「laser-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface emitting laser element 2 is formed on the upper surface of an Si block 1 formed precisely in the same form as that of the recess part of the upper surface of the substrate by Si an isotropic etching.例文帳に追加

Ｓｉ異方性エッチングにより基板上面の凹部と同形態に高精度に形成されたＳｉ製ブロック１の上面に面発光レーザ素子２を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser wherein a contact area is larger than an active layer area and a transverse mode is superior by solving problems of dry etching damage and deterioration in I-V characteristic.例文帳に追加

ドライエッチングダメージやI-V特性劣化の課題を克服し、コンタクト面積が活性層面積より広く横モード特性に優れた窒化物半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition having good resolving power to far UV having ≤250 nm wavelength, particularly ArF excimer laser light and also having superior dry etching resistance.例文帳に追加

２５０ｎｍ以下の波長の遠紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対する解像力がよく、さらに、優れたドライエッチング耐性を有するレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser whose characteristic can be improved by suppressing reduction in efficiency of optical absorption in an etching stop layer and optical confinement to an active layer.例文帳に追加

エッチングストップ層での光吸収および活性層への光閉じ込め効率の低下を抑え、特性を向上させることができる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

In addition, a method by which a laser resonator containing a multi-mode interference waveguide section can be manufactured with high dimensional accuracy by using both lithography and dry etching is also devised.例文帳に追加

また、リソグラフィー技術とドライエッチング技術の併用により多モード干渉導波路部を含むレーザ共振器を寸法精度高く作製する手法も合わせて考案した。 - 特許庁

On the other hand, when a material having a thickness of about 75 μm is used, the substrate 2 is irradiated with laser from the same side with the half-etching portion 3 and the through holes 4 at the same time.例文帳に追加

一方、７５μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３、貫通孔４ともに、基材２に対して同一面側からレーザー照射する。 - 特許庁

While the wafer W is turned, Xe laser light is irradiated on the peripheral part of the wafer W from the optical etching apparatus 2.例文帳に追加

処理時には、バキュームチャック１によってウエハＷが回転され、その回転中のウエハＷの周縁部に光エッチング装置２からＸｅレーザ光が照射される。 - 特許庁

To prevent the generation of a surface defect on a surface on which a resist film is formed at the time of etching an aperture of a current block layer by a semiconductor laser having a SAS structure.例文帳に追加

ＳＡＳ構造の半導体レーザにおいて電流ブロック層の開口部のエッチングの際に、レジスト膜が形成された表面の表面欠陥の発生を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which is provided with an etching stop layer where no restriction caused by a nonmixing region exists on the band gap, and its manufacturing method.例文帳に追加

非混和領域に起因する制約がバンドギャップに関して存在しないエッチング停止層を備える半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique for saving materials to be used and simplifying a manufacturing process, when manufacturing an organic electroluminescence device by utilizing laser etching.例文帳に追加

レーザエッチングを利用して有機ＥＬ装置を製造する際における使用材料の節約及び製造プロセスの簡略化を達成し得る製造技術を提供すること。 - 特許庁

In one embodiment, the amount of wavelength converting material in the wavelength converting member is reduced, for example, through laser ablation or etching to produce the desired wavelength spectrum.例文帳に追加

一実施形態では、波長変換部材内の波長変換材料の量は、例えばレーザアブレーション又はエッチングによって減少され、所望された波長スペクトルを生成する。 - 特許庁

The recessed parts are preferably formed by etching, laser irradiation or grinding and the compressed layer is preferably formed by pushing a member or injecting fine particles.例文帳に追加

凹部は、エッチング、レーザの照射、または研削により形成するとよく、被押圧層は、部材を押し付けることにより、または微粒子を噴射することにより形成するとよい。 - 特許庁

To provide a chemically sensitizing resist for an ArF excimer laser in which resolution is improved by increasing the solubility contrast and dry etching resistance is improved.例文帳に追加

溶解コントラストを大きくすることにより、解像性を向上させ、かつドライエッチング耐性を向上させたＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅系レジストを提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a distributed-feedback semiconductor laser 1A, an etching mask 30b for forming a diffraction grating 22 is composed of a semiconductor material.例文帳に追加

