「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

A barium titanate dielectric layer 203 is formed on the lower electrode 202 through an aerosol deposition method, an insulating layer 210 is formed around the barium titanate dielectric layer 203, and then an upper electrode 204 is formed on the dielectric layer 203.例文帳に追加

次いで下部電極２０２上にエアロゾルデポジション法によってチタン酸バリウム誘電体層２０３を形成し、更にチタン酸バリウム誘電体層２０３の周囲に絶縁層２１０を形成し、この後、誘電体層２０３の上部に上部電極２０４を形成した。 - 特許庁

A substrate for magnetic semiconductor comprises: a diffusion receiving layer 103 of semiconductor in which a thin film of magnetic atoms is formed on the irradiation surface to be irradiated by laser; and a thermal conduction suppressing layer 102 which is in contact with a surface opposite to the irradiation surface of the diffusion receiving layer and that has thermal conductivity lower than that of the diffusion receiving layer.例文帳に追加

レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 - 特許庁

The impact resilience of a sheet base material layer 12 forming the lower layer in a floor side is set within 1-20% and a permeability of the sheet surface layer 18 forming an upper layer supporting the body of a user is set to 50cm^3/cm^2/sec or more.例文帳に追加

床側となる下層をなすシート状基材層１２は、その反発弾性率が１〜２０％の範囲に設定され、使用者の身体を支持する上層をなすシート状表層１８は、その通気性が５０ｃｍ^３／ｃｍ^２／ｓｅｃ以上に設定される。 - 特許庁

The part at the base material 2 side of the low refractive index layer 5 functions as a substantial light absorbing layer, so that the V-curve is effectively restrained and these substantially low refractive index layer and light absorbing layer can be formed in one process to lower the manufacturing cost.例文帳に追加

低反射率層５の基材２側の部分は実質的な光吸収層として機能するので、効果的にＶカーブを抑制でき、これら実質的な低反射率層と光吸収層とが一工程で形成されるので、製造コストを低くすることができる。 - 特許庁

Next, a GaN semiconductor substrate 10 is formed by sequentially depositing a GaN layer 16 and a AlGaN layer 20 on the buffer layer under the condition that the supporting substrate and buffer layer are kept within the growth temperature being set to 900°C or higher but to 1,100°C or lower.例文帳に追加

次に、支持基板及びバッファ層を９００℃以上１１００℃以下に設定された成長温度に保持した状態で、バッファ層上に、ＧａＮ層１６及びＡｌＧａＮ層２０を順次に積層してＧａＮ半導体基板１０を形成する。 - 特許庁

One electrode 14, 15 supported by the substrate 12 comprises a first conductive layer 14, and a polarity control layer 15 arranged between the conductive layer 14 and the thin film 16 and made up of metal whose standard single electrode potential is lower than that of the conductive layer 14.例文帳に追加

基板１２に支持される一方の電極１４，１５は、第１の導電層１４と、第１の導電層１４と圧電薄膜１６との間に配置され、第１の導電層１４より標準単極電位の低い金属からなる極性制御層１５とを含む。 - 特許庁

To efficiently repair a short circuit part in an intersecting part, in an electron source mounted with matrix wiring composed of upper wiring and lower wiring intersecting each other with intermediation of an insulating layer between the upper wiring and the lower wiring.例文帳に追加

絶縁層を介して交差する上層配線と下層配線からなるマトリックス配線を備えた電子源において、上記交差部における短絡部を効率よく修復する。 - 特許庁

When applying the lower layer coating film composition, a first window part 30 of a small square shape is simultaneously arranged in a substantially central position and a lower side position in the peripheral direction of both skirt parts.例文帳に追加

下層皮膜組成物を施した際に、両スカート部の周方向のほぼ中央位置で、かつ下側の位置に小さな正方形状の第１窓部３０が同時に設けられる。 - 特許庁

A light shielding layer 24 is formed on a position with a prescribed interval along the outer side of the peripheral edge of a lower light shielding film 22 between the lower light shielding film 22 and a semiconductor film 25.例文帳に追加

下部遮光膜２２と半導体膜２５の間に、下部遮光膜２２の周縁部の外側に沿って所定の間隔をあけた位置に該当する位置に、遮光層２４を設けた。 - 特許庁

To provide a silicon substrate having a thickness thinner than before when manufacturing a semiconductor device having a structure which covers the side surface of the silicon substrate with a sealing film and covers the lower surface of the substrate with a lower layer protection film.例文帳に追加

シリコン基板の側面を封止膜で覆い、下面を下層保護膜で覆った構造の半導体装置の製造に際し、シリコン基板の厚さをより一層薄くする。 - 特許庁

Consequently, a resist pattern 12b of a lower-layer part which is not irradiated with the electron beam fluidizes to have its section tapered, thereby obtaining a resist pattern 12c whose lower opening part is reduced.例文帳に追加

