「over etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device that prevents a defect from being caused even if over-etching thereof is made great, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

オーバーエッチングを大きくしても、問題発生を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching a high aspect ratio feature through a mask into a layer to be etched over a substrate.例文帳に追加

マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

In the embodiment shown in Fig., the etching stopper film 210 is formed over the second insulating layer 200 and the interconnect 162.例文帳に追加

本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。 - 特許庁

To remove a black defect with less over etching by detecting a finish point by an AFM (Atomic Force Microscope) photomask defect correcting apparatus.例文帳に追加

ＡＦＭフォトマスク欠陥修正装置で終点検出によりオーバーエッチングの少ない黒欠陥除去を行う。 - 特許庁

An etching stopper film 200 is formed over the first insulating layer 120, the air gap 128, and the interconnect 162.例文帳に追加

エッチングストッパー膜２００は、第１絶縁層１２０上、エアギャップ１２８上、及び配線１６２上に形成されている。 - 特許庁

To provide a silicon electrode for plasma etching excellent in economicity and capable of stably preventing the contamination of a wafer over a long period.例文帳に追加

経済性に優れ、且つ、ウエーハ汚染を長期間安定して防止できるプラズマエッチング用シリコン電極を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which dimensional conversion difference of an etching pattern can be controlled over a wide range by taking a measure other than the resizing of a photomask, and to provide a dry etching system.例文帳に追加

フォトマスクのリサイズ以外の方策で対処すべく、大きい範囲で寸法変換差を制御し得る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To restrain a junction leakage from occurring by decreasing over- etching on the surface of an underlying diffusion layer in amount so as to prevent damage and erosion when a contact hole with a high aspect ratio is provided by etching.例文帳に追加

アスペクト比の大きいコンタクトホールエッチング時に、下地拡散層の表面に施されるオーバーエッチング量を低減し、ダメージ・浸食を抑えることで接合リークの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a method and device for plasma etching capable of preventing sticking of reactive products over the entire dielectric wall facing a work during an etching process.例文帳に追加

被加工体に対向する誘電体壁の全体に渡って、エッチング処理中に、反応生成物が付着することを防止できるプラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

By providing this configuration, the change in the standardized J inverter value can be suppressed, even if the dimensional errors of over-etching or under-etching occur in manufacturing the coupling lines, with respect to design specifications.例文帳に追加

上記構成を備えることにより設計仕様に対して製作時のオーバーエッチング、アンダーエッチングの寸法誤差が生じた場合でも規格化Ｊインバータ値の変化を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a method for treating etching waste liquid which can reduce a high cost for having the waste liquid taken over by systematizing a disposing method of the etching waste liquid corresponding to zero mission which a user can perform.例文帳に追加

エッチング廃液をユーザーでなしうる、０ミッションに対応した廃棄方法をシステム化し、高価な廃液の引取りコストを削減しうるエッチング廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for a thin-film transistor, a sacrifice layer formed of a metal oxide semiconductor is formed over a conductive layer formed of a metal oxide semiconductor; a metal film is formed over the sacrifice layer; the metal film is processed by dry etching; and the sacrifice layer exposed by the dry etching is subjected to wet etching.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法において、金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、前記犠牲層上に金属膜を形成し、前記金属膜をドライエッチングにより加工し、前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行なう。 - 特許庁

To solve the unevenness of scattering, though, in the production of a semiconductor or a liquid crystal glass panel, an etching solution is scattered over a member 1 to be etched on etching, to simplify a complicated and expensive etching apparatus, and to reduce its cost as well.例文帳に追加

半導体または液晶ガラスパネルの製造において、エッチングを行うときエッチング液を被エッチング部材１に散布するが、散布ムラを解消するとともに、複雑高価なエッチング装置をシンプルなものにし、併せてコストの低減を図る。 - 特許庁

Since etching is performed by supplying chemical to the peripheral portion of the substrate W rotating while controlling the peripheral etching width EH, the peripheral etching width EH can be controlled uniformly over the entire circumferential surface.例文帳に追加

また、このように周縁エッチング幅ＥＨをコントロールしながら回転している基板Ｗの周縁部に薬液を供給してエッチング処理を行っているため、周縁エッチング幅ＥＨを周面全体にわたって均一に制御することができる。 - 特許庁

By providing the chamfer 8, the corner part of the manufactured black mask is prevented from being swollen to the outside by over-etching.例文帳に追加

面取り８を設けたことにより、製造されたブラックマスクのコーナー部が過エッチングによって外側へ膨らみ出ることを防止する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING ETCH STOP LAYER HAVING TOLERANCE OVER WET ETCHING, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の製造方法、湿式エッチングに対する耐性を有するエッチング阻止層の形成方法、及び半導体装置 - 特許庁

Since the whole surface of the circuit is covered with the film 5, not only the top of the circuit is prevented from being damaged during flush etching, but also over etching of the side face of the circuit is especially prevented.例文帳に追加

