「pattern after」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

After the barrier film 103 is removed, the resist film 102 subjected to pattern exposure is developed to form a resist pattern 102a having a favorable profile.例文帳に追加

続いて、バリア膜１０２を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して現像を行なうことにより、良好な形状を有するレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁

Therefore, the profile 8 of the etched pattern obtained by using the silica film 10 and the resist mask 11 as the mask remaining after etching the thin photosensitive film pattern shows is almost equal to the designed profile.例文帳に追加

従って、薄い方の感光膜パターンがエッチングされて残るシリカ膜１０及びレジストマスク１１をマスクとして得られるエッチングパターンの形状８は、設計値に近い形状となる。 - 特許庁

Since the irregular pattern 18 thus keeps its shape after having once formed, the invention can provide a decorative plate 10 having a clear irregular pattern 18.例文帳に追加

つまり、凹凸パターン１８を一旦形成した後は、その形状がそのまま保持されるので、鮮明な凹凸パターン１８を有する化粧板１０を提供することが可能となる。 - 特許庁

Then, a groove is formed on the non-porous insulation film by dry-etching with a resist pattern as a mask, and after the resist pattern is removed by ashing, the surface of the semiconductor substrate is cleaned.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより非多孔質絶縁膜に溝を形成し、アッシングによりレジストパターンを除去した後、半導体基板の表面を洗浄する。 - 特許庁

Then, after a resist pattern is formed on the nonporous insulating film, a groove is formed in the nonporous insulating film by dry-etching the film by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

次に、この非多孔質絶縁膜の上にレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして非多孔質絶縁膜のドライエッチングを行い、非多孔質絶縁膜に溝を形成する。 - 特許庁

The internal electrode pattern for additional stacking is printed right after the internal-electrode non-formation portion 3c in the same shape as the internal electrode pattern right before the internal-electrode non-formation portion 3c.例文帳に追加

追加積層用の内部電極パターンは、内部電極非形成部３ｃの直後に印刷し、形状を内部電極非形成部３ｃの直前の内部電極パターンと同じにする。 - 特許庁

The pachinko game machine 10 executes the control of variably displaying the temporarily stopped and displayed decorative pattern again after the mini character pattern is derived and displayed as the specific display form.例文帳に追加

パチンコ遊技機１０は、ミニキャラクタ図柄が特定の表示態様として導出表示された後に、仮停止表示させた装飾図柄を再度変動表示させる制御を行う。 - 特許庁

Concretely after a reversal pattern 22 is formed on the surface of the substrate 10, the reversal pattern 22 is cut in ultra high precision with a single crystal diamond bit 30 to form a prism portion 23.例文帳に追加

具体的には、基板１０の表面に反転型２２を形成した後、単結晶ダイヤモンドバイト３０で反転型２２を超精密切削加工を行い、プリズム部２３を形成する。 - 特許庁

By cutting off the wood grain pattern after the definition of a predetermined section so as to allot the respective points on the section in order to determine pixel values, a wood grain vessel sectional pattern is obtained.例文帳に追加

所定の切断面を定義して木理パターンを切断し、この切断面上の各点に画素を割り当てて画素値を決定することにより木目導管断面パターンを得る。 - 特許庁

Right after the addition readout mode is changed to the non-addition readout mode, a correction pattern recorded in a recording section 105 is used to correct the fixed pattern noise of a video signal.例文帳に追加

一方、加算読み出しモードから非加算読み出しモードに切り替わった直後においては、記録部１０５に記録されている補正パタンを用いて映像信号の固定パタンノイズを補正する。 - 特許庁

To provide a method and a device for pattern image generation which can generate a pattern image after endless processing by describing depth-of-field effect by using orthogonal projection.例文帳に追加

正射影を用いて被写界深度効果を表現することによりエンドレス処理の施された模様画像を作成することが可能な模様画像作成方法および装置を提供する。 - 特許庁

Successively, a second mask pattern 15 is formed on the surface of the layer 14 and, after the layer 14 is etched through the pattern 15, a surface crystalline layer is formed by growing nitride-based crystals.例文帳に追加

続いて、この表面に第２のマスクパターン１５を形成し、これを介して中間結晶層１４をエッチングしたのち、窒化物系結晶を成長させて表面結晶層を形成する。 - 特許庁

The light diffusion pattern 9 is installed on the light outgoing face 6b at a location corresponding to the emitting location of the light emitted from the light outgoing face 6b after reflected by the light reflection pattern 8.例文帳に追加

