「laser-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a label for laser etching in which a desired color is easily made to appear on a label surface without strictly controlling an output of laser.例文帳に追加

レーザーの出力制御を厳密に行わなくとも、容易に所望の色がラベル表面に現れるレーザーエッチング用ラベルを提供すること。 - 特許庁

Further, the laser processing method carries out various laser processings of a processing, reforming or film formation, such as a perforation, etching, doping or annealing, with respect to a processing object (work 26) by using a laser energy generated to a related laser processing device.例文帳に追加

また、レーザ処理方法は、係るレーザ処理装置に発生させたレーザエネルギを用いて被処理物（ワーク２６）に対し、穿孔、エッチング、ドーピング、アニール等、加工・改質・成膜等の各種のレーザ処理を行う。 - 特許庁

An etching stop layer 30 of an AlGaInP-based semiconductor laser is composed of an AlInAs mixed crystal.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザのエッチングストップ層３０を、ＡｌＩｎＡｓ混晶により構成する。 - 特許庁

To form a ring semiconductor laser in structure which has only a mirror part etched deeply by single etching.例文帳に追加

一回のエッチングによって、ミラー部のみが深くエッチングされた構造の半導体リングレーザを形成する。 - 特許庁

A temperature difference among the average temperature of a substrate immediately before being supplied into a laser etching device for photoelectric conversion layer, cleaning water temperature in a substrate cleaner immediately before a laser etching device for transparent electrode layer and the cleaning water temperature of the substrate cleaner immediately before a laser etching device for a rear electrode layer is specified not to be larger than ±10°C.例文帳に追加

光電変換層用レーザーエッチング装置に投入される直前の基板平均温度、透明電極層用レーザーエッチング装置の直前の基板洗浄器の洗浄水温度、及び裏面電極層用レーザーエッチング装置の直前の基板洗浄器の洗浄水温度、の温度差が±１０℃以下になるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit board which effectively improves positioning accuracy in laser etching process.例文帳に追加

レーザーエッチング過程の位置決め精度を有効に向上させる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method and a device for manufacturing a photovoltaic device, performing fine laser patterning on an etching resistant film by means of a laser beam having a large focused spot size.例文帳に追加

集光スポットサイズの大きいレーザビームで耐エッチング膜に微細なレーザパターニングを行う光起電力装置の製造方法及び製造装置を得ること。 - 特許庁

The etching mask has a laminated structure composed of an optical absorption layer and an insulating layer and is formed by use of laser ablation through the irradiation of laser beam via a photomask.例文帳に追加

エッチングマスクは、光吸収層と絶縁層の積層構造からなり、フォトマスクを介したレーザビームの照射によるレーザアブレーションを利用して形成する。 - 特許庁

Holes 5 are bored in the insulating base material 2 by the use of the conductor layer 1 with the holes 4 as a mask layer through a laser processing method, a plasma etching method, or a wet etching method.例文帳に追加

この孔４を有する導体層１をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング手法又はウエットエッチング手法で絶縁べ−ス材２に孔５を形成する。 - 特許庁

A conduction hole 7 is then bored at a specified position of the insulating base material 4 machined thin through plasma etching, wet etching or laser machining means.例文帳に追加

そして、薄く加工した絶縁べ−ス材４の所定の箇所に再度プラズマエッチング又はウエットエッチング加工或いはレ−ザ−加工手段で導通用穴７の加工を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor laser element capable of preventing side etching from progressing to a side wall of a GaAs cap layer when performing etching for forming a ridge part.例文帳に追加

リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device with high power generation efficiency in which laser etching is easy.例文帳に追加

レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ink channels 16 are formed in a nozzle member 30 composed of a polymer material by laser beam etching.例文帳に追加

インク流路１６は、レーザ融蝕により、重合体物質からなるノズル部材３０に形成されたものである。 - 特許庁

Formed by etching processing, the convex portion can be formed without cutting unlike laser processing.例文帳に追加

エッチング処理によって形成されているため、レーザー加工のように裁断することなく凸部を形成することができる。 - 特許庁

MOLDING WITH MULTI-COLOR DESIGN AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND LASER ETCHING TRANSFER FOIL USED IN THIS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

多色意匠を有する成形品とその製造方法、およびその製造方法に用いるレーザーエッチング転写箔 - 特許庁

When the intensity of the laser beams is determined to be sufficiently small and thus the etching reaction on the surface of the wafer 2 is determined not to be affected thereby, the intensity of the laser beams is kept at a constant level (S107) and monitoring on etching of the surface of the wafer 2 is continued.例文帳に追加

レーザ光の光強度が充分小さく、ウエハ２表面のエッチング反応に影響を及ぼさなくなると判別した場合、レーザ光の光強度を一定に保ち（Ｓ１０７）、ウエハ２表面のエッチングをモニタリングし続ける。 - 特許庁

