「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

Connecting pins 14 are stood in the connecting locations of a lower layer circuit board 10 with an upper layer circuit board, and a printing table 16 is formed on the lower circuit board 10, where connecting pins 14 are stood so that upper ends of the connecting pins 14 are exposed from an upper surface of the printing table.例文帳に追加

下層回路基板１０の上層回路基板との接続位置に接続ピン１４を立て、接続ピンを立てた下層回路基板１０上に、上面に前記接続ピン１４の上端部が露出するように印刷台１６を形成する。 - 特許庁

At this time, the upper and lower outer layer molding materials 30 and 50 are detachably integrated as a fitting structure wherein flanges 37 and 57 are respectively formed on the peripheries of the upper and lower outer layer molding materials and first projecting portions 38 and second projecting portions 58 are respectively formed on the flanges.例文帳に追加

その際に、上下の表皮成形材の周囲にフランジ部３７、５７を形成し、そこに設けた第１の凸部３８と第２の凸部５８とによる嵌合構造により、上下の表皮成形材３０、５０を分離可能に一体化する。 - 特許庁

When the screen design is a layer display, a current background image is changed to a background image lower in display noise level than it, and when the screen design is not the layer display, the current screen design is changed to a screen design lower in display noise level than it.例文帳に追加

当該画面デザインがレイヤ表示である場合には、現在の背景画像よりも表示ノイズレベルが低い背景画像に変更し、レイヤ表示でない場合は、現在の画面デザインよりも表示ノイズレベルが低い画面デザインに変更する。 - 特許庁

Further, a frictional coefficient between the surface layer disposed on the blade lower surface and a member to be cleaned is made lower than that between the surface layer disposed on the end surface and the member to be cleaned, accordingly, the cleaning performance is improved, and also, the chattering abnormal noise is reduced.例文帳に追加

また、ブレード下面の表面層と被清掃部材との間の摩擦係数を先端面の表面層と被清掃部材との間の摩擦係数よりも低くすることで、クリーニング性を良好にでき、かつ、ビビリ異音の発生を抑制できる。 - 特許庁

The thermal acid generator allows the dielectric layer to be cured at lower temperatures and/or shorter time periods, permitting the selection of lower-cost substrate materials that would otherwise be deformed by the curing of the dielectric layer.例文帳に追加

熱酸発生剤は、比較的低い温度および／または短い時間で誘電層を硬化させることができ、これにより、これ以外の方法では、誘電層を硬化させることによって変形するであろう低コスト基板材料を選択することができる。 - 特許庁

To provide a method of nondestructively and optically discriminating a lower layer resist material which is hardly to cause side etch before etching when etching a lower layer resist, to provide an apparatus for the method, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using this method.例文帳に追加

下層レジストをエッチングする際、サイドエッチの発生しにくい下層レジスト材料を、エッチング前に非破壊で光学的に見分ける方法およびそのための装置、ならびにこの方法を使用する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An organic light-emitting diode device has a lower electrode on an upper surface of a color filter and a barrier layer is not placed inside the color filter and a lower electrode is placed direct on the upper surface of an overcoat layer of the color filter.例文帳に追加

本発明は、有機発光ダイオード装置に関するもので、それは主に、カラーフィルタの上部表面に下部電極を設け、その中のカラーフィルタ内部にバリア層を設置せずに、下部電極を直接、カラーフィルタのオーバーコート層の上部表面に設置する。 - 特許庁

When the contents recorded on the recording medium 820, reproducing signals in which bits of magnetic information of the upper and lower layer parts 102 and 104 are identified 908 to obtain the reproducing signals of both upper and lower layer parts 102 and 104.例文帳に追加

記録媒体８２０に記録されたコンテンツを利用する際には、上層部１０２と下層部１０４の磁気情報が重畳した再生信号を弁別９０８して、上層部１０２と下層部１０４の各々の再生信号を得る。 - 特許庁

