「laser-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor laser element of AlGaInP constitution, the Al composition ratio x of a p-type etching stop layer 5 is specified so as to be a<x, b<x and c<x with respect to respective Al composition ratios a, b, c of an n-type clad layer 2, a first p-type clad layer 4 and a second p-type clad layer 6.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、ｐ型エッチングストップ層５のＡｌ組成比ｘを、ｎ型クラッド層２，第１のｐ型クラッド層４，及び第２のｐ型クラッド層６それぞれのＡｌ組成比ａ，ｂ，ｃに対して、ａ＜ｘ，ｂ＜ｘ，及びｃ＜ｘとする。 - 特許庁

The ferromagnetic thin membrane layer 15 has 0.5-50 oersted coercive force, may have a squareness ratio regulated so as to be 0.7-1.0, may be formed into the pattered one by a thin film-removing means such as a laser processing method, an etching method and a lift-off method, and further may have a bar code mark formed by patterning.例文帳に追加

上記強磁性薄膜層１５は、保磁力が０．５〜５０エルステッドで、かつ角型比が０．７〜１．０に調整されているようにでき、レーザ加工法、エッチング法、リフトオフ法等の薄膜除去手段によりパターン化されたものとすることができ、また、バーコードマークをパターン化して設けることができる。 - 特許庁

The minute depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by laser machining, and the depression 3 deeper than the depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by etching, so that the depressions 2, 3 having two different depths can be arranged in the rolling contact surface effectively and accurately.例文帳に追加

動圧発生面を形成する微小な浅い凹部２をレーザー加工により、この動圧発生面を形成する凹部２よりも深い凹部３をエッチング加工によって形成することにより、転がり接触面に、二つの異なる深さの凹部２、３を効率的に精度良く配置できるようにした。 - 特許庁

The antenna coil 5 is formed by etching or laser cutting by adhering and fixing conductive metal foil having the thickness of about 70 μm on the center of the base sheet 2 a little larger than the dimension of this conductive metal foil so that a rectangular eddy form having about 20 turns can be provided.例文帳に追加

アンテナコイル５は、厚さが７０μｍ程度の導電性金属箔を、該導電性金属箔の寸法より少し大きい寸法のベースシート２の中央に接着固定し、ターン数が２０回程度の矩形渦巻き状になるように、エッチング法又はレーザカッティング法によって形成してある。 - 特許庁

To provide a chemically amplified resist composition sensitive to far UV, having good transparency particularly to ArF excimer laser beam, excellent also in resolution and sensitivity characteristics and remarkably excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance, developability, etc.例文帳に追加

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストであって、特にArFエキシマーレーザー光に対する透明度が良好で解像度及び感度特性も優秀で、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが顕著に優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor optical component of ridge waveguide type semiconductor laser, when a pad electrode 502 is formed on a polyimide resin 201 which is an organic material, a needlelike projection 501 is formed on the surface of the polyimide resin 201 by dry etching using oxygen/argon mixed gas.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザの半導体光素子において、有機材料であるポリイミド樹脂２０１上にパッド電極５０２を形成する際、酸素／アルゴン混合ガスを用いたドライエッチングによりポリイミド樹脂２０１の表面に針状突起物５０１を形成する。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.例文帳に追加

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Such an integrated element 100 is formed by thinning an upper clad layer 16 constituting the modulator 2 to thinner than an upper clad layer 46 constituting the semiconductor laser 1 when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown and mesa etching the film.例文帳に追加

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも薄く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁

Such an integrated element 100 is formed by thickening an upper clad layer 16 for constituting the modulator 2 to thicker than an upper clad layer 46 for constituting the semiconductor laser 1 and mesa etching the film when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown.例文帳に追加

かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも厚く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁

