「laser-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed.例文帳に追加

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。 - 特許庁

As a result, the dot hole 4 can be formed by the melting of the substrate 1 through the wet etching whereby any projection 22 or scatter 23, consisting of the molten material of the substrate, is not formed on the substrate 1 upon forming the dot hole 4 on the substrate 1 by the irradiation of a laser beam such as in the case of laser irradiation marking.例文帳に追加

その結果、ウェットエッチングにより基板１が溶解してドット穴４が形成出来るので、レーザー照射マーキングのように、レーザー照射２１によって基板１にドット穴４を形成する際に、基板１上に基板の溶融物からなる突起２２や飛散物２３が形成されない。 - 特許庁

To provide an adamantane-based polymer having a high dry etching resistance and an excellent penetrating property to a lower wave length light, and especially suitable for a film-forming composition of a photoresist-forming component used for an ArF excimer laser light or a F2 excimer laser light, and a photoresist composition by using the same.例文帳に追加

高いドライエッチング耐性能と短波長の光に対して優れた透過性を有し、特にArFエキシマレーザー光やF_２エキシマレーザー光用などのフォトレジスト組成物の被膜形成成分として好適なアダマンタン系重合体、及びそれを用いたフォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The LPP is formed between shallow grooves or between shallow pits with the use of laser having power smaller than that of laser for forming the shallow grooves or shallow pits, and thus the depth of the LPP region and its adjacent groove regions and the depth of the surrounding grooves are made, after passing through the etching and ashing processes, equal.例文帳に追加

LPPを浅いグルーブ間、もしくは浅いピット間に形成する際、そのレーザのパワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成するレーザパワーよりも小さくすることにより、エッチング、アッシングプロセスを経た後に、LPP部及びその隣接グルーブ部分は周辺のグルーブ深さと同一の深さとする。 - 特許庁

At least, a lower clad layer 101, an active layer 102 emitting a laser beam, a first upper clad layer 103, an etching stop layer 104, and a second upper clad layer 106, are laminated on a board 100.例文帳に追加

基板１００上に少なくとも、下クラッド層１０１、レーザ光を発生する活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、第２上クラッド層１０６を積層する。 - 特許庁

To provide an etching method and device stimulated by laser beam using a proximity field light which remarkably improves machining precision, gives little damage to a work and forms little working alternation layer.例文帳に追加

被加工物への損傷が少なく、加工変質層も少ない、加工精度を飛躍的に向上させた近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

Next, a hole 7 having a circular cross section reaching the rear side is formed from the side of the wiring layer 4 of the semiconductor substrate 2 by dry-etching using RIE or plasma, or by a processing means such as a laser or the like.例文帳に追加

次に、ＲＩＥやプラズマによるドライエッチング又はレーザ等の加工手段によって、半導体基板２の配線層４側から、裏面側に達する円形の断面を有するホール７を形成する。 - 特許庁

To surely remove smears without excessively etching a conductor layer part in a smear removing process, even if a hole diameter becomes small down to 40 μm, and the prepared hole of a via hole is made by laser irradiation.例文帳に追加

孔径が４０μｍと小さくなり、レーザー照射によりビアホールの下穴を形成した場合にも、スミア除去工程において、導体層部を過剰にエッチングすることなく、スミアを確実に除去する。 - 特許庁

To provide a laminate structure that achieves precise exposure of an imprint original plate by laser with small variance in size of an exposure range against variation in film thickness of an etching layer.例文帳に追加

エッチング層の膜厚変動に対して露光範囲の大きさのばらつきが少なく、インプリント原版へのレーザーによる精密露光を可能とする積層構造体を提供することを目的とする。 - 特許庁

A cylindrical straight pore canal having a uniform pore diameter is formed on an insulating membrane to form a filter membrane, by using at least one among a track-etching method, a photolithographic method, a punching method, a replica method and a laser method.例文帳に追加

絶縁膜に円筒状かつ真直であり、均一な孔径の孔道を形成してろ過膜を、トラックエッチング法、フォトリソグラフィ法、パンチング法、レプリカ法及びレーザー法の少なくとも一つを用いて形成する。 - 特許庁

A method of surface-modifying an unvulcanized rubber includes irradiating a region to be jointed of the unvulcanized rubber member 12 with infrared laser light La to remove an adhesion-inhibiting substance, such as blooming caused due to fatty acid zinc and waxes, by etching.例文帳に追加

