「over etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a dry etching method which can improve uniformity of the depth of etching over the surface of a wafer.例文帳に追加

ウェーハの面内におけるエッチング深さの均一化を図ったドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching device which improves in-plane uniformity of the etching rate over the entire substrate.例文帳に追加

基板全体でのエッチングレートの面内均一性を向上させるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The etching damage during dry etching after forming an electrode or a wiring over an insulating film is prevented.例文帳に追加

絶縁膜上の電極や配線形成後のドライエッチングにおけるエッチングダメージを防止する。 - 特許庁

A bias power applied to a wafer is reduced in over etching.例文帳に追加

ウェハにバイアスをかけることが、オーバーエッチングにおいて低減される。 - 特許庁

ETCHING OF ALUMINUM OVER HIGH MELTING POINT METAL WITH CONTINUOUS PLASMAS例文帳に追加

連続プラズマによる高融点金属上のアルミニウムのエッチング - 特許庁

To provide an etching method and an etching device capable of uniform etching with high degree of accuracy over a long period of time.例文帳に追加

長期にわたり、高い精度で均一なエッチングができるエッチング方法およびエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, since the just etching time JET is extended only as much as Δt, the over-etching time OET in the over-etching vessel 12 is set as (JET+Δt)×m%.例文帳に追加

また、ジャストエッチング時間ＪＥＴがΔｔだけ延びることから、オーバーエッチング槽１２内でのオーバーエッチング時間ＯＥＴを（ＪＥＴ＋Δｔ）×ｍ％として設定する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method in which process control is facilitated and etching rate is highly uniform over the surface to be etched.例文帳に追加

プロセス制御が容易で、エッチングレートの面内均一性の優れたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for a plasma etching in the oblique direction at a large etching angle extensively over a large area.例文帳に追加

大面積に亘って大きなエッチング角で斜方向プラズマエッチングを行う方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the etching uniformity over a wafer surface by preventing drifting of plasma ions through utilization of magnetic coil blocks in a magnetron plasma etching apparatus.例文帳に追加

マグネチックコイルブロックを利用してプラズマイオンのドリフティングを防止してウエハー面内均一性を向上する。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of suppressing both the side etching and the over-etching.例文帳に追加

サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Then, quantity of the over-etching is fixed and the etching is performed while leaving the upper layer metal film by calculating and fixing etching time by film thickness of an insulation film and its etching rate.例文帳に追加

そこで、絶縁膜の膜厚とそのエッチングレートよりエッチング時間を算出して固定にすることで、オーバーエッチングの量を一定にし、上層金属膜を残したままエッチングする。 - 特許庁

To preserve a test piece subjected to etching stably over a long period of time.例文帳に追加

エッチング処理を施した試験片を長期間に亘り安定に保存する。 - 特許庁

A third insulating layer 220 is formed over the etching stopper film 210.例文帳に追加

第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。 - 特許庁

A second insulating layer 220 is formed over the etching stopper film 200.例文帳に追加

第２絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２００上に形成されている。 - 特許庁

To accurately verify nondestructively amount of etching, especially the amount of over-retching.例文帳に追加

破壊しないでエッチング量、特に、オーバーエッチング量の正確な確認をする。 - 特許庁

To provide etching equipment of high reliability wherein a uniform etching characteristic can be obtained over the diameter of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の直径にわたって均一なエッチング特性が得られる信頼性の高いエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is over-etched about 5 to 20 nm by anisotropic dry-etching.例文帳に追加

異方性のドライエッチングにより、シリコン基板１が５nm〜２０nm程度オーバエッチングされる。 - 特許庁

Over- etching is conventionally performed by stopping the etching by using an end monitor, however, the upper layer metal film 7 is etched at a part of a substrate due to dispersion of the etching in a lot surface and dispersion of the etching in a substrate surface.例文帳に追加

従来、エンドモニタを使用してエッチングを止め、オーバーエッチングをしていたが、ロット面内エッチングバラツキと基板面内でエッチングバラツキから基板一部において上層金属膜７がエッチングされてしまう。 - 特許庁

Trouble such as insufficient etching or over etching can be prevented by it that a semiconductor etching monitor capable of ascertaining the etching state of a sacrificial layer in an in-line manner is formed on the same wafer with a sensor.例文帳に追加