本発明に係る分布帰還型半導体レーザ１Ａの製造方法においては、回折格子２２を形成するためのエッチングマスク３０ｂが半導体材料で構成されている。 - 特許庁

To provide an etching method which can make a surface applicable as an end surface of a semiconductor laser resonator in a wafer selectively and without giving a damage to a crystal.例文帳に追加

ウエハ内において選択的にかつ結晶にダメージを与えることなく半導体レーザ共振器端面にも使い得る面を出すエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material useful for semiconductor lithography using a short-wavelength light such as an F_2 excimer laser, particularly a resist material excellent in etching resistance and low outgassing property.例文帳に追加

Ｆ２エキシマレーザーの如き短波長を用いた半導体リソグラフィーに有用なレジスト材料、特にエッチング耐性及びアウトガス性に優れたレジスト材料を提供する。 - 特許庁

This resist pattern 31 is irradiated with ultraviolet rays 13 from an excimer lamp or an excimer laser 12 in the existence of a fluorine compound having high etching tolerance.例文帳に追加

このフッ素樹脂レジストパターン３１に、高いエッチング耐性を有するフッ素化合物の存在下で、エキシマランプ又はエキシマレーザ１２から紫外光１３を照射する。 - 特許庁

The processing method comprises the step (i) of irradiating glass (a glass sheet 12) with a pulsed laser 12 at a wavelength λ after condensation with a lens to form a degenerated part 13 on that part of the glass which is irradiated with the pulsed laser 12 and the step (ii) of etching the regenerated part 13 with an etchant having a larger etching rate to the regenerated part 13 than to the glass.例文帳に追加

（ｉ）波長λのレーザパルス１２をレンズで集光してガラス（ガラス板１２）に照射することによって、ガラスのうちレーザパルス１２が照射された部分に変質部１３を形成する工程と、（ii）ガラスに対するエッチングレートよりも変質部１３に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて変質部１３をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a ridge type semiconductor laser so constituted as to improve the reproducibility of diffraction grating formation during a production process, and to prevent the deterioration of the crystal quality of an etching stopper layer, and a method for manufacturing the ridge type semiconductor laser.例文帳に追加

製造中に回折格子形成の再現性を良くすること及びエッチングストッパ層の結晶品質の劣化を防ぐことができる構造のリッジ型半導体レーザ及びリッジ型半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a preferred embodiment, laser ablation is performed in a chamber filled with high pressure precursor gas (etching gas) so that sample particles ejected during laser ablation will react with the precursor gas in a gas atmosphere of the sample chamber.例文帳に追加

好ましい一実施形態では、レーザ・アブレーション中に放出された試料粒子が試料室のガス雰囲気中の前駆体ガスと反応するように高圧の前駆体ガス（エッチング・ガス）が充填された室内で、レーザ・アブレーションが実行される。 - 特許庁

The semiconductor laser is a quantum well type semiconductor laser impressed with a tension strain in an active layer, and is formed by cutting an outside of an optical waveguide area by etching, and by film-forming both sides thereof by an insulating passivation film.例文帳に追加

活性層に引張り歪を印加した量子井戸型半導体レーザであって、光導波路領域の外側をエッチングにより切り出し、その両側を、絶縁性のパッシベーション膜で成膜することによって形成される量子井戸型半導体レーザ。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a liquid film 134 on a substrate and a step for laser energy irradiation from a laser 10 through the film 134 so as to etch a substrate surface, and an etched material is removed by vaporization of the film from the substrate surface during the etching.例文帳に追加

基板上での液体膜１３４の形成と、基板表面をエッチングするための該膜１３４を通じたレーザ１０からのレーザエネルギ照射を含み、エッチングされた物質は前記エッチングの間に該膜の気化により基板表面から除去される。 - 特許庁

Then, after the holes 34 for via hole formation are formed in the film 31 through etching using the film 32 as an etching resist, the via holes are formed in the insulating resin layer 27 with CO2 laser using the film 32 as a mask.例文帳に追加

