「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A photo-mask 81 used in the formation of this photo-resist pattern 82 is provided with a recessed pattern 81f at the corner 81e of the step 81d in the width direction.例文帳に追加

このフォトレジストパターン８２の形成に用いるフォトマスク８１には、その幅方向の段差８１ｄのコーナー部８１ｅに、凹部パターン８１ｆを設ける。 - 特許庁

The resolution of the pattern can be enhanced and ≤0.25μm resist pattern can be resolved and ≤0.25μm track width can be formed by using the phase shift mask.例文帳に追加

位相シフトマスクを用いることにより、パタ−ンの解像度の向上が図れ、0.25μｍ以下のレジストパタ−ンを解像でき、0.25μｍ以下のトラック幅が形成可能となる。 - 特許庁

To provide a wiring pattern forming method of capable of narrowing a wiring pattern in wiring width and enhancing it in density and a laminated wiring board.例文帳に追加

配線パターンの配線幅を狭くすることができ、高密度化が可能な配線パターン形成方法及び積層配線基板を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board having a metal wiring pattern of a predetermined width particularly preferable upon obtaining a high density metal wiring pattern.例文帳に追加

高密度の金属配線パターンを得る場合に特に好ましい、所定の幅の金属配線パターンを備えたプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a superior pattern causing no crack even when the line width of the remaining pattern in a butting part is ≤130 nm, and also to provide a mask.例文帳に追加

突合せ部の残しパターンの線幅が１３０ｎｍ以下になっても亀裂を生じることのない優れたパターン形成方法およびマスクを提供する。 - 特許庁

Further, the irradiation direction of the light is changed to make a light-dark region corresponding to the weave pattern, thus detecting the borderline and weave width of each weave pattern.例文帳に追加

さらに、光の照射方向を変えることで、織り柄に応じた明暗領域を作成し、各織り柄の境界及び織り幅を検出する。 - 特許庁

To provide a pattern manufacturing system for suppressing irregularity of line width of a pattern line on a both-face substrate, and to provide an exposure device and an exposure method.例文帳に追加

両面基板におけるパターン線の線幅のばらつきを抑えることができるパターン製造システム、露光装置、及び露光方法を提供する。 - 特許庁

To provide a selective method of an exposure threshold whereto the correspondent line-width variation of a formed pattern is made small even when the blooming quantity of the formed pattern is varied during its exposure operation.例文帳に追加

露光動作中にボケの量が変動したとしても形成されるパターンの線幅変動の少ない閾値の選定方法を提供する。 - 特許庁

The pattern defect of the absorbing film 4 is corrected, and then, the line width of the absorbing film 4 of a portion adjacent in a horizontal direction of the pattern defect is made narrow.例文帳に追加

吸収膜４のパターン欠陥を修正した後、パターン欠陥の水平方向隣にある部分の吸収膜４のパターンの線幅を狭くする。 - 特許庁

To provide a technology capable of preventing a film exfoliation and obtaining an excellent pattern shape even when a small line width is adopted for a pattern of a black matrix.例文帳に追加

ブラックマトリックスのパターンの線幅を小さくする場合であっても、膜剥れを防止すると共に、良好なパターン形状を得る技術を提供する。 - 特許庁

A fourth pattern having the second width is arranged between the second and third patterns at a fixed distance in the first direction of the first pattern.例文帳に追加

第２の幅を有する第４のパターンを、第１のパターンの第１の方向にその一定の距離を離して、第２と第３のパターンの間に配置する。 - 特許庁

To form an upper layer silylation pattern of a fixed thickness without depending on the thickness of an upper layer resist film or a fine width of an upper layer silylation pattern.例文帳に追加

上層レジスト膜の膜厚、又は上層シリル化パターンの線幅に依存することなく、上層シリル化パターンを一定の膜厚で形成する。 - 特許庁

A second wiring pattern is formed with its wire width wider than that of the first wiring pattern due to the remaining metal layer.例文帳に追加

そして残留の金属層により、そのワイヤの幅が前記第１の配線パターンにおけるワイヤの幅より大きいというような第２の配線パターンが形成される。 - 特許庁

With respect of each mask pattern, a region of a prescribed width is cut along the edge portion of the mask pattern to generate a shrunk region.例文帳に追加

マスクパターンの各々に対し、このマスクパターンからこのマスクパターンの縁部に沿って所定幅の領域を除去してなる縮小領域を生成する。 - 特許庁

Thereby, the adjusting ranges of the sewing mechanism such as pattern selected by the pattern selecting dial, strength of the upper thread, width of seam, and coarseness of seam are displayed.例文帳に追加