犠牲層エッチングの進行状況をインラインで確認することができる半導体エッチングモニタをセンサ部分と同一のウエハ上に形成することによりエッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止する。 - 特許庁

The second light shielding layer 22 is subjected to over-etching by isotropic etching using an etchant having an etching rate to the second light shielding layer 22 greater than the etching rate to the first light shielding layer 21 using the resist mask.例文帳に追加

該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１へのエッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。 - 特許庁

The etching radicals R can uniformly be introduced over the overall deposition chamber 2.例文帳に追加

エッチングラジカルＲを成膜チャンバ２内の全体に亘って均一に導入できる。 - 特許庁

After that etching for the remaining electrode film 12 is made by Ar ion milling being slightly over etching and the electrode film 12 is eliminated completely.例文帳に追加

この後、残った電極膜１２を、Ａｒイオンミリングでオーバーエッチングぎみにエッチングし、電極膜１２を完全に除去する。 - 特許庁

According to this method, the products of etching 5, produced by the over etching of the material of electrode or the like, are adhered to the side wall of the opening 3b of the resist mask 3, which becomes the tapered configuration, while the etching is continued still whereby the products of etching hardly remain when the etching is finished.例文帳に追加

これにより、電極材のオーバーエッチングなどによって生成するエッチング生成物５は、テーパ形状となるレジストマスク３の開口部３ｂの側壁に付着してもエッチングされるため、エッチング終了時には残留しにくくなる。 - 特許庁

To accurately evaluate an etching accuracy against all over a substrate in a short time.例文帳に追加

基板全面を対象として、エッチング精度の評価を短時間で精度よく行なう。 - 特許庁

An etching stopper film 210 is formed at least over the second insulating layer 200.例文帳に追加

エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。 - 特許庁

In a first etching process, the surface of a crystal material is wet-etched using a first etching composite containing a buffered hydrofluoric acid as a main component to perform an etching process over a wide area by a required etching quantity.例文帳に追加

第１エッチング工程において、バッファード弗酸を主成分として含有する第１エッチング組成物を用いて水晶材料の表面をウエットエッチングし、広い範囲で必要なエッチング量だけエッチング加工する。 - 特許庁

The structure is formed over a light-transmitting etching-stop layer, and the etching-stop layer remains below the structure as a light-transmitting layer.例文帳に追加

構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 - 特許庁

The method for manufacturing the noncontact data carrier is provided with a process for executing etching by injecting an etching solution and a process for executing the etching processing over the whole surface.例文帳に追加

このような非接触データキャリアの製造は、エッチング液を噴射してエッチングする工程の後に、全面のエッチング処理を行う工程を設けることにより製造することができる。 - 特許庁

In the logic circuit region, the upper part of a conductive layer is removed, too, by performing over-etching when a stopper layer is removed by etching.例文帳に追加

ロジック回路領域において、ストッパ層をエッチングによって除去する際に、オーバーエッチングを施すことにより、導電層の上部も除去する。 - 特許庁

The etch stop can reduce undesirable over-etching of the sacrificial layer and the mirror layer.例文帳に追加

エッチング停止は犠牲層とミラー層との望ましくないオーバーエッチングを減少させることができる。 - 特許庁

To manufacture a thin film heater in which a film pattern of a desired shape without over-etching has been formed.例文帳に追加

オーバーエッチングのない所望の形状の膜パターンが形成された薄膜ヒーターを製造する。 - 特許庁

A portion 202 of the etching stopper film 200 that is disposed over the air gap 128 is thicker than another portion that is disposed over the interconnect 162.例文帳に追加

そしてエッチングストッパー膜２００は、エアギャップ１２８上に位置する部分２０２が、配線１６２上に位置する部分より厚い。 - 特許庁

The etching shifting amount E in an L&S pattern and the density difference Δ between etching shifts ((the etching shift in an isolated pattern)-(the etching shift in the L&S pattern)) can be expressed by the function of OE and SO_2 (wherein, OE and SO_2 respectively denote an over etching amount and an SO_2/O_2 flow ratio).例文帳に追加

評価値として、Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト量をＥ、エッチシフトの疎密差（（孤立パターンにおけるエッチングシフト）−（Ｌ＆Ｓパターンにおけるエッチングシフト））をΔ、オーバーエッチング量をＯＥ、ＳＯ_２／Ｏ_２流量比をＳＯ_２とすると、Ｅ及びΔはＯＥ及びＳＯ_２の関数で表すことができる。 - 特許庁

