「memory-less」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Whereby, the information memory element, which has high matching with a semiconductor process, can be microfabricated, is less in a power consumption, and is longer in information holding time, can be attained.例文帳に追加

これにより、半導体プロセスとの整合性が高く、微細化が可能であり、低消費電力で情報保持時間が長い情報記憶素子を実現することができる。 - 特許庁

To provide a voice coding device/decoding device which can do with less memory capacity, in the voice coding device/voice decoding device for coding/decoding voice signals.例文帳に追加

音声信号を符号化／復号化するための音声符号化装置／復号化装置において、メモリ容量が少なくて済む音声符号化装置／復号化装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device with less defective element by preventing the occurrence of over-program even when a rewrite frequency is increased, and to obtain a control method thereof.例文帳に追加

書き換え回数が増大した場合であっても、オーバープログラムの発生を防止し、不良素子を減少できる半導体記憶装置およびその制御方法が得られる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which is capable of reducing the number of its manufacturing steps and setting a threshold voltage with less variations, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

工程数を低減し且つばらつきの小さいしきい値電圧の設定を行うことができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, when the obtained number of data is equal to or less than the specified number, a controlled variable for recovery is read out from the memory, so that the resist controlled variable is made to coincide with the controlled variable for the recovery.例文帳に追加

一方、データ取得数が所定数以下である場合には、メモリからリカバリ用制御量を読み出し、レジスト制御量をリカバリ用制御量と一致させる。 - 特許庁

When a call is received (a step S1), a system control part judges whether or not the current remaining memory capacity A is less than the reference capacity B for judging the change of the compression rate (a step S2).例文帳に追加

着呼すると（ステップＳ１）、システム制御部は現在のメモリ残容量Ａが圧縮率変更判断基準容量Ｂより少ないか否かを判断する（ステップＳ２）。 - 特許庁

To solve a problem that prolonged recording is difficult since recording capacity is generally less in a video camera using a hard disk and a semiconductor memory as a recording part in comparison with that of a VTR.例文帳に追加

記録部としてハードディスク、半導体メモリを用いているビデオカメラにおいて、記録容量が一般的にＶＴＲに比べ少ないので長時間記録は困難である。 - 特許庁

To provide an image display apparatus capable of efficiently obtaining a reproduction list in a short time with less memory capacity without waste and smoothly reproducing data without the need for much time for reading the data.例文帳に追加

再生リストを短時間且つ少ないメモリ容量で無駄なく効率的に得ることができると共に、データの読込みに時間を要さずにスムーズな再生を可能にする。 - 特許庁

To provide an image encoding device with built-in storage memory which is simple in system configuration hardly causing failure or the like, less in system stop, small in size and low in cost.例文帳に追加

システム構成が単純で故障等が起きにくく、システム停止が少なく、小型化並びにコストの低下を図り得る蓄積メモリ内蔵画像符号化装置を提供する。 - 特許庁

The highly efficient and highly accurate joining is realized by slight strain application and shape recovery operation at a low temperature less than room temperature using the specified iron based shape memory alloy.例文帳に追加

特定の鉄系形状記憶合金を用いて室温下での僅かな歪付与でかつ低温での形状回復作業で高能率、高精度な接合を実現した。 - 特許庁

To provide a memory element together with its manufacturing method where a distance between an MTJ cell and a second word line as a write line is reduced to allow writing operation on less current.例文帳に追加

ＭＴＪセルとライトラインである第２ワードラインの距離を縮小させ、少量の電流でライト動作を可能にした、メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Only when the sensor signal of the bit extended usual gain is less than predetermined, a shake correction signal is generated by using the sensor signal of the magnification gain of the memory 55.例文帳に追加

ビット拡張した通常利得のセンサ信号が所定値未満のときのみ、メモリ５５の拡大利得のセンサ信号を用いて手振れ補正信号を生成する。 - 特許庁

To provide a seat slide device for adjusting the forward/rearward position of a vehicle seat, having smaller width size, and a less number of parts, provided with a memory mechanism free of strength reduction.例文帳に追加

シートスライド装置の幅方向の寸法が小さく、また部品点数の少ない、そして強度低下のないメモリー機構を備えたシートスライド装置を実現すること - 特許庁

At least one of the data output (132) of the memory, the output data bus (108) and the output port (110) is structured to operate at a maximum rate less than the sampling rate.例文帳に追加