To provide a resin which makes it possible to produce such a photoresist having excellent transparency and dry etching-proof property as a chemical amplification resist for a radiation, especially for KrF excimer laser, etc., and further having excellent characteristics in resolution, sensitivity, heat resistance, wide focus margin and wide exposure margin etc.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして特にＫｒＦエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、耐ドライエッチング性に優れ、さらに解像度、感度、耐熱性、広いフォーカスマージン、広い露光マージンなど優れた特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the guide wire includes a step where a coil made of a metallic material and a core material 11 of a metallic wire are welded with a laser, and by the control of a time of dipping the core material 11 in etching solution 16, the tip portion of the core material 11 is worked into a tapered shape.例文帳に追加

ガイドワイヤーの製造方法は、金属材料で作られたコイルと金属ワイヤーのコア材１１をレーザで溶接され、コア材１１がエッチング液１６に浸る時間を制御することにより、コア材１１の先端部分をテーパ形状に加工する工程を含む。 - 特許庁

The method of casting the main agent into a blanking mold having wall parts and columnar members becoming the clearance parts, and removing the blanking mold, or the method of removing a fibrous member from the product obtained by kneading the fibrous member with the main material by etching or the like can be used instead of the formation of the clearance parts by the laser processing.例文帳に追加

レーザ加工などによって間隙部を形成する代わりに、間隙部となる壁部や柱状部材を有する抜き型に主剤を注入した後、抜き型を剥離する方法や、主剤に繊維状部材を混練して繊維状部材をエッチングなどで除去する方法を採ることもできる。 - 特許庁

To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material.例文帳に追加

例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

With the pattern of the oxide film as a mask, the exposed section of the face (100) of the silicon substrate 41 is etched through liquid-phase etching to form an inverted trapezoid groove 42, which has an inclination of 54.74° with respect to the face (100) of the silicon substrate 41 and having the same width as that of a semiconductor laser element 5.例文帳に追加

酸化膜のパターンをマスクにして液相エッチングによりシリコン基板の（１００）面の露出部をエッチングして、シリコン基板４１の（１００）面に対して角度が５４．７４度傾いた傾斜面を有し、半導体レーザ素子５の幅と一致する逆台形状の溝４２を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

Reflection mirrors 2 to 5 for reflecting light vertically to a coherence laser source and a substrate 1 are formed by anisotropic etching, and clockwise and counterclockwise cyclic optical paths 6, 7 are formed and an optical ring circuit is constructed by the cyclic optical paths 6, 7.例文帳に追加

可干渉性のレーザ光源と基板１に垂直に光を反射する反射ミラー２〜５を異方性エッチングで形成し、この反射ミラー２〜５を用いて、時計回りと半時計回りの周回光路６，７を形成し、この周回光路６，７によって光リング回路を形成する。 - 特許庁

The inorganic material working method includes a step (A) in which continuous cracks are generated in a substrate formed of an inorganic material by irradiation with pulse laser beams so that a part of the irradiation range for each pulse overlaps each other, and a degenerated area is formed in peripheral parts of the cracks, and a step (B) of etching the degenerated area.例文帳に追加

（Ａ）パルスレーザー光をパルス毎の照射範囲の一部が重なりあうように照射することで無機材料基板に連続する亀裂を生じさせるとともに該亀裂の周辺部に変質領域を形成させる工程、及び（Ｂ）該変質領域をエッチング処理する工程を含む無機材料の加工方法である。 - 特許庁

A semiconductor laser element is provided with a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4 and an etching stop layer 5 which are stacked in order on a substrate 1, a second ridge upper clad layer 7 provided on the layer 5, and optical confinement layers 10 provided on the sides of the layer 7.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、基板１の上に順に積層された下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４、およびエッチングストップ層５と、エッチングストップ層５の上に設けられたリッジ形の上部第２クラッド層７と、上部第２クラッド層７の側方に設けられた光閉じ込め層１０とを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the substrate for the inkjet head which includes forming the ink supply port on a silicon substrate, a stage for forming the ink supply port includes a stage for forming a non-through-hole by laser abrasion machining as a first stage and a stage for forming the through-hole by anisotropic etching as a second stage.例文帳に追加

