「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The ratio (A/B) of thickness A of the metal plating layer formed on the surface of a cross section in a thickness direction of the resin substrate 2 and thickness B of the metal plating layer formed on the rear surface of the cross section in the thickness direction of the resin substrate is preferably 0.2-5.例文帳に追加

樹脂基材２の厚み方向断面の表面に形成された金属めっき層の厚みＡと、樹脂基材の厚み方向断面の裏面に形成された金属めっき層の厚みＢとの比率（Ａ／Ｂ）は、０．２〜５であることが好ましい。 - 特許庁

The thickness of the surface layer is made thin, that is, 0.2 μm to 3.0 μm and the ink absorbing layer having no crack is provided as an under layer, to hold the strength of the receiving layer.例文帳に追加

該表面層の厚さを０．２μｍ以上３．０μｍ以下と薄くし、下層に亀裂のないインク吸収層を設けることで受容層強度を保持することができる。 - 特許庁

The layer 11 has sufficient film thickness and thermal capacity, an increased interlayer distance between the active layer and the lower metal layer is increased, and hence a heat leakage of the metal layer can be relieved.例文帳に追加

バッファ層１１は十分な膜厚と熱容量を備え能動層とその下層金属層との層間距離を大きくし、金属層による熱リークをを緩和できる。 - 特許庁

To provide a wiring board together with its manufacturing method wherein the thickness of an inter-layer insulating layer is constant while a fine pattern is worked at an inner-layer conductor layer.例文帳に追加

層間絶縁層の厚さが均一であり、さらに、内層導体層に微細なパターン加工を施すことができる配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The n-type clad layer includes a first n-type clad layer made of AlGaInP and a second n-type clad layer made of AlInP, and the film thickness of the second n-type clad layer is 40-200 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 - 特許庁

To solve the problem of the non-uniform thickness formation of a gap layer formed on a lower gap layer or a lower core layer located above a lower shield layer in a conventional thin film magnetic head.例文帳に追加

従来の薄膜磁気ヘッドでは、下部シールド層の上に形成される下部ギャップ層や下部コア層の上に形成されるギャップ層が均一な膜厚で形成されていない。 - 特許庁

The periodic structure layer 13 has a periodic structure of an AlInN layer and a GaN layer, and the thickness of one layer is λ/4n (λ is wavelength and n is refractive index).例文帳に追加

周期構造層１３は、ＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との周期構造とし、一層の厚さをλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）とする。 - 特許庁

The Pd layer which is an outermost layer has its layer thickness set so that the Pd layer wears away before the magnetic one-component developer stored in the developing device is consumed.例文帳に追加

最外層であるＰｄ層は、この現像装置内に収容された磁性一成分現像剤が消費されるまでに摩耗消滅するように層厚を設定する。 - 特許庁

In a second semiconductor light emitting element, the thickness of the barrier layer among the plurality of the barrier layers on the side of the p-type cladding layer is less than that of the barrier layer on the side of the n-type cladding layer.例文帳に追加

第２の半導体発光素子では、複数のバリア層のうちｐ型クラッド層の側のバリア層の厚さが、ｎ型クラッド層の側のバリア層の厚さより薄い。 - 特許庁

To provide a superconducting element having a structure as the laminate of the superconducting layer and non-superconducting layer and with the thickness of the non-superconducting layer finely adjusted on an atomic layer level.例文帳に追加

超電導層と非超電導層を積層した構造を有し、非超電導層の厚さを原子層レベルで細かく調節できる超電導素子を提供する。 - 特許庁

The film-depositing method of antireflection layer is characterized in that the antireflection layer is formed on a substrate and a TiN film having a thickness of 10 nm or less is laminated on the antireflection layer as an antifouling layer.例文帳に追加

基材上に反射防止層を成膜し、前記反射防止層上に、厚さ１０ｎｍ以下のＴｉＮ膜を防汚層として積層することを特徴とする。 - 特許庁

A transparent protective layer 106 with a thickness of 100 microns consisting of a resin film 100, a boundary layer 104 and an adhesive bond layer 103 is formed on a signal recording layer 102.例文帳に追加

信号記録層１０２上には、樹脂フィルム１００、境界層１０４、接着剤層１０３からなる厚さ１００ミクロンの透明保護層１０６が形成されている。 - 特許庁

It is also possible to use a base layer 430 the In composition of which has different compositional inclinations on the collector layer 41 side and emitter layer 44 and 45 side in the thickness direction instead of the base layer 43.例文帳に追加

