「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SIMULATION METHOD FOR PATTERN LINE WIDTH AND SIMULATOR FOR PATTERN LINE WIDTH例文帳に追加

パターン線幅シミュレーション方法およびパターン線幅シミュレータ - 特許庁

The width of the second pattern is narrower than the width of the first pattern.例文帳に追加

第２のパターンは、第１のパターンよりも幅が狭く構成される。 - 特許庁

PATTERN WIDTH MEASURING DEVICE, PATTERN WIDTH MEASURING METHOD, AND ELECTRON BEAM EXPOSING DEVICE例文帳に追加

パターン幅測長装置、パターン幅測長方法、及び電子ビーム露光装置 - 特許庁

The power feeding pattern is formed of a land pattern portion 9a, and a connection pattern portion 9b having a width smaller than the width of the pattern portion 9a.例文帳に追加

給電パターンを、ランドパターン部9a、及びパターン部9aの幅より狭い幅の接続パターン部9bとから形成する。 - 特許庁

The width of the determining section for the width W1 of the mask pattern has width W2.例文帳に追加

マスクパターンの幅Ｗ１の決定個所の幅は、幅Ｗ２を有する。 - 特許庁

PROCESS FOR SPECIFYING MAXIMUM EFFECTIVE PATTERN WIDTH例文帳に追加

最大有効パターン巾の特定方法 - 特許庁

METHOD FOR INSPECTING PATTERN WIDTH OF STENT SURFACE例文帳に追加

ステント表面のパターン幅の検査方法 - 特許庁

The resist mask width of the check pattern 4 is 2d, while the resist mask width of the check pattern 5 is (2d+l).例文帳に追加

チェックパターン４のレジストマスク幅は２ｄ、パターン５のレジストマスク幅は（２ｄ＋ｌ）である。 - 特許庁

The width of the wiring pattern W2 is set larger than the width of the wiring pattern W1.例文帳に追加

配線パターンＷ２の幅は配線パターンＷ１の幅よりも大きく設定される。 - 特許庁

The antenna coil 2 has a first pattern width.例文帳に追加

アンテナコイル２は第１のパターン幅を有する。 - 特許庁

To accurately find the pattern width of an inspected pattern and the pattern correction width of reference data by detecting an edge position of the inspected pattern fast.例文帳に追加

被検査パターンのエッジ位置を高速に検出し、被検査パターンのパターン幅と参照データのパターン修正幅を正確に求める。 - 特許庁

To effectively widen a pattern width.例文帳に追加

パターン幅を効果的に拡大できるようにする。 - 特許庁

To provide a pattern width measuring program and a pattern width measuring device, capable of accurately measuring a pattern width of a drawing pattern in which a contour has periodicity.例文帳に追加

本発明の課題は、輪郭線が周期性を有する描画パターンのパターン幅を、精度よく測定できるパターン幅測定プログラム、パターン幅測定装置を提供する。 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE AND FORMATION METHOD OF FINE WIDTH PATTERN例文帳に追加

電子デバイス及び微細幅パターンの形成方法 - 特許庁

The width of the wiring pattern W2 is larger than that of the wiring pattern W1, and the width of the wiring pattern R2 is larger than that of the wiring pattern R1.例文帳に追加

配線パターンＷ２の幅は配線パターンＷ１の幅より大きく、配線パターンＲ２の幅は配線パターンＲ１の幅より大きい。 - 特許庁

Thereafter, the line width of each section of the pattern at the threshold is calculated, and the primary reticle pattern is corrected so that the calculated line width coincides with the line width of the designed pattern.例文帳に追加

そして、その閾値におけるパターン各部の線幅を計算し、この線幅が設計パターンの線幅と一致するように一次レチクルパターンを修正する。 - 特許庁

MEASURING METHOD OF FINE PATTERN LINE WIDTH AND ITS SYSTEM例文帳に追加

微細パターン線幅測定方法およびそのシステム - 特許庁

A magnetic pole 56 crosses the uniform width lower coil pattern piece 74 and the uniform width upper coil pattern piece 76.例文帳に追加

