「over etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The conditions of etching when forming he plug electrode include a process where an intermediate layer 4, whose etching rate is larger than that of a dielectric film 2 interposed on a foundation 1 and is smaller than that of a plug component 3, is formed between the plug component 3 and the dielectric layer 2, and a process where the intermediate layer 4 is etched in over-etching the plug component 3.例文帳に追加

プラグ電極形成時のエッチング条件に対し、エッチングレートが下地１の絶縁層間膜２より大きく、且つプラグ材３よりエッチングレートの小さい中間膜４を、プラグ材３と絶縁層間膜２の間に設ける工程と、プラグ材３のオーバーエッチング中に中間膜４をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The etching line is composed of a just-etched part 30A for performing etching of a predetermined depth, and an over-etched part 30B for giving a inclination to the side edge face of an etching layer etched in the just-etched part 30A.例文帳に追加

基板１００を水平姿勢で水平方向へ搬送しながらその基板１００の表面にエッチング液を供給するエッチングラインを、所定深さのエッチング処理を実施するジャストエッチ部３０Ａと、ジャストエッチ部３０Ａでエッチングされたエッチング層のサイドエッジ面に傾斜を付与するオーバーエッチ部３０Ｂとにより構成する。 - 特許庁

In the semiconductor device including any of silicon oxide film or silicon film formed by anisotropic etching over the compound semiconductor substrate, the other film is allocated under any film of the silicon oxide film and silicon film, and the other film works as an etching stopper of the anisotropic etching.例文帳に追加

化合物半導体基板上に異方性エッチングにより加工された酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜を有する半導体装置において、前記酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜の下に他方の膜を配置し、この他方の膜が前記異方性エッチングのエッチングストッパとなっている。 - 特許庁

When a material having a thickness of about 150 μm is used as a substrate 2, after a half-etching portion 3 is subjected to a laser processing, the substrate 2 is turned over, and laser is irradiated from the side opposite to the side used in a half etching processing so as to form through holes 4.例文帳に追加

基材２として、１５０μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３をレーザー加工した後、基材２を裏返してから、ハーフエッチング加工のときとは反対面側からレーザー照射して貫通孔４を形成する。 - 特許庁

Further, the substrate 10 is etched into a slightly over-etched state wherein the resist is completely removed through a 2nd etching stage of irradiating them with an ion beam in the same direction with the bisector of the vertical angle while using mixed gas of CF_4 and O_2 as etching gas.例文帳に追加

その後に、ＣＦ_4とＯ_2との混合ガスをエッチングガスとして頂角の２等分線と同じ方向からイオンビームを照射する第２のエッチング工程により、レジストが完全に消失して若干オーバエッチングとなるまで基板１０を削る。 - 特許庁

The silicon element substrate 3 is anodic-joined to a glass support base plate 2, a plurality of penetrated-through parts 20 ranging over from a surface 3a side of the element substrate 3 to the etching stop layer 18 is formed thereafter by dry etching to form the sensor element 1.例文帳に追加

そして、シリコンの素子基板３とガラスの支持基板２を陽極接合した後に、素子基板３の表面３ａ側からエッチングストップ層１８に至る貫通部２０をドライエッチングによって複数個形成してセンサ素子１を形作る。 - 特許庁

To provide a method for performing plasma etching on tungsten silicide on polysilicon, the method being useful particularly for manufacturing flash memory requiring the long over etching time of micro loading and having both of a dense area and an isolation (iso) area.例文帳に追加

マイクロローディングによる長時間のオーバーエッチングを要する、緊密に密集した領域と隙間のある（ｉｓｏ）領域との両方を有するフラッシュメモリを製造するのに特に有用な、ポリシリコン上の珪化タングステンをプラズマエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of inexpensively manufacturing a structure having an uneven pattern that is uniform and fine over a large area, and an etching mask used for forming the uneven pattern that is uniform and fine over a large area.例文帳に追加

低コストで、かつ、大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを有する構造体の製造方法及び大面積に均一かつ微細な凹凸パターンを形成するために用いられるエッチングマスクを提供することを目的とする。 - 特許庁

A tensile stress film 3 deposited all over a substrate on which nMOSFET10 is formed is removed by etching while it is left over on the nMOSFET10, and after that, UV is irradiated onto the tensile stress film 3 left behind.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ１０が形成された基板の全面に堆積した引っ張り応力膜３を、ｎＭＯＳＦＥＴ１０上に残してエッチングにより除去し、その後、その残った引っ張り応力膜３に対してＵＶ照射を行う。 - 特許庁

To prevent a capacitance insulating film from deteriorating owing to hydrogen and to prevent a bit line from being a thinner film owing to etching in a semiconductor memory device having a COB (Capacitor Over Bit line) structure.例文帳に追加