As indicated in Figure (b), the silicon nitride film and the oxide film after the over-etching step has a reverse tapered shape in etching or a notched shape 5, while the trench is being etched.例文帳に追加

図１（ｂ）に示すようにオーバーエッチング後のシリコンチッカ膜、酸化膜エッチング形状は、逆テーパー形状またはノッチ形状５とし、トレンチのエッチングを行う。 - 特許庁

An etching pattern is provided on a stopper pattern and a region that is adjacent to and outside the stopper pattern, the depths of the etching patterns provided to the stopper pattern and the region respectively are measured with a probe and compared with each other to measure the amount of overetching, and the etching conditions are specified and monitored by the use of the amount of over etching.例文帳に追加

ストッパパターン上とこれに隣接したストッパパターン外にエッチングパターンを設け、探針でこれらのエッチパターンの深さを計測・比較することによって、オーバーエッチ量を計測し、エッチングの条件だし、条件のモニターに用いる。 - 特許庁

The etching quantity distributions differ at the angles A-C but these etching steps are repeated to improve the uniformity of the etching quantity over the entire substrate, compared to an etcher for etching a fixed inclination substrate as in the prior art.例文帳に追加

各角度Ａ〜Ｃにおけるエッチング量の分布はそれぞれ異なるが、それらのエッチングを重ねて行うことにより、従来のように一定の基板傾きでエッチングを行う装置に比べて基板全体におけるエッチング量の均一性が向上する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing DRAM which allows over-etching of poly silicon forming a storage node to be prevented.例文帳に追加

ストレージノードを形成するポリシリコンの過エッチングを防止できるＤＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

To uniformly sprinkle a resist liquid or an etching liquid over a material to be processed without lowering productivity.例文帳に追加

生産性の低下を招くことなく被加工材にレジスト液やエッチング液を均一に散布すること。 - 特許庁

To provide a plasma reactor capable of actualizing extremely uniform distribution of etching speeds over the surface of a mask.例文帳に追加

マスク表面に亘るエッチング速度の極めて均一な分布を実現するプラズマリアクタを提供する。 - 特許庁

The via protective layer 114 consists of a material, where selectivity of the wet etching is about 100 times the selectivity of the wet etching of the dielectric layer 108 or over and the selectivity of the dry etching is equal to the selectivity of the dry etching of, at least, the dielectric layer.例文帳に追加

ビア保護層１１４はウエットエッチングの選択率が誘電体層１０８のウエットエッチングの選択率の約１００倍又はそれ以上で、ドライエッチングの選択率が少なくとも誘電体層１０８のドライエッチングの選択率と等しい材料からなる。 - 特許庁

The patterned semiconductor layer over the scan lines between the etching protective layers and the data lines is removed to expose the patterned dielectric layer over the scan lines.例文帳に追加

エッチング保護層とデータラインの間の走査線の上のパターン化された半導体層は除去され、走査線の上にパターン化された誘電体層を露出する。 - 特許庁

To finish an etching epitaxial wafer and a mirror-surface wafer in a high planarity shape over the entire surface from a (high luminance) etching wafer by eliminating shape defects on the wafer periphery due to etching or polishing process works.例文帳に追加

エッチング加工や研磨加工によって発生するウエハ外周の形状不良を皆無にすることにより、（高輝度）エッチングウエハを素材とするエッチングエピタキシャルウエハ、及び鏡面ウエハを全面で平坦度の高いものに仕上げる。 - 特許庁

To provide a method and equipment for etching, where the uniformity of the etching depth in a surface can be improved by uniforming an electric field distribution over an electrode when plasma-etching a dielectric film on a compound semiconductor substrate.例文帳に追加

化合物半導体基板上の誘電体膜をプラズマエッチングする際に、電極上の電界分布を均一化させて、そのエッチング深さの面内均一性を向上できるエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To stably carry out a uniform a wet-etching for a silver or silver alloy thin film layer by suppressing the occurrence of etch residual dross in a silver or silver alloy and suppressing the occurrence of side etching caused by over etching.例文帳に追加

銀又は銀合金薄膜層のウエットエッチングに当たり、銀又は銀合金のエッチング残渣の発生を抑制すると共に、オーバーエッチングによるサイドエチングの発生を抑制し、均一なエッチングを安定して行う。 - 特許庁