光拡散パターン９は光反射パターン８で反射して光出射面６ｂから出射する光の出射位置に対応した位置の光出射面６ｂ上に設けられる。 - 特許庁

E.g. as a decorative metal plate, after a base coat layer is formed on the base material of a metal base plate, the pattern adjusting layer and the pattern layer are formed and in addition, a top coat layer is formed.例文帳に追加

例えば、化粧金属板として、金属基板の基材上にべースコート層を形成後、上記絵柄調整層と上記絵柄層を形成し、更にトップコート層を形成する。 - 特許庁

Then, after turning the display result of the special pattern variation c to the big winning and ending a big winning game, the display result of the special pattern variation A is turned to the big winning and shifting to the big winning game is performed.例文帳に追加

そして、特図変動ｃの表示結果を大当りとし、大当り遊技を終了したあと、特図変動Ａの表示結果と大当りとし、大当り遊技に移行する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for mask blanks, etc., for suppressing occurrence of a draggle-tailed projecting part on the bottom of a resist pattern after forming the pattern in the mask blanks on which chemically amplified resist is applied.例文帳に追加

化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えるマスクブランクスの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide mask blanks capable of suppressing the generation of a skirt shape projection portion generated at a pattern bottom after resist pattern formation in mask blanks to which chemistry amplification type resist is applied.例文帳に追加

化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えることのできるマスクブランクス等を提供する。 - 特許庁

A toner-end detection pattern is formed on the photoreceptor 3 after detecting the toner near-end by the magnetic sensor 7, and the toner-end is detected by detecting the density of a pattern by light from the photosensor 8.例文帳に追加

磁気センサ７でトナーニアエンドを検出した後、感光体３上にトナーエンド検出用パターンを作り、フォトセンサ８からの光でパターンの濃度を検出してトナーエンドを検出する。 - 特許庁

To evaluate the dimension and the shape of a pattern more accurately based on the measured result of diffraction light obtained through diffraction after entering light to the pattern with regular structure on a processing substrate.例文帳に追加

処理基板上の規則的な構造を有するパターンに光を入射し、回折して得られる回折光の測定結果から、より正確にパターンの寸法や形状の評価を行う。 - 特許庁

After a resist pattern 12 is removed, a resist pattern 13 having an opening 13b and an opening 13a arranged on the ion irradiated part 11c is formed on the silicon nitride film 11.例文帳に追加

レジストパターン１２を除去した後、窒化シリコン膜１１上に、開口部１３ｂ、及び被イオン照射部１１ｃ上に位置する開口部１３ａそれぞれを有するレジストパターン１３を形成する。 - 特許庁

After pattern exposure is performed by irradiating a resist film formed on a substrate 10 selectively with exposing light, the resist film is developed to form a resist pattern 14A.例文帳に追加

基板１０上に形成されたレジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜を現像してレジストパターン１４Ａを形成する。 - 特許庁

To provide the pattern color tone controlling method and pattern color tone controlling device of a printing machine, by which a printed sheet having a desired color tone can be obtained quickly even after a small metering number.例文帳に追加

計測回数が少なくしても速やかに所望の色調の印刷シートが得られるようにした、印刷機の絵柄色調制御方法及び絵柄色調制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a controller of a game machine capable of ending variable display at a specified stop pattern even when the stop pattern is specified after starting the variable display.例文帳に追加

変動表示の開始後に停止図柄の指定を行っても、その指定した停止図柄で変動表示を終了させることができる遊技機の制御装置を提供すること。 - 特許庁

In this method for forming a resist pattern, after a positive resist is applied on a substrate 1, a first alignment is performed, thereby obtaining a resist pattern 2a which is patterned in a manner such that lines are arrayed at equal width and intervals.例文帳に追加

基板１の上にポジ型レジストが塗布された後に、第１の露光が行われることにより、等幅かつ等間隔で配列する線列にパターニングされたレジストパターン２ａが得られる。 - 特許庁

When receiving a program counter signal S1 from a sequence controller 10, a pattern generating section 11 outputs a pattern signal S2 after a constant period of time generated by a pipeline process.例文帳に追加

パターン発生部１１は、シーケンス制御部１０からのプログラムカウンタ信号Ｓ１が入力されると、パイプライン処理により一定時間を要した後でパターン信号Ｓ２を出力する。 - 特許庁

To provide mask blanks, etc., onto which chemically amplified resist is coated and in which occurrence of draggle-tailed projected part at the bottom of a resist pattern after forming the pattern is suppressed.例文帳に追加

化学増幅型レジストを塗布したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生を抑えることのできるマスクブランクス等を提供する。 - 特許庁

A fade-out processing part applies a fade-out processing to the pieces of coded information having the prescribed pattern when the pieces of coded information having the prescribed pattern are located immediately after the other piece of audio coded information.例文帳に追加

