時に形成し、かつ、前記量子ドット構造を周期配列させる。 - 特許庁

To provide a laser toner including optical effect taggent flakes or other structures in a binder suitable for binding particles to a substrate.例文帳に追加

支持体に粒子を結合させるのに適した結合剤の中に光学効果タゲント・フレークまたは他の構造物を含むレーザ・トナーを提供する。 - 特許庁

Using these multilayer structures, devices can be obtained including a metal paste transistor 1, a vertical cavity surface emitting laser, a magnetoresistance film, and a resonance tunnel diode.例文帳に追加

これらの多層構造体によれば、金属ベーストランジスタ１、面発光レーザ、磁気抵抗膜および共鳴トンネルダイオードなどのデバイスが得られる。 - 特許庁

To simultaneously form end-face window structures at the time of integrating a plurality of semiconductor laser chips having different wavelengths on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上に複数の波長の異なる半導体レーザ装置チップを集積する場合において、同時に端面窓構造を形成する。 - 特許庁

Each of the first and second semiconductor laser elements has a ridge structure, the ridge crestal planes of the ridge structures are positioned on almost the same height from a datum surface of the semiconductor substrate layer, and these ridge structures are simultaneously formed.例文帳に追加

第１、第２の各半導体レーザ素子はそれぞれリッジ構造を有し、これらの各リッジ構造のリッジ頂面が、半導体基板層の基準面からほぼ同じ高さに位置し、これらのリッジ構造が同時に形成される。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser having a plurality of current confinement structures and a method for producing the same, having less error in production and ensuring reliability of an element.例文帳に追加

作製誤差が少なく、かつ、素子の信頼性を確保できる複数の電流狭窄構造を持つ面発光レーザおよびその製法を提供する。 - 特許庁

The substrate 13 of the first light emitting element 10 and the laser structures 22A and 22B of the second light emitting element 20 are electrically connected to the supporting substrate 30.例文帳に追加

第１発光素子１０の基板１３側および第２発光素子２０のレーザ構造２２Ａ，２２Ｂ側が支持基体３０と電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide an avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser which is easily manufactured by including a simple compact structure which consists of a little laminated structures.例文帳に追加

少ない数の積層構造からなる単純なコンパクト構造を有し、これにより、製造が容易なアバランシェ量子サブバンド遷移半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A VCSEL 10 includes a structure 30 for emitting laser light and structures 40-1 through 40-8 for countermeasure against ESD on a substrate 12.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、基板１２上にレーザ光を出射する構造体３０と、ＥＳＤ対策用の構造体４０−１〜４０−８を含んでいる。 - 特許庁

Further, structures attached to the mirror holder 10 are remarkably simplified and miniaturized because the small laser chip 50 is disposed on the end part of the supporting shaft 12.例文帳に追加

また、支軸１２の端部に小さなレーザチップ５０を配する構成であるため、ミラーホルダ１０に付加される構成を極めて簡素かつ小型化することができる。 - 特許庁

To provide a laser machining method which can cut the object accurately even when the object to be machined contains various lamination structures.例文帳に追加

加工対象物が種々の積層構造を有する場合においても加工対象物を高精度に切断することのできるレーザ加工方法を提供する。 - 特許庁

Plural laser structures which have their stripe width W restricted by a refractive index waveguide structure or current stricture structure are stacked across a substrate 21.例文帳に追加

ストライプ幅Ｗが屈折率導波構造もしくは電流狭窄構造により制限された複数のレーザ構造を基板21を挟んで積層する。 - 特許庁

The surface of the heat radiating structure is smoothed by such a degree with which uneven structures still remain by the fusion or electropolishing by reheating executed by laser beam irradiation.例文帳に追加

放熱構造の表面を、レーザ光照射での再加熱による溶融または電解研磨により、凹凸構造がなくならない程度に平滑化する。 - 特許庁

Preferably the optical effect taggent structures have a substantially same shape or same indicia within the binder sized to be suitable for laser printing.例文帳に追加

好適には、光学効果タゲント構造物は、レーザ印刷に適した大きさの結合剤内で実質的に同じ形状または同じ目印を有する。 - 特許庁

On the surface of a magnetic recording medium 6 having at least a magnetic film formed on a substrate, plural projected structures are formed by laser beam irradiation and, by these projected structures, a marking 7 is formed to be visually identified.例文帳に追加