これにより模様選択ダイアル２０により選択された模様と上糸の強さ、縫い目のはば、縫い目のあらさ等の縫い機構の調整範囲を表示する。 - 特許庁

Furthermore, a best focus position is calculated by using a line pattern having such a line width as pattern collapse does not occur when the focus position is changed.例文帳に追加

また、フォーカス位置を変化させた際にパターン倒れが発生しない大きさ以上の線幅を有するラインパターンを使用してベストフォーカス位置を算出する。 - 特許庁

The third conductive pattern has a small line width that can be removed by etching, and can be disposed in a region where the conductive pattern is not formed, and thereby, the third conductive pattern can prevent dielectric breakdown caused by discharge between figure patterns when the mask pattern is charged.例文帳に追加

第３導電性パターンはエッチングで除去可能な細い線幅を有し、導体パターンが形成されない領域に配置できるため、マスクパターンの帯電時に図形パターン間の放電による静電破壊を防止可能となる。 - 特許庁

A stamper 1 comprising a pattern whose protrusions/recesses are opposite to a wiring pattern is used to transfer the wiring pattern to at least a resin on the surface of a board 20, and a wiring pattern comprising a groove whose width is 30 μm or less is formed.例文帳に追加

配線パターンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパ１を用いて、基板２０の少なくとも表面にある樹脂に前記配線パターンを転写させることにより、溝幅が３０μｍ以下の溝を含む配線パターンを形成する。 - 特許庁

A character for comparison which should be compared with the binary pattern is coded to generate a standard pattern having standardized-width bars and spaces, and corresponding places of the binary pattern and standard pattern are outputted in parallel.例文帳に追加

また該２値化パターンと比較すべく比較用のキャラクタをコード化し、バー及びスペースが規格通りの幅である標準パターンを生成して、２値化パターン及び標準パターンの夫々対応する箇所を並列させて出力する。 - 特許庁

A mask pattern having a line width below a stipulated value is selected from mask patterns each projecting from an element region, the distance from the selected mask pattern to an adjacent pattern is calculated and the mask pattern is corrected corresponding to the distance.例文帳に追加

素子領域から突き出すマスクパターンのうち規定値以下になる線幅を有するマスクパターンが選択された後、このマスクパターンに隣り合うパターンまでの距離が算出され、この距離に応じてマスクパターンに補正が施される。 - 特許庁

A first insulating film 2 and a second insulating film 3 are formed on a semiconductor substrate 1, a second insulating film pattern 7 is formed by a first resist pattern 6 with space width F, and then spacer processing is performed to form a third insulating film pattern 8 with spacer width F/2.例文帳に追加

半導体基板１上に第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜３を形成し、スペース幅Ｆの第１のレジストパターン６により第２の絶縁膜パターン７を形成した後、スペーサ加工を施しスペース幅Ｆ／２の第３の絶縁膜パターン８を形成する。 - 特許庁

The pattern of the mask is projected on the photosensitive substrate with an exposure light quantity substantially different from a standard exposure light quantity required for forming a pattern of desired line width on the photosensitive substrate using a standard mask having a pattern of line width same as the converted value.例文帳に追加

換算値に等しい線幅のパターンを有する標準マスクを用いて感光性基板上に所望線幅のパターンを形成するのに必要な標準露光光量とは実質的に異なる露光光量で、マスクのパターンを感光性基板上に投影する。 - 特許庁

In the second step, a pattern constituting the mask has an end part having greater width in the length direction of the pattern, which is a direction intersecting with the axial direction, than the width of center part in the length direction.例文帳に追加

第２の工程においては、マスクを構成する一つのパターンにおいて、軸の方向と交差する方向である当該パターンの長さ方向における端部の幅が、長さ方向における中央部分の幅よりも大きい。 - 特許庁

To provide a development processing method capable of accurately controlling a line width of a second resist pattern in a second development processing of double patterning by LLE and accurately controlling a line width of a first resist pattern as well.例文帳に追加

ＬＬＥによるダブルパターニングの２回目の現像処理において、２回目のレジストパターンの線幅を精度良く制御でき、１回目のレジストパターンの線幅も精度良く制御できる現像処理方法を提供する。 - 特許庁

The track width can be reduced when making a mask pattern for the track width of a reproducing head, by using a mask pattern of a mono- layer resist to make an electrode and insulation layer by a liftoff method.例文帳に追加