ベース層４３に代えて、Ｉｎ組成が層厚方向にコレクタ層側とエミッタ層側とで異なる組成傾斜を有しているベース層４３０としてもよい。 - 特許庁

Further, a nitride semiconductor layer 20 formed on the n-type GaN substrate 10 includes a layer thickness slope region 5 which gradually decreases in layer thickness toward the recessed portion 2 (dug region 3), and a light emission formation region 6 wherein variation in layer thickness is very small.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、凹部２（掘り込み領域３）に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。 - 特許庁

For this connector having an electrical contact as a contact, a nickel layer 38 having a thickness of 1.00 μm and a gold-nickel alloy layer 40 having a thickness of 0.3 μm are stacked on sequentially a base material 36 formed of a copper alloy, and a gold layer 42, having a thickness of 0.05 μm, is formed on the outermost layer.例文帳に追加

電気接点を接触子として有するコネクタは、銅合金からなる基材３６の上に、厚みが１．００μｍのニッケル層３８および厚みが０．３μｍの金−ニッケル合金層４０が順次積層され、最表層には厚みが０．０５μｍの金層４２が形成されている。 - 特許庁

The photosensitive resin laminate comprises a support layer, a photosensitive resin layer and a protective layer, wherein a viscosity of the photosensitive resin layer is 10^6-10^7 mPa s at 80°C, a thickness of the photosensitive resin layer is 1-20 μm, and a total thickness of the support layer and the protective layer is 30-80 μm.例文帳に追加

支持層、感光性樹脂層、保護層からなる感光性樹脂積層体において、感光性樹脂層の粘度が、８０℃で１０^６〜１０^７ｍＰａ・ｓ、感光性樹脂層の厚みが１〜２０μｍ、支持層及び保護層の厚みの合計が３０〜８０μｍ、であることを特徴とする感光性樹脂積層体を提供する。 - 特許庁

The photocatalyst structure includes a resin base material, an inorganic oxide layer laminated on a face of the resin base material, and the photocatalyst layer laminated on a face of the inorganic oxide layer, the layer thickness of the inorganic oxide layer is 110-190 nm, and the layer thickness of the photocatalyst layer is 60-500 nm.例文帳に追加

樹脂基材と、この樹脂基材の面に積層された無機酸化物層と、この無機酸化物層の面に積層された光触媒層とを含む光触媒構造体であって、前記無機酸化物層の層厚が１１０〜１９０ｎｍであり、かつ前記光触媒層の層厚が６０〜５００ｎｍである。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium in which even when thickness of a hiding layer or the total thickness of the hiding layer and a decorative layer is increased, there exists no possibility of generating cracks of embossed letters in the magnetic recording medium such as a card which has the hiding layer or the hiding layer and the decorative layer on a magnetic recording layer.例文帳に追加

磁気記録層上に隠蔽層、または隠蔽層および装飾層を有するカード等の磁気記録媒体において、隠蔽層の厚み、または隠蔽層および装飾層の合計厚みが増しても、エンボス文字割れが生じない磁気記録媒体を提供することを課題とするものである。 - 特許庁

The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28.例文帳に追加

受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。 - 特許庁

An impermeable base course layer 2 with a thickness of about 10 cm is formed on a roadbed 1, and a permeable base course layer 3 with a thickness of about 5 cm and a permeable decorative base course layer 4 with a thickness of about 1 cm are formed on the impermeable base course layer 2 to retain rainwater by the permeable base course layer 3 and the decorative base course layer 4.例文帳に追加

路床１上に，１０ｃｍ程度の厚さの非透水性路盤層２を形成し，該非透水性路盤層２の上に，５ｃｍ程度の厚さの透水性路盤層３と１ｃｍ程度の厚さの同じく透水性の化粧路盤層４を形成することによって，透水性路盤層３と化粧路盤層４とによって雨水の保水を行なう。 - 特許庁

An actuator thickness t_0 equal to the total thickness of an actuator unit including an active layer arranged between an individual electrode and a common electrode and a non-active layer holding the common electrode in combination with the active layer is measured (actuator thickness measuring step).例文帳に追加

個別電極と共通電極との間に配置された活性層及び活性層との間に共通電極を挟む非活性層を含むアクチュエータユニット全体の厚みであるアクチュエータ厚ｔ_０を測定する（アクチュエータ厚測定工程）。 - 特許庁

Protrusions which adjust the liquid crystal layer thickness are continuously formed over adjacent divided pixels such that the thickness dr of liquid crystal layer of the reflective display part R of respective adjacent divided pixels is set to be smaller than the thickness dt of liquid crystal layer of the transmissive display part T.例文帳に追加