これにより、電子ビームが照射されていない下層部のレジストパターン１２ｂが流動化し、断面がテーパー状となって下部の開口部が縮小したレジストパターン１２ｃが得られる。 - 特許庁

By using the SiO_2 film 30 as a polishing stopper, the lower shield layer 13 is polished until the SiO_2 film 30 is exposed to parts other than the ABS working area α and the lower shield forming area.例文帳に追加

そして、ＳｉＯ_2膜３０を研磨ストッパとして、ＡＢＳ加工領域α及び下部シールド形成領域以外にＳｉＯ_2膜３０が露出するまで下部シールド層１３を研磨する。 - 特許庁

Further, since the necessity of routing the lower electrode 20 can be eliminated, a dual layer of the lower electrode and the upper electrode is not required on the routing portion in a conventional technique, an element area can be reduced.例文帳に追加

また、下部電極２０の引き回しを無くせるので、従来のように引き回し部分で上部電極と２層に形成する必要は無く、素子面積を縮小することができる。 - 特許庁

When sputtering is performed from the lower surface side following to the upper surface side, a lower layer thin metal film 18T1 of substantially uniform thickness is formed on the side face.例文帳に追加

上面側からスパッタリングを行った後、下面側からスパッタリングを行うことによって、側面にも略均一の厚みの下層金属薄膜１８Ｔ１が形成されることとなる。 - 特許庁

A separation wall section 24 is arranged between an upper face section 21 and a lower face section 23 which face each other, and an air layer is formed between the upper face section 21 and the lower face section 23, in a sound absorbing body 2.例文帳に追加

吸音体２においては、対向する上面部２１と下面部２３との間に分離壁部２４が配置され、上面部２１と下面部２３との間に、空気層が形成されている。 - 特許庁

The bag materials 21 are made of a total of three layers, one layer being made of upper bag bodies 25a, 25b for the upper face side, and two layers, for the lower face side, having middle bag bodies 26a, 26b and lower bag bodies 27a, 27b.例文帳に追加

袋材２１は、上面側を袋体上２５ａ、２５ｂの１層、下面側を袋体中２６ａ、２６ｂと袋体下２７ａ、２７ｂの２層の合計３層とする。 - 特許庁

The lower substrate layer 11 is provided with recesses 11a for holding the lower ends of the spheres 32 and with projections 11b to supports the spheres 32 on their sides.例文帳に追加

下部基板層１１には、各球状体３２の下端部が収容される複数の凹部１１ａと、各球状体３２をその側面で支持する複数の凸部１１ｂとが設けられる。 - 特許庁

The strand 1A with binder which reaches the lower end of the heating and pressing roller 20 is laminated on the strand 1A with binder of lower layer and, at the same time, is pressed by the heating and pressing roller 20.例文帳に追加

加熱兼加圧ローラ２０の下端に達したバインダー付ストランド１Ａは下層のバインダー付ストランド１Ａ上に積層されると同時に加熱兼加圧ローラ２０によって加圧される。 - 特許庁

In addition, a lower electrode 34a of a DRAM capacitative element and a lower electrode 34b of a phase-change device are formed at the upper part of the bit line 25 by a common conductive layer.例文帳に追加

更に、ＤＲＡＭの容量素子の下部電極３４ａと相変化型素子の下部電極３４ｂとが共通の導電層で形成され、ビット線２５の上部に配置される。 - 特許庁

To prevent a gate insulation film at the lower part of a drain electrode from being etched during the process of etching a protective film by extending an active layer at the lower part further on one side of the drain electrode.例文帳に追加

ドレイン電極の一側に下部のアクティブ層をさらに延ばして、保護膜をエッチングする工程中ドレイン電極下部のゲート絶縁膜がエッチングされることを防止する。 - 特許庁

The lower photo resist 6 is developed after a repair processing and the rib formation member layer is selectively removed by using the remaining two layers of upper and lower photo resist patterns 62, 64, 72 as resist masks for pattern formation.例文帳に追加

リペア処理後に下側フォトレジスト６を現像し、残存する上下２層のフォトレジストパターン６２，６４，７２をパターン形成用レジストマスクとしてリブ形成部材層を選択除去する。 - 特許庁

Disclosed is a resin board to be used for the lower electrode substrate of a touch panel, that is, a resin board for lower electrode substrate configured by laminating polycarbonate-based resin layers on the both surfaces of an acryl-based resin layer.例文帳に追加

タッチパネルの下部電極基板に使用される樹脂板であって、アクリル系樹脂層の両面にポリカーボネート系樹脂層が積層されてなる下部電極基板用樹脂板である。 - 特許庁

In the lower electrode 3, a plurality of trenches T are formed, and a thin film-like dielectric layer 4 is formed so as to cover the upper surface of the lower electrode 3 including an inner wall surface of the trench T.例文帳に追加