回路の表面全体が金属保護膜５で覆われるので、フラッシュエッチングの際に回路のトップ部分へのダメージを防ぐだけでなく、特に回路側面のオーバーエッチングを防ぐことができる。 - 特許庁

While the substrate 20 to be etched is rotated, an etching soln. 13 is sprayed in shower state by nozzles 15a and 15b so as to uniformly scatter the etching soln. 13 over the whole surface of the substrate.例文帳に追加

被エッチング基板２０を回転させながらノズル１５ａ，１５ｂによりエッチング液１３をシャワー状に吹き付けるようにして基板表面全体に均一にエッチング液１３が散布されるようにする。 - 特許庁

To provide a photomask blank capable of improving resolution, CD linearity and a through pitch by allowing a cross-section shape of an etching mask film to rise by over-etching without damaging a light shielding film.例文帳に追加

遮光膜にダメージを与えることなく、オーバーエッチングによりエッチングマスク膜の断面形状を立たせることができ、解像性、ＣＤリニアリティ、スルーピッチを改善することができるフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁

When over-etching is performed after main etching, a raw gas containing carbon and fluorine is changed into a plasma, and a negative DC voltage is applied to an upper electrode provided facing a substrate.例文帳に追加

メインエッチングの後のオーバーエッチングを行う際に、炭素とフッ素とを含む処理ガスをプラズマ化して、更に基板に対向するように設けられた上部電極に負の直流電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a substrate-treatment device for mounting a circuit board, where at jetting an etching liquid to a substrate upper surface for etching, a etching reaction is propagated evenly over the entire upper surface of substrate for improved circuit formation accuracy.例文帳に追加

エッチング処理の際、基材上面にエッチング液を噴射してエッチング処理を行うにあたり、基材上面の全面に亘ってエッチング反応を均一に進行させて回路形成精度を向上することができる回路板製造用基材処理装置を提供する。 - 特許庁

The sidewalls of the gate may be exposed through an etching process in which a silicide layer formed over the blocking layer is used as an etch mask.例文帳に追加

ブロッキング膜上に形成されたシリサイド膜をエッチングマスクとして使用するエッチング工程を通じてゲートの側壁は露出される。 - 特許庁

When the etching treatment is over and the etching solution 2 in the treatment tank 1 is returned to the etching solution tank 9, pure water 3 is immediately supplied to the treatment tank 1 through a pure water supply pipe 14, and the semiconductor wafer 18 placed in the treatment tank 1 is subjected to cleaning treatment.例文帳に追加

このエッチング処理が終了し、処理槽１内のエッチング液２をエッチング液タンク９内に回収したら、直ちに、純水供給管１４から純水３を処理槽１内に供給し、処理槽１内に配置された半導体ウエハ１８に対して洗浄処理を行なう。 - 特許庁

To etch a flexible substrate in such a manner that the entire surface thereof receives an etching effect uniformly over the entire surface of the substrate by improving a technique of etching the flexible substrate by spraying an etchant to the flexible substrate 3 from a nozzle 7 while conveying the substrate 3.例文帳に追加

フレキシブル基板３を搬送しつつノズル７からエッチング液を吹きつけて該フレキシブル基板をエッチングする技術を改良して、フレキシブル基板の全面が均一にエッチング作用を受けるようにする。 - 特許庁

After forming a gate hard mask 20 including an etching resistance film 17 over a plurality of gate electrode portions 10 and a wiring portion which connects the gate electrode portions 10, the etching resistance film 17 on the wiring portion is removed.例文帳に追加

複数のゲート電極部１０と該ゲート電極部１０間を接続する配線部との上に、耐エッチング膜１７を備えたゲートハードマスク２０を形成後、前記配線部上の前記耐エッチング膜１７を除去する。 - 特許庁

Accordingly, an etching in the oblique direction can be conducted at the large etching angle as 40° to 50° to the normal of the surface of the base material 21 extensively over the large area, thus preferably manufacturing a three-dimensional photonic crystal.例文帳に追加

これにより、大面積に亘って、基材２１の表面の法線に対して40°〜50°という大きなエッチング角で斜方向エッチングを行うことができ、それにより３次元フォトニック結晶を好適に作製することができる。 - 特許庁

To provide substrate processing equipment and method capable of removing unnecessary matters from the peripheral portion on the surface of a substrate by etching while controlling the peripheral etching width accurately over the entire circumferential surface.例文帳に追加

周縁エッチング幅を正確に、しかも周面全体にわたって均一に制御しながら基板の表面周縁部から不要物をエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a high-selectivity etching of a base film can be performed by preventing the decrease in the selectivity because of the existence of a plasma SiON film as an anti-reflection film in an OE(over-etching) step.例文帳に追加

ＯＥ工程中の反射防止膜としてのプラズマＳｉＯＮ膜の存在による選択比の低下を防ぎ、下地膜に対する高選択比のエッチングが可能な半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To avoid over etching of the bottom of an upper layer wiring groove when a recessed part is formed on a surface of lower layer wiring through a connecting plug hole by etching, in manufacturing a wiring structure by a dual damascene process.例文帳に追加

