「laser-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A conduction hole 4 is formed using a double surface copper-clad plate with the aid of a punch and a mold, and an insulating base member 2 including an exposed end of the conduction hole 4 produced upon half etching after processing of the hole 4 is removed by making use of laser processing, plasma etching, and wet etching.例文帳に追加

両面銅張り板を用いて、パンチ、金型で導通用孔４を形成し、この孔４の加工後にハ−フエッチングを行った際に発生する導通用孔４の端部の露出した絶縁べ−ス材２をレ−ザ−加工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で除去する。 - 特許庁

The adhesive sheet for laser die bonding is disclosed which is provided with at least an adhesive layer on a base material, with the etching rate of the adhesive layer as >0.4 [(μm/pulse)/(J/cm^2)] and the etching rate (etching speed/energy fluence) of the base material as ≤0.4 [(μm/pulse)/(J/cm^2)].例文帳に追加

基材上に少なくとも粘着剤層が設けられており、粘着剤層のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^2 ）〕以上であり、かつ基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^2 ）〕未満であるレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。 - 特許庁

In the method of etching the resin film, at least one type selected from ultraviolet rays, microwaves, laser beams, and infrared rays is applied or a magnetic field is applied when performing wet etching using etching liquid containing urea, an alkali metal compound, and an amine compound.例文帳に追加

本発明の樹脂膜のエッチング方法は、尿素、アルカリ金属化合物、アミン化合物を含有するエッチング液を用いて、ウエットエッチングする際に、紫外線、マイクロ波、レーザーおよび赤外線から選ばれた少なくとも１種を照射するか、または、磁場をかけることを特徴とするものである。 - 特許庁

In the etching process, the etching amount y (μm) is controlled so as to satisfy y≥4 when the depth of the laser mark x (μm) is x≤60, and satisfy y≥0.001x^2-0.1186x+8.0643 when x>60.例文帳に追加

エッチング工程では、レーザマークの深さｘ（μｍ）がｘ≦６０のときｙ≧４を満たし、ｘ＞６０のときｙ≧０．００１ｘ^２−０．１１８６ｘ＋８．０６４３を満たすようにそのエッチング量ｙ（μｍ）が制御される。 - 特許庁

During the etching processing, the amount of displacement of a boundary plane is detected from an incidence light 21 and a reflection light 22 which are irradiated from this laser displacement meter, and a terminal point of etching processing is detected based on the variance of a detection value.例文帳に追加

エッチング処理中に、このレーザー変位計から照射される入射光２１と反射光２２とから境界面の変位量を検出し、検出値の変動に基づいてエッチング処理の終点を検出する。 - 特許庁

To provide a thin film etching method of etching a thin film using a femtosecond laser, to provide a simplified process and also a process productivity, and to provide a method of fabricating a liquid crystal display device using the same.例文帳に追加

フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The diffraction slit 13B is irradiated with laser beam 21 from the bottom of the transparent substrate base 10, etching liquid is supplied as detecting transmission light quantity and the etching is stopped at a point of time when the light quantity, etc., become a prescribed value.例文帳に追加

透明基板素体１０の下側からレーザビーム２１を該回折スリット１３Ｂに照射し、透過光量を検出しながらエッチング液を供給し、光量等が所定値となった時点で、エッチングを停止する。 - 特許庁

To prevent resist breakdown to obtain anisotropic patterns, without fail on etching-target films and to control the sizes of the patterns, in etching processes in which resist patterns formed of resist material for exposing to an ArF excimer laser are used.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ感光用のレジスト材からなるレジストパターンを用いるエッチング工程において、レジスト倒れを防止して被エッチング膜に異方性形状を確実に得ると共に、パターン寸法を制御できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element in which visibility of interference color is enhanced at the time of etching by ensuring a region for confirming progress of etching without sacrifice of supporting effect, i.e. heat dissipation or stress relaxation.例文帳に追加

放熱や応力緩和というサポートの効果を損なうことなく、エッチングの進行を確認するための領域を確保し、エッチング時の干渉色視認性を向上させる半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

The transparent electrode layer forming step includes a step for depositing a transparent electrode layer on the main surface, and a transparent electrode layer etching step for performing laser etching so that the deposited transparent electrode layer can be divided.例文帳に追加