The elevated region 416 of the hard mask is formed in a corresponding location to the trench 406 of the lower layer alignment mark 401, and this elevated region 416 becomes a new alignment mark where the horizontal position of the lower layer alignment mark 401 is stored.例文帳に追加

ハードマスクの上昇領域４１６は下層のアライメントマーク４０１のトレンチ４０６に対応する位置に形成されており、この上昇領域４１６は下層のアライメントマーク４０１の水平位置が保存された新たなアライメントマークとなる。 - 特許庁

A first-layer convex microlens 8 having a refractive index larger than that of upper and lower interlayer dielectrics and a second-layer concave microlens 9 having a refractive index smaller than that of the upper and lower interlayer dielectrics are provided between a microlens 7 and a photodiode 1.例文帳に追加

マイクロレンズ７とフォトダイオード１との間に、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が大きい凸状の第１層内マイクロレンズ８と、上下の層間絶縁膜よりも屈折率が小さい凹状の第２層内マイクロレンズ９を設ける。 - 特許庁

A lower electrode layer 2 consisting of ITO is deposited on a substrate 1 and a dispersion system solution wherein migration particles 10a and 10b are dispersed in a fluorine solvent is applied in a liquid drop state onto the lower electrode layer to deposit a dispersion system solution phase 3.例文帳に追加

まず、基板１上にＩＴＯから成る下部電極層２を形成し、その上に泳動粒子１０ａ，１０ｂがフッ素系溶剤に分散されて成る分散系溶液を液滴状態で塗布し、分散系溶液相３を被着させる。 - 特許庁

To accurately cut the edge of a lower-layer antireflection film formed on a semiconductor wafer to equalize the width over the entire periphery of the wafer as to a resist coating and developing device which cuts the edge of the lower-layer antireflection film.例文帳に追加

本発明は半導体ウェハ上に形成される下層反射防止膜のエッジをカットするレジスト塗布・現像装置に関し、その下層反射防止膜のエッジをウェハの全周において均一な幅で精度良くカットすることを目的とする。 - 特許庁

Since the cavity is formed in the upper and lower layer substrates to accommodate the semiconductor chip mounted on the lower-layer substrate in the cavity, the package-on-package with the cavities formed and its manufacturing method can reduce the entire thickness of the package.例文帳に追加

キャビティの形成されたパッケージオンパッケージ及びその製造方法は、上層基板と下層基板にともにキャビティを形成して下層基板に実装された半導体チップがキャビティに収容されるのでパッケージの全体的な厚みを減らすことができる。 - 特許庁

The front substrate has an upper rib 28 which is an isolating layer, a zone overlapped by the lower rib 29 and upper rib 28 is existed, and the conductive layer 26 formed in the zone is separated from the lower rib 29 by the upper rib 28.例文帳に追加

前面基板は絶縁性の層である上層リブ２８を有しており、下層リブ２９と上層リブ２８が重なっている領域があり、該領域に形成されている導電層２６は上層リブ２８によって下層リブ２９と離間されている。 - 特許庁

By this, the lower part electrode 4 with the bilayered structure is made wherein a roughness of a surface of the metallic material layer 2c is moderated by the buffer thin film layer 3c, and an in-plane uniformity of a distance between the lower part electrode 4 and the light permeating upper part electrode 7 is secured.例文帳に追加

これによって、金属材料層２ｃの表面粗さを緩衝薄膜層３ｃによって緩和した二層構造の下部電極４とし、下部電極４と光透過性上部電極７との間隔の面内均一性を確保する。 - 特許庁

The daylighting system has a daylighting means for leading light to a lower layer on the top of the stairwell space, and is formed to provide a half light-permeable material with light permeability and light diffusibility on a through-passage of the light at the lower layer.例文帳に追加

本願の採光システムは、吹抜空間の頂部に光を下層に導くための採光手段を有し、前記下層における前記光の通過経路に光透過性及び光拡散性を有する半透過性材料を設けるように構成される。 - 特許庁

In manufacturing the concrete pavement slab comprising a plurality of concrete layers different in the modulus of elasticity, and steel, upper layer concrete 4, lower layer concrete 5, an upper end main reinforcement 6 and a lower end main reinforcement 7 are converted as a uniform material into an equivalent cross section.例文帳に追加

