「pattern after」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

After a period calculation means 63 calculates a period h2 on the basis of the rotation angle and a longitudinal width p of the character pattern, a basic pattern generation means 64 generates a basic pattern 10 on the basis of the character pattern drawn in the memory area and the calculated period h2.例文帳に追加

周期算出手段６３が回転角度と文字パターンの縦幅ｐとに基づいて周期ｈ２を算出後、基本パターン生成手段６４がメモリ領域に描画された文字パターンと上記で算出した周期ｈ２とに基づいて基本パターン１０を生成する。 - 特許庁

After performing coordinate transformation by a coordinate transformation part 5 relative to an imaged image, only the background pattern is extracted by a background pattern extraction part 6, and only the background pattern is removed by a background pattern removal part 7.例文帳に追加

撮像された撮像画像を対象に、座標変換部５で座標変換処理を行った後、背景パターン抽出部６で、背景パターンのみを抽出し、背景パターン除去部７で背景パターンのみを除去し、その後、疵候補抽出部８で、有害な疵候補を抽出する。 - 特許庁

When a display state in the variable display device 310 becomes a disadvantageous state after becoming the ready-for-winning state, a hiding pattern for hiding a ready-for-winning pattern in the variable display device 310 appears on condition that a predicting pattern is displayed on the normal pattern display device 140.例文帳に追加

可変表示装置３１０で表示態様がリーチ態様を経た後に不利な表示態様になったとき、普通図柄表示装置１４０に予告図柄が表示されることを条件に、可変表示装置３１０におけるリーチ図柄を隠蔽するための隠蔽図柄を出現させる。 - 特許庁

In a method for treating a plastic substrate pattern-formed on a surface by laser in order to form a core pattern suitable for later metallization, after pattern formation by laser, a substrate is made to come into contact with a process liquid suitable for removing undesired deposition that has occurred during the period of pattern formation.例文帳に追加

後続の金属化に適した核パターンを形成するためにレーザで表面にパターン形成されたプラスチック基体を処理する方法において、レーザによるパターン形成後、パターン形成中に発生した所望されない沈殿物を除去するのに適したプロセス溶液に基体を接触させる。 - 特許庁

Since this coating agent for making the pattern finer contains the water-soluble peptide, the pattern can be narrowed with a large narrowing quantity compared with a conventional coating agent for making the pattern finer, without causing any defect after processing with the coating agent for making the pattern finer.例文帳に追加

本発明のパターン微細化用被覆剤は水溶性ペプチドを含有するので、パターン微細化用被覆剤による処理の後にディフェクトが発生することなく、従来のパターン微細化用被覆剤に比べて大きな狭小化量により、パターンの狭小化を行うことができる。 - 特許庁

In a game machine which generates big winning when patterns on an effective line set at a special pattern display device 4 are equalized, in the case of the failure of ready, a left pattern and a right pattern start reverse variation (1) and a medium pattern starts reverse variation similarly to the left and right patterns (2) after this.例文帳に追加

特別図柄表示装置４に設定された有効ライン上の図柄が揃った場合に大当りとなる遊技機において、リーチはずれとなった場合に左図柄と右図柄とが逆転変動しはじめ（１）、遅れて、中図柄が左右図柄と同様にして逆転変動しはじめる（２）。 - 特許庁

When pattern data stored in the display control means is reset to an initial value by initialization of the display control means before or during a special game, a pattern data corresponding to the initial value is displayed, and a pattern after initialization is displayed in a mode different from that of a pattern before initialization.例文帳に追加

特別遊技開始前或いは特別遊技中に、表示制御手段に記憶された図柄データが初期化により初期値とされる場合、初期値に対応する表示を行い、初期化前の図柄の表示態様に対して初期化後の図柄の表示態様を異なる表示態様で表示する。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of forming a good resist pattern in a shrinking process for making a resist pattern narrow by carrying out a treatment such as heating after forming the resist pattern, and to provide a layered product using the resist composition and a resist pattern forming method.例文帳に追加

レジストパターンを形成した後に加熱等の処理を行うことにより当該レジストパターンを狭小させるシュリンクプロセスにおいて、良好なレジストパターンを形成することができるレジスト組成物、該レジスト組成物を用いた積層体及びレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