電極及び絶縁膜などをリフトオフ法によって形成する時にマスクパターンをレジストの単層パターンにすることにより、再生ヘッドのトラック幅形成用マスクパターン作成時に狭トラック化が対応可能となる。 - 特許庁

After an area whose width in the mask pattern is smaller than designated is extracted, the phase shifter is inserted into the extracted area and a peripheral edge part of an area whose width in the mask pattern exceeds the designated size.例文帳に追加

続いて、マスクパターンにおける幅が所定の寸法以下である領域を抽出した後、抽出された領域、及びマスクパターンにおける幅が所定の寸法を越える領域の周縁部に位相シフターを挿入する。 - 特許庁

Accordingly a free space is effectively utilized because the pattern electrode 21 at the tip of cable 16 is arranged at the free space of the stage part 14, and a width of control panel can be made narrower by a width share of pattern electrode 21.例文帳に追加

したがって段部１４の空きスペースにケーブル１６の先端のパターン電極２１を配したので、空きスペースが有効に活用され、パターン電極２１の巾分だけコントロールパネルの巾を狭くすることができる。 - 特許庁

Moreover, a magnetization surface width Wa of the magnet 3 is set to be larger than a pattern width Wb of the detection element 8 and a magnetization surface length K1 of the magnet 3 is set smaller than a pattern interval K2 of the detection element 8.例文帳に追加

そして、磁石３の発磁面幅Ｗａを検出素子８のパターン幅Ｗｂよりも大きく設定し、磁石３の発磁面長さＫ１を、検出素子８のパターン間隔Ｋ２よりも小さく設定する。 - 特許庁

Areas selected at random out of many dot pattern areas 36 arrayed in an X direction and a Y direction by the size of a width (b) × the width (a) on an original plate pattern 35 are set to be light-shielded dots 37A-37E.例文帳に追加

原版パターン３５上に幅ｂ×幅ａでＸ方向、及びＹ方向に多数配列されたドットパターン領域３６の内からランダムに選択された領域を遮光ドット３７Ａ〜３７Ｅとしておく。 - 特許庁

The resonance frequency of this antenna is calculated to design by using an expression that consists of a pattern switch width closely related to the quantity component between patterns of a conductor, a pattern length closely related to the resonance frequency, the quantity between patterns, a pattern width closely related with association, and a pattern pitch.例文帳に追加

導体のパターン間の容量成分に密接に関係するパターン切り返し幅に加え、共振周波数と直接関係するパターン長、パターン間の容量、結合に密接に関係するパターン幅、パターンピッチより成り立つ計算式を用いて共振周波数を求め、この計算式にしたがって設計する - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process, which can suppress variations in the line width of a first resist pattern and LWR (line width roughness) which may be caused by freezing treatment applied to the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method, and to provide a resist pattern formation method using the surface treatment agent.例文帳に追加

ダブルパターニング法において、第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理及び第二のレジストパターンの形成による、第一のレジストパターンの線幅並びにＬＷＲの変動を抑制することができるフリージングプロセス用の表面処理剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To improve products in manufacturing yield by reducing influence of irregularities in a line width of a pattern formed on a reticle so as to form the pattern having a uniform line width on a wafer, in a process of forming a prescribed pattern by transferring a pattern formed on the reticle onto the wafer by the use of photography.例文帳に追加

レチクルに形成されたパターンを写真技術を利用してウェハ上に転写することにより所定のパターンを形成するプロセスにおいて、レチクルに形成されたパターンの線幅のばらつきによる影響を低減することにより、ウェハ上に均一の線幅を有するパターンを形成して製品の歩留まり向上を図る。 - 特許庁

A wiring structure comprises a wiring pattern 11 (first wiring pattern) formed on the surface of an insulating board 1, and an auxiliary wiring pattern 12 (second wiring pattern) that is formed inside the insulating board 1, corresponding to the portion in which the width of the wiring pattern 11 changes and is electrically connected to the wiring pattern 11 in parallel.例文帳に追加

本発明は、絶縁基板１の表面に形成される配線パターン１１（第１の配線パターン）と、配線パターン１１の幅が変化する部分に対応して絶縁基板１の内部に形成され、配線パターン１１と電気的に並列接続される補助配線パターン１２（第２の配線パターン）とを備える配線構造である。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having good scratch resistance in a developer, excellent in resolution and tenting property, excellent also in developability, and realizing formation of an accurate pattern free from variation in line width, a chip and disconnection, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