シリコン基板にインク供給口を形成することを含むインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、インク供給口の形成工程が、第１の工程としてレーザーアブレーション加工による未貫通穴の形成工程と、第２の工程として異方性エッチングによる貫通口の形成工程とを含む。 - 特許庁

An optical waveguide is formed by one time of etching and this optical waveguide is embedded separately two times by a semiconductor having a different polarity and a refraction factor equal to an oscillation wavelength, so that a refraction factor waveguide type semiconductor laser having the resonator of an extremely small refraction factor step in spite of an end face non-injection type can be produced.例文帳に追加

１回のエッチングにより光導波路を形成し、これを極性が異なり発振波長に対して等しい屈折率を有する半導体で２回に分けて埋め込む事で、端面非注入型であっても屈折率段差が極めて小さい共振器を有する屈折率導波型の半導体レーザが製造できる。 - 特許庁

To provide a polymer which has excellent transparency, excellent dry etching resistance and excellent solubility in organic solvents, to provide a chemical amplification type resist composition suitable for far infrared light excimer laser lithography, electron beam lithography and the like, and to provide a method for forming a pattern with the chemical amplification type resist composition.例文帳に追加

優れた透明性と高いドライエッチング耐性とを有し、有機溶媒に対する溶解性にも優れた重合体、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適な化学増幅型レジスト組成物、および、この化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A display device has a substrate which has a rectangular shape and on which a plurality of terminals is arranged on one side of the rectangular shape, wherein the side face of the one side of the substrate is formed by wheel or laser, and at least part of three side faces other than the side face of the one side of the substrate is formed by etching.例文帳に追加

矩形形状を有し、前記矩形形状の一辺側に複数の端子が配置された基板を有する表示装置であって、前記基板の一辺側の側面がホイール又はレーザによって形成され、前記基板の一辺側の側面を除く他の３つの側面の少なくとも一部がエッチングによって形成されている。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition for forming a pattern having excellent roughness characteristics and dry etching resistance when an ArF excimer laser, an electron beam, an X-ray, an EUV and the like are used as an exposure light source, and also to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ等を露光光源とする場合に、ラフネス特性及びドライエッチング耐性に優れたパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To form a hole in a film to be etched in such a way that the surface shape of the hole is not made star and the diameter of the hole does not considerably exceed a prescribed value even when plasma etching is carried out at ≥1×1010/cm3 plasma density through a hole-patterned photosensitive material film formed by irradiation with KrF excimer laser as mask.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザを照射して形成したホールパターン化された感光性材料膜をマスクとして、１×１０^10／ｃｍ^3 以上のプラズマ密度でプラズマエッチングを行なっても、被エッチング膜に形成されるホールの平面形状が星形にならないと共にホールの径が所定値からあまり大きくならないようにする。 - 特許庁

To provide a polymer which has dry etching resistance, is high in sensitivity, resolution and light transmittance, when used for resist compositions for DUV excimer laser lithography or the like, has small line edge roughness of resist patterns and can resist to thin resist films, to provide a resist composition, and to provide a method for producing a substrate on which a resist pattern is formed.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等のレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、光線透過率が高く、レジストパターンのラインエッジラフネスが小さく、レジスト膜の薄膜化に耐えることができるドライエッチング耐性を有する重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for highly precisely grinding a desired multilayer film/pattern without requiring much time and effort in execution by a conventional chemical etching method, without requiring quality of coating or damaging a silicon in execution by a sand blast method, or without seriously damaging the silicon in a laser method.例文帳に追加

従来のケミカルエッチング方法での実施のように、多大の時間と手間暇がかかることもなく、サンドブラスト方法での実施のように、皮膜を問うことなく、シリコンへのダメージも与えることもなく、又、レーザー方法のように、シリコンに深いダメージを与えることとなく、所望の多層膜・パターンを高精度の研削加工する。 - 特許庁