次に、電解Ｃｕメッキ被膜３２をエッチングレジストとして用いて、無電解Ｃｕメッキ被膜３１にエッチングでビアホール形成用の孔を形成した後、電解Ｃｕメッキ被膜３２をマスクとして用いて、ＣＯ_2 レーザーで絶縁樹脂層２７にビアホールを形成する。 - 特許庁

The carbide coating is then polished or textured by a suitable process, such as laser etching, chemical etching or the like, to provide a surface morphology which makes the coating more hydrophilic, and further reduces a contact resistance on its surface.例文帳に追加

次いで、被覆をより親水性にし、その表面上の接触抵抗をさらに低減させる表面形態を与えるために、カーバイド被覆５０、５２は、レーザーエッチングまたは化学的エッチングなどの適切な方法によって研磨されるかまたはテクスチャード加工される。 - 特許庁

The etching processing method includes (a) a step of performing etching processing of the surface of a SiC substrate 2, both surfaces of which have been mirror-polished with reactive plasma, and at the same time, irradiating the surface or the backside of the SiC substrate 2 with a laser light 14.例文帳に追加

本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。 - 特許庁

An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.例文帳に追加

GaN基板１０１に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD２ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁

Grooves (131, 132, 133, 134, and 135) are formed on a conductive film (120) of ITO stuck by sputtering on a substrate (110) of glass of a fixed-side panel (100) through etching using a laser.例文帳に追加

固定側パネル（１００）のガラスの基板（１１０）にスパッタリングで付着されたＩＴＯの導電膜（１２０）にレーザによるエッチングで溝（１３１、１３２、１３３、１３４、１３５）が形成される。 - 特許庁

The first step is to perform a manufacturing process such as a chemical etching process or a laser cutting process in order to form hole mask on a metal plate with a predetermined hole pattern.例文帳に追加

第１の段階は、所定の穴模様で金属板上に穴マスクを形成するために例えば、化学的エッチング工程又はレーザカッティング工程のような製造工程を実施する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having high joint efficiency with an optical fiber in which a luminous point position is controlled with a high degree of accuracy by reducing variation of an active layer stripe at etching.例文帳に追加

活性層ストライプのエッチング時のばらつきを低減し、発光点位置を高精度に制御した光ファイバーとの結合効率の高い半導体レーザを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide manufacturing methods, capable of easily obtaining a semiconductor device and semiconductor laser equipment which does not have residual damages to semiconductor layer by etching and are superior in the high-frequency characteristics and in high power characteristics.例文帳に追加

エッチングによる半導体層への残存ダメージがなく、高周波特性及び高出力特性に優れた半導体装置及び半導体レーザ装置を容易に得ることを可能とする。 - 特許庁

Grooves 131, 132, 133, 134, and 135 are formed by laser etching in the conductive film 120 of ITO attached through sputtering to the glass substrate 110 on a fixed side panel 100.例文帳に追加

固定側パネル（１００）のガラスの基板（１１０）にスパッタリングで付着されたＩＴＯの導電膜（１２０）にレーザによるエッチングで溝（１３１、１３２、１３３、１３４、１３５）が形成される。 - 特許庁

Besides, just before the waveguide is embedded by a current block layer 11, an active layer 4 is removed by etching so that the end face injection type semiconductor laser with window structure can be prepared.例文帳に追加

また、導波路を電流ブロック層１１で埋め込む直前に、活性層４をエッチングにより除去する事で、窓構造付で端面非注入な半導体レーザが簡便に作成できる。 - 特許庁

A light control layer 6 with uniform transmission light quantity is initially formed on the back side of a transmissive base material 3 and then the thickness of the light control layer 6 is controlled by etching with laser L.例文帳に追加

最初に均一透過光量の調光層６を透光性基材３の裏面側に形成し、その次に、その調光層６の厚さをレーザーＬのエッチングにより調整する。 - 特許庁

The surface of glassware is made frosted by etching or another treatment, the glassware is preheated and the surface is irradiated with CO2 laser beam to smoothen a part of the frosted rough surface by melting.例文帳に追加