磁極５６は均一幅下部コイルパターン片７４および均一幅上部コイルパターン片７６を横切る。 - 特許庁

The width of the resist pattern 33 is thereby adjusted correspondingly to the width of a line pattern of an optical grating.例文帳に追加

これにより、レジストパターン３３の幅を光学格子のラインパターンの幅と対応するように調整する。 - 特許庁

To provide a pattern width measuring device for accurately measuring the pattern width of a pattern formed on a wafer using electron beam.例文帳に追加

電子ビームを用いてウェハ上に形成されたパターンのパターン幅を精度よく測長するパターン幅測長装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR PREDICTING PATTERN LINE WIDTH AND METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN USING THE METHOD例文帳に追加

パターン線幅予測方法及びそれを用いたマスクパターン修正方法 - 特許庁

A width of the first pattern 13a is narrow to increase a resistance of the first pattern 13a, while a width of the second pattern 13b is wide to reduce a resistance of the second pattern 13b.例文帳に追加

そして、第１配線パターン１３ａの幅を細くして抵抗値を上げ、第２配線パターン１３ｂの幅を太くして抵抗値を下げる。 - 特許庁

After that, width of the mask pattern is reduced by etching.例文帳に追加

その後、エッチングによりこのマスクパターンの幅を狭める。 - 特許庁

The width of the device pattern stays within a prescribed range.例文帳に追加

デバイスパターンの幅は、規定範囲内に納まっている。 - 特許庁

A work is prepared in which a substrate pattern having a pattern is formed, and an inspection pattern unit changing gradually from an inspection pattern having a pattern width and a pattern interval smaller than those of a conductive pattern to an inspection pattern having a pattern width and a pattern interval larger than those of the conductive pattern is formed in the vicinity of the substrate pattern.例文帳に追加

パターンを有する基板パターンと、前記基板パターンの近傍に、前記導電パターンよりパターン幅およびパターン間隔が小さい検査パターンから、前記導電パターンよりパターン幅およびパターン間隔が大きい検査パターンまで、漸次変化させた検査用パターンユニットを形成したワークを用意する。 - 特許庁

IMAGE FORMING APPARATUS AND CORRECTION PATTERN WIDTH CONTROL METHOD例文帳に追加

画像形成装置および補正パターン幅制御方法 - 特許庁

The line width of the pattern of the film is measured (Step S2).例文帳に追加

被処理膜のパターンの線幅を測定する（ステップＳ２）。 - 特許庁

Consequently, a pattern having a uniform line width is obtained.例文帳に追加

このため線幅が均一なパターンを得ることができる。 - 特許庁

A resist of a pattern having a line width/space width ratio of 1:1 is formed thereover.例文帳に追加

その上にライン幅とスペース幅の比率が１：１のパターンのレジストを形成する。 - 特許庁

In such a magnetic coil 58, the minimum width is regulated by the uniform width lower coil pattern piece 74 and the uniform width upper coil pattern piece 76.例文帳に追加

こうした磁気コイル５８では、均一幅下部コイルパターン片７４および均一幅上部コイルパターン片７６で最小の幅が規定される。 - 特許庁

Further, the pattern width of the mask pattern arranged on an outermost side is set to 1.1-1.2 times of the pattern width of the mask pattern 14a arranged on the inner side.例文帳に追加

さらに、最外側に配置されているマスクパターン１４ｂのパターン幅は、その内側に配置されているマスクパターン１４ａのパターン幅の１．１〜１．２倍に設定されている。 - 特許庁

The width W0 of the wiring pattern of an electrode part 8a and the width W0 of the wiring pattern of a twisted part 8b are made to be the same 10 μm, and this is made to be a standard pattern.例文帳に追加

電極部８ａと絞り部８ｂの配線パターンの幅Ｗ０を同一の１０μｍとし、これを基準パターンとする。 - 特許庁

LINE WIDTH MEASUREMENT FOR WIRING PATTERN OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LINE WIDTH MEASURING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

