「over etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To remove (clean) an electrically conductive material filmed over or stuck to a bevel part, etc., of a substrate and to machine an outer peripheral part of the substrate by applying electrochemical machining in place of, for example, conventional general etching by electrochemical action.例文帳に追加

電気化学的作用によって、例えば従来の一般的なエッチングに変わる電解加工を施して、基板のベベル部等に成膜乃至付着した導電性材料を除去（洗浄）したり、基板の外周部を加工できるようにする。 - 特許庁

By having a resist pattern over a tapered part further formed on a capacitor body structure and dry etching performed, the terminal portion of the capacitor body structure, constituted by stacking a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode, in this order, is made into a tapered form.例文帳に追加

そしてさらに、キャパシタ構造体の上にテーパ上のレジストパターンを形成してドライエッチングを行うことにより、下部電極、誘電体層及び上部電極を順に積層してなるキャパシタ構造体の端部をテーパ状に形成する。 - 特許庁

A contact hole 12a is first formed by performing dry etching on an interlayer insulator film 12, thereafter, a barrier layer 14 consisting of TiN and an adhesive layer 15 consisting of Ti are sequentially deposited over the entire surface including the bottom surface and peripheral surface of the contact hole 12a.例文帳に追加

まず、層間絶縁膜１２に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール１２ａを形成し、その後、該コンタクトホール１２ａの底面及び周面を含む全面にわたって、ＴｉＮよりなるバリア層１４及びＴｉよりなる密着層１５を順次堆積する。 - 特許庁

The seed layer is patterned, such as by etching, and the growth of at least one zinc-oxide nanostructure is induced substantially over the patterned seed layer by, for example, exposing the patterned seed layer to zinc vapor in the presence of a trace amount of oxygen.例文帳に追加

エッチングなどによりシード層をパターニングし、例えば微量の酸素存在下における亜鉛蒸気に、パターニングされたシード層をさらすことによって、実質的に、パターニングされたシード層の上において、少なくとも１つの酸化亜鉛のナノ構造の成長が引き起こされる。 - 特許庁

A trapezoidal trench is formed on the surface of a semiconductor substrate by using a LOCOS method and wet etching, and a lower electrode layer 5 is formed on the surface of the trapezoidal trench, and a capacitance insulating film 6 and an upper electrode 7 are laminated in this order over the lower electrode layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にＬＯＣＯＳ法およびウェットエッチングを用いて台形状トレンチを設け、台形状トレンチ表面に下部電極層５を形成し、下部電極層の上に容量絶縁膜６と上部電極７を順次積層する。 - 特許庁

To provide a plasma treating device capable of maintaining reproducibility and reliability of a process at a low cost over a long period time without producing secular change on etching characteristics by controlling a temperature of a reactor inside and a deposition state of a reactive organism to a wall face.例文帳に追加

リアクタ内部の温度と壁面への反応性生物の堆積状態を制御して、エッチング特性に経時的な変化を生じさせることなく、プロセスの再現性・信頼性を、長期間にわたって低コストで維持できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of: obtaining data representing the plurality of features; and forming at least one of the plurality of features by etching a substrate to form a mesa and depositing a chrome layer over the entire upper surface of the mesa; where the mesa has a predetermined height.例文帳に追加

この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで複数の特徴の少なくとも１つを形成するステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。 - 特許庁

To inhibit both roughening and black silicon of a trench sidewall in a manufacturing method of a vertical MOSFET having parallel pn regions formed by a trench refill method when etching deep trenches at a trench aperture ratio of 30% and over.例文帳に追加

トレンチ埋込法により形成された並列ｐｎ領域を有する縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法において、トレンチ開口率が３０％以上であり且つ深いトレンチをエッチングする際に、トレンチ側壁の荒れおよびブラックシリコンの両方を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial plating lead frame that is free from plating burrs and also free from exposure of the surface of a metal plate material over a part necessary to be plated, in case when a lead frame is manufactured by etching after plating is applied on the surface of the metal plate in advance.例文帳に追加