前記透明電極層形成工程は、前記主面上への透明電極層製膜工程と、製膜された前記透明電極層が分割されるように、レーザーエッチングする透明電極層エッチング工程とを備える。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, a dry etching stop layer 13, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、ドライエッチングストップ層１３、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

To solve the problem that a precise pattern can not be formed in an ArF resist for exposure to ArF excimer laser light because of inferior durability of the resist against fluorine-based dry etching.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザ露光用のＡｒＦレジストは、弗素系ドライエッチング耐性が劣るため精密なパターンを形成することができない。 - 特許庁

An n-type clad layer 71 or an etching stop layer 74 is removed from the peripheral section 90 of the second substrate 31 other than the laser oscillation parts 60, 70.例文帳に追加

第２の基板３１のレーザ発振部６０，７０以外の周辺部９０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４を削除する。 - 特許庁

The hole part is formed by a laser machining or a dry etching and the shape of the cross section of the hole does not have rotational symmetries of five times.例文帳に追加

孔部は、レーザ加工やドライエッチングによって形成し、孔部の断面形状は、５回以上の回転対称性を持たないようにする。 - 特許庁

A carved section 19 having spiral grooves filled with a coating solution 22 for an etching-resistant layer is formed on the periphery of the ceramic material 18 by laser processing.例文帳に追加

セラミックス材18の外周に耐エッチング層塗布液22を充填するらせん状の溝を有する彫刻部19をレーザ加工により形成する。 - 特許庁

To provide a pattern processing method with which sufficient etching resistance of a resist film is ensured without scanning with an ultraviolet laser beam.例文帳に追加

紫外レーザビームの走査を行うことなく、かつレジスト膜の十分なエッチング耐性を確保することができるパターン加工方法を提供する。 - 特許庁

The convex parts are formed by selectively growing the corresponding parts, or by laser-processing or wet or dry etching the other parts.例文帳に追加

凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the ridge waveguide type semiconductor laser element includes dry etching a ridge 8 by retaining a second conductivity type clad layer 7 by a thickness d from a second conductivity type etching stop layer 5, and then etching the second conductivity type clad layer 7 retained on the second conductivity type etching stop layer 5 to the second conductivity type etching stop layer 5 with a tartaric acid etchant to be formed in a rectangular shape.例文帳に追加

リッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法において、リッジ部８を第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５から厚さｄだけ残してドライエッチングした後、酒石酸エッチング液により第２導電型エッチング停止層５上に残こった第２導電型クラッド層７を第２導電型エッチング停止層５までエッチングして矩形状に形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser less damaging an active layer by dry etching, a self-excited nitride semiconductor laser capable of attaining stable FFP and low consumption power, a nitride semiconductor laser with high reliability, and a method of manufacturing those.例文帳に追加

ドライエッチングによる活性層へのダメージの小さな窒化物半導体レーザと、安定したＦＦＰと、低消費電力化とを実現することの可能な自励発振型の窒化物半導体レーザと、信頼性の高い窒化物半導体レーザと、これらの製造方法とを提供する。 - 特許庁

The condensing can be increased in comparison with the conventional device by forming a Fresnel lens pattern 18 for collimating the laser beam L3 from the light emitting parts of the semiconductor laser array 11 correspondingly to the laser emitting parts by etching.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１１の各レーザ発光部から出射されたレーザ光Ｌ３をコリメートするためのフレネルレンズパターン１８を、エッチングを用いて各レーザ発光部に対応して形成させることにより、従来よりも集光性能を高めることが可能になる。 - 特許庁

In another embodiment, the heat-affected zone by laser beam is processed to a predetermined depth from each principal plane of the crystal element piece and wet etching is applied to form a narrow groove.例文帳に追加

別の実施例では、レーザ光による変質部を水晶素子片各主面から所定の深さまで加工し、これをウエットエッチングして細溝を形成する。 - 特許庁

A viahole is formed on a copper foil of the pattern 32 by etching treatment and is irradiated with a laser light, and a cylindrical blind hole 35 is formed.例文帳に追加

パターン３２の銅箔部分に予めバイアホールをエッチング処理で開け、そこにレーザ光を照射して円筒状のブラインドホール３５を形成する。 - 特許庁

To provide a laser beam stimulation etching processing device using near field light, whose processing efficiency and feasibility are raised, and to provide its processing method.例文帳に追加