フェードアウト処理部は、所定パターンの符号化情報が他の音声符号化情報の直後に位置する場合、所定パターンの符号化情報にフェードアウト処理を施す。 - 特許庁

In addition, the data processing part 21 extracts a row of the bit location coinciding in the buffer 23 for detection as contents of the protocol message for each bit length of the particular pattern after detecting the particular pattern.例文帳に追加

更に、データ処理部２１は、特定パターン検出後にプロトコルメッセージの内容として検出用バッファ２３内で一致したビット位置の列を特定パターンのビット長分毎に抽出する。 - 特許庁

To solve the problems of inability of dispersing a fixed pattern noise on a composite image after photograph images are combined and inability of reducing influences from the fixed pattern noise when a camera shake occurs.例文帳に追加

手ぶれが発生した場合、各撮影画像を合成しても合成画像上で固定パターンノイズを分散させることができず、固定パターンノイズの影響を低減させることができない。 - 特許庁

After a large number of special picture patterns are displayed on a special picture pattern display 32a, the special picture patterns of a prescribed number disappear every time and finally, the display of great success or failure picture pattern is left.例文帳に追加

特別図柄表示器３２ａに特別図柄を多数表示した後、特別図柄を所定個数ずつ消して行き、最後に大当り図柄またはハズレ図柄の表示を残す。 - 特許庁

A PE sensor lever 66 is withdrawn (b) after the recording of a registration conditioning pattern to the area A of a recording paper 4 (a) by using a first transport route by a recording head and the measurement of the density of a pattern by a sensor after transport in an opposite direction.例文帳に追加

第１搬送路を用いて記録用紙４の領域Ａに対する記録ヘッドによるレジ調パターンの記録および逆方向搬送後のセンサによるパターンの濃度測定を行った後((ａ))、ＰＥセンサレバー６６の退避動作を行う((ｂ))。 - 特許庁

To provide a printing ink containing a resin component with its glass transition point limited within a predetermined range, thus ensuring print pattern coating film to be prevented from dust deposition after its drying and enabling the electrical conductivity of electrodes using the ink to be kept well after baking the print pattern coating film.例文帳に追加

樹脂成分のガラス転移点を所定の範囲内に限定することにより、印刷パターンの塗膜の乾燥後にゴミが付着するのを防止し、これにより印刷パターンの塗膜の焼成後の電極の導電性を良好に保つ。 - 特許庁

When a pattern finally stopped and displayed after the ready-to-win mode is of the same kind as a ready-to-win pattern but is displayed in a different display mode, all the patterns are re-varied, and after that, the result of display may be finalized in a probability changing specific display mode.例文帳に追加

さらにリーチ態様を経て最後に停止する図柄が、リーチ図柄と同一種類であるが異なる表示態様で停止表示した場合には、総ての図柄が再変動した後、その表示結果が確変特定表示態様に確定し得る。 - 特許庁

Moreover, the control circuit 11 operates the ultraviolet light sources 2a and 2b to apply the ultraviolet rays to the ink related to the fine pattern after end of the first period of time, and not to apply the ultraviolet rays to the ink related to the solid pattern after end of the second period of time.例文帳に追加

また、制御回路１１は、第１期間の終了後に微細パタンに係るインクに紫外線を照射し、第２期間の終了後にベタパターンに係るインクに紫外線を照射しないように、紫外線光源２ａ、２ｂを動作させる。 - 特許庁

In addition, if a pattern finally stopped and displayed after the ready-to-win mode is of the same kind as a ready-to-win pattern and is displayed in a different display mode, all the patterns are re-varied, and after that, the patterns may be finalized in a probability changing specific display mode.例文帳に追加

さらにリーチ態様を経て最後に停止する図柄が、リーチ図柄と同一種類であるが異なる表示態様で停止表示した場合には、総ての図柄が再変動した後、その表示結果が確変特定表示態様に確定し得る。 - 特許庁

Every time one imaginary pattern reel is stopped, the form of a displayed pattern is changed to cause a display pattern of such changed patterns to form a forecast for big winning or a condition suggestive of big winning after a variation display, so that big winning after a variation display can be suggested independently of displayed patterns stopped.例文帳に追加

１の仮想図柄リールが停止するごとに、表示されている図柄の形状の変更を実行し、その変更された図柄の表示パターンによって大当たり予告、即ち変動表示の大当たりを示唆する状態を形成するので、停止時の表示図柄に無関係に変動表示の大当たりを示唆することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming process of applying the above resist pattern thickening material to cover the surface of a resist pattern after the resist pattern is formed on the objective surface to be worked; and a patterning process of patterning the surface to be worked by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工表面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