半導体素子の配線の線幅測定パターン及びこれを利用した線幅測定方法 - 特許庁

A line width measurement unit 31 measures the line width of the pattern formed on the substrate W.例文帳に追加

線幅測定ユニット３１は、基板Ｗに形成されたパターンの線幅を測定する。 - 特許庁

PATTERN LINE WIDTH MEASURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS APPARATUS例文帳に追加

半導体素子のパターン線幅測定方法及びその装置 - 特許庁

The width of the mask pattern other than the determining section is larger than the width W2 over a length direction of the mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの長さ方向にわたって、決定個所以外のマスクパターンの幅は、幅Ｗ２より大きい幅を有する。 - 特許庁

To etch layers to be etched that are masked by mask layers in a predetermined pattern width, while making each pattern width of the mask layer uniform.例文帳に追加

マスク層の各パターン幅を揃えつつ，マスク層によってマスクされる被エッチング層を所定のパターン幅にエッチングする。 - 特許庁

Then, the difference of density line width is corrected by changing only the line width of the image of the isolated line pattern Pa, without changing the line width of the image of the L/S pattern Pb.例文帳に追加

そして、Ｌ／ＳパターンＰｂの像の線幅を変化させることなく、孤立線パターンＰａの像の線幅のみを変化させて、疎密線幅差を補正する。 - 特許庁

To provide a power circuit pattern wiring width generation system and method for automatically performing calculation of a power circuit pattern wiring width, instead of conventional calculation of the wiring width by a worker, when forming a power circuit pattern on a printed circuit board.例文帳に追加

従来、電源回路パターンをプリント基板に形成する際、作業者が電源回路パターンの配線幅を計算するのでなく、自動的に配線幅の計算を行う。 - 特許庁

A pattern width calculation circuit 52 calculates the width of a peak according to the obtained pattern waveform, and a peak position in the pattern waveform where the width shows the narrowest peak is detected as DOA.例文帳に追加

その結果得られたパターン波形からパターン幅算出回路５２がピークの幅を算出し、幅が最も狭いピークを呈したパターン波形におけるピークの位置を、ＤＯＡとして検出する。 - 特許庁

A magnetic coil 58 is formed of a uniform width lower coil pattern piece 74, a gradually increasing lower coil pattern piece 75, a connection coil pattern piece 73, a uniform width upper coil pattern piece 76 and a gradually increasing upper coil pattern piece 77.例文帳に追加

均一幅下部コイルパターン片７４、漸増下部コイルパターン片７５、接続コイルパターン片７３、均一幅上部コイルパターン片７６および漸増上部コイルパターン片７７で磁気コイル５８が形成される。 - 特許庁

The mask size checking mark 3 includes a line pattern 4 having a line width equal to that of the product pattern and a reference pattern 5 disposed next to the line pattern 4 and having a larger width than the line pattern 4.例文帳に追加

マスク寸法検査マーク３は、製品パターンの線幅と等しい線幅のラインパターン４と、このラインパターン４に隣接して配置されラインパターン４よりも幅が広い基準パターン５とを含んでいる。 - 特許庁

The line width of the transfer pattern on each pattern position of length measuring position recognition is measured (ST104).例文帳に追加

各測長箇所認識パターン位置における転写パターンの線幅を測定する（ST104)。 - 特許庁

Also, the space between the signal-line pattern 13 and the guard pattern 22 adjacent thereto may be narrowed more than the width of each guard pattern.例文帳に追加

また、隣接する信号線パターン１３とのガードパターン２２との間隔を該ガードパターンより狭くしてもよい。 - 特許庁

Pattern line width variation quantity occurring in a development process with respect to a desirable pattern is estimated and a corrective exposure is performed using a dose or bias corresponding to the estimated pattern line width variation.例文帳に追加

所望のパターンに対して現像段階で生じるパターン線幅変化量を予測してこれに相応するドーズ、またはバイアスで補正露光する。 - 特許庁