「pattern after」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a replacement part 7 which replaces a part of a gradation value of the pattern with a gradation value after the smoothing processing and outputs the gradation value to the display device 4 is provided.例文帳に追加

そして、このパターンの一部の階調値をスムージング処理後の階調値に置き換えて表示デバイス４に対して出力する置換部７を設ける。 - 特許庁

After being moved, the satellite is reconfigured so that a second plurality of spot beams form a second pattern to substantially cover a new portion of the earth.例文帳に追加

移動後、衛星は、第２の複数のスポットビームが地球の新たな部分を実質上カバーするために第２のパターンを形成するように再形状づけられる。 - 特許庁

To achieve a temporary stopping of identifying information after a ready-to-win display pattern occurs and allow players to easily recognize the timing thereof by a voice.例文帳に追加

リーチ表示態様となった後に、識別情報が仮停止させられること、及びそのタイミングを音声によって遊技者が容易に認識できるようにする。 - 特許庁

To provide an etching method which prevents a pattern by ensuring a remaining film after etching of resist, which becomes a mask by making a counter-resist selection ratio high.例文帳に追加

対レジスト選択比を高くすることにより、マスクとなるレジストのエッチング後残膜を確保し、パターンの肩落ちを防ぐエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a game machine which performs such variation control that a player can not predict a final stop pattern after a ready-to-win state is caused in the case of losing through a normal ready-to-win state.例文帳に追加

ノーマルリーチを経て外れる場合、リーチ発生後に遊技者が最終停止図柄を予測できない変動制御を行う遊技機を提供する。 - 特許庁

After knitted, the free portion 34 of the pattern yarn 22 is permitted to displace on the thickness direction surface side without being restrained with crossing the laterally swung portions 26, 28 of the chain knitting yarn 21.例文帳に追加

編成後、柄糸２２の遊離部分３４は、鎖編糸２１の横振り部分２６，２８に拘束されず、厚み方向表側への変位が許容される。 - 特許庁

After pattern formation and etching of via holes 116, a thick BARC layer 120 is deposited to fill the via holes 116, and an IMD(inter-metal dielectric) 110 is covered.例文帳に追加

ビア１１６のパターン形成及びエッチングの後、厚いＢＡＲＣ層１２０を堆積してビア１１６を充填し、ＩＭＤ１１０を被覆する。 - 特許庁

After that, a surface modifier such as an ether is applied to the surface P1a of the first resist pattern P1 to modify the surface P1a (Fig.7(d)).例文帳に追加

その後、第１のレジストパターンＰ１の表面Ｐ１ａにエーテル類の表面改質剤を塗布し、当該表面Ｐ１ａを改質する（図７（ｄ））。 - 特許庁

To provide a method and a device for peeling a protective tape, preventing the pollution and damage of a circuit pattern and an electrode formed on the surface of a chip portion, after dicing.例文帳に追加

ダイシング後のチップ部品の表面に形成された回路パターンや電極の汚染や破損を防止する保護テープ剥離方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

After selecting a dipolar illumination orientation, dipole-X is used to illuminate a pattern and to image first elements on a wafer, but not second elements.例文帳に追加

ダイポール照明の配向を選択した後、ダイポールＸを使用してパターンが照明され、ウェーハ上に第１の要素を結像するが、第２の要素は結像しない。 - 特許庁

After a final protection film is formed, an opening part is formed in the insulating film on the pattern 7 for conduction, which is cut by being irradiated by a laser.例文帳に追加

最終保護膜を形成した後、導通用パターン７上の絶縁膜に開口部を形成し、導通用パターン７をレーザー照射により切断する。 - 特許庁

After forming a buried diffused layer 102 as sources/drains of cell transistors on a semiconductor substrate 100, a gate dielectric film 103 and gate pattern 104 are formed.例文帳に追加

半導体基板１００にセルトランジスタのソース／ドレインとして埋込み拡散層１０２を形成してから、ゲート誘電膜１０３とゲートパターン１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition with which excellent sensitivity is obtainable and, at the same time, heat resistance in a pattern after development is improved.例文帳に追加

良好な感度が得られるとともに、現像後のパターンにおける耐熱性を向上させることができる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To correct the pattern data of an exposure mask in accordance with the number of surrounding bumps and with the distance between bumps to make the diameters of bumps identical after wet etching.例文帳に追加

ウエットエッチング後のバンプの径を同一にするために、周囲のバンプの数、各バンプ間の距離に応じて露光マスクのパターンデータを補正することを目的とする - 特許庁

Then, in the case that the display of the reach pattern is ended, after outputting the data of 'display end' to the CPU, a display instruction is waited for again (S22-S23).例文帳に追加

そして、リーチパターンの表示が終了した場合には、ＣＰＵ２１に「表示終了」のデータを出力後、再度、表示指示を待つ（Ｓ２２〜Ｓ２３）。 - 特許庁

After the lapse of a prescribed time from the movement, the prescribed special patterns comprising the respective pattern streams in the display areas A1, B1 and C1 are determined and displayed.例文帳に追加