現像液中での耐傷性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、しかも現像性にも優れ、線幅のバラツキや欠け、断線のない正確なパターン形成が可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a forming method of a conductive film pattern in which the conductive film pattern having a narrow line width is formed by a simple process, a wiring board formed using the conductive film pattern, and a display device.例文帳に追加

簡単な工程で線幅の細い導電膜パターンを製造する導電膜パターンの形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a fine pattern without deteriorating the line width precision nor shape of a resist pattern when a remaining film of the pattern obtained by pressing a mold is removed.例文帳に追加

モールドをプレスすることにより得られたパターンの残膜を除去する際、そのレジストパターンの線幅精度、形状を劣化させることなく、微細なパターンを形成可能にする方法を提供する。 - 特許庁

In the fixed pattern control, the controller 18 performs the fixed pattern control following a pattern which is defined so as to lower a switching frequency of the inverter 14 more than that at the pulse-width modulation control.例文帳に追加

固定パターン制御の場合、コントローラ１８は、パルス幅変調制御よりもインバータ１４のスイッチング周波数を低くするように定められたパターンに従う固定パターン制御を実行する。 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern which can eliminate presence of an optically isolated pattern as much as possible so as to transfer a mask pattern with desired line width or the like onto a photoresist.例文帳に追加

光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンをフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of forming both a pattern of high definition and a wide-width pattern with high flexibility and high precision without lowering use efficiency of energy.例文帳に追加

本発明は、エネルギーの利用効率を下げることなく、高精細なパターンと幅の広いパターンの両方を自由度高く高精度に形成可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A lower limit of an interval between the auxiliary pattern 13 and the isolated line pattern 11c corresponds to a minimum space of a design rule and an upper limit is three times the width of the isolated line pattern 11c.例文帳に追加

また、上記補助パターン１３と上記孤立ラインパターン１１ｃとの間隔は、その下限がデザインルールの最小スペース分であり、その上限が該孤立ラインパターン１１ｃの幅の３倍である。 - 特許庁

To prevent the occurrence of defects on a substrate after a developing step in the formation of an ultrafine photoresist pattern at least partially having a pattern of ≤0.25 μm pattern width.例文帳に追加

少なくともその一部にパターン幅が０．２５μｍ以下のパターンを有する超微細なホトレジストパターンの形成において、現像処理工程後基板上に発生するディフェクトの発生を有効に防止する。 - 特許庁

Next, the size of the gate width of the extracted gate pattern is measured and is sorted as the object for the pattern correction when the measured value is blow the prescribed size in a gate pattern sorting stage ST03.例文帳に追加

次に、ゲートパターン選別工程ＳＴ０３において、抽出されたゲートパターンのゲート幅の寸法を測定し、測定された値が所定寸法以下の場合にパターン補正の対象として選別する。 - 特許庁

Further, a fourth insulating film 10 is deposited on the first insulating film pattern 9, a resist pattern is formed again, and spacer processing and anisotropic etching processing are performed to form a spacer part with the width F/2 on a line part of the first insulating film pattern 9 and form a line and spacer pattern with a pattern pitch F.例文帳に追加

更に、第１の絶縁膜パターン９上に第４の絶縁膜１０を堆積させ、再びレジストパターン形成、スペーサ加工、及び異方性エッチング処理を施すことで、第１の絶縁膜パターン９のライン部にＦ／２の幅のスペース部を形成してパターンピッチＦのラインアンドスペースパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for uniforming the amount of exposure regardless of the size of pattern width, forming a pattern having at least two kinds of different pattern widths by one exposure, and precisely and efficiently forming a minute pattern in a pattern formation method utilizing near field light.例文帳に追加

近接場光を利用するパターン形成方法において、露光量がパターン幅の大きさに関係なく均一化され、一回の露光で２種以上の異なるパターン幅を有するパターンを形成することができ、微細なパターンを精度良くかつ効率良く形成できる方法を提供する。 - 特許庁

When a plotting area A is painted out with a fixed rectangular pattern B, the rectangular pattern B is not painted out one by one with shifting the pattern by pattern width, single word or plural words are continuously painted out per word boundary pattern unit to dispense with a shift operation and to reduce the number of times memory access.例文帳に追加

描画範囲Ａを一定の矩形パターンＢで塗りつぶす際に、矩形パターンＢの１つ１つをパターン幅をシフトしながら塗りつぶすのではなく、ワード境界パターン単位で単一ワード又は複数ワードを繰り返し塗りつぶして、シフト演算を不要とし、かつ、メモリアクセス数も減少させる。 - 特許庁