弾性係数の異なる複数層のコンクリート層と鋼材とからなるコンクリート舗装版の製造に際し、上層コンクリート４、下層コンクリート５および上端主筋６と下端主筋７を均一な材料として等価な断面に換算する。 - 特許庁

A screw conveyor 9 for supplying waste 7 from a waste hopper 8 into a furnace main body 1 is opened in the lower layer part of a fluidized bed 2 in the furnace main body 1 to supply the waste 7 into the lower layer part of the fluidized bed 2, fluidizing the waste 7.例文帳に追加

廃棄物ホッパ８から廃棄物７を炉本体１中に供給するためのスクリューコンベヤ９は、炉本体１内の流動床２の下層部に開口しており、廃棄物７を流動化している流動床２の下層部に供給する。 - 特許庁

Resistance of a current path from the upper electrode layer 24a of the structure 30 to a lower DBR 14 is smaller than the resistance of a current path from the upper electrode layer 24b of the structures 40-1 through 40-8 to the lower DBR 14.例文帳に追加

構造体３０の上部電極層２４ａから下部ＤＢＲ１４に至る電流経路の抵抗は、構造体４０−１〜４０−８の上部電極層２４ｂから下部ＤＢＲ１４に至る電流経路の抵抗よりも小さい。 - 特許庁

In the superimposed part of the tape 14 constituting the surrounding body 15, the plastic layer 14b positioned at the edge part 14A positioned on the lower side is removed to bring the upper part and the lower part of the foil layer 14a in the superimposed part into contact with each other.例文帳に追加

テープ包囲体１５を構成するテープ１４の重ね合わせ部分において、下側に位置する他方の端縁部分１４Ａのプラスチック層１４ｂを除去し、この重ね合わせ部分におけるアルミ箔層１４ａ同士を接触させる。 - 特許庁

The resistance between the source electrode 7s and the electron feeding layer 3 becomes lower as getting away from the gate electrode 7g, and the resistance between the drain electrode 7d and the electron feeding layer 3 becomes lower as getting away from the gate electrode 7g.例文帳に追加

ソース電極７ｓと電子供給層３との間の抵抗は、ゲート電極７ｇから離間するほど低くなっており、ドレイン電極７ｄと電子供給層３との間の抵抗は、ゲート電極７ｇから離間するほど低くなっている。 - 特許庁

To prevent oxygen transmitted through lower electrodes from oxidating a barrier layer to result in a high resistance and low dielectric constant oxide layer in heat treating a dielectric film formed on the lower electrodes of capacitance elements of a DRAM in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

ＤＲＡＭの容量素子の下部電極上に形成した誘電体膜を酸素雰囲気中で熱処理する際、下部電極を透過した酸素がバリア層を酸化して、高抵抗、低誘電率の酸化物層を形成する不具合を防止する。 - 特許庁

The surface emitting laser has a laminate structure including a lower DBR mirror 103, an n-type lower semiconductor layer, an active layer 105, a p-type upper semiconductor laminate, and an upper DBR mirror 109 laminated in order on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。 - 特許庁

Cutoff walls 11 extended from a ground surface or a ground slightly lower than the ground surface to an impermeable layer 4 in a lower layer is installed around the underground structure 10 directly constructed in a foundation into the ground, in which settlement is generated after the generation of liquefaction.例文帳に追加

液状化発生後に沈下が生じるような地盤中に直接基礎で構築された地中構造物１０の周囲に、地表または地表よりやや低い地中から下層の難透水層４まで延びる止水壁１１を設ける。 - 特許庁

A lower part medical stone part 21b is provided below a paving stone block 21a on the surface of the wheelchair bathing floor part 21 and a concrete layer part 24 is placed below the lower part medical stone part 21b and the medical stone layer part 22.例文帳に追加