デュアルダマシン法による配線構造の製造において、接続プラグ用のホールを通じて下層配線の表面に凹部をエッチング形成するとき、上層配線用の溝の底部が過剰エッチングされないようにする。 - 特許庁

Therefore, when an electric interconnecting layer 48 of aluminum or the like is formed over the contact plug 47, the contact plug serves as an etching stopper to protect the barrier layer inside the contact opening against etching.例文帳に追加

従って、例えばアルミニウム等の電気的相互接続層（４８）がコンタクトプラグの上側に形成される場合に、そのプラグはエッチストップとして作用しコンタクト開口内のバリア層がエッチングされることを防止する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus not only capable of applying etching processing across the entire bottom surface of a substrate, but also capable of suppressing or preventing an etching liquid supplied to the bottom surface of the substrate from flowing over onto the top surface.例文帳に追加

基板の下面の全域をエッチング処理でき、しかも、基板の下面に供給されたエッチング液の上面側への回り込みを抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

Since the thermal buffer film 20 reduces the dispersion of cooling temperature over the surface, the temperature over the surface to be etched can be uniformalized, and then the uniformity in etching depth can be improved.例文帳に追加

熱緩衝膜２０は、面内での冷却温度のばらつきを緩和するので、エッチング面での温度分布の均一化を図ることができ、ひいては面内におけるエッチング深さの均一性も向上する。 - 特許庁

To provide etching equipment which is capable of uniformizing the treatment over a fine pattern part and reducing the damage and superior in productivity.例文帳に追加

微細パターン部分についての処理の均一化やダメージを低減させることができ、生産性にも優れるエッチング装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a wafer processing apparatus capable of controlling edge etching width of a wafer accurately and uniformly over the full periphery of the wafer.例文帳に追加

基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of exactly controlling the circumferential edge etching width of a substrate uniformly over the entire periphery of the substrate.例文帳に追加

基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

In this method, after the over protective layer is once formed greater than the desired film thickness, the layer is removed by dry etching to form the layer with the final film thickness.例文帳に追加

このとき、上地保護層を、一旦所望の膜厚よりも厚く形成した後、ドライエッチングで除去して、最終の膜厚に形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus and a substrate treatment method capable of performing uniform etching treatment over the entire region of the main surface of a substrate.例文帳に追加

基板の主面の全域に対し、均一にエッチング処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching system having a wafer chuck including a magnet that applies a magnetic field over a wafer to shield the wafer from charged particles.例文帳に追加

帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。 - 特許庁

The microstructure is manufactured through the steps of forming the lower electrode over the substrate, forming a sacrificial layer over the lower electrode, forming the upper electrode over the sacrificial layer, and removing the sacrificial layer by etching to form the space.例文帳に追加

前記微小構造体は、前記基板上に前記下部電極を形成し、前記下部電極上に犠牲層を形成し、前記犠牲層上に上部電極を形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記空間部分を形成することによって作製される。 - 特許庁

In this case, the low temperature oxide film LTO is constituted of as an etching stopper film so that the low temperature oxide film LTO and the polysilicon film PS1 can be prevented from being over-etched.例文帳に追加

このとき、低温酸化膜ＬＴＯがエッチングストッパ膜となるため、低温酸化膜ＬＴＯ及びポリシリコン膜ＰＳ１がオーバーエッチングされることがない。 - 特許庁

A metal layer 14 which can be removed is laminated by the selective etching process, over an oxide conductive layer 12 of this laminated substrate 10.例文帳に追加

この積層基板１０の酸化物導電層１２上に、これに対して選択エッチングにより除去可能な被除去金属層１４を積層する。 - 特許庁

A wiring material is formed over the entire surface of the substrate thus obtained, and wiring 19 connected with the thin film resistor 14 is formed by patterning by dry etching.例文帳に追加

そして、全面に配線材料を成膜してドライエッチングによりパターニングすることにより薄膜抵抗体１４と接続した配線１９を形成する。 - 特許庁

To manufacture a thin film transistor having high driving capability by performing hydrogen treatment on a semiconductor layer without causing over-etching on the semiconductor layer, for example.例文帳に追加

例えば半導体層にオーバーエッチングを生じさせることなく、半導体層に水素化処理を行い、駆動能力の高い薄膜トランジスターを製造する。 - 特許庁

To provide a new semiconductor device having a multilayer wiring structure capable of certainly avoiding a deterioration in embedding property by an over etching, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

オーバーエッチングによる埋込み性の悪化を確実に回避することができる新規な多層配線構造の半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a thermal infrared detector which facilitates wet etching of a substrate and may efficiently absorb infrared rays over a wide wavelength region.例文帳に追加

基板のウェットエッチング加工が容易であり、広い波長域にわたって効率良く赤外線を吸収できる熱型赤外線検出器を提供する。 - 特許庁