When the index image is decoded to the pixel pattern corresponding to the index value for each of the blocks, the pixel pattern is magnified for each of the blocks, and, based on contour vector information corresponding to the pixel pattern, the pixel, adjacent to the contour in the pixel pattern after being magnified, is also redrawn.例文帳に追加

そして、インデックス画像をブロック毎にインデックス値に対応する画素パターンへ復号するに際し、ブロック毎に当該画素パターンを変倍し、更に画素パターンに対応する輪郭ベクトル情報に基づいて変倍後の画素パターンにおける輪郭近傍画素を再描画する。 - 特許庁

In a conductor pattern formation method wherein photosensitive conductor paste is used, after a pattern which is larger than a desired pattern is formed by partially applying photosensitive conductor paste on a substrate wherein a pattern is formed, exposure and development are carried out by using a photomask of a desired pattern and a desired pattern is formed.例文帳に追加

本発明は、感光性導体ペーストを用いた導体パターン形成方法において、パターンを形成する基板上に感光性導体ペーストを部分的に塗布することにより所望するパターンよりも大きいパターンを形成した後に、所望するパターンのフォトマスクを用いて露光・現像を行い、所望するパターンを形成することを特徴とする導体パターンの形成方法によって達成される。 - 特許庁

After a conductive pattern is formed on a substrate and a first ramp is formed on an edge of the conductive pattern by forming a first insulating film at a sidewall of the conductive pattern, the edge of the conductive pattern has an improved sharpness by forming a second ramp on the edge of the conductive pattern by forming a second insulating film on the upper face of the conductive pattern.例文帳に追加

基板上に導電性パターンを形成し、導電性パターンの側壁に第１絶縁膜を形成して導電性パターンのエッジに第１傾斜を形成した後、導電性パターンの上面に第２絶縁膜を形成して導電性パターンのエッジに第２傾斜を形成することで、導電性パターンのエッジが向上されたシャープネスを有するようにすることができる。 - 特許庁

Moreover, the inkjet printer 1 has a controller 4 which controls the belt conveying device 20 so that the test pattern and a reading surface 41 of the image sensor 40 may be opposed to each other after the test pattern is formed to the test pattern formation region.例文帳に追加

さらに、インクジェットプリンタ１は、テストパターン形成領域にテストパターンが形成された後に、テストパターンと画像センサ４０の読取面４１とが対向するように、ベルト搬送装置２０を制御する制御装置４を有している。 - 特許庁

A forecasting data correcting section 13 determines the weather pattern after a reference time referring to the weather pattern table 15 based on the weather observation data before the predetermined period from the reference time, and reads the forecasting error data corresponding to the weather pattern.例文帳に追加

予測データ補正部１３は、基準時刻から所定期間以前の気象観測データをもとに天気パターンテーブル１５を参照して基準時刻以降の天気パターンを判定し、この天気パターンに該当する予測誤差データを読み出す。 - 特許庁

A cell library pattern constituting a basic configuration of a semiconductor circuit pattern is preliminarily subjected to an OPC processing for a layout of a single cell, and the cell library pattern after the OPC processing is used to produce a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体回路パターンの基本構成をなすセルライブラリパターンにあらかじめ、セルが単独で置かれているときのＯＰＣ（光近接効果補正）処理を行い、ＯＰＣ処理されたセルライブラリパターンを用いて半導体チップを作成する。 - 特許庁

The manufacturing process for the semiconductor has applying, after forming a resist pattern on an underlaying layer, the thickening material to the surface of the resist pattern to be thickened, and patterning the underlying layer by etching, the pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該パターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該パターンを厚肉化する工程と、該パターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

After tentatively stopping the fluctuation of a display pattern in the display form of large winning by a non probability fluctuation pattern '6', a re-drawing image 52 for indicating that the processing of re-drawing is to be started is displayed on a special pattern display device 4 (a).例文帳に追加

非確変図柄「６」による大当たりの表示態様で表示図柄の変動を一旦仮停止させた後、再抽選の処理に入ることを示す再抽選画面５２を特別図柄表示装置４上に表示させる（ａ）。 - 特許庁

After the resist pattern 113A formed of an unexposed part of the resist film 13 is formed, the resist pattern 13A is irradiated with a 254 nm light 16, and heat treatment is carried out to a protection group from the resist pattern 13A.例文帳に追加

レジスト膜１３の未露光部からなるレジストパターン１３Ａを形成した後、レジストパターン１３Ａに２５４ｎｍ光１６を全面的に照射した後、加熱処理を行なって、レジストパターン１３Ａから保護基を脱離させる。 - 特許庁