前記椅子乗用入浴床部２１表面の敷石ブロック２１ａの下側に下部薬石層部２１ｂが設けられると共に、該下部薬石層部２１ｂ及び前記薬石層部２２の下側にはコンクリート層部２４が打設されていること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for effectively utilizing a lower layer region of an electrode pad, while suppressing increase in the number of steps resulting in rise of manufacturing cost for formation of a lower layer wiring of the electrode pad over a laminated substrate with the damascene method.例文帳に追加

積層基板上の電極パッドの下層配線をダマシン工法で形成する場合に、製造の際にコストアップにつながる工程数の増加を抑えつつ、電極パッドの下層領域を有効活用することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The BAW resonator includes: a base substrate 10; a lower electrode 20 formed to a front side of the base substrate 10; a seed layer 25 formed on the lower electrode 20; a piezoelectric thin film 30 formed on the seed layer 25; and an upper electrode 40 formed opposite to the side of the lower electrode 20 in the piezoelectric thin film 30.例文帳に追加

ベース基板１０と、ベース基板１０の一表面側に形成された下部電極２０と、下部電極２０上に形成されたシード層２５と、シード層２５上に形成された圧電薄膜３０と、圧電薄膜３０における下部電極２０側とは反対側に形成された上部電極４０とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing a device comprises a step for forming a lower electrode 3 on a substrate 1, a step for forming a protrusion 5 adjacent to the lower electrode 3 on the substrate 1, and a step for forming a ferroelectric layer or a piezoelectric layer 6 on the lower electrode 3 by supplying a ferroelectric material or a piezoelectric material.例文帳に追加

基体１上に、下部電極３を形成する工程と、基体１上に、下部電極３に隣接する凸部５を形成する工程と、下部電極３上に、強誘電体材料又は圧電体材料を供給し、強誘電体層又は圧電体層６を形成する工程と、を含むデバイスの製造方法。 - 特許庁

The lower electrode of the organic electroluminescent diode is made of a light transmitting material to constitute a light shield film in the lower part of the lower electrode, or a different compensation layer is added to such a layer, whereby a high quality upper emission organic electroluminescent element improved in image quality characteristic is provided.例文帳に追加

また、有機電界発光ダイオードの下部電極を光透過性物質で形成して、これにより下部電極下部に光遮断膜を構成する構造またはこのような構造に別途の補償層を追加する構造によって画質特性が向上された高品位上部発光方式有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

In the elastic load bearing body 1 comprising an upper steel plate 2, a lower steel plate 3 and a rubber layer 4 interposed between them, at least one of a lower surface of the upper steel plate 2 and an upper surface of the lower steel plate 3 has a curved surface 5 so that the thickness of the rubber layer 4 may gradually increase from the center to the outer peripheral part.例文帳に追加

上部鋼板２と下部鋼板３との間にゴム層４が形成されてなる弾性荷重支持体１であって、ゴム層４の厚みが中央部から外周部にかけて漸増するように、上部鋼板２の下面及び下部鋼板の上面の少なくとも一方が曲面５をなしている。 - 特許庁

The manufacturing method successively executes a process (A) for forming film of a seed layer 20 and a lower electrode 30 on a substrate 10 successively, a process (B) for diffusing elements contained in the seed layer 20 for depositing on the surface of the lower electrode 30 and a process (C) for film-forming the piezoelectric film 40 on the lower electrode 30.例文帳に追加

基板１０上にシード層２０と下部電極３０とを順次成膜する工程（Ａ）と、シード層２０に含まれる元素を拡散させて、該元素を下部電極３０の表面に析出させる工程（Ｂ）と、下部電極３０上に圧電膜４０を成膜する工程（Ｃ）とを順次実施する。 - 特許庁

Furthermore, the electro-optical device is provided with a spacer insulating film which is formed on the upper-layer side of a foundation face of the lower electrode and on the lower-layer side of the upper electrode, in a peripheral area surrounding an insular area where the upper electrode and the lower electrode face each other via the dielectric film, when viewed in a plane of the substrate.例文帳に追加