This two-wavelength semiconductor laser device is manufactured by integrating a first semiconductor laser element 1 and a second semiconductor laser element 2 on a substrate 10 composed of a compound semiconductor, wherein a constituting material for an etching stop layer 15 of the first semiconductor laser element 1 is a material in which impurities are harder to diffuse than in a constituting material for an etching stop layer 25 of the second semiconductor laser element 2.例文帳に追加

化合物半導体からなる基板１０上に、第１の半導体レーザ素子１と第２の半導体レーザ素子２とを集積した二波長半導体レーザにおいて、第１の半導体レーザ素子１のエッチングストップ層１５の構成材料を第２の半導体レーザ素子２のエッチングストップ層２５の構成材料よりも不純物を拡散させにくい材料とする。 - 特許庁

To conduct machining in such a manner that a machining by-product is not stuck to a part around a laser etching site of a workpiece, and to reduce an irradiation energy loss of a laser beam flux.例文帳に追加

被加工物のレーザエッチング位置周辺に加工副生成物が付着しないように加工するとともにレーザ光束の照射エネルギ損失を低減する。 - 特許庁

To provide a ridge semiconductor laser having a high oscillation efficiency without making an etching stop layer exist between blocking layers and a first upper clad layer and to provide a method of manufacturing the ridge semiconductor laser.例文帳に追加

ブロック層と第１上クラッド層との間にエッチングストップ層が存在せず、発振効率の高いリッジ型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the gate insulating film 11 is etched with an etching solution that hardly dissolves the laser-irradiated region 100A and dissolves the laser non-irradiated region 100B.例文帳に追加

その後、光照射領域１００Ａに対しては難溶で且つ未照射領域１００Ｂに対しては可溶なエッチング液によりゲート絶縁膜１１をエッチングする。 - 特許庁

Moreover, patterning of the core electrode 13 is applied using a non-etching means such as screen printing, inkjet printing and laser beam machining.例文帳に追加

また、コア電極１３を、スクリーン印刷やインクジェット印刷やレーザ加工等の非エッチング手段を用いてパターニングする。 - 特許庁

Then, the remaining part excluding the different surface light laser formed on the substrate is removed by etching.例文帳に追加

そして、蝕刻工程を通じて基板上に形成された異なる表面光レーザを除外した残りの部分を除去する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ETCHING MASK, METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTALLINE LASER ELEMENT例文帳に追加

エッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法 - 特許庁

Dry etching through a lithographically defined mask produces a laser mesa 30 with a length I_c and width b_m.例文帳に追加

リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さＩ_ｃおよび幅ｂ_ｍのレーザメサ３０を作製する。 - 特許庁

Then the base 5 on the bilayer tape 7 is burned out and eliminated by the laser beam, and further the Cu layer 6 is eliminated by etching (b).例文帳に追加

そして、２層テープ７の基板５をレーザ光で焼いて除去し、さらにＣｕ層６をエッチングにより除去する（ｂ）。 - 特許庁

Thereafter, deposition substances stuck on the layer 107 by the dry etching are removed therefrom, and only the etching stop layer 106 exposed to the periphery of the ridge of the semiconductor laser is removed selectively by using a sulfuric-acid-based etchant.例文帳に追加

その後、ドライエッチングにより付着したデポ物を除去し、硫酸系のエッチャントを用いてリッジの周りに露出したエッチングストップ層１０６のみを選択的に除去する。 - 特許庁

Grooves 4 are cut in an insulating base material 1 through a conductor layer 3 formed on the one surface of the insulating base material 1 as a mask through a laser process, a plasma etching process, or a wet etching process.例文帳に追加

絶縁べ−ス材１の一方面の導体層３をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工で絶縁べ−ス材１に溝４を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display by which a photolithographic process is eliminated by changing a wet etching process to a dry etching process using laser and high productivity is realized.例文帳に追加

ウェットエッチングプロセスを、レーザを用いたドライエッチングプロセスにすることにより、フォトリソグラフィー工程を削減でき、高生産性を実現するディスプレイの製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

When a material having a thickness of about 150 μm is used as a substrate 2, after a half-etching portion 3 is subjected to a laser processing, the substrate 2 is turned over, and laser is irradiated from the side opposite to the side used in a half etching processing so as to form through holes 4.例文帳に追加

基材２として、１５０μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３をレーザー加工した後、基材２を裏返してから、ハーフエッチング加工のときとは反対面側からレーザー照射して貫通孔４を形成する。 - 特許庁

In an etching process for forming a diaphragm and the like, the film thickness D of the diaphragm 2 is detected by performing irradiation with a laser beam from a laser beam source 3 while varying its wavelength and performing frequency analysis of the intensity of its reflected light for measuring an etching quantity.例文帳に追加

ダイヤフラムなどを形成するためのエッチング処理で、そのエッチング量を測定する方法として、レーザ光源３から波長を変化させて照射してその反射光の強度を周波数解析してダイヤフラム２の膜厚Ｄを検出する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a surface emitting laser array capable of reducing a difference in etching depth in an in-plane direction of a substrate without using a dummy element.例文帳に追加