金属板の表面に先にめっきを施した後、エッチング加工によりリードフレームを製造する場合に、めっきバリがなく、且つめっきが必要な部分に金属板素材表面の露出がない、部分めっきリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁

A driving panel 100 and a counter panel 200 each having glass substrate are bonded over the entire for excluding the outer peripheral part with a peelable adhesive material 310 in-between and the outer peripheral part is provided with a sealing layer 320 for etching protection to form a conjugate 300.例文帳に追加

各々ガラス基板を有する駆動パネル１００と対向パネル２００とを、剥離可能な接着材３１０を間にして外周部を除く全面にわたり接着し、外周部にエッチング保護のための封止層３２０を設けて接合体３００を形成する。 - 特許庁

The method includes steps of: consecutively disposing a phase shift layer pattern and a light shielding layer pattern over a transparent substrate to form a photomask and forming a resist layer over the entire surface of the photomask having a defective pattern causing a bridge between neighboring portions of the phase shift layer pattern; exposing the defective pattern by etching the resist layer; and removing the exposed defective pattern.例文帳に追加

透明基板上に位相反転膜パターン及び光遮蔽膜パターンを順次に配置してフォトマスクを形成し、隣接する位相反転膜パターンをブリッジさせる不良パターンの生じたフォトマスク全面にレジスト膜を形成する段階と、レジスト膜をエッチングして不良パターンを露出させる段階と、露出した不良パターンを除去する段階と、を含む構成とした。 - 特許庁

Over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a substrate protective film 13 which, for example, comprises HDP-NSG of film- thickness 50 nm with an etching selectivity to a silicon, and a first mask film 14 comprising BPSG of film-thickness 200 nm, are sequentially deposited.例文帳に追加

まず、半導体基板１１上の全面にわたって、例えば、それぞれが、シリコンに対してエッチング選択性を有する、膜厚が５０ｎｍのＨＤＰ−ＮＳＧからなる基板保護膜１３と、膜厚が２００ｎｍのＢＰＳＧからなる第１のマスク膜１４とを順次堆積する。 - 特許庁

In the method of forming a concave structure on a substrate surface, spherical particles are disposed on a substrate, and a film made of a material different from that of the spherical particles is formed over the spherical particles, and the substrate is etched with the spherical particles and the film as an etching mask.例文帳に追加

基板上に球状粒子を配置し、前記球状粒子上に前記球状粒子とは異なる物質の膜を形成し、前記球状粒子及び前記膜をエッチングマスクとして基板のエッチング処理を行うことにより、基板表面に凹形状構造を形成する方法。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding member to be used by being arranged in front of the display consists of a hot press laminate 1d of a transparent base material 11, a metallic mesh formed by etching metallic foil 12 on the transparent base material 11 and a film with adhesives formed by over-coating on the metallic mesh.例文帳に追加

ディスプレイの前面に配置して使用される電磁波遮蔽部材であって、透明基材１１、透明基材１１上の金属箔１２をエッチングして形成された金属製メッシュ及び金属製メッシュ上にオーバーコートされた接着剤付フィルムの透明な熱プレス積層体１ｄからなる。 - 特許庁

To accurately measure the outcome of a device even over an entire surface of a substrate with little cost and time, the device including an integrated circuit, a magnetic head, a magnetic disc, a solar cell, an optical module, a light emitting diode, a liquid crystal display panel and the like that are formed on a substrate by repetitively performing film formation, resist application, exposure, development and etching.例文帳に追加

集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチングなどを繰り返して形成するデバイスの出来栄えを、コストや時間をかけずに基板の隅々まで精度よく計測する。 - 特許庁

In a micromachining process using a sacrificial layer 103 to manufacture a microstructure floating over a substrate, the manufacturing method of a microstructure includes a step of laminating an anti-sticking film 101 removable by dry etching before or after the lamination of the sacrificial layer.例文帳に追加

基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。 - 特許庁

To provide a process and apparatus for manufacturing a tape carrier for a semiconductor device, in which, when forming wiring patterns, a substrate hardly flaps during conveyance, etching treatment with higher accuracy and less variations is performed and the uniform wiring patterns can be formed over all the upper part of the substrate.例文帳に追加