ＣＯＢ構造を備えた半導体記憶装置において、容量絶縁膜の水素による劣化を防止するとともに、ビット線のエッチングでの薄膜化を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of AlGaP light emitting diode with light reflecting layer which perfectly removes distortion by dicing process without resulting in over-etching of the light reflecting layer.例文帳に追加

光反射層をオーバーエッチすることなく、ダイシング加工歪を完全に除去することができる光反射層付きＡｌＧａＰ発光ダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an etching reaching sub-layer through of thickness due to the deviation of superposition between a first contact plug and a second contact plug without having a nitride film over the entire surface of a first interlayer insulating film.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜の全面に窒化膜を設けることなく、第１のコンタクトプラグと第２のコンタクトプラグの重ね合わせのズレによるエッチングの突き抜けを防ぐ。 - 特許庁

A wafer W on which a first film 3 is formed in advance over a particle 2 attached on the wafer W is transferred to a plasma processing apparatus for applying an etching treatment to the wafer W.例文帳に追加

ウエハＷにエッチング処理を施すプラズマ処理装置に、パーティクル２が付着したウエハＷ上に第１膜３が予め成膜されたウエハＷを搬送する。 - 特許庁

To form an insulating film over a wafer so as to have a precise thickness at the bottom of a trench, without using inclined ion implantation or a photoresist as an etching mask.例文帳に追加

斜めイオン注入法やホトレジストをエッチングマスクとして用いることなくウェーハ全面に亘ってトレンチ底部に高精度の膜厚を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

When opening a connection hole high in aspect ratio, the flow ratio of He gas to all etching gas is put in the range of 70 volume % or over and 85 volume % or under.例文帳に追加

アスペクト比の高い接続孔を開口する際には、Ｈｅガスの全エッチングガスに対する流量比を７０容量％以上８５容量％以下の範囲にする。 - 特許庁

The etchant of low reaction rate where sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, is used in the etching device so as to etch the printed circuit board etc., of a fine pitch over a long time.例文帳に追加

エッチング装置に硫酸と過酸化水素水とを混合した反応速度の遅いエッチング液を用いており、ファインピッチのプリント配線基板等を時間をかけてエッチングする。 - 特許庁

Then, a tungsten layer is formed over the entire surface without implementing the reverse sputter etching, and a resist film is formed in the capacitance formation region, which is used to etch the tungsten layer.例文帳に追加

次に、逆スパッタエッチングを行わずに全面にタングステン層を形成し、容量形成領域にレジスト膜を形成し、これを用いてタングステン層のエッチングを行う。 - 特許庁

Since the thickness of the photoresist is uniform over the entire substrate 10 prior to the etching process, the depths of the different trenches 12, 14, 16 and 18 become substantially equal each other.例文帳に追加

エッチング・プロセス前はフォトレジストの厚さは基板１０全体にわたって均一なので、異なるトレンチ１２、１４、１６、１８内の凹部の深さは実質的に互いに等しくなる。 - 特許庁

Due to the time setting type over etching of the hard mask layer 16, the hard mask CD and the CD of the photoresist 18 on the hard mask CD are contracted to a desired feature size.例文帳に追加

ハードマスク層１６の時間設定型オーバーエッチングにより、ハードマスクＣＤ及びその上にあるフォトレジスト１８のＣＤが、所望のフィーチャー・サイズまで縮小される。 - 特許庁

To provide a method for etching features in an etch layer, and a conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer.例文帳に追加

エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。 - 特許庁

The second metallic layer 3 is over-etched for a time corresponding to the whole etching time by 10% after the luminous signal measured by the monitor 19 is saturated.例文帳に追加

発光モニタ19にて測定した発光信号が飽和した時から全体のエッチング時間に対して１０％に相当する時間だけ第２の金属層３をオーバーエッチングする。 - 特許庁

Moreover, in the method of manufacturing semiconductor device for conducting anisotropic etching to any film of the silicon oxide film and silicon film over the compound semiconductor substrate, the other film is allocated under any film of the silicon oxide film and silicon film, and the anisotropic etching of one film is performed using the other film as the etching stopper.例文帳に追加

また、化合物半導体基板上の酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜に異方性エッチングを行なう半導体装置の製造方法において、前記酸化シリコン膜又はシリコン膜の何れか一方の膜の下に他方の膜を配置し、この他方の膜をエッチングストッパとして前記一方の膜の異方性エッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head capable of accurately etching the bottom part of an upper layer core for constituting the thin film magnetic head and preventing the over-etching of the peak part of the upper layer core and re-deposition to the side face of the upper layer core.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドを構成する上層コアの裾部分を精度良くエッチングすることができ、かつ、上層コアの頂部のオーバーエッチングや上層コアの側面への再デポジションを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