下部電極３には、トレンチＴが複数形成されており、その内壁面を含む下部電極３の上面を覆うように、薄膜状の誘電体層４が形成されている。 - 特許庁

The surface-emitting semiconductor laser element comprises an upper DBR part 7, a lower DBR part 3, and an active layer 5 provided between the upper DBR part 7 and the lower DBR part 3.例文帳に追加

本発明の面発光半導体レーザ素子は、上部ＤＢＲ部７と、下部ＤＢＲ部３と、上部ＤＢＲ部７と下部ＤＢＲ部３との間に設けられた活性層５と、を備える。 - 特許庁

The cathode terminal 4 is electrically connected to the cathode layer 15 on the lower surface 11a of the anode body 11 and is exposed at part of a surface to the lower surface 2a of the packaging member 2.例文帳に追加

陰極端子４は、陽極体１１の下面１１ａ側にて陰極層１５に電気的に接続される一方、その表面の一部が外装部材２の下面２ａに露出している。 - 特許庁

The light emitted from the organic EL layer in a region held between the light-transmitting conductive film of the lower electrode and the light-reflecting conductive film of the upper electrode is released to the lower electrode side selectively.例文帳に追加

下部電極の光透過導電膜と上部電極の光反射導電膜に挟まれた領域の有機ＥＬ層からの発光は、選択的に下部電極側に放出される。 - 特許庁

To provide an SBD which uses an inexpensive n-type heavily doped semiconductor substrate without epitaxial layer to lower a forward voltage and can keep breakdown voltage while keeping the forward voltage lower.例文帳に追加

順方向電圧を低くするためにエピタキシャル層のない安価なＮ型高濃度半導体基板を用い、順方向電圧を低くしたまま耐圧を維持可能なＳＢＤを提供する。 - 特許庁

The cathode terminal 4 is electrically connected to a cathode layer 15 on the lower surface 11a of the anode body 11 and is partly arranged on the lower surface 2a of the packaging member 2.例文帳に追加

陰極端子４は、陽極体１１の下面１１ａ側にて陰極層１５に電気的に接続される一方、その一部が外装部材２の下面２ａに配されている。 - 特許庁

On the end faces of the clad layer 14 and substrate 12 on the light emitting edge 22 side, a lower-linear expansion film 24 having a lower coefficient of linear expansion than AlGaAs is provided.例文帳に追加

ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層及びｎ−ＧａＡｓ基板の出射端面２２側の端面にはＡｌＧａＡｓより線膨張率が小さい低線膨張膜２４が設けてある。 - 特許庁

In the upper side area and lower side area of a plane including the upper surface or lower surface of a recording gap layer 22, a first non- magnetic body 31 and a second non-magnetic body 30a are disposed.例文帳に追加

記録ギャップ層２２の上面または下面を含む平面の上側領域および下側領域に、第１の非磁性体３１および第２の非磁性体３０ａを配設する。 - 特許庁

On the other hand, if the identification ID of the destination is an identification ID of a lower layer side having a larger digit number, such as [000 001 002 001], than its own identification ID, the received packet is transferred to a lower device.例文帳に追加

これに対して、宛先の識別IDが自身の識別IDよりも桁数の多い[000 001 002 001]といった下位階層側の識別IDであれば、受信パケットは下位装置へ転送される。 - 特許庁

The rugby lower-jaw cap is provided with a curve identical to a form of the lower-jaw part of the wearer and formed of an elastic laminate consisting of a rigid macromolecular material layer and a flexible one.例文帳に追加

装着者の下顎部形状に合致する曲面形状を備え、弾性を示す硬質高分子材料層と軟質高分子材料層との積層体であるラグビー用下顎キャップ。 - 特許庁

In order to prevent the sinking or inclination of the core 3 by the softening of the lower clad layer 2, at least two sinking preventing layers having relatively high softening temperature are formed on the lower part of the core 3.例文帳に追加

コア下部には下層クラッド層の軟化によるコアの沈み込みや傾きを抑えるために軟化温度の比較的高い２層以上の沈み込み防止層が形成されている。 - 特許庁

Then, the mask is used by sticking the mask body 1 to the lower part of the chin so as to make the chemical layer 3 abut on the lower part of the chin at the face surface, and engaging the right and left ear hanging parts 2 with the right and left ears, respectively.例文帳に追加

そして、薬剤層３が顔面の顎下に当接するようにして、マスク本体１を顎下に貼着し、左右の耳掛け部２を、各々、左右の耳に係止して使用する。 - 特許庁

The separator is so structured that reaction gas is supplied to a porous layer separated into an upper and a lower steps, with a flow channel equipped with an occluded part and an open part so that the upper and the lower steps change with each other on the way.例文帳に追加