メモリのデータ出力(132)、出力データバス(108)及び出力ポート(108)の少なくとも１つが、そのサンプリングレートよりも遅い最大レートで動作するよう構成される。 - 特許庁

To obtain a standby power source circuit which can stably supply a standby current with less circuits when standby is performed, and a semiconductor memory apparatus using the same.例文帳に追加

少ない回路でスタンバイ時に安定してスタンバイ電流を供給することができるスタンバイ電源回路およびそれを用いた半導体記憶装置を実現する。 - 特許庁

To provide an image processing device capable of operating a memory at an operation speed at a pixel rate or less and a multi-projection system including the same.例文帳に追加

ピクセルレート以下の動作速度でメモリを動作させることが可能な画像処理装置及びその画像処理装置を備えるマルチプロジェクションシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for driving a liquid crystal display device having less data modification memory size and improved picture quality.例文帳に追加

本発明は、データ修正用のメモリの容量を減らすと共に画質を向上させた液晶表示装置の駆動方法及び装置を提供することを目的とずる。 - 特許庁

This semiconductor memory comprises a data access path for a memory cell, a signal driving circuit driving a signal line on the data access path, a dummy path simulating the data access path, and a dummy driving circuit simulating the driving circuit, load of the dummy path is less than that of the data access path, driving capability of the dummy driving circuit is less than that of the signal driving circuit.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルに対するデータアクセス経路と、データアクセス系路上の信号線を駆動する信号駆動回路と、データアクセス経路を模擬するダミー経路と、駆動回路を模擬するダミー駆動回路を含み、ダミー経路はデータアクセス経路より負荷が小さく、ダミー駆動回路は信号駆動回路より駆動能力が小さい - 特許庁

In a control circuit 201 provided in the semiconductor memory device, a chip connection part 300 provided with pads 301-306 is constituted so as to correspond to the maximum capacity of a memory cell array provided in the semiconductor memory device, and even when having a memory cell array having capacity being less than the maximum capacity, arrayed places and the number of these pads 301-306 are decided fixedly.例文帳に追加

半導体記憶装置に備える制御回路２０１上において、パッド３０１〜３０６を備えたチップ接続部３００は、半導体記憶装置内に備えられるメモリセルアレイの最大容量に対応した形で構成されていて、その最大容量未満の容量のメモリセルアレイを持つ場合であっても、これらパッド３０１〜３０６の配置場所や個数は固定的に決定されている。 - 特許庁

An encoder for encoding symbols of data with the use of a computing device having memory constraints loads a source block into memory of the computing device, performs an intermediate transformation of less than all of the source block, replaces a part of the source block with intermediate results in the memory, and then completes the transformation such that output symbols stored in the memory form a set of encoded symbols.例文帳に追加

メモリ制約を有するコンピューティングデバイスを使用してデータのシンボルを符号化する符号化器において、コンピューティングデバイスのメモリにソースブロックをロードし、ソースブロックのすべてよりは少ない中間変換を実行し、メモリ内でソースブロックの一部を中間結果に置換し、メモリに記憶された出力シンボルが符号化されたシンボルの組を形成するように変換を完了する。 - 特許庁

A control unit 16 checks a free space of an internal memory 13 and an external memory 2 during a photographing mode of UXGA or more, raises an alarm for notifying a user of a shortage of free space via a display unit 17 if the free space is less than a data amount of images, and regulates photographing by a camera module 11 until deleting unnecessary data in the external memory 2 and the internal memory 13.例文帳に追加

制御部１６は、ＵＸＧＡ以上の撮影モードでは、内部メモリ１３及び外部メモリ２の空き容量をチェックし、空き容量が画像のデータ量未満である場合は、表示部１７等を介して、空き容量不足をユーザに通知するための警告を発し、外部メモリ２及び内部メモリ１３の不要なデータを削除するまで、カメラモジュール１１による撮影を規制する。 - 特許庁

An unsaved log processing part 205 temporarily saves an input log into a memory being the volatile storage element when a passage time from the last log recording time into a flash memory to the input time of the input log is less than a prescribed time interval.例文帳に追加

未保存ログ処理部２０５は、前回のフラッシュメモリへのログ記録時刻から入力されたログの入力時刻までの経過時間が所定の時間間隔未満であるとき、入力されたログを揮発性記憶素子であるメモリに一時保存する。 - 特許庁