更に、基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、下側電極の下地面の上層側であって且つ上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜を備える。 - 特許庁

In other words, the semiconductor capacitive element includes a lower electrode formed by laminating a plurality of predetermined electrode materials, a side wall formed on the side wall of one part of the lower electrode, a dielectric layer formed on the lower electrode and an upper electrode formed on the dielectric layer.例文帳に追加

すなわち、本発明に係る半導体容量素子は、所定の電極材料を複数積層して形成される下部電極と；前記下部電極の一部の側壁に形成されるサイドウォールと；前記下部電極上に形成される誘電体層と；前記誘電体層上に形成される上部電極とを備えている。 - 特許庁

A first piezoelectric resonance stack 14A including a piezoelectric layer 2A, a lower electrode 10A and an upper electrode 12A is formed on the upper surface of the substrate 8 and a second piezoelectric resonance stack 14B including a piezoelectric layer 2B, a lower electrode 10B and an upper electrode 12B is formed on the lower surface of the substrate 8.例文帳に追加

基板８の上面に圧電層２Ａと下部電極１０Ａと上部電極１２Ａとを含んでなる第１の圧電共振スタック１４Ａが形成されており、基板８の下面に圧電層２Ｂと下部電極１０Ｂと上部電極１２Ｂとを含んでなる第２の圧電共振スタック１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a board for electronic components which has an electrode structure having a plating layer on a lower electrode formed by a thin film forming method, and is hard to deteriorate the lower electrodes due to a plating solution and superior in adhesion of the lower electrode to the plating layer, thereby improving the productivity.例文帳に追加

薄膜形成法により形成された下地電極上にメッキ膜が形成されている電極構造を備える電子部品用基板であって、メッキ液による下地電極の劣化が生じ難く、下地電極とメッキ膜との密着性にすぐれ、生産性を高め得る電子部品用基板を提供する。 - 特許庁

The drain side selection gate wire SGD includes a drain side lower selection gate wire SGDd layer arranged by providing the gaps of a predetermined pitch, and a drain side upper selection gate wire SGDu arranged on the gaps of the drain side lower selection gate wire SGDd, being an upper layer than the drain side lower selection gate wire SGDd.例文帳に追加

ドレイン側選択ゲート線ＳＧＤは、所定ピッチの間隙を設けて配置されたドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄ層と、ドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄより上層であり且つドレイン側下部選択ゲート線ＳＧＤｄの間隙上に配置されたドレイン側上部選択ゲート線ＳＧＤｕとを備える。 - 特許庁

A buffer layer comprising a metal element which is lower in a specific resistance of oxide and, easier to be oxidized than a contact layer or wiring layer is provided, so that the oxygen dissociated from an ferroelectric oxide and a contact layer contacting it is surely adsorbed, and a barrier layer of metal wiring is assuredly prevented from being oxidized.例文帳に追加

コンタクト層や配線層よりも酸化されやすく、酸化物の比抵抗が低い金属元素から構成される緩衝層を設けることにより、酸化物強誘電体やこれに接触するコンタクト層から解離される酸素を確実に受け止め、金属配線のバリア層などの酸化を確実且つ容易に防ぐことができる。 - 特許庁

An epitaxial silicon wafer includes a bulk wafer having a first doping concentration, a first epitaxial layer formed over the bulk wafer, the first epitaxial layer having a second doping concentration which is higher than the first doping concentration, and a second epitaxial layer formed over the first epitaxial layer, the second epitaxial layer having a third doping concentration which is lower than the second doping concentration.例文帳に追加

本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、第１ドーピング濃度を有するバルクウェーハと、該バルクウェーハ上に前記第１ドーピング濃度より高い第２ドーピング濃度を有する第１エピタキシャル層と、該第１エピタキシャル層上に前記第２ドーピング濃度より低い第３ドーピング濃度を有する第２エピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

In an FeRAM capacitor cell formed by sandwiching a ferroelectric layer 30 between a lower electrode layer 20 being connected with a word line W and an upper electrode layer 40 being connected with a bit line B, the boundary surface of the ferroelectric layer 30 and the upper electrode layer 40 is rugged in disorder.例文帳に追加