液晶層厚を調整する凸部が、隣接する分割画素にわたって連続して形成されて、隣接する各分割画素の反射表示部Ｒの液晶層厚ｄｒが透過表示部Ｔの液晶層厚ｄｔより小さくなる。 - 特許庁

A copper plating layer 2 of 2 to 5 μm in thickness, a gold-copper alloy plating layer 3 of 2 to 3 μm in thickness and a finish plating layer 4 of 0.2 to 0.5 μm in thickness consisting of rhodium are respectively electroplated in this order on the surface of a brass substrate 1.例文帳に追加

黄銅素地１の表面に、層厚２〜５μｍの銅めっき層２と、層厚２〜３μｍの金−銀合金めっき層３と、ロジウムよりなる層厚０．２〜０．５μｍの仕上げめっき層４とをこの順に、それぞれ電気めっきする。 - 特許庁

A first polyimide layer of 0.5-5 μm thickness and having a coefficient of linear expansion of 15-45 ppm, a second polyimide layer of 2-30 μm thickness and having a coefficient of linear expansion of 5-20 ppm and an adhesive layer of 2-20 μm thickness are layered on copper foil.例文帳に追加

銅箔上に、厚さ０．５から５μｍで線膨張係数が１５から４５ppmの第１のポリイミド層と、厚さ２から３０μｍで線膨張係数が５から２０ppmの第２のポリイミド層、厚さ２から２０μｍの接着剤層を積層する。 - 特許庁

The developing device has a layer thickness regulating member which regulates the thickness of a layer of a developer supported on the surface of a developer support and carried and at least the surface of the layer thickness regulating member is formed of a crosslinked methylmethoxy-containing nylon resin as a base.例文帳に追加

現像剤担持体の表面に担持されて搬送される現像剤の層厚を規制する層厚規制部材の少なくとも表面が、架橋されたメチルメトキシ基含有ナイロン樹脂を主体として形成されている現像装置を用いる。 - 特許庁

The thickness of the first soldering layer 15 is 0.2 μm or more to 2.0 μm or less, the thickness of the second soldering layer 16 is 0.005 μm or more to 0.3 μm or less, and the thickness of a soldering metal layer 13 is 0.205 μm or more to 2.3 μm or less.例文帳に追加

第１にはんだ付け層１５の厚さは０．２μｍ以上２．０μｍ以下、第２のはんだ付け層１６の厚さは０．００５μｍ以上０．３μｍであり、はんだ付け金属層１３の厚さは０．２０５μｍ以上、２．３μｍ以下とする。 - 特許庁

The spacer layer 16 of third thickness t3 is provided between the fixed ferromagnetic layer 26 and the free ferromagnetic layer 28.例文帳に追加

スペーサ層（１６）は、固定強磁性層（２６）および自由強磁性層（２８）の間に設けられ、このスペーサ層（１６）は第３厚さ（ｔ３）を有する。 - 特許庁

The total thickness of the buffer layer 2 and the n-type clad layer 3 is reduced to make transposition on the surface of the n-type clad layer 3.例文帳に追加

バッファ層２とｎ型クラッド層３との合計の厚みを薄くすることによってｎ型クラッド層３の表面に転位を生じさせる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic photoreceptor in which a protective layer has a desired layer thickness while the protective layer has a sufficient strength.例文帳に追加

保護層が十分な強度を有しながらも、当該保護層が所望の層厚を有する有機感光体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, the p-SiNx layer as the second layer is shaved using the Ta as an etching stopping layer, then, the heater protection membrane can obtain the required membrane thickness in respective membranes.例文帳に追加

次に、２層目のｐ−ＳｉＮｘをＴａをエッチングストップ層として削りこみ、ヒータ保護膜それぞれに必要な膜厚を実現する。 - 特許庁

The dielectric layer 13 for dividing alignment and the dielectric layer 14 for controlling thickness of the liquid crystal layer 4 are simultaneously formed with an identical process.例文帳に追加

配向分割用の誘電層１３と液晶層４の厚さを制御する誘電層１４は、同一プロセスにより同時形成されている - 特許庁

The ink layer part 3 and the ink layer part 4 are arranged adjacently and perpendicularly to the thickness direction of the ink layer 2.例文帳に追加

パール入りインク層部３とパールを混入しないインク層部４とがインク層２の厚み方向と直交する方向に隣り合って設けてある。 - 特許庁

Of these layers, the heatsink layer 113 is interposed between the Au layer 111a and the Ti layer 110b and has a thickness of about 20 μm.例文帳に追加