After a dummy pattern resembling a pattern of a DOE element area 20 is formed at the outer circumference of a DOE element area 20 by printing and development, the completion of processing of the dummy pattern is detected when both the patterns are processed by etching.例文帳に追加

ＤＯＥ素子領域２０の外周に、ＤＯＥ素子領域２０のパターンに近似するダミーパターンを焼付・現像によって形成した後、エッチングによって両パターンの加工を行なうときにダミーパターンの加工の完了を検出する。 - 特許庁

As the result of the actual measurement, when variations of the film thickness are large, a layout of a circuit pattern, an area rate or layout of a dummy pattern, and a layout, a film forming amount and a polishing amount of a reverse pattern are optimized to materialize the flatness after the CMP process.例文帳に追加

実測の結果、膜厚のばらつきが大きい場合は、回路パターンの配置、ダミーパターンの面積率や配置、リバースパターンの配置及び成膜量、研磨量を最適化して、ＣＭＰ加工後の平坦化を実現する。 - 特許庁

Since the resin fine particle is composed of the hot-melt resin, the resin fine particle is melted to improve etching resistance of the formed resist pattern by heating the resist pattern after transferring the resist ink pattern to an etching object.例文帳に追加

また、前記樹脂微粒子は熱溶融型樹脂からなるため、レジストインキパターンを被エッチング材上に転写した後に加熱することで前記樹脂微粒子は溶融し、形成されるレジストパターンのエッチング耐性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a pattern control device for a game machine, which can easily and inexpensively change variation configurations of a pattern of a pattern display means, and at the same time, for which the inspection can be easily performed at the time of an inspection after a change at a testing organization or the like.例文帳に追加

図柄表示手段の図柄の変動態様を容易且つ安価に変更できると共に、検定機関等での変更後の検査に際してもその検査を容易にできる遊技機の図柄制御装置を提供する - 特許庁

To provide a photosensitive paste which can form a high-definition resistor pattern, has small variation of a resistance value of a resistor pattern after having been burned and has a long pot life, and to provide a resistor pattern which has high definition and has small variation of a resistance value.例文帳に追加

高精細な抵抗体パターンを形成でき、焼成後の抵抗体パターンの抵抗値のばらつきが小さく、かつポットライフが長い感光性ペーストならびに高精細かつ抵抗値のバラツキの少ない抵抗体パターンを得ること。 - 特許庁

The big hit pattern 52 given in a pattern display device 30 together with the round number 51 changes in association with the progress of the round consumption, and different special prizes are given to respective players depending upon the final big hit pattern 52 after the end of the final round.例文帳に追加

このラウンド消化の進行の伴って図柄表示装置30には、ラウンド数51とともに大当り図柄52が変化し、最終ラウンド終了後の最終大当り図柄52に応じて、遊技者に異なる特典が与えられる。 - 特許庁

As to a game machine such as a Japanese pinball game machine, after displaying a stop-scheduled pattern first (step S92), a hammer is swung down and a special pattern and/or a background pattern are displayed linked with the movement of the hammer (step S98, S100).例文帳に追加

パチンコ機等の遊技機に関し、初めに停止予定図柄を表示した後（ステップＳ９２）、ハンマーを振り下ろして当該動きに連動して特別図柄および／または背景図柄を表示する（ステップＳ９８，Ｓ１００）。 - 特許庁

To improve uniformity in a resist residual film after development and to suppress variations in the line width and pitches of a wiring pattern.例文帳に追加

現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。 - 特許庁

When a lose state continues for a predetermined number of times after the probability variation win state, the main control part outputs a specific variation pattern.例文帳に追加

また確変当り状態後に、外れ状態が所定回数連続した場合には特定変動パターンを出力する。 - 特許庁

After that, the reference pattern data are recorded on a plurality of non-user data areas B with a plurality of recording laser intensities.例文帳に追加

しかる後、複数の記録レーザ強度にて複数の非ユーザデータ領域Ｂに対し、参照パターンデータを記録する。 - 特許庁

When the dividend according to pattern combination displayed on each variable display part after the changed display is paid out.例文帳に追加

そして、その変換表示後の各可変表示部に表示されている図柄組合せに応じた配当が払い出される。 - 特許庁

When a lose state continues for a predetermined number of times after the probability variation win state, a specific variation pattern is output.例文帳に追加