未加硫ゴム部材１２の接合予定部位に赤外線のレーザー光Ｌａを照射して表面の密着阻害物質（例えば、脂肪酸亜鉛、ワックス類等のブルーム）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a physical value detector which can eliminate easily a bridge such as a sacrifice beam formed in manufacturing processes without performing laser assisted etching treatment.例文帳に追加

レーザアシストエッチング処理を行うことなく、製造工程で形成される犠牲梁等の架橋部分を容易に除去することができる物理量検出器の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a resist composition which is superior in transmission of radiation and dry etching resistance and used for far-ultraviolet rays, such as those of KrF and ArF excimer lasers and vacuum ultraviolet rays, such as those of F_2 excimer laser.例文帳に追加

ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ_2エキシマレーザー等の真空紫外線に対して用いられる、放射線の透過性に優れ、耐ドライエッチング性に優れたレジスト組成物の提供。 - 特許庁

Thus, when the partial region of the laser 29 is removed by etching to expose the substrate 21, an impurity Zn is prevented from being vaporized from a P-type GaAs contact layer 28.例文帳に追加

こうして、ＡlＧaＡs系半導体レーザ２９の一部の領域をエッチング除去してｎ型基板２１を露出させた場合に、ｐ型ＧaＡsコンタクト層２８から不純物Ｚnが蒸発するのを防止する。 - 特許庁

In the method for forming a high accuracy concave lens shape, a hollow of rotational symmetry is formed in a glass surface with a pulse laser or the like and the glass around the hollow is removed by etching.例文帳に追加

ガラス表面にパルスレーザなどで回転対称の窪みを形成し、その窪みを中心にエッチングによってガラス除去を行うことで、高糖度な凹面レンズ形状を形成する方法である。 - 特許庁

To provide an element structure whose lateral mode does not change with respect to the change of the etching amount, thus enabling to effectively manufacture a ridge waveguide type group-III nitride semiconductor laser with uniform properties.例文帳に追加

エッチング量の変化に対して横モードが変化しないような素子構造を提供し、特性の揃ったリッジ導波型ＩＩＩ族窒化物半導体レーザを効率よく製作することを可能にする。 - 特許庁

A transfer material for laser etching is for the multicolor molded article formed by laminating a plurality of pairs of at least the hard coat layer and a colored layer, in the order, on a base sheet having peelability.例文帳に追加

剥離性を有する基体シートに少なくともハードコート層、着色層の順序でハードコート層と着色層の対が複数対積層された多色成形品形成用のレーザエッチング用転写材とする。 - 特許庁

An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.例文帳に追加

基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which exhibits sufficient transmittance to a light source of ≤160 nm wavelength, more specifically an F_2 excimer laser (157 nm), and has high sensitivity, high resolution and excellent dry etching resistance.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、且つ高感度、高解像でドライエッチング耐性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device wherein a mesa structure is formed by using wet etching of little damage and a mask which has not eaves can be used for forming current constriction parts.例文帳に追加

ダメージの少ないウェットエッチングによってメサ構造を形成すると共に、電流狭窄部の形成に庇のないマスクを使用することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the step for manufacturing a nitride compound semiconductor laser, a p-type AlGaN etching marker layer 200 is placed under a p-type GaN cap layer 108 and a p-type AlGaN clad layer 107.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体レーザの製造工程において、ｐ型ＧａＮキャップ層１０８およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０７下にｐ型ＡｌＧａＮエッチングマーカー層２００を敷く。 - 特許庁

An optically readable information recorded medium is manufactured by forming a mark on the back of the production stamper by laser engraving, diamond engraving, etching or image forming.例文帳に追加

生産用スタンパの背面が、レーザ刻印、ダイアモンド刻印、食刻又は、像を生成する他の手段によってマークされる方法により、光学的に読み取り可能な情報記録媒体が製作される。 - 特許庁

To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加

エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性，再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a plating resist to a metal plate as a lead for electrolytic plating, and then irradiating laser or partially etching to the metal plate of the part to be finally becoming a terminal for connecting the chip, forming a wiring pattern by the electrolytic plating, forming an insulating film on it, and removing the metal plate by etching at the end.例文帳に追加