One or plural game patterns for lottery on a pattern display means 19 change on condition that a pattern starting means 13 detects game balls and a special playing state advantageous for a player is brought on condition that a game pattern for lottery on the pattern display means 19 after changing becomes a particular display of a particular pattern or combined particular patterns.例文帳に追加

図柄始動手段13が遊技球を検出することを条件に図柄表示手段19の１個又は複数個の抽選用遊技図柄が変動し、図柄表示手段19の変動後の抽選用遊技図柄が特定図柄又は特定図柄の組み合わせである特定表示となることを条件に遊技者に有利な特別遊技状態を発生させる。 - 特許庁

After an organic film 13 composed of a polymer containing fluorine atoms is formed on a semiconductor substrate 12, the organic film pattern 13A composed of the organic film 13 is formed by transferring a desired pattern to the film 13 by pressing the inverted pattern 11 of the mold having the inverted pattern 11 which is formed by inverting the desired pattern against the film 13.例文帳に追加

半導体基板１２上に、フッ素原子を含むポリマーからなる有機膜１３を形成した後、該有機膜１３に、所望のパターンが反転してなる反転パターン１１を有するモールドの反転パターン１１を押し付けて、有機膜１３に所望のパターンを転写することにより、有機膜１３からなる有機膜パターン１３Ａを形成する。 - 特許庁

The method for forming a pattern includes: a surface treatment step of applying a liquid repellent coating material around a pattern formation planned portion on a target object by an inkjet method; and a pattern forming step of applying, after the surface treatment step, a pattern forming material to the pattern formation planned portion on the target object by an inkjet method.例文帳に追加

実施形態のパターン形成方法は、インクジェット方式により対象物のパターン形成予定部の周りに撥液性を有するコーティング材を塗布する表面処理工程と、前記表面処理工程の後にインクジェット方式により前記対象物の前記パターン形成予定部にパターン形成用材を塗布するパターン形成工程と、を備える。 - 特許庁

As the video performances, decorative pattern rotation performances of rotating the decorative patterns inside pattern display areas 118a-118c include at least a character enlargement performance of enlarging a character included in a specified decorative pattern, "7" for instance, inside the decorative pattern display areas 118a-118c after the decorative pattern is stopped.例文帳に追加

映像演出として、図柄表示領域１１８ａ〜１１８ｃ内で装飾図柄を回転させるという装飾図柄回転演出に、少なくとも、特定の装飾図柄、例えば「７」に含まれているキャラクタを、当該装飾図柄が停止した後に装飾図柄表示領域１１８ａ〜１１８ｃ内で拡大するというキャラクタ拡大演出が含まれている。 - 特許庁

To provide a pattern forming material excellent in property of following irregularity, capable of suppressing the lowering of the sensitivity of a photosensitive layer, making the photosensitive layer developable in a short time, and capable of suppressing soil of a developer after development, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

凹凸追従性に優れ、感光層の感度低下を抑制可能であると共に、該感光層を短時間で現像でき、しかも現像後における現像液の汚れを抑制可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

After a polysilicon film is formed on an inter-layer dielectric film as a mask pattern, self-aligned contact etching is performed on the inter- layer dielectric film with the mask pattern as an etching mask so that an inter- layer dielectric film pattern 22a having a contact hole exposing a semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜上にマスクパターンとしてポリシリコン膜を形成した後、マスクパターンをエッチングマスクとして層間絶縁膜をセルフアラインコンタクトエッチングして半導体基板を露出するコンタクトホールを有する層間絶縁膜パターン２２ａを形成する。 - 特許庁

After the resist pattern 6a is removed, the oxide silicone pattern 5a is used as a mask and the monocrystal silicone layer 4 is removed by etching until a buried oxide film 3 which becomes a lower clad is disclosed, and a core pattern 4a of a monocrystal silicone layer is formed.例文帳に追加

レジストパターン６ａ除去後、シリコン酸化膜パターン５ａをマスクとして単結晶シリコン層４を下部クラッドとなる埋め込み酸化膜３が現われるまでエッチング除去して単結晶シリコン層からなるコアパターン４ａを形成する。 - 特許庁

The method for cleaning the substrate is provided with: a step to fabricate the substrate to be cleaned having a pattern surface; a step to subject the pattern surface to plasma treatment; and a step to clean the substrate to be cleaned after the pattern surface has been subjected to the plasma treatment.例文帳に追加

本発明の例に関わる基板洗浄方法は、パターン面を有する被洗浄基板を作製する工程と、パターン面に対してプラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理を施した後に被洗浄基板の洗浄を行う工程とを備える。 - 特許庁