When the capacity value Ma is less than the imagined capacity Mo, a buffer memory B24 having a shortage capacity Mb (=Mo-Ma) is set in a memory 23 provided in the host device 2, and the two buffer memories A and B are integrated to be managed in a unified manner.例文帳に追加

容量値Ｍａが想定容量Ｍｏ未満のとき、ホスト装置２が有するメモリ２３内に不足分の容量Ｍｂ（＝Ｍｏ−Ｍａ）を持つバッファメモリＢ２４を設定し、２つのバッファメモリＡ，Ｂを統合して一元的に管理する。 - 特許庁

The mobile phone also comprises a call control unit 206 for securing a memory for monitoring 204b having capacity less than a memory for application notification 204a preset by an interface for notifying the browser part 210 of data in response to the monitoring request.例文帳に追加

また、携帯電話機は、監視要求に応じて、ブラウザ部２１０へデータを通知するためのインターフェースであらかじめ設定されたアプリ通知用メモリ２０４ａより小さい容量の監視用メモリ２０４ｂを確保する呼制御部２０６を備える。 - 特許庁

Data processing apparatuses (1, 4) execute replacement of high order side bits of pixel data so that change of the high order side bits between the respective pieces of data in input image data becomes less when data is written in a memory (2) in response to memory access.例文帳に追加

データ処理装置（１、４）は、メモリアクセスに応答してメモリ（２）にデータを書き込むとき、入力された画像データ内の各画素データ間における上位側ビットの変化が少なくなるように画素データの上位側ビットの置き換えを実行する。 - 特許庁

When it is indicated by data length mark that a block length is exceed, a restoration processing section 138b connects overflow data read out from the memory 260 for data of block length or less read out from the memory 260, and restores the unequal length data.例文帳に追加

復元処理部１３８ｄは、データ長標識によって、ブロック長を越えることが示される場合には、メモリ２６０から読出したブロック長以下のデータに対して、メモリ２６０から読出したオーバーフローデータを連結し、その不等長データを復元する。 - 特許庁

Then, whether or not the data stored in the RAM 4 are referred to not less than the prescribed number of times is judged, and when the data have been referred to not less than the prescribed number of times, the data are written again in the flash memory 5, and otherwise, the data are erased from the RAM 4.例文帳に追加

ＲＡＭ４に記憶したデータが、所定の回数以上参照されたかどうか判別し、所定の回数以上参照された時、データをフラッシュメモリ５に再び書込み、所定の回数以上参照されていない時、データをＲＡＭ４から消去する。 - 特許庁

The programming of data is executed by the write units which are less than blocks as erasure units, and not less than pages as program units in the flash type EEPROM memories, and the conversion table of a logical address and a physical address by the write units is stored in the ferroelectric memory.例文帳に追加

上記フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリには、イレーズ単位であるブロックより小さく、プログラム単位であるページ以上のライト単位でデータのプログラムを行い、上記強誘電体メモリには、上記ライト単位の論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを記憶する。 - 特許庁

When intake valve stoppages are to begin after the learning, the intake valve with less fluctuation in the memory is stopped first (S12) and, hereafter, the intake valves are stopped alternately for each cycle (S13).例文帳に追加

学習後は、吸気片弁停止を開始する際に、記憶した空燃比変動の小さい方の吸気弁から停止し（Ｓ１２）、以降は、１サイクル毎に、停止吸気弁を交互に切換える（Ｓ１３）。 - 特許庁

When an input image is divided into a plurality of areas (bands) and made into a PDF file by each band, it is determined whether the spare capacity of the memory is not less than a regulation value or not (S102).例文帳に追加

入力画像を複数の領域（バンド）に分けバンド毎に画像をＰＤＦファイル化する処理において、メモリの空き容量が規定値以上か否かを判断する（Ｓ１０２）。 - 特許庁

To provide an orthogonal frequency division multiplexing communication method and device capable of reducing and improving a PAPR (Peak to Average Ratio) with less hardware or memory capacity.例文帳に追加

少ないハードウエアあるいはメモリ容量でＰＡＰＲを軽減することができを改善することができる直交周波数分割多重通信方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

Then, when the number m of program unended memory cells in a page becomes 2 bits (M1) or less, one write loop is additionally performed by stepping up the word-line voltage by one.例文帳に追加

そして、ページ内のプログラム未終了メモリセルの個数ｍが２ビット（Ｍ１）以下になったところで、ワード線の電圧を１つステップアップさせて、１回分の書き込みループを追加により実行する。 - 特許庁