そして、移動から所定時間経過後に表示領域Ａ１、Ｂ１およびＣ１にて各図柄列を構成する所定の特別図柄が画定表示される。 - 特許庁

To provide an OPC automatic correction system capable of efficiently revising a layout pattern in which an error is detected by verification after OPC correction.例文帳に追加

ＯＰＣ補正後の検証でエラーが検出されたレイアウトパターンの修正を効率的に行うことのできるＯＰＣ自動修正システムを提供する。 - 特許庁

Further, barrier portions 24 are provided in the predetermined places of the sucking pattern 21 for opening to the surface of the chuck 3 each of which has a larger flow-passage resistance than its before and after portions.例文帳に追加

吸着パターン２１の所定箇所に、表面に開口しかつ前後の部分に比べて流路抵抗が大きいバリヤー部２４が設けられている。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for an etching resist capable of forming a rectangular profile or a profile close to a rectangle even after a formed pattern is baked.例文帳に追加

形成したパターンをベークした後であっても矩形又は矩形に近いプロファイルが形成可能なエッチングレジスト用感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

After an original image including the character with half-tone dot meshing is input and a prescribed processing is carried out, a sequence pattern of black picture elements is extracted in a processing-objective area.例文帳に追加

網掛けがされた文字を含む原画像を入力し、所定の処理をした後、処理対象の領域に対し、黒画素の連結パターンを抽出する。 - 特許庁

To suppress the decline of a working rate due to the fluctuation of a guide pattern after game ball hitting is ended in one unit game in a combination type game machine.例文帳に追加

組合せ式遊技機において、一単位遊技での遊技球発射終了後における誘導図柄の変動による稼働率の低下を抑制する。 - 特許庁

After patterning the silicon oxide layer in accordance with a gate electrode pattern, the polysilicon layer is patterned by dry-etching using a remaining resist layer as a mask.例文帳に追加

シリコンオキサイド層をゲート電極パターンに従ってパターニングした後、残存するレジスト層をマスクとするドライエッチングによりポリシリコン層をパターニングする。 - 特許庁

To provide a photoresist composition to be used for the manufacture a semiconductor, superior in uniform coating and small in pattern defect after development and wide in focal depth.例文帳に追加

半導体製造に使用されるフォトレジストであって、塗布均一性に優れ、現像後のパターン欠陥が少なく、且つ焦点深度の広い組成物を提供する。 - 特許庁

In the case of processing the substrate to have the prescribed pattern, the removal of the part of the substrate covered by the thin film part is started after the thin film is removed.例文帳に追加

そして、基材を所定のパターンに加工する際に、基材の薄膜部に覆われた部分は、この薄膜部が除去された後、その除去が開始される。 - 特許庁

After fine circuit grooves are formed on the surface of the composite layer, conductive material is filled into the grooves to form the fine circuit pattern inlaid in the composite layer.例文帳に追加

微細回路溝が複合層の表面上に形成され、導電材料が溝に充填され、複合層にちりばめられる微細回路パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a test can be performed even after redundancy relief, by using a test pattern used before redundancy relief.例文帳に追加

冗長救済後も冗長救済前に用いたテストパターンを用いてテストすることができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The pattern CPU 311 reads out display scheduler data from the source ROM 340 every after recovery from power outage and transmits them to the RAMs 321, 322.例文帳に追加

図柄ＣＰＵ３１１は、停電状態から復旧する毎に、ソースＲＯＭ３４０から表示スケジューラデータを読み出してＲＡＭ３２１、３２２に転送する。 - 特許庁

The data indicating the hybridization pattern formed on the DNA array 524 after a reaction is used for issuing the authentication slip to certificate a user (525, 527).例文帳に追加

反応後のＤＮＡアレイ５２４上に形成されたハイブリダイゼーションパターンを表すデータを用いてユーザを認証するための認証票が発行される（５２５，５２７）。 - 特許庁

To prevent the occurrence of deterioration in the shape of a resist pattern obtained by developing a resist film after selectively irradiating the resist film with extreme ultraviolet rays.例文帳に追加

レジスト膜に対して極紫外線を選択的に照射した後、現像することにより得られるレジストパターンの形状が劣化しないようにする。 - 特許庁

Under this drain control, after accumulator back pressure is lowered, a solenoid control signal is outputted for switching to a solenoid pattern of "the second speed-change stage".例文帳に追加

このドレン制御によりアキュムレータ背圧を降下させた後に、「第２の変速段」のソレノイドパターンに切り換えるようにソレノイド制御信号を出力する。 - 特許庁

Curing of an alignment pattern 106 of a resist (curing by ultraviolet ray or heat) is performed after ion implantation, and a cured layer 107 is formed on its surface.例文帳に追加