After a W film is formed over the entire surface in a film-forming chamber, the film-forming chamber is fed with a ClF3 gas comprising a string reducing function as an etching gas, so that the W film and the tight-contact layer 5 etched back by a gas etching using the gas.例文帳に追加

成膜チャンバー内において全面にＷ膜６を成膜した後、この成膜チャンバー内にエッチングガスとして強い還元作用を有するＣｌＦ_3 ガスを供給し、このガスを用いたガスエッチングにより、Ｗ膜６および密着層５のエッチバックを行う。 - 特許庁

A porous member such as porous ceramics 13 is used for a scattering nozzle 9 of an etching solution 10, and a nozzle having a shape same as that of the member 1 to be etched is freely produced, so that the etching solution 10 is scattered over the whole face of the member 1 to be etched at a low flow velocity.例文帳に追加

エッチング液１０の散布ノズル９にポーラスセラミックス１３などの多孔質部材を用い、被エッチング部材１と同一の形状のノズルを自在に製作し、よって被エッチング部材１の全面に均一に低流速でエッチング液１を散布する。 - 特許庁

To provide a method for etching metals in order to form a fine electrode and a metallic wiring in a manufacturing process of a substrate for a semiconductor device or for a liquid crystal element, which easily keeps the etching rate in a desired range over a long period of time.例文帳に追加

半導体装置基板や液晶素子基板の製造工程等における微細な電極や金属配線を形成するための金属エッチング方法において、エッチング速度を容易且つ長期間に亘り所望の範囲とするような、エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Here, the upper surface of the W plug 50 recedes from the surface of the silicon oxide film 44 due to over-etching on the W film 48, producing a step 30 between inside and outside of the contact hole 46.例文帳に追加

この際、Ｗ膜４８のオーバーエッチングでＷプラグ５０の上面がシリコン酸化膜４４表面よりも後退し、コンタクトホール４６の内外で段差３０を生じる。 - 特許庁

A silicon oxide film is deposition-formed on the whole face, and an insulating member 37 is formed by etching-back, to remain continuously over on one part of an upper face from a sidewall of the gate electrode.例文帳に追加

全面にシリコン酸化膜を堆積形成し、エッチバックしてゲート電極の側壁から上面の一部上に渡って連続的に残存させた絶縁部材３７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a semiconductor substrate will not be damaged, even if over-etching is carried out at forming of an opening for contact, and a method of manufacturing of the semiconductor device.例文帳に追加

コンタクト用の開口部を形成する際にオーバーエッチングを行っても、半導体基板にダメージを与えることのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern working method and a pattern working device, working the worked base within a mask width to be flat without over-etching by anisotropy working, and performing microprocessing.例文帳に追加

異方性の加工によりオーバエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき、微細加工が可能なパターン加工方法及びパターン加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which a natural oxide film having different thicknesses by position can be removed well without over-etching a semiconductor substrate and a metal film positioned under the natural oxide film.例文帳に追加

自然酸化膜下に位置する半導体基板や金属膜がオーバエッチングされず、位置によって厚みの異なる自然酸化膜を良好に除去できる半導体装置の提供。 - 特許庁

The method further includes a step of etching the protection layer (44) and the metal layer (42) to form a structure (56) having a remaining portion of the protection layer formed over a remaining portion of the metal layer.例文帳に追加

方法は、保護層（４４）および金属層（４２）をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造（５６）を形成するステップをさらに含む。 - 特許庁

The thick resist film 64 is etched substantially over the entire etching period and removed gradually and the metal mask film 63 is etched by only a small thickness d in the final stage.例文帳に追加

エッチングのほぼ全期間中に亙り厚膜レジスト膜６４がエッチングされて徐々に消失し、最終段階でメタルマスク膜６３が極めて僅かな厚さｄだけエッチングされる。 - 特許庁

Afterwards, an antireflection film 21 is formed over the entire surface about from 500 to 1,000 angstroms, and a groove 15 for second wiring layer is formed by etching the second wiring corresponding inter-layer insulating film 11.例文帳に追加

その後、全面に反射防止膜２１を５００〜１０００オングストローム程度形成し、第２配線対応層間絶縁膜１１をエッチングして、第２配線層用の溝１５を形成する。 - 特許庁

To provide a polarizing element preventing over-etching of a grid pattern and having a high aspect ratio, and to provide a method for manufacturing the polarizing element, a liquid crystal device, and a projection display device.例文帳に追加

グリッドパターンのオーバーエッチが防止されるとともに高いアスペクト比を有する偏光素子、偏光素子の製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置を提供する。 - 特許庁