電解メッキ用リードとしての金属板にメッキレジストを形成後、最終的にチップ接続用端子となる部分の金属板に、レーザー照射もしくは、部分エッチングを行い、電解メッキにより配線パターンを形成し、その上に絶縁膜を形成し、最後に金属板をエッチングにより除去する。 - 特許庁

The ridge form of a p-channel InP clad layer is formed on a p-channel AlGaInAs clad layer via a p-channel InP layer and a p-channel etching stopper layer to suppress a series resistance due to discontinuous hand between the etching stopper layer and the AlGaInAs clad layer from being increased and to reduce a threshold current of the laser.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層のリッジ形状を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層上に、ｐ型ＩｎＰ層及びｐ型エッチングストッパ層を介して形成することにより、エッチングストッパ層とＡｌＧａＩｎＡｓクラッド層とのバンド不連続による直列抵抗の増加を抑制し、レーザのしきい値電流を低減する。 - 特許庁

The method for manufacturing the piezoelectric vibrator 20 has: a process S10 for preparing a flat piezoelectric material 10 having etching anisotropy in a prescribed direction; a process S18 for performing wet etching to the piezoelectric material to form the piezoelectric vibrator in the piezoelectric material; and a process S20 for applying laser beams to the side section of the piezoelectric vibrator subjected to wet etching for partially removing the side section.例文帳に追加

圧電振動片（２０）を製造する製造方法は、所定の向きにエッチング異方性を有する平板の圧電材料（１０）を準備する工程（Ｓ１０）と、この記圧電材料に圧電振動片を形成するため、圧電材料をウェットエッチングする工程（Ｓ１８）と、このウェットエッチングされた圧電振動片の側面部にレーザー光を照射して、側面部の一部を除去するレーザー加工の工程（Ｓ２０）と、を有する。 - 特許庁

In an infrared laser region; a lower side clad layer 12, an active layer 13, a first upper side clad layer 14, an etching stop layer 15, and a second upper side layer 16 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.例文帳に追加

赤外レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層１２、活性層１３、第１上側クラッド層１４、エッチングストップ層１５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層１６が順次積層されている。 - 特許庁

To provide a method for removal of contaminants during electron beam-induced deposition, ion beam-induced deposition and laser beam-induced deposition, or a method for real-time inhibition of oxidation during deposition or etching of oxidizable materials.例文帳に追加

電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。 - 特許庁

In order to improve the field effect mobility of the TFT, the scanning direction of a laser beam is made to substantially coincides with a channel length direction in a thin film transistor, in a pattern of the second region formed through etching.例文帳に追加

エッチングで形成される第２半導体領域のパターンは、ＴＦＴにおける電界効果移動度を向上させるために、レーザービームの走査方向と薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とを概略一致させる。 - 特許庁

At the time of resin molding an ink supply plate, a nozzle hole (20-50 μm) is made as a closed hole and a dimple is formed near the nozzle hole by means of plasma etching or excimer laser and then a nozzle hole is opened.例文帳に追加

インク供給プレートの樹脂成形の際にはノズル穴（２０〜５０μm）を閉じ穴として成形し、その後でプラズマエッチング、エキシマレーザなどの方法でノズル穴近傍にディンプルを作製し、その後ノズル穴を開けるようにする。 - 特許庁

To provide a micropattern forming method using a highly practical fluorine-containing polymer capable of improving dry etching resistance with respect to a fluorine-containing polymer having high transparency to exposure light of a short wavelength such as F_2 excimer laser light.例文帳に追加

Ｆ_2短波長の露光光に対して透明性の高い含フッ素重合体において、ドライエッチング耐性を改善できる実用性の高い含フッ素重合体を用いた微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

For this semiconductor laser element, an etching stop layer 107, p- second and third clad layers 108 and 109 and a contact layer 110 are formed in a striped ridge shape, and a current injection region 120 is constituted.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、エッチングストップ１０７層、ｐ−第二及び第三クラッド層１０８、１０９、及びコンタクト層１１０がストライプ状リッジ形に形成され、電流注入領域１２０を構成する。 - 特許庁

Further, the laser printing region (tapered face 7) is formed with ease on the support substrate 1 without requiring as in prior art complicated processes such as mask formation, oxide film etching, mask removal, and wafer cleaning or the like.例文帳に追加