イオン注入後に、レジストからなるアライメントパターン１０６の硬化（紫外線あるいは熱による硬化）を実施し、その表面に硬化層１０７を形成する。 - 特許庁

After a side wall 8 is subsequently formed on the side of the memory gate electrode MG, a photoresist pattern PR2 is formed on the principal surface of the semiconductor substrate 1Sub.例文帳に追加

続いて、そのメモリゲート電極ＭＧの側面にサイドウォール８を形成した後、半導体基板１Subの主面上にフォトレジストパターンＰＲ２を形成する。 - 特許庁

A substrate is subjected to ashing after etching through a photoresist pattern disposed on the substrate as a mask and then the substrate is treated by applying the solution.例文帳に追加

そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理をした後、上記処理液組成物を適用して基板を処理する。 - 特許庁

After projecting an electron beam on a reticle 3 by an illumination optical system, the electron beam passed through a pattern formed on the reticle 3 is imaged on a wafer by two lenses 1, 2.例文帳に追加

照明光学系によりレチクル３が電子線で照射され、その上のパターンを通過した電子線が２つのレンズ１，２によりウェハ上に結像される。 - 特許庁

A Gray code pattern 46 is exposed by using a master disk exposure device having a main exposure beam and an auxiliary exposure beam after a photoresist is coated on the master disk.例文帳に追加

原盤上にフォトレジストを塗布した後、主露光ビーム及び補助露光ビームを有する原盤露光装置を用いて、グレーコードパターン４６を露光する。 - 特許庁

A display pattern of a display part 2A is set so that a virtual image resulting from reflections after it is sent from the display part 2A is different from a true image.例文帳に追加

本発明は、表示部２Ａから送出された後、反射してなる虚像が実像とは異なるように表示部２Ａの表示パターンを設定する。 - 特許庁

After the temporary stopping of the left pattern (d), right and middle patterns are temporarily stopped sequentially likewise with the deceleration and the outputting of the deceleration sound (e, f and g).例文帳に追加

左図柄が仮停止した後（ｄ）、右図柄、中図柄の順で、同様に減速及び減速音の出力をとともに仮停止する（ｅ、ｆ、ｇ）。 - 特許庁

After the resist pattern is removed, the protective layer is selectively removed by wet-etching with the patterned film as a mask, so that the semiconductor laminate structure is exposed.例文帳に追加

レジストパターンを除去した後、パターニングされた被膜をマスクとして、保護層をウェットエッチングにより選択的に除去し、半導体積層構造を露出させる。 - 特許庁

The joints between the ALC plate materials undergo joint eliminating treatment by means of a bridging plate for the purpose of forming an exposed concrete-like pattern after that.例文帳に追加

軽量気泡コンクリート板（ＡＬＣ）材間の目地を、架橋板を用いて目地消し処理を行い、その後、打ち放しコンクリート状模様を形成する。 - 特許庁

After fixing/hardening, a digitally applied etching-resist pattern is used in chemical etching liquid and copper on the surface of the dielectric material isetched.例文帳に追加

定着／硬化の後、該デジタル的に適用されたエッチング−レジストパターンを化学エッチング液中で用い、該誘電材料の表面上の銅をエッチングする。 - 特許庁

After that, when the coordinates are measured by turning the pattern face upward to the other CF substrate, (a, -b) is subtracted from an actual measurement value (a step S4).例文帳に追加

その後、他のＣＦ基板に対してパターン面を上向きにして座標の測定を行う際には、実測値から（ａ，−ｂ）を減算することとする（ステップＳ４）。 - 特許庁

After sprinkling gold or silver powder, lacquer is applied over the entire surface of the piece; when it is dried, the lacquer layer is polished down with a piece of charcoal to reveal the pattern of makie layer. 例文帳に追加

金粉や銀粉を蒔いた後に、器面全体に漆を塗りかぶせ、乾燥後に木炭で漆を研磨して下の蒔絵層を出す技法。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A pattern that is named after it resembles a hemp leaf, placing six regular triangles within a regular hexagon, and connecting the center of each triangle to each of its three apexes in line. 例文帳に追加

麻の葉に似ることに由来し、正六角形の中に正三角形を六つ並べ、正三角形の中心と三つの頂点を結んだ文様 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After wrapping a scabbard with shark skin, it was lacquered in black, indigo or vermilion, and then finished using a grinding stone to make a decorative pattern, which is characteristic to samezaya (a sheath made of sharkskin). 例文帳に追加

鮫皮を巻いてその上に黒・藍・朱などの色漆をかけ、それをさらに砥石で研ぎ出して装飾文様を浮き出させる「鮫鞘」である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An exposure apparatus exposes a substrate by projecting a pattern of the original onto the substrate by a projection optical system after illuminating the original by an illumination optical system.例文帳に追加

露光装置は、照明光学系によって原版を照明し該原版のパターンを投影光学系によって基板に投影し該基板を露光する。 - 特許庁