配線パターンを形成する際、搬送時に基板のバタつきを低く抑え、より精度の高い、ばらつきのないエッチング処理を行うと共に、基板全体に配線パターンの均一化を図ることができる半導体装置用テープキャリアの製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for a semiconductor device is constituted such that a sacrifice film is formed all over the semiconductor substrate provided with a trench, and subsequently by removing the sacrifice film with isotropic etching, and the trench opening and the corner of the trench bottom are made roundish by shape processing.例文帳に追加

トレンチを備えた半導体基板全面に犠牲膜を形成し、次いで等方性エッチングにより犠牲膜を除去することにより、トレンチ開口部及びトレンチ底面のコーナーを丸みを帯びた形状に加工することを特徴とする半導体装置により、上記課題を解決する。 - 特許庁

In the semiconductor device which does not adopt a SAC structure, a bit contact interlayer film 13, other than the place where a bit line 6 is formed, is removed by etching, and a direct nitride film 19 is then formed all over the upper surface and the side surface of the bit line 6 to cover the bit line 6.例文帳に追加

ＳＡＣ構造を採用していない半導体装置に対して、ビット線６が形成されている場所以外のビットコンタクト層間膜１３をエッチング処理により除去した後に、ダイレクト窒化膜１９をビット線６の上面および側面の全面にビット線６を覆うようにして形成する。 - 特許庁

An SiO2 film 12 and an SiN film 14 are formed over an Si substrate 10 in this order, and the SiN film 14 is worked into a pad SiN film 14a by etching with a fist resist pattern 16, formed thereon as a mask, and then the first resist pattern 16 is cured through UV curing.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ_2 膜１２及びＳｉＮ膜１４を形成し、このＳｉＮ膜１４をその上に形成した第１のレジストパターン１６をマスクとするエッチングによりパッドＳｉＮ膜１４ａに加工した後、ＵＶキュアにより第１のレジストパターン１６を硬化させる。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high sensitivity, high resolution and high radiation transmittance, excellent in smoothness of a pattern surface in micro dimensions and capable of avoiding partial insolubilization in over-exposure without impairing basic solid state properties as a resist such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なわずに、高感度、高解像度で、放射線透過率が高く、微細寸法でのパターン表面の平滑性に優れ、かつ過露光時の部分不溶化を解消しうる感放射性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Even if an etched groove 71 is formed at a storage electrode at the completion stage of over-etching due to unconformity between a bar pattern 70 of the storage electrode and an embedded contact hole 53, the etched groove 71 is filled with a conductive spacer 73 on the side wall of the bar pattern 70 before a dielectrics film 80 is laminated on the storage electrode.例文帳に追加

ストレージ電極のバーパターン７０と埋没コンタクトホール５３との不整合のため、オーバエッチング終了段階でストレージ電極に食刻溝７１が形成されても、この食刻溝７１を、バーパターン７０側壁の導電性スペーサ７３で充填した後、ストレージ電極上に誘電体膜８０を積層する。 - 特許庁

The planar optical waveguide is manufactured by depositing an under clad layer 20 on a silicon substrate 10, depositing a core layer on the under clad layer 20 by using an aerosol process, etching the core layer to produce the core 30, and forming the over clad layer 40 on the under clad layer 20 and on the core 30 in an aerosol process.例文帳に追加

シリコン基板１０上にアンダークラッド層２０を被着し、エアゾール工程を用いてアンダークラッド層２０上にコア層を被着し、このコア層をエッチングしてコア３０を生成し、エアゾール工程を通じてアンダークラッド層２０及びコア３０上にオーバークラッド層４０を形成することによって、プレーナ型光導波管が製造される。 - 特許庁