また、従来のように、マスク形成、酸化膜エッチング、マスク除去及びウエーハ洗浄など複雑な工程を必要とせずに、支持基板１に容易にレーザー印字領域（テーパ面７）を形成することができる。 - 特許庁

The antenna pattern 2 can be constituted of a coil, or the antenna pattern 2 can be constituted by carrying out fine working such as etching working or laser beam working to a conductive film formed on the surface of the insulating layer 4.例文帳に追加

アンテナパターン２は、巻線をもって構成することもできるし、絶縁層４の表面に形成された導体膜に例えばエッチング加工やレーザビーム加工等の微細加工を施すことにより構成することもできる。 - 特許庁

The antenna pattern 2 can be constituted of a coil, and can also be constituted by applying fine processing such as etching and laser beam machining to a conductor film formed on the surface of the insulating layer 4.例文帳に追加

アンテナパターン２は、巻線をもって構成することもできるし、絶縁層４の表面に形成された導体膜に例えばエッチングやレーザビーム加工等の微細加工を施すことにより構成することもできる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, wherein a positioning recognition pattern for an element is formed in an crystal with the same photoresist etching process as for the emission part, and the element is mounted on a package with high accuracy.例文帳に追加

素子の位置決め用認識パターンを結晶内部に、かつ発光部と同一のフォトレジスト・エッチング工程によって形成し、高精度で素子をパッケージにマウントすることができる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A concavo-convex region A is a non-flat region formed by scanning laser beam on the substrate 102 and damaging it, or by utilizing photoresist process or etching process or the like, and serves for shielding the external light.例文帳に追加

凹凸領域Aは、基板１０２にレーザーを走査して損傷させるか、またはフォトレジスト工程及びエッチング工程等を利用して形成された非平坦化領域であり、外部光を遮断する役割をする。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor laser which is easy to detect the final point of etching, in the case of working a width of an active layer of the emission end to a submicron size, and which can prevent mismeasurement, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

出射端部の活性層幅をサブミクロンサイズまで加工する際に、エッチングの終点検出が容易で、誤測定を防止できる、半導体レーザの構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer compound excellent in resolution in exposure to an ArF excimer laser and dry etching resist, capable of suppressing line edge roughness small and useful for a base resin for use in a radiation sensitive resist.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー露光における解像性とドライエッチング耐性に優れ、ラインエッジラフネスを小さく抑えることができる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

A multi-chamber system, having a plurality of vacuum devices (film forming apparatus, etching apparatus, heat-treatment apparatus, spare chamber, etc.), used for manufacturing a semiconductor element is characterized in that at least one of the vacuum devices is a laser beam irradiation apparatus.例文帳に追加

半導体素子の作製に供する複数の真空装置（成膜装置、エッチング装置、熱処理装置、予備室等）を有するマルチチャンバー・システムにおいて、少なくとも１つはレーザー照射装置であることを特徴とする。 - 特許庁

In a method for forming a chip from wafer, a die 30 containing an integrated circuit removes a substrate material 32 damaged in a cutting process through selective etching, after the material 32 is separated (cut off) from a wafer with a CO2 laser beam in the cutting process.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがＣＯ_2レーザによりウェハから分離（切断）された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underlay film having a large selection ratio in a dry etching rate and showing a desired k value and a refractive index n at a short wavelength such as ArF excimer laser light.例文帳に追加

ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもＡｒＦエキシマレーザーのような短波長でのｋ値及び屈折率ｎが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

A pattern of the second semiconductor region formed by the etching is formed such that a scanning direction of the laser beam and a channel length direction in the TFT are substantially coincident each other in order to smooth the drift of a carrier.例文帳に追加

エッチングで形成される第２半導体領域のパターンは、キャリアのドリフトをスムーズにするために、レーザービームの走査方向とＴＦＴにおけるチャネル長方向とが概略一致するように形成する。 - 特許庁

In addition, when the surface of the semiconductor film is roughened after the metallic element is removed by etching, the surface of the semiconductor film can be flattened by projecting a laser beam upon the semiconductor film in an inert atmosphere.例文帳に追加

さらにエッチングにより金属元素を除去した後、半導体膜表面が荒れている場合、不活性雰囲気下で半導体膜にレーザを照射し半導体膜表面の平坦化を達成してもよい。 - 特許庁