ワード線Ｗが接続される下部電極層２０と、ビット線Ｂが接続される上部電極層４０とを強誘電体層３０を挟んで積層してなるＦｅＲＡＭキャパシタセルにおいて、強誘電体層３０と上部電極層４０との積層面を、互いに入り乱れた凹凸形状とする。 - 特許庁

A skin material 1 is constituted by integrally laminating a surface resin layer 2 composed mainly of a polypropylene resin upon the upper surface of a first nonwoven fabric layer 3 and, at the same time, a second nonwoven fabric layer 5 upon the lower surface of the first nonwoven fabric layer 3 through an intermediate resin layer 4 composed mainly of a polyethylene resin.例文帳に追加

表皮材１は、第１不織布層３の上面側に、ポリプロピレン樹脂を主成分とする表面樹脂層２が積層一体化されると共に、前記第１不織布層３の下面に、第２不織布層５がポリエチレン樹脂を主成分とする中間樹脂層４を介して積層一体化された構成とする。 - 特許庁

In the storage element 1 laminating a lower electrode 10, a memory layer 20 and an upper electrode 30 in this order, the memory layer 20 has a resistance change layer 22 including a layer containing the most tellurium (Te), and an ion source layer 21 containing aluminum (Al) within the range of 27.7-47.4 atom%.例文帳に追加

下部電極１０、記憶層２０および上部電極３０をこの順に積層した記憶素子１において、記憶層２０はテルルを（Ｔｅ）を最も多く含む層を有する抵抗変化層２２と、アルミニウム（Ａｌ）を２７．７原子％以上４７．４原子％以下の範囲内で含有するイオン源層２１とを有する。 - 特許庁

The wiring structure of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a conductive doping layer which is formed in a part on the semiconductor substrate, and is doped into the polarity opposite to that of the semiconductor substrate, a conductive layer formed on the doping layer, and an insulating doping layer formed in the lower part of the doping layer.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板上の一部に形成され、前記半導体基板と反対極性にドーピングされた導電性ドーピング層と、前記ドーピング層上に形成された導電層と、前記ドーピング層の下部に形成された絶縁性ドーピング層と、を含む半導体素子の配線構造体。 - 特許庁

The heat dissipation structure includes a substrate, a surface layer formed on both surfaces or one surface of the substrate and comprising Al or an Al alloy layer, and an aluminum carbide whisker layer growing outward from the surface layer, wherein a melting point of the surface layer is lower than the melting point of the substrate.例文帳に追加

基板と、該基板の両面又は片面に形成されたＡl又はＡl合金層からなる表面層と、及び該表面層から外側に向かって成長している炭化アルミニウムウィスカー層とを有し、表面層の融点が基板の融点よりも低いことを特徴とする放熱構造により、上記課題が解決される。 - 特許庁

The laminated material comprising conductor layers on upper side and lower side of the insulating layer is characterized by that the insulating layer is constituted of two or more of insulating layer with different specific inductive capacities and the insulating layer contacting the conductor layers and the insulating layer not contacting the conductor layers are different in the specific inductive capacity.例文帳に追加

絶縁層の上下に導体層を備える積層材料であって、前記絶縁層は２以上の比誘電率の異なる絶縁層から構成され、前記導体層と接する絶縁層と前記導体層と接しない絶縁層との比誘電率が異なることを特徴とする積層材料。 - 特許庁

The principal growth plane 10a is a plane having an off angle in the a-axis direction relative to the "m" plane, and the individual nitride semiconductor layers 11 to 18 include: an active layer 14 containing In; and a GaN layer (an n-type GaN layer 11 and a lower guide layer 13) formed between the GaN substrate 10 and active layer 14.例文帳に追加

成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、窒化物半導体各層１１〜１８は、Ｉｎを含む活性層１４と、ＧａＮ基板１０と活性層１４との間に形成されたＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層１１、下部ガイド層１３）とを有している。 - 特許庁