この中で、ヒートシンク層１１３は、Ａｕ層１１１ａとＴｉ層１１０ｂとの間に介挿されており、２０μｍ程度の厚みを有する。 - 特許庁

The superlattice layer 16 has such a structure as, for example, AlN layer and GaN layer of 0.7nm thickness are formed alternately, to provide a distortion buffer function.例文帳に追加

超格子層１６は、例えば各０．７ｎｍ厚のＡｌＮ層及びＧａＮ層を交互に形成した構造とし、歪緩衝機能を持たせる。 - 特許庁

At this time, the respective layers are formed to a thickness below 20 mm and the layer on the lower side of the antiferromagnetic substance layer 200 is thinner than the layer of the upper side.例文帳に追加

このとき、それぞれの層が、２０ｎｍ以下の厚さに形成され、反強磁性体層２００の下側の層は、上側の層より薄い。 - 特許庁

A nickel layer is desirable as a metal layer formed by nonelectrolytic plating and 0.5 to 5 μm is desirable as thickness of that nickel layer.例文帳に追加

上記無電解メッキで形成する金属層としてはニッケル層が好ましく、また、そのニッケル層の厚みとしては、０．５〜５μｍが好ましい。 - 特許庁

The thickness of the interposing layer is preferably 10-50 nm, and the chemical component system of the interposing layer is desirably the same as the oxide layer.例文帳に追加

特に該介在層の厚みが、１０ないし５０ｎｍのもの、さらに該介在層の化学成分系が酸化物層と同じものが望ましい。 - 特許庁

A gold-plated layer, having a thickness of 5 μm or more, is formed on one of two electrodes sandwiching an active layer of a semiconductor laser element 26 which is closer to the active layer.例文帳に追加

半導体レーザ素子26の活性層を挟む２電極のうち、活性層に近い電極上に金メッキ層を５μｍ以上形成する。 - 特許庁

The total thickness of the base material layer 20 added with the adhesive agent layer 30a and the adhesive agent layer 30b shall be 10 μm or less.例文帳に追加

基材層２０の厚さに粘着剤層３０ａおよび粘着剤層３０ｂの厚さを合計した総厚は１０μｍ以下である。 - 特許庁

The invention also includes a second outer conductive layer having a thickness substantially equal to that of the first outer conductive layer and being bonded to the second adhesive layer.例文帳に追加

本発明は、第１外部導電層の厚さとほぼ同じ厚さを有し、第２粘着層に接合する第２外部導電層も含む。 - 特許庁

Further, it is preferable to laminate an aluminum foil layer 6 having 0.01 to 0.10 mm thickness between the layers of the protective film layer and polyethylene foam layer.例文帳に追加

さらに保護フィルム層とポリエチレンフォーム層との層間に、厚さ０．０１〜０．１０ｍｍのアルミ箔層６が積層されていることが好ましい。 - 特許庁

The organic layer has at least a light-emitting layer 14 that has a structure of good symmetry and the thickness of this light-emitting layer 14 is made less than 30 nm.例文帳に追加

前記有機層は対称性の良い構造を有する発光層１４を少なくとも有し、この発光層１４の膜厚を30nm未満にする。 - 特許庁

To provide a lower layer resist composition excellent in dry etching resistance and uniformity of film thickness as a lower layer resist composition for a silicon-containing two-layer resist.例文帳に追加

シリコン含有２層レジスト用下層レジスト組成物において、ドライエッチング耐性、膜厚均一性に優れた下層レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In the optical disk for which a recording surface disk and a dummy surface disk are stuck together through an adhesive layer 5, the film thickness of the protective layer 32 of the dummy surface disk and the film thickness of the protective layer 4 of the recording surface disk are made different.例文帳に追加

接着層５を介して、記録面ディスクとダミー面ディスクを貼り合わせる光ディスクにおいて、ダミー面ディスクの保護層３２の膜厚と記録面ディスクの保護層４の膜厚を異ならせる。 - 特許庁

The corner part 5 on the side of the transparent layer 1 of the end part of the resin molded object is obliquely notched so that the thickness B after notching of the transparent layer 1 in the cross section 4 becomes 20% or less of the thickness A before notching of the transparent layer 1.例文帳に追加

端部の透明層１側の角部５を、切断面４における透明層１の切欠き後の厚さＢが切り欠く前の厚さＡの２０%以下となるように斜めに切り欠く。 - 特許庁