To provide a highly practical negative photoresist suitable for lithography using light of ≤220 nm such as ArF excimer laser light as exposure light and having resistance to pattern deformation due to swelling and adhesion to a substrate (a fine pattern is less liable to peel off a substrate) in addition to dry etching resistance and high resolution.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ光等の２２０ｎｍ以下の光を露光光に用いたリソグラフィ用として好適に用いられる、ドライエッチング耐性、高解像性に加え、膨潤によるパターン変形及び基板密着性（微細なパターンが基板から剥がれにくい）を兼ね備えた実用性が高いネガ型フォトレジストを提供する。 - 特許庁

The device and manufacturing method of the device, wherein a first conductive layer contacting a semiconductor area is formed, an insulating layer is formed on the first conductive layer in a coating process, a mask pattern is formed by radiating a laser beam to a part of the insulating layer, etching is performed with the mask pattern as a mask to form a divided first conductive layer.例文帳に追加

本発明は、半導体領域に接する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第１の導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which is suitable when an exposure light source of ≤160 nm wavelength, in particular, F_2 excimer laser light (at 157 nm) is used, and specifically, which exhibits sufficient transparency when a light source of 157 nm is used, and which has various excellent characteristics such as affinity with a developer solution, image forming property and dry etching resistance.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、現像液親和性、画像形成性、耐ドライエッチング性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The minute depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by laser beam machining or etching and the depression 3 deeper than the depression 2 forming the dynamic pressure generation surface is formed by microblasting processing, so that the depressions 2, 3 having two different depths can be arranged in the rolling contact surface effectively and accurately.例文帳に追加

動圧発生面を形成する微小な浅い凹部２をレーザー加工又はエッチング加工により形成し、この動圧発生面を形成する凹部２よりも深い凹部３を、マイクロブラスト加工によって形成することにより、転がり接触面に、二つの異なる深さの凹部２、３を効率的に精度良く配置できるようにした。 - 特許庁

In an electrolytic capacitor configured by forming an oxide film layer and an etching layer on the surface, and laminating a plurality of electrode foils having projecting parts constituted by projecting a portion from the edge through a separator, the oxide film layer formed on the projecting part is removed by laser irradiation, and those respective projecting parts are connected to each other.例文帳に追加

表面に酸化皮膜層及びエッチング層を形成し、端部より一部が突出してなる突出部を有する電極箔をセパレータを介して複数積層してなる電解コンデンサにおいて、該突出部上に形成された酸化皮膜層をレーザー照射により除去し、各突出部を互いに接続する。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.例文帳に追加

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁

Narrow and deep grooves are provided on the surface of a piezoelectric ceramic board 1 by dicing, the grooves are filled with metal 9 to serve as outer and inner electrodes respectively, and joints between the inner electrodes and outer electrodes are locally cut off by laser-aided etching, by which a structure that functions as a laminated piezoelectric actuator can be obtained.例文帳に追加

圧電セラミクス基板１上にダイシング加工で形成した狭くて深い溝内部に、ニッケルの電解メッキにより外部及び内部電極となる金属９を充填し、レーザー支援エッチングにより内部電極と外部電極の接続部を局所的に切断することで、積層型圧電アクチュエータとして動作する構造を製造する。 - 特許庁

In the shape processing step, an etching-resistant film is stuck on the surface of the glass substrate, and laser processing or machining is applied to the film, to thereby remove the film in a region to be etched on the surface of the glass substrate, and to expose the glass, and then the exposed glass surface is etched, to thereby obtain the shape of the cover glass.例文帳に追加

この形状加工工程は、ガラス基板の表面に耐エッチング性を有するフィルムを貼着し、当該フィルムに対してレーザ加工または機械加工を施すことにより、ガラス基板の表面のうちエッチングされるべき領域のフィルムを除去してガラスを露出させ、露出したガラスの表面に対してエッチングを行うことで、カバーガラスの形状とする。 - 特許庁