To provide a new pretreatment method for plating where a plating film having high adhesion to a resin molded body composed of a polystyrene-based resin or a polystyrene-based alloy resin can be formed, and further, a permanganate water solution used as an etching treatment solution can be continuously used stably over a long period.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂又はポリスチレン系アロイ樹脂からなる樹脂成形体に対して高い密着力を有するめっき皮膜を形成することができ、しかもエッチング処理液として用いる過マンガン酸塩水溶液を長期間安定して連続使用することが可能な新規なめっき用前処理方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus for etching includes: a substrate supporting pedestal (210) for supporting the substrate (220); a spray nozzle (230) for spraying the etchant (240) over the substrate (220); and a suction unit (250) disposed at an outer peripheral edge of the substrate supporting pedestal (210) so as to accelerate the flow of the etchant (240) and collecting the etchant (240).例文帳に追加

本発明に係るエッチング装置は、基板（２２０）を支持する基板支持台（２１０）と、基板（２２０）にエッチング液（２４０）を噴射する噴射ノズル（２３０）と、エッチング液（２４０）の流れが促進されるように基板支持台（２１０）の外周縁に配置され、エッチング液（２４０）を回収する吸入器（２５０）と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A size of the semiconductor chip is limited to 0.5 mm or less to bring improvement for bending and a concentrated over-load, the etching separation provides the semiconductor chip free from crack breakage, and short circuiting in an edge portion is prevented by the oxide film of the side wall when contacting with the antenna, allowing a simple process adoption.例文帳に追加

半導体チップのサイズを０．５ｍｍ以下に限定することにより、曲げ、集中過重に対して改善でき、又エッチング分離によって亀裂破壊のない半導体チップとなり、又側壁の酸化膜によってアンテナとの接着時にエッジ部分のショートが防止でき簡便な工程が採用できる。 - 特許庁

In a method for etching surface of wiring board, a thin wiring board 1 is transported in the direction of its flat surface in an etchant L and, at the same time, the etchant L is transported under pressure to the front and rear surfaces of the board 1 over the whole width perpendicularly to the transporting direction of the board 1.例文帳に追加

エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送すると共に、この配線基板１の表裏面に対し、この表裏面における搬送方向と直交する幅全体に渉り上記エッチング液Ｌを圧送する、配線基板の表面エッチング方法。 - 特許庁

To provide a new printed circuit board manufacturing method assuring the through-hole forming process of an insulation film of the relevant printed circuit board with higher accuracy and effectiveness for entire area of the printed circuit board without generation of problems such as generation of damage on circuit patterns and elimination of conductive circuits due to the over-etching.例文帳に追加

プリント配線板の全面積にわたって精度良く、かつ効率的に、しかもオーバーエッチングによる回路パターンへのダメージ発生や導体回路の消失といった問題を生じることなしに、当該プリント配線板の絶縁層を貫通加工することが可能な、新規なプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

By a CMP step for forming a first plug, and an etching step for forming a following second plug so as to fill a part where an insulating material film is lost by depositing the attack prevention film all over the surface after cleaning, spreading of loss of the attack prevention film to a lower part of a conductive pattern is prevented.例文帳に追加

第１プラグ形成のためのＣＭＰ工程及び洗浄後にその全面にアタック防止膜を蒸着して絶縁性物質膜が損失された部分を埋め込むようにして後続する第２プラグを形成するためのエッチング工程でアタック防止膜が導電パターンの下部に損失が広がることを防止する。 - 特許庁

Slit nozzles 33a to 33f for supplying treatment liquid in the whole area of a width direction on the surface of the substrate in a film shape, which are arranged at a right angle in one or a plurality of stages to the substrate carrying direction as an etching liquid supplying means, are provided on both the just-etched part 30A and the over-etched part 30B.例文帳に追加

ジャストエッチ部３０Ａ及びオーバーエッチ部３０Ｂの両方に、エッチング液供給手段として、基板搬送方向に対して１段又は複数段に直角配置され、それぞれが基板表面の幅方向全域に膜状に処理液を供給するスリットノズル３３ａ〜３３ｆを設ける。 - 特許庁

Then the first CMP process is performed, and with the polysilicon film 6 after the first CMP process as a mask, etching process is performed for the silicon oxide film 5, and the silicon oxide film 5 which lies in the region over the projecting part region removed, and then a second CMP process is further performed to cause the top of a semiconductor substrate 1 to be flattened.例文帳に追加