加工効率を向上させ、実用性を高めた、近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

The glass board 10 is irradiated with a laser beam as an energy beam to pattern the required regions of the ZnO film 3 by etching (c).例文帳に追加

エネルギビームとしてのレーザ光を透明導電膜付きガラス基板１０に照射して、ＺｎＯ膜３の所望の複数の領域をパターンエッチングする（ｃ）。 - 特許庁

Thus, the need of performing a special protective process is eliminated and this plane light emission type semiconductor laser with the high yield is manufactured just by one time etching.例文帳に追加

よって、特別な保護工程を行う必要がなくなり、１回のエッチングのみで、歩留まりの高い面発光型半導体レーザの作製が可能となる。 - 特許庁

This processing depth measuring device is equipped with an etching vessel 7, a laser transmitter 1, a light receiving part 2, a control part 3, a light lead-in part 4 and a light lead-out part 5.例文帳に追加

加工深さ測定装置は、エッチング槽７、レーザ発信器１、受光部２、制御部３、光導入部４および光導出部５を備えている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nitride semiconductor laser element for suppressing variation of a characteristic by improving accuracy of dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングの精度を向上させることにより、特性のばらつきを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子の製造方法を提供する - 特許庁

A trench 16 is then formed by irradiating the surface of the crystal substrate 11 with a laser beam and subjected to isotropic etching thus removing crystal defects.例文帳に追加

次いで上記結晶基板１１の表面に、レーザ光を照射して溝１６を形成し、この溝１６を等方性エッチングにより結晶欠陥を除去する。 - 特許庁

A red semiconductor laser element is equipped with an n-type AlGaInP bottom cladding layer 4, a GaInP/AlGaInP multiple quantum well active layer 5, and a GaInP etching stop layer 7.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層４、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層５およびＧａＩｎＰエッチングストップ層７を備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ridge semiconductor laser having high oscillation efficiencies without making an etching stop layer exist between blocking layers and a first upper clad layer.例文帳に追加

ブロック層と第１上クラッド層との間にエッチングストップ層が存在せず、発振効率の高いリッジ型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

The load beam 11 is provided with an island-shaped region 21 including the laser weld zone 20 and a partial etching part 22 formed around the island-shaped region 21.例文帳に追加

ロードビーム１１は、レーザー溶接部２０を含む島状領域２１と、島状領域２１の周囲に形成されたパーシャルエッチング部２２とを具備している。 - 特許庁

Dicing processing, laser processing, etching processing, or the like is adapted to the semiconductor wafer 2 having the film 1 formed to its surface part to form a groove 5 for cutting the film 1.例文帳に追加

表面部に膜１が形成された半導体ウェハ２に、ダイシング加工、レーザ加工、エッチング加工等を適用して、膜１を切断する溝５を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor laser having a ridge structure wherein a dry etching is used and the generations of crystal defects and plasma damages are prevented.例文帳に追加

ドライエッチングを用いてリッジ構造の半導体レーザを作製する場合に、結晶欠陥およびプラズマダメージの発生を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

A film substrate 12 is partially removed by laser etching or the like by leaving a transmission line pattern 14 so that a connection exposed part 16 can be formed.例文帳に追加

伝送線路パターン１４を残してフィルム基板１２をレーザーエッチング等で部分的に除去することにより、接続露出部１６が形成される。 - 特許庁

In addition, the method includes the process of a second recessed part 20b is formed by laser processing on a face to be etched of the silicon substrate etched by the first wet etching.例文帳に追加

さらに、第１のウエットエッチングによってエッチングされたシリコン基板の被エッチング面に、レーザー加工によって第２の凹部２０ｂを形成する工程を有する。 - 特許庁

To efficiently and surely cleave a bar-like element joint body having a groove for cleavage formed by etching into a plurality of semiconductor laser elements.例文帳に追加

エッチングにて形成される劈開用溝部を有するバー状素子結合体を、効率よく、しかも、確実に、複数の半導体レーザー素子に劈開することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser element, by which an etching removal of unnecessary current inhibition layer formed on a ridge stripe can be easily and certainly carried out and the semiconductor laser element can be designed with a degree of freedom.例文帳に追加