The gravure plate is manufactured in processes of: exposing a film resist to laser light in accordance with a figure pattern; uniformly exposing the entire film resist with the exposed pattern; transferring the film resist after uniform exposure onto a cylinder; and developing, drying and etching the transferred film resist.例文帳に追加

ａ）フィルムレジストにレーザー光を用いた露光を行い、絵柄を焼き付ける工程と、ｂ）前記絵柄を焼き付けたフィルムレジスト全面に均一な露光を行う工程と、ｃ）前記均一露光後のフィルムレジストをシリンダーに転写する工程と、ｄ）前記転写されたフィルムレジストを現像、乾燥、腐食する工程を含むグラビア版の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a wiring pattern 5a is formed by etching a metal foil 2 on the surface of a laminate 1, a cut pattern 3a is previously formed around the wiring pattern 2a, a wear plate 10 is superposed on the under surface of the laminate 1, and the laminate 1 is irradiated with a laser beam along the cutting pattern 3a, from the side above the top surface of the laminate 1.例文帳に追加

積層板１の表面の金属箔２をエッチングして配線パターン５ａを形成する際に、配線パターン２ａの回りに切断パターン３ａを形成しておき、積層板１の下面側に当板１０を重ねた状態で積層板１の上面側から切断パターン３ａに沿ってレーザー光線を照射することにより切断する。 - 特許庁

To provide a compound sensitive to radiations including KrF excimer laser, extreme ultraviolet radiations, electron beams and X-rays, which is a nonpolymeric composition sensitive to such radiations, and producible by a simple process without using any metal catalyst, wherein the composition is highly sensitive, has high resolution, high heat resistance and high etching resistance and is soluble to solvents.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線等の放射線に感応する化合物及び感放射線性組成物であり、金属触媒を使用することなくかつ簡単な工程で製造できる、高感度、高解像度、高耐熱性、高エッチング耐性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁

A semiconductor layer constituting a laser resonator 2 is grown on an n-type GaAs substrate 1 and after a waveguide stripe 3 is formed on the semiconductor layer, the semiconductor layer is etched at a position in a part corresponding to the waveguide stripe 3 not intersecting the surface of the semiconductor layer thus forming a resonator end face 5 of etching end face.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上にレーザ共振器２を構成する半導体層を成長し、半導体層に導波路ストライプ３を形成した後、導波路ストライプ３に対応する部分における半導体層の表面に交差しない位置で半導体層をエッチングすることにより、エッチング端面からなる共振器端面４，５を形成する。 - 特許庁

A plating film 11 is deposited on a carbide layer 6 formed on the inner surface of a through-hole 3 bored by laser processing, then the carbide layer 6 is removed together with the plating film 11 by etching, and the inside of the through-hole 3 where the carbide layer 6 and the plating film 11 have been removed is filled up with a conductor by plating.例文帳に追加

レーザ加工により形成された貫通孔３の内面の炭化層６上にめっき膜１１を被着させた後、炭化層６をめっき膜１１とともにエッチング除去し、さらにこの炭化層６およびめっき膜１１が除去された貫通孔３の内部にめっきにより導体を充填して貫通導体４を形成する。 - 特許庁

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

To provide; a method of manufacturing a microlens sheet, which obtains a microlens sheet of high reliability and a projection screen or the like using the same by surely forming holes for etching by a beam like laser and surely forming each microlens; a method of manufacturing a projection screen using the microlens sheet; and a projection screen.例文帳に追加

レーザ等のビームによるエッチング用穴の形成を確実に行うとともに、各マイクロレンズを確実に形成して、信頼性の高いマイクロレンズシートおよびそれを用いた投写スクリーン等を得ることのできるマイクロレンズシートの製造方法およびそのマイクロレンズシートを用いた投写スクリーンの製造方法、並びに投写スクリーンを提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