基板上に少なくとも磁性膜が形成された磁気記録媒体６表面に、レーザ光を照射することによって突起状構造体を複数形成し、これら突起状構造体により目視により識別可能なマーキング７を形成する。 - 特許庁

When performing noncontact measurement for structures with laser beam by the use of a paint bullet to form an object plane for noncontact measurement, the object plane can be formed by impacting and adhering a retroreflective coating on the structures.例文帳に追加

非接触計測対象面形成用ペイント弾において、レーザー光を利用した構造物の非接触計測を行う際、再帰性反射塗料を前記構造物に着弾させ付着させることにより、非接触計測対象面を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser 30 is provided with two semiconductor laser elements which have laminated structures formed of different materials and p-side electrodes having the same height and are formed in a monolithic structure on a common substrate and the laser 30 is mounted on a sub-mount substrate.例文帳に追加

本半導体レーザ装置３０は、それぞれの積層構造の材料が相互に異なり、ｐ側電極が同じ高さで、共通の基板上にモノリシック構造で形成された２個の半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置であって、サブマウント基板上に装着されている。 - 特許庁

A DFB laser having a pin structure and an EA modulator having the pin structure are constituted on a common substrate 11, and the active-layer structures 13 and 19 of both elements are abutted and jointed.例文帳に追加

共通の基板１１上にpin構造のＤＦＢレーザとpin構造のＥＡ変調器が構成され、両素子の活性層構造１３，１９が突合せ接合されている。 - 特許庁

A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁

To provide a laser beam machining method by which objective materials to be machined can be cut-off with high accuracy even in the case the objective materials to be machined have various laminate structures.例文帳に追加

加工対象物が種々の積層構造を有する場合においても加工対象物を高精度に切断することのできるレーザ加工方法を提供する。 - 特許庁

The size of such fine structures is positively correlated with the wavelength of the laser beam applied; by selecting the wavelength the size of the fine structure can be controlled.例文帳に追加

こうした微細構造のサイズは、照射するレーザーの波長と正の相関関係があり、波長を選択することで微細構造のサイズを制御することができる。 - 特許庁

On a nitride semiconductor substrate 10 of AlN, element structures 103-111 having a nitride semiconductor layer containing Al are formed to produce a laser element.例文帳に追加

ＡｌＮからなる窒化物津半導体基板１０１の上に、Ａｌを含む窒化物半導体からなる層を有する素子構造１０３〜１１１が形成されたレーザ素子とする。 - 特許庁

To prevent abnormal growth that occurs during second epitaxial growth by removing failure when substrate cleaning before the second epitaxial growth, during a manufacturing process of a compound dual wavelength laser product including two laser structures within a single chip.例文帳に追加

１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。 - 特許庁

In the first and second light emitting elements 10 and 20, their laser structures 12, 22A and 22B are stacked in this order on the supporting substrate 30 while they are facing each other.例文帳に追加

第１発光素子１０および第２発光素子２０は、それぞれのレーザ構造１２，２２Ａ，２２Ｂが対向する態様で支持基体３０上にこの順に重ねて配設されている。 - 特許庁

To carry out preventive maintenance and repair for in-reactor structures securely through laser-light irradiation by positioning an object easily, quickly and accurately by remote control from above a reactor.例文帳に追加

原子炉上方からの遠隔操作によって容易、迅速に、かつ正確に位置決めを行ない、確実にレーザ光の照射による原子炉内構造物の予防保全、補修を行なう。 - 特許庁

The invention also allows complicated frame structures to be easily formed from planar sheets of starting material, such as through laser cutting, stamping, photo-etching, or other cutting techniques.例文帳に追加

本発明は、複雑なフレーム構造が、レーザー切断、抜き打ち、フォト−エッチング、又は他の切断技術によるなどの、開始素材の平面シートから容易に形成される事も、可能にする。 - 特許庁

To provide a laser beam lithographic method which enables the manufacture of molded products having various shapes and structures without the need to mold extra components such as a support part and with excellent molding cycle.例文帳に追加

多様な形状・構造の造形物を、サポート部分等の余分な部品の成形を必要とすることなく、しかも優れた成形サイクルで製造することを可能にする光造形法を提供する。 - 特許庁