Further, the control processing part 7 stores a data storage memory 12 with setting data corresponding to the DC offset when the level of the carrier component included in the IF signal is less than a predetermined threshold.例文帳に追加

また、制御処理部７は、ＩＦ信号に含まれる搬送波成分の大きさが所定の閾値以下であると、直流オフセットに対応する設定データをデータ格納メモリ１２に格納する。 - 特許庁

To update data in less than all of the pages of a non-volatile memory block, by programming new data on unused pages of either the same block or other block.例文帳に追加

同じブロックまたは別のブロックのいずれかのブロックの未使用ページに新しいデータをプログラムすることにより、不揮発性メモリブロックのページのすべてよりも少ないページ数でデータを更新する。 - 特許庁

To provide a terminal and the like which can output image data received from a server to an electronic paper device using a portable terminal of which the memory capacity is less and the processing capability is low.例文帳に追加

メモリ容量が少なく且つ処理能力が低い携帯端末を用いて、サーバから受信した画像データを電子ペーパ装置に出力することができる端末等を提供する。 - 特許庁

The width in gate length direction of a gate electrode 18 in a memory cell is less than a half of a cell pitch C which is the length form the center of a source line connect 31 to the center of a drain contact 32.例文帳に追加

メモリセル内のゲート電極１８のゲート長方向の幅を、ソース線コネクト３１の中心からドレインコンタクト３２の中心までの長さであるセルピッチＣの１／２未満とする。 - 特許庁

When a power supply voltage is not less than the operation guarantee power supply voltage, the current buffer circuit 11 supplies a power supply voltage to the memory circuit 3 synchronously with the release of the reset of the microprocessor 2.例文帳に追加

電源電圧が動作保証電源電圧以上のとき、電流バッファ回路１１は、マイクロプロセッサ２のリセットを解除するのに同期して、メモリ回路３に電源電圧を供給する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a high voltage is not needed in writing, a defect is less likely to occur, the writing time is short, and data cannot be rewritten without an increase in cost.例文帳に追加

コストを増大させずとも、書き込みに高電圧を必要とせず、不良が発生しにくく、書き込み時間が短く、データの書換えができない半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a floating gate type nonvolatile semiconductor memory which surely performs write-in of data even for large capacity memories in which a semiconductor process is made minute and in which write-in error is less.例文帳に追加

半導体プロセスの微細化された大容量のメモリであってもデータ書込みを確実に行い，書込み誤りの少ない浮遊ゲート型不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide an obstacle monitoring device which makes processing to be real time, whose cost is reduced and which can surely detect an obstacle with less computing power and memory capacity.例文帳に追加

処理のリアルタイム化および装置の低コスト化を図るとともに、より少ない演算能力・メモリ容量で障害物を確実に検出することができる障害物監視装置を提供する。 - 特許庁

The processor is further capable of calculating a position of the predicted subframe in the memory, setting a valid flag, and determining whether the value of the TOW is less than the number of seconds in a week.例文帳に追加

処理装置はさらにメモリの予測されたサブフレームの位置を計算し、有効なフラグを設定して、ＴＯＷの値が週の秒数より少ないか否かを決定することができる。 - 特許庁

Since no access to a memory that conducts storage or process of image data is made for the blanking period 34 and the current consumption is less, the charging current can be increased by the share.例文帳に追加

ブランキング区間は、画像データの格納又は処理をしているメモリへのアクセス動作が行われず消費電流が少ないので、その分、充電電流を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a resistance change element with less amount of leak (and resultant short-circuit) even when a resistance changing layer is formed thin, and also to provide a method for manufacturing the same element and a resistance change memory using the same element.例文帳に追加

抵抗変化層を薄くしてもリーク（およびそれに伴うショート）が少ない抵抗変化素子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリを提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus in which a light amount correction, in the main scanning direction, of laser light to expose a photosensitive body can be attained using less memory capacity, while keeping correction accuracy.例文帳に追加

感光体を露光するレーザ光の主走査方向の光量補正を、補正精度を維持しつつも、少ないメモリ容量で実現することができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide an address decoder check circuit and its check method capable of making a detailed check with less check steps without preparing expected values for the test memory data.例文帳に追加

検査ステップがより少なく、テスト用のメモリデータの期待値を設ける必要がなく、且つ検査を詳細に行うことができるアドレスデコーダの検査回路及びその検査方法を提供する。 - 特許庁