ダミー素子を用いずに基板の面内方向におけるエッチング深さの差を低減可能な面発光レーザアレイを提供する。 - 特許庁

Also, etching with laser L causes no displacement such as expansion of plate for screen printing and is exact, and so works are easy.例文帳に追加

また、レーザーＬによるエッチングは、スクリーン印刷の版の伸びのような位置ずれ要因がなく正確なため、作業も容易である。 - 特許庁

To provide a contact lens, having a visible reversal mark created by a laser etching system, and to provide method of forming the mark.例文帳に追加

レーザーエッチングシステムによって作り出された可視的な反転マークを有するコンタクトレンズ、及びマークの作成方法に関する。 - 特許庁

Using a semiconductor laser as a light source, an inorganic resist (a phase change film etc.) is irradiated with the laser beam to change its state, and the narrow track pitch substrate is obtained by development treatment and etching treatment.例文帳に追加

光源に半導体レーザを用い、無機レジスト（相変化膜など）にレーザビームを照射して状態変化させ、現像処理及びエッチング処理により狭トラックピッチ基板を得る。 - 特許庁

The method allows a laser array structure having laser elements of different wavelengths to be manufactured, even in a semiconductor materials which are not suitable for a manufacturing method based on etching and regrowth.例文帳に追加

この方法によりエッチングや再成長による製造方法に適合しない半導体材料系においても、異なる波長のレーザ素子をもつレーザアレー構造を製作することができる。 - 特許庁

Then, the method is also provided with (b) a step of detecting the light intensity of the laser light 14, reflected from both the surface and the backside of the SiC substrate 2, calculating an amount of etching, based on an interference waveform indicated by the detected light intensity, and stopping the etching processing in the step (a), when the amount of etching reaches a desired amount of etching.例文帳に追加

そして、（ｂ）ＳｉＣ基板２の表裏両面それぞれから反射したレーザ光１４の光強度を検出し、当該検出した光強度が示す干渉波形に基づいてエッチング量を算出し、当該エッチング量が所望のエッチング量となった場合に、工程（ａ）のエッチング処理を停止する工程を備える。 - 特許庁

A plurality of types of mask patterns for determining the beam shape of a laser beam are formed on a plate by etching, the plate is moved along a surface orthogonally crossing the light axis of the laser beam by a moving mechanism, and one of the mask patterns is positioned on the light axis of the laser beam from a laser light source.例文帳に追加

レーザー光のビーム形状を決定するための複数種類のマスクパターンをプレートにエッチングにより形成し、このプレートをレーザー光の光軸に直交する面に沿って移動機構により移動させて、いずれかのマスクパターンをレーザー光源部からのレーザー光の光軸上に位置させる。 - 特許庁

The metal microstructure exposed through an etching treatment using the etching solution is observed under an optical or laser microscope to determine a subgrain size, and the creep damage is derived from the subgrain size.例文帳に追加

このエッチング液によりエッチング処理して現出した金属微細組織を光学顕微鏡またはレーザ顕微鏡により観察し、サブグレインサイズを求め、このサブグレインサイズからクリープ損傷率を求める。 - 特許庁

Then, the XY stage 6 is scanned while irradiating it with the laser beam whose intensity is increased so as to dissolve the crystal structure of the etching object A, and the working irradiation of the etching object A is performed.例文帳に追加

続いて、エッチング対象物Ａの結晶構造を溶解させるほどに強度を高めたレーザー光を照射しつつＸＹステージ６を走査させてエッチング対象物Ａを加工照射する。 - 特許庁

When the separation grooves for chip separation and laser lift-off are formed by etching, the active layer 3 is not exposed to etching gas for long time by covering a chip side with the protection insulating film 6.例文帳に追加

チップ側面を保護絶縁膜６で覆う構造とすることで、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する場合、活性層３等が、長時間エッチングガスに曝されることがない。 - 特許庁

A desired groove shape is exposed on a photoresist 11 applied on an etching layer of a metal substrate 12 by using a laser cutting device.例文帳に追加

金属基板１２のエッチング層上に塗布されているフォトレジスト１１にレーザカッティング装置によって所望のグルーブ形状を露光する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a group III nitride semiconductor substrate capable of forming a pattern only by laser irradiation and an etching step.例文帳に追加

レーザ照射とエッチング工程だけでパターンを形成することができるIII族窒化物半導体基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Next, the GaN film 3 is separated from the sapphire substrate 1 by laser beam irradiation, the grinding of the substrate, etching, cutting, or the like.例文帳に追加

次に、サファイア基板１とＧａＮ膜３とを、レーザ光の照射，基板の研磨，エッチング，切断等を利用して互いに分離させる。 - 特許庁

An etching mask layer 102 is formed on the surface of a p-type silicon substrate 101 and patterned by laser to form an aperture 104.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１の表面にエッチングマスク層１０２を形成し、レーザーでパターニングを行って開口１０４を形成する。 - 特許庁