エッチング処理などでガラス器の表面を曇り加工した後、ガラス器を予熱し、表面に炭酸ガスレーザ光を照射して曇り加工された部分の一部分を平滑化する。 - 特許庁

As this result, only the region irradiated with the laser beam 11 of the film 2 is selectively etched and an etching pattern of 3×3 mm square consisting of the film 2 is formed (c).例文帳に追加

この結果、ＸｅＣｌエキシマレーザ光１１が照射された領域のみのＩＴＯ膜２が選択的にエッチングされて、ＩＴＯ膜２の３ｍｍ角のエッチングパターンを形成する（（ｃ））。 - 特許庁

A technique selected from a group comprising mechanical, chemical, (laser) optical, electric and photo-etching techniques is preferably applied for forming the pit or the groove on the support.例文帳に追加

前記支持体上へのピット又は溝の形成には、好ましくは機械的、化学的、（レーザ）光学的、電気的及びフォトエッチング技術からなる群から選択される技術が適用される。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor laser element that can improve processing precision of a ridge portion by improving controllability of etching depth and then sufficiently suppress occurrence of kinking.例文帳に追加

エッチング深さの制御性を向上させてリッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element of a ridge stripe type having a window structure, for high yield and reliability by surely preventing coming off of an etching stop layer.例文帳に追加

窓構造を有するリッジストライプ型の半導体レーザ素子において、エッチングストップ層の抜けを確実に防止し、歩留まりが高く且つ信頼性が高い半導体レーザ素子を実現できるようにする。 - 特許庁

Also, a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed by removing by selective etching a silicon layer of the area to which the laser diode is fixed by the use of an SOI substrate.例文帳に追加

また、ＳＯＩ基板を用い、レーザダイオードを固定する領域のシリコン層を選択的エッチングで除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

The invention also allows complicated frame structures to be easily formed from planar sheets of starting material, such as through laser cutting, stamping, photo-etching, or other cutting techniques.例文帳に追加

本発明は、複雑なフレーム構造が、レーザー切断、抜き打ち、フォト−エッチング、又は他の切断技術によるなどの、開始素材の平面シートから容易に形成される事も、可能にする。 - 特許庁

The gallium nitride based semiconductor is irradiated with a laser for etching at a substrate temperature equal to or above about 500°C and below about 700°C in the atmosphere containing hydrogen and hydrocarbon, and an irradiated part is etched.例文帳に追加

約５００℃以上、約７００℃未満の基板温度で、水素および炭化水素を含む雰囲気中で窒化ガリウム系半導体にエッチング用レーザを照射し照射部分をエッチングする。 - 特許庁

To solve problems due to deformation of a photoresist pattern in an etching process using the photoresist pattern exposed with a light source whose wavelength is of 157 nm to 193 nm, that is, an F_2 or ArF laser.例文帳に追加

波長が157nmないし193nmである露光源、すなわちF2またはArFレーザで露光されたフォトレジストパターンを利用したエッチング過程における前記フォトレジストパターンの変形に伴う問題点を解決する。 - 特許庁

The method of manufacturing has a process to form a foregoing hole by diagonally radiating a laser beam on a crystalline substrate composed of a silicon substrate whose plane direction is a (100) surface; and process to form a through-hole by performing anisotropic etching by a KOH solution of water or an organic alkali etching liquid to expand the foregoing hole.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板からなる結晶性基板にレーザ光を斜めに照射して先行穴を形成する工程と、ＫＯＨ水溶液又は有機アルカリエッチング液による異方性エッチングを行って前記先行穴を拡大してスルーホールを形成する工程とを有する。 - 特許庁

From the diffracted lights reflected by the etched object 6 and a diffraction grating pattern 7, the height H1 of the diffraction grating pattern 7 before etching, the distance from the long wavelength semiconductor laser for measurement-side surface of the diffraction grating pattern 7 after etching to the bottom face of a trench, and the depth of the trench, are found.例文帳に追加

エッチング対象物６および回折格子パターン７による回折光に基づいて、エッチング前の回折格子パターン７の高さＨ１と、エッチング後の回折格子パターン７の測定用長波長半導体レーザ側の表面から溝の底面までの距離と、溝の深さとを求める。 - 特許庁

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