また確変当り状態後に、外れ状態が所定回数連続した場合には特定変動パターンを出力する。 - 特許庁

After printing, paper of the needle regulation failure is detected and eliminated based on the presence/absence of the dummy pattern 24 on the side face of the paper.例文帳に追加

印刷後、用紙側面のダミー絵柄２４の有無に基づいて、横針規制不良の用紙を検出し排除する。 - 特許庁

After removal of the resist 7, a groove pattern is formed on the inorganic anti-reflection film 6 by the photolithographical process with use of a resist 8.例文帳に追加

レジスト７除去後、無機反射防止膜６上に、フォトリソグラフィによりレジスト８を用いて溝パターンを形成する。 - 特許庁

A 2Pass 4burst pattern is written by the servo track writer, and after that, E, F burst signals are written by a self test.例文帳に追加

２Ｐａｓｓ ４ｂｕｒｓｔパターンをサーボトラックライターにて書き込み、その後セルフテストにて、Ｅ、Ｆバースト信号を書き込む。 - 特許庁

After the conversion of the recording pattern into the recording pulse, the control section 20 executes OPC, and then starts real data recording.例文帳に追加

記録パターンが記録パルスに変換された後、制御部２０は、ＯＰＣを実行し、その後実際のデータ記録を開始する。 - 特許庁

To provide a method for removing a residual substance after photo resist peeling conforming to the definition of a metal or via pattern.例文帳に追加

金属パターン又はビアパターンの定義に適合するフォトレジスト剥離後の残留物質を除去する方法を提供する。 - 特許庁

After that, the pattern-forming material is discharged from the discharging part 42 toward the substrate 9 in accordance with the movement of the stage 3.例文帳に追加

続いて、ステージ３の移動に伴って吐出部４２から基板９に向けてパターン形成材料が吐出される。 - 特許庁

To provide a pattern for simplifying data processing after the data are fetched by an image pickup device, and for securing the secrecy of the information.例文帳に追加

撮像装置にて取り込まれた後のデータ処理が容易で、情報の秘匿性を確保したパターンを提供する。 - 特許庁

After that, the heated resist film 102 is developed, so that a resist pattern 102 is formed from the resist film 102.例文帳に追加

続いて、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２を形成する。 - 特許庁

To form a line and space structure where pattern collapse does not occur in a drying process after liquid cleaning.例文帳に追加

液体洗浄後の乾燥工程においてにパターン倒壊が発生しないラインアンドスペース構造を形成することができる。 - 特許庁

It is thereby possible to form a fine straight grain pattern on the wood grain board 14 after the heat press and cooling processing (S14).例文帳に追加

これにより、熱プレス・冷却処理（Ｓ１４）後の木目調ボード１４にきれいな柾目柄を形成させることができる。 - 特許庁

To improve precision of a pattern shape, after the dry etching of a metal, consisting principally of tantalum.例文帳に追加

タンタルを主成分とする金属のドライエッチングにおいて、エッチング後のパターン形状の精度を向上させることを目的とする。 - 特許庁

After pressing, the external layer material 20 is patterned by using the exposed target pattern 12 as the standard for matching.例文帳に追加

そしてプレス後に，露出しているターゲットパターン１２を整合の基準に用いて外層材２０のパターン加工を行う。 - 特許庁

The system determines a test pattern to be printed and an image quality text to be performed after obtaining initial diagnostic information.例文帳に追加

初期診断情報を入手した後、システムは印刷するテストパターンと実行するイメージ品質テストとを決定する。 - 特許庁

Also, the input mode is automatically decided based on the first character input operation pattern after a power source is turned on (S2).例文帳に追加

また、入力モードは電源オン後の最初の文字入力操作パターンに基づいて自動的に決定される（Ｓ２）。 - 特許庁

After the pressure welding of the metal foil 3 to the metal support substrate 2 is carried out, the metal foil 3 is etched into a predetermined pattern.例文帳に追加

金属支持基板２の上に金属箔３を圧接した後、その金属箔３を所定のパターンにエッチングする。 - 特許庁

After that, the element isolation film is etched to a specified depth to form an alignment mark, and finally the pad nitride film pattern is removed.例文帳に追加

さらに、素子分離膜を所定の深さでエッチングして整列マークが形成され、最後にパッド窒化膜パターンを除去する。 - 特許庁