In the case of the presence of the contact hole penetrated through the interlayer insulating films 41, 12 of at least two layers or over whose film quality differs from each other, an etching rate by dry etching of the upper layer interlayer insulating film 41 is selected faster than that of the lower layer interlayer insulating film 12.例文帳に追加

膜質が異なる少なくとも２層以上の層間絶縁膜４１，１２を貫通するコンタクトホールが存在する場合、上層の層間絶縁膜４１のドライエッチングによるエッチングレートが、下層の層間絶縁膜１２のエッチングレートより速く設定するようにした。 - 特許庁

In the case of etching a crystal wafer to form a piezoelectric element chip 62, powder beam etching is executed thereby configuring the side end face of the piezoelectric element chip 62 with a slope whose middle part in the perpendicular direction is projected outward over the entire circumference.例文帳に追加

水晶ウエハーをエッチングして圧電素子片６２を形成する際に、パウダービームエッチングを行なうようにし、これによって圧電素子片６２の側端面をその全周に亘って厚さ方向の中央部が外方に突出するような傾斜面から構成するようにしたものである。 - 特許庁

To accurately recognize an alignment mark and precisely carry out an alignment operation when coupling a substrate with another substrate such as a semiconductor wafer, a glass, a film and the like, even if insufficient etching or over etching occurs when forming the alignment mark, or if an opaque particle or the like exists on a portion of the alignment mark.例文帳に追加

半導体ウェハやガラス、フィルムなどの基板と基板との接続で、アライメントマークの形成時にエッチング不足やオーバーエッチングが生じたり、アライメントマーク上の一部に不透明な粒子等が存在する場合でも、アライメントマークを正確に認識し、位置合せを精度よく行う。 - 特許庁

At the time of forming the contact hole of an MOS transistor, a nitrided film is used as the stop film of etching so that the over-etching of an Si base can be prevented, and ion injection is carried out by using the contact hole as a mask so that a high concentration diffused area constituting a source/drain area can be formed.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールを形成する際、チッ化膜をエッチングのストップ膜として使用しＳｉ基盤のオーバーエッチをなくし、そのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域を構成する高濃度拡散領域を形成すことを特徴とする。 - 特許庁

Since the ILD 11 is protected by the etching stopper layer 15 even when the formed position of the first aluminum wiring 17 or a via hole (h) is somewhat deviated from the contact hole H, the over-etching of the ILD 11 can be prevented at the time of forming the via hole (h).例文帳に追加

コンタクトホールＨに対して、第１アルミ配線１７の形成位置やビアホールｈの形成位置が多少ずれてしまった場合でも、ＩＬＤ１１はエッチングストップ層１５によって保護されるので、ビアホールｈの形成時にＩＬＤ１１に対するオーバエッチングを防止することができる。 - 特許庁

To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.例文帳に追加

CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an organic bottom anti-reflective coating over an etch target layer, a step of forming a photoresist pattern over the organic bottom anti-reflective coating, and a step of etching the organic bottom anti-reflective coating using a sulfur-containing gas.例文帳に追加

被エッチング層上に有機反射防止膜を形成するステップと、該有機反射防止膜上に感光膜パターンを形成するステップと、硫黄が含有されたガスを用いて、前記有機反射防止膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This pressure sensor includes: a chamber part 105 formed hollowly by removing by etching selectively a semiconductor substrate 101 through an etching opening part 205 formed on the semiconductor substrate 101: a diaphragm part 107 formed over the chamber part 105, for receiving and detecting a pressure; and a sealing part 106 for sealing the chamber part by blocking the etching opening part 205.例文帳に追加

半導体の基板１０１に形成されたエッチング用開口部２０５を介して半導体の基板１０１が選択的にエッチング除去されて中空に形成されたチャンバー部１０５と、チャンバー部１０５の上部に形成されて圧力を受けて検知するダイヤフラム部１０７と、エッチング用開口部２０５を閉塞してチャンバー部を封止する封止部１０６とで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition excellent in sensitivity behavior and resolution and excellent also in etching property over time after laminating, and a pattern forming material having a photosensitive layer formed of the photosensitive composition.例文帳に追加

感度特性、及び解像度に優れ、ラミ後経時でのエッチング特性に優れる感光性組成物、該感光性組成物により形成された感光層を有するパターン形成材料等の提供。 - 特許庁

After obtaining a metal-insulator compound member by forming metal layers 3, 4 on the both main surfaces of an insulator 2, an etching resist 6 is formed on all over or a part of the metal layer 3 for forming a circuit.例文帳に追加

絶縁体２の両主面に金属層３、４を形成して金属−絶縁体複合部材を得た後に、回路形成用の金属層３の全面または一部にエッチングレジスト６を形成する。 - 特許庁