その後、第１のＣＭＰ処理を行い、第１のＣＭＰ処理後のポリシリコン膜６をマスクとしてシリコン酸化膜５に対するエッチング処理を実行して、凸部領域の上部領域のシリコン酸化膜５を除去した後、さらに第２のＣＭＰ処理を行って半導体基板１上を平坦化させる。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 is accumulated in a HDP-CVD method, and continuously a polysilicon film 6 is accumulated in the thickness, in which the polysilicon film 6 in a region over a projecting part region is removed in a first CMP process, meanwhile the polysilicon film 6 in a recessed part region remains, and further the polysilicon film 6 functions as a mask of etching process in the later stage.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＤＶ法によるシリコン酸化膜５の堆積に続いて、第１のＣＭＰ処理時に凸部領域の上部領域のポリシリコン膜６が除去され、凹部領域のポリシリコン膜６が残存し、かつポリシリコン膜６が後段のエッチング処理のマスクとして機能する膜厚でポリシリコン膜６を堆積する。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a hard mask layer 410 and an etch still film 420 over a semiconductor substrate 400; forming a sacrificial oxide film pattern over the etch still film; forming a spacer on sidewalls of the sacrificial pattern; removing the sacrificial oxide film pattern; and etching the etch still film and the hard mask layer with the spacer as an etch mask to form a hard mask pattern.例文帳に追加

半導体基板４００上部にハードマスク層４１０及びエッチング静止膜４２０を形成する段階と、前記エッチング静止膜上部に犠牲酸化膜パターンを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンの側壁にスペーサを形成する段階と、前記犠牲酸化膜パターンを除去する段階と、前記スペーサをマスクに前記エッチング静止膜及び前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A p^+ region 4 is formed over an entire upper portion of an n-type epitaxial layer 2 by high-temperature ion implantation, and an n-type region below the p^+ region 4a is partially exposed by selectively etching the p^+ region 4a, thereby forming a p^+ semiconductor projection 4 which is protruded upward from an upper surface of the n-type region.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層２の上部全体に高温イオン注入によってｐ^+領域４ａを形成し、当該ｐ^+領域４ａを選択的にエッチングしてｐ^+領域４ａ下のｎ型領域を部分的に露出させることにより、そのｎ型領域の上面より上方へ突出したｐ^+半導体凸部４を形成する。 - 特許庁

The thin metal oxide film element is produced through a step for forming a thin amorphous metal oxide film containing an excess of lead over the stoichiometric composition as a 2nd layer on a 1st layer, a step for etching the thin amorphous metal oxide film and a step for crystallizing the etched thin amorphous metal oxide film by heating.例文帳に追加

第一の層の上に、第二の層として化学量論組成よりも過剰の鉛を含有するアモルファス状金属酸化物薄膜を形成する工程、該アモルファス状金属酸化物薄膜をエッチングする工程、およびエッチングされたアモルファス状金属酸化物薄膜を加熱により結晶化する工程を含むことを特徴とする、金属酸化物薄膜素子の製造方法。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus, having a plurality of small electrodes arranged nearly in the same plane, when high frequency powers of different frequencies are applied to the electrodes adjacent to each other, the combination of the electric field strengths generated by respective electrodes can provide electric field strength which is uniform over a large area to improve film thickness distribution and etching speed distribution.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、反応容器内の略同一平面上に配置された複数の小電極に対して、互いに隣接する電極に異なる周波数の高周波電力を印加することで、各々の電極で生じる電界強度を合成して大面積にわたって均一な電界強度を生じさせることが可能となり、膜厚分布やエッチング速度の分布が改善される。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device capable of adjustment of a temporal change in temperature accompanied by plasma application, temperature adjustment over a wide range, and local temperature control of a platelike specimen by causing a local temperature distribution in a plane of the platelike specimen such as a silicon wafer when applied in a processing apparatus such as a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device that comprises a step of implementing plasma-etching 250 through a patterned hardmask layer 210 located over a semiconductor substrate 225, and forming a modified layer 210a on the hardmask layer 210; and a step of removing at least a substantial portion of the modified layer 210a by performing a post plasma clean process on the modified layer 210a.例文帳に追加