リッジストライプ上に形成された不要な電流阻止層を容易且つ確実にエッチング除去できて、半導体レーザ素子の設計上の自由度がある半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a full side irradiation type medical laser apparatus which enables etching and disinfecting of a hard tissue, the removal of a smeared layer and other operations by enabling accurate insertion of teeth into a root canal in the laser irradiation of the teeth within the root canal.例文帳に追加

歯牙の根管内でのレーザ照射を行う時、根管内に確実に挿入ができ、硬組織をエッチング及び殺菌・スメア層の除去等ができる全側面照射型の医療用レーザ装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor laser device comprises a process of forming a laser wafer by laminating a plurality of layers on a substrate, a process of forming a plurality of recesses nearly in parallel with the laser wafer, an etching process of dipping the laser wafer in an etchant, and process of dividing the laser wafer along the recesses into a plurality of bar-like bodies.例文帳に追加

本発明による半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に複数の層を積層してレーザウェハを形成する工程と、前記レーザウェハに略平行な複数の溝を形成する工程と、前記レーザウェハをエッチング溶液に浸漬するエッチング工程と、前記レーザウェハを前記溝に沿ってバー状成形体に分割する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

In a signal processing/controlling system 14, the etching rate is calculated in real time, and the apparatus is controlled so as to permit an attenuator 15 to reduce light until the resultant etching rate becomes substantially steady without depending on the intensity of the laser beams (S106).例文帳に追加

信号処理・制御系１４では、リアルタイムにエッチングレートを計算し、得られたエッチングレートがレーザ光の光強度に依らずほぼ一定になるまで、光減衰器１５に光を減少させるように機器を制御する（Ｓ１０６）。 - 特許庁

Before forming the contour of the crystal element 1 by processing a crystal wafer 3 by wet etching, an area in which etching residue of the crystal wafer 3 is easily produced is previously irradiated with a laser 14 to be mechanically processed or weakened.例文帳に追加

水晶ウエハ３をウェットエッチングにより加工して水晶片１の外形を形成する前に、予め水晶ウエハ３のエッチング残渣が発生し易い領域にレーザー１４を照射して機械的に加工又は脆弱化しておく。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride based semiconductor laser element, after laminating nitride based semiconductor layers 2-10 on a n-type GaN substrate 1, a projecting ridge portion 11 is formed by dry etching using an ICP etching device.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体各層２〜１０を積層した後、ＩＣＰエッチング装置を用いたドライエッチングにより、凸状のリッジ部１１を形成する。 - 特許庁

In this case, the etching by the laser beam 11 is carried out by making a detection probe 15 in contact with the upper electrode film 1 and the lower electrode film 2 to monitor the resonance frequency of the thin film resonator and when the resonance frequency is almost coincident with a setting frequency, the etching by the laser beam 11 is completed.例文帳に追加

その際に、検出プローブ１５を上部電極膜１及び下部電極膜２に接触させて薄膜共振子の共振周波数を監視しながらレーザビーム１１によるエッチングを行い、共振周波数が設定周波数に略一致したときに、レーザビーム１１によるエッチングを終了する。 - 特許庁

A step of peeling the etching resist having been used for etching the magnetic layer includes: a step of radiating excimer VUV laser under a reduced pressure onto the etching resist on the magnetic layer or a protection layer; and a step of cleaning and removing the resist remaining on the magnetic layer or the protection layer by soaking the resist in a release agent solution.例文帳に追加

磁性層のエッチングに用いたエッチングレジストの剥離工程が、磁性層または保護層上のエッチングレジストに、減圧下にエキシマＶＵＶレーザを照射する工程、および磁性層または保護層上に残存するレジストをレジスト剥離剤溶液に浸漬して洗浄除去する工程、からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by an etching process using laser beam irradiation, which can applied for production of a semiconductor device in wide range requiring the etching process for a complicated shape, deep and large removal region or the like, and can obtain high etching rate.例文帳に追加

レーザ光の照射を利用したエッチング加工による半導体装置の製造方法であって、複雑形状や深くて大きい除去領域等のエッチング加工が必要な広範囲の半導体装置の製造に適用可能で、高いエッチング速度が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