反応ガスを上下２段に分離された多孔質層に供給し、途中で上下が入れ替わるように流路に閉塞部と開口部を設けた構成とする。 - 特許庁

The light-emitting device is constituted of the lower electrode of a highly-concentrated dope silicon (Si), and an Si-containing dielectric layer disposed on the lower electrode with an Si nano-particle embedded therein.例文帳に追加

発光デバイスは、高濃度ドープシリコン（Ｓｉ）下部電極と、下部電極の上に配置された、Ｓｉナノ粒子が埋め込まれたＳｉ含有誘電体層とによって構成されている。 - 特許庁

Tips of the plurality of carbon nanotubes 7 are cut along lines L extending from a position in the vicinity of the inside surface of a gate electrode layer 3a toward the lower side or the obliquely lower side.例文帳に追加

複数のカーボンナノチューブ７の先端がゲート電極層３ａの内側面の近傍の位置から下方または斜め下方に向かって延びるラインＬに沿って切り揃えられている。 - 特許庁

A lower conductive layer pattern of two-layered film composed of an upper first doped polysilicon film 22a, and a lower tungsten silcide film 22b is provided to a semiconductor substrate 20.例文帳に追加

上部に第１のドープしたポリシリコン膜２２ａと第１のタングステンシリサイド膜２２ｂとの積層膜からなる下部導電層パターンを形成した半導体基板２０を提供する。 - 特許庁

The central electrode 116 is electrically connected with the lower electrode 108 through an opening part 110H of the piezoelectric layer 110, and is grounded through the lower electrode 108.例文帳に追加

中央電極１１６は、圧電層１１０の開口部１１０Ｈを通じて、下部電極１０８と電気的に接続されており、下部電極１０８を介して接地されている。 - 特許庁

An internal pressure of a closed gap in a laminated layer part of the ceramic substrates 1a, 1b of the obtained ceramic heater, is not lower than 16 kPa, preferably not lower than 40 kPa at a room temperature.例文帳に追加

得られるセラミックスヒータでは、セラミックス基板１ａ、１ｂの積層部にある閉口空隙の内部圧力が室温で１６ｋＰａ以上、好ましくは４０ｋＰａ以上とする。 - 特許庁

The lower yarn layer 14 is made of a lower yarn 15 in which an adhesion film 15d by RFL treatment and a rubber film 15e comprising EPDM adhering to the adhesion film 15d and the inner pipe rubber layer 12 are formed in sequence on the surface.例文帳に追加

下糸層１４は、表面にＲＦＬ処理による接着薄膜１５ｄと、接着薄膜１５ｄおよび内管ゴム層１２に接着するＥＰＤＭからなるゴム薄膜１５ｅを順次形成した下糸１５から形成されている。 - 特許庁

The above process for forming the lower conductor layer 10 comprises a step for forming a plated film, constituting the lower conductor layer 10 through electroplating, and a thermal treatment step for heating the plated film at a temperature range of 160 to 400°C.例文帳に追加

下部導体層１０を形成する工程は、電気めっき法によって、下部導体層１０を構成するめっき膜を形成する工程と、このめっき膜を１６０〜４００℃の範囲内の温度で加熱する熱処理を行う工程とを含んでいる。 - 特許庁

A lower conductive electrode 24 is formed closely to an opposite inner surface 21a to be an upper surface of the lower shielding layer 21 and an upper conductive electrode 26 is formed closely to an outer surface 28f positioned on the upper side of the upper shielding layer 28.例文帳に追加

下部導通電極２４は、下部シールド層２１の上表面である対向内面２１ａに密着して形成され、上部導通電極２６は、上部シールド層２８の上側に位置する外面２８ｆに密着して形成されている。 - 特許庁

It results in that the lower layer absorbent 23B is each divided into the center part 41 positioning at the center of the lower layer absorbent 23B and both side parts 42 positioning at both sides of the center part 41 between a pair of diagonal slits 40B.例文帳に追加

このことで下層吸収体２３Ｂが、下層吸収体２３Ｂの中央に位置する中央部４１及び、この中央部４１の両側部に位置して一対の斜方向スリット４０Ｂに挟まれている両サイド部４２に、それぞれ分割される。 - 特許庁

The upper surface side first electrode 21a is connected to a lower surface side first electrode 22a by way of a through hole conductive layer 23, and the upper surface side second electrode 21b is connected to a lower surface side second electrode 22b by way of a side surface conductive layer 24.例文帳に追加

上面側第１電極２１ａと下面側第１電極２２ａとはスルーホール導電層２３を介して接続され、上面側第２電極２１ｂと下面側第２電極２２ｂとは、側面導電層２４を介して接続されている。 - 特許庁