半導体基板２２５の上に位置するパターニングされたハードマスク層２１０を通してプラズマエッチング２５０を行い、ハードマスク層２１０上に変性層２１０ａを形成する工程と、変性層２１０ａに対してポストプラズマ洗浄プロセスを行い変性層２１０ａの少なくとも実質的な部分を除去する工程とを備える、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁

The method includes etching a test workpiece 13 in a flat configuration in the chamber, determining the respective angle of a longitudinal portion of the features 16 relative to an axis passing orthogonally through the workpiece, and determining the curvature of the workpiece, which is required to reduce the angles, at least over a central portion of the workpiece, substantially to 0°.例文帳に追加

該方法は、チャンバ内に平らに配置されている試験加工品１３をエッチングすること、加工品に直角に通る軸に対して特徴部分１６の長手方向の部分のそれぞれの角度を決定すること、及び少なくとも加工品の中央部分に渡って角度を略０°に低減するのに必要とされる加工品の曲率を決定することとを含んでいる。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate having high corrosion resistance without being corroded to the depths even if it is exposed to a reactive gas or halogen gas over a long period of time and preventing the coming off of ceramic particles from the surface and the generation of particles caused by attaching of the ceramic particles to a treating substance such as a silicon wafer even when the treating substance is placed on the surface and treated by etching for example.例文帳に追加

長期間に渡って反応性ガスやハロゲンガスに曝され続けても、その深部まで腐食されることがなく耐腐食性に優れるとともに、その表面にシリコンウエハ等の被処理物を載置してエッチング等の処理を施しても、その表面からセラミック粒子が脱落し、上記シリコンウエハ等の被処理物に付着してパーティクルが発生することがないセラミック基板を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel including a top-gate TFT as a switching element and a light shielding film shielding the TFT from light, which prevents disappearance of the light shielding film due to over-etching even when Mo is used as a material of the light shielding film and a coating insulating layer of the light shielding film is dry-etched to expose a surface of Mo.例文帳に追加

スイッチング素子としてのトップゲート式ＴＦＴと、前記ＴＦＴを遮光するための遮光膜とが設けられた液晶表示パネルにおいて、遮光膜の材料としてＭｏを採用し、遮光膜の被覆絶縁層にドライエッチング処理を施してＭｏの表面を露出させる場合にも、オーバーエッチングによる遮光膜の消失を防げるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the problems are prevented such as a short circuit, an adhesion failure, and focus deviation etc., due to over-etching of wiring because the areas of overlapping regions for connection are randomly different, in a method for forming fine wiring which is a test pattern and wide leads connected to it on a semiconductor substrate by double exposure using two masks.例文帳に追加

テストパターンである微細配線とそれに繋がる幅広の引き出し配線とを２枚のマスクを用いた２重露光により半導体基板上に形成する方法において、繋ぎ合わせるオーバーラップ領域の面積がランダムに異なっていたため発生していた、配線のオーバーエッチングにより短絡、密着性不良、フォーカスずれ等の諸問題を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To avoid lowering the yield due to breaking of a resist pattern and prevent an etching liquid flow from being blocked in the gap between thick film patterns to accurately form a desired pattern over the entire substrate, when photosensitive layers on a substrate are exposed and developed to form a mask pattern and the substrate is etched with the mask pattern to form the pattern of the same shape as that of the mask pattern on the substrate.例文帳に追加

基板上に形成された感光層に露光および現像によりマスクパターンを形成し、そのマスクパターンを用いて基板をエッチングすることにより、基板にマスクパターンと同一形状のパターンを形成する際に、レジストパターンの破れによる歩留の低下を防止する一方で、厚膜パターン同士の隙間でエッチング液の流れが阻害されることを防止し、基板全体にわたり所望のパターンを精度良く形成できるようにする。 - 特許庁