「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pattern forming method which can design a track width optimally according to a shape of a recording head or the like.例文帳に追加

記録ヘッドなどの形状に応じてトラック幅などを最適に設計し得るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of the coating material dripping means for the pattern may preferably arranged so as to be spaced apart in the width direction of the metal sheet.例文帳に追加

柄模様用塗料滴下手段を、金属板幅方向に離間して複数基配設することが好ましい。 - 特許庁

The protective ink 300 is then removed to form a conductive pattern 250 with a minimum line width of not greater than 150 μm.例文帳に追加

そして、保護インク３００を除去して、最小線幅が１５０μｍ以下の導電パターン２５０を形成する。 - 特許庁

To measure the width of a mask pattern for etching fast nondestructively without contacting, especially, during a process.例文帳に追加

エッチング用のマスクパターン幅を、非接触、非破壊、高速で測定でき、特に、プロセス中に測定できるようにする。 - 特許庁

Two types of standard cells 101 and 151 having all the same layout pattern excepting the interconnect width are prepared.例文帳に追加

配線幅以外は全て同一のレイアウトパターンを備えた２種類のスタンダードセル１０１、１５１が用意される。 - 特許庁

Thus, even when the mini-vias of the bus pattern are disposed, a power source line of a predetermined width can be assured.例文帳に追加

このため、バスパターンのミニビアが配置された場合であっても、所定幅の電源ラインを確保することができる。 - 特許庁

Adjacent circuit pattern parts 21A partly overlap in the width direction W and have an overlapping region 21X.例文帳に追加

隣接する回路パターン部２１Ａは幅方向Ｗには部分的に重なり合い、重なり領域２１Ｘを有する。 - 特許庁

This forms the large cross section printing pattern with the narrow width diameter without damaging the printing characteristics.例文帳に追加

そのため、印刷性を損なうことなく細幅寸法で断面積の大きな印刷パターンを形成することができる。 - 特許庁

In this way, the pattern of a desired line width is formed for each wafer, and each wafer is developed in an optimum time length.例文帳に追加

かかる場合，各ウェハに対し所望の線幅のパターンが形成され，各ウェハが最適時間で現像される。 - 特許庁

To provide a substrate for display device on which a thin film pattern such as a wiring line, which is narrow in width and thick in film thickness, is formed.例文帳に追加

幅が狭くかつ膜厚が厚い配線等の薄膜パターンを形成した表示装置用基板を得る。 - 特許庁

The inside conductor pattern is provided so that a width of an inside conductor through hole connection part is smaller than a through-hole conductor diameter.例文帳に追加

スルホール導体径よりも内部導体スルホール接続部の幅が小さくなるような内部導体パターンを設ける。 - 特許庁

To provide a resist composition which can provide a resist pattern having excellent line width roughness.例文帳に追加

優れたラインウィズスラフネスを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern excellent in sensitivity, resolution and line width roughness, and to provide a developing solution used therefor.例文帳に追加

感度、解像力、ラインウィズスラフネスに優れるレジストパターン形成方法およびそれに用いる現像液の提供。 - 特許庁

The OUT-LINE100 and the IN-LINE110 are made of metal and its pattern width is 0.6 to 0.8μm.例文帳に追加

ＯＵＴ−ＬＩＮＥ１００，ＩＮ−ＬＩＮＥ１１０は，金属からなり，そのパターン幅は０．６〜０．８μｍである。 - 特許庁

Antenna pads 2a whose diameters are larger than the line width of the antenna coil are pattern-formed at the both edge parts of the antenna coil 2.例文帳に追加

アンテナコイ２の両端部には、当該アンテナコイルの線幅よりも大径のアンテナパッド２ａがパターン形成される。 - 特許庁

In this lenticular sheet, a light-shielding stripe pattern is formed at the same position (and line width) for all cylindrical lenses.例文帳に追加

全てのシリンドリカルレンズに対して等しい位置（および、線幅）に遮光ストライプパターンの形成されたレンチキュラーシート。 - 特許庁

The wiring pattern 21 includes wires 24 and mounting pads 25 each having a diameter larger than the width of the wire 24.例文帳に追加

配線パターン２１は、配線２４とこの配線２４の幅よりも大きな径を有する実装パッド２５とを含む。 - 特許庁

To make the pattern dimension of a line width uniform, and to reduce the amount of the consumption of a developing solution.例文帳に追加

線幅等のパターン寸法の均一を図ると共に、現像液の消費量の低減を図れるようにすること。 - 特許庁

The exposing method used when a pattern of 0.1μm of a line width is transferred to a resist film on a wafer is selected.例文帳に追加

本例では、線幅０．１μｍのパターンをウエハ上のレジスト膜に転写する際の露光方法を選択する。 - 特許庁

In this case, since a conductive plate, that is smaller in width than that of copper foil can be used, the circuit pattern 80 is made compact.例文帳に追加

この場合、銅箔に比べて幅狭な導電板を使用できるので、回路パターン８０が小形化される。 - 特許庁

The electromagnetic shield member 10 has a wide width at least at its end, and has a pattern-etched center.例文帳に追加

この電磁波シールド部材１０は、少なくとも端部に幅広部を有し、中央部がパターンエッチングされている。 - 特許庁

To heighten the coating deposition efficiency by reliably making a coating particle bear electric charge even if the width direction of a spray pattern is changed.例文帳に追加

スプレーパターンの幅寸法が変化したときでも確実に塗料粒子を帯電させ、塗着効率を高める。 - 特許庁

As a consequence, uniform width of the wiring pattern 24 can be realized, irrespective of whether the wiring patterns are dense or sparse.例文帳に追加

よって配線用パターン２４の密疎にかかわらず均一のパターン幅を形成することが可能になる。 - 特許庁

To form a wide-width pattern and ultra-fine patterns, which exceed a limit of the resolution of the today exposure art, simultaneously by a manufacturing method for semiconductor devices.例文帳に追加

幅広のパターンと露光技術の解像度の限界以上の超微細パターンとを同時に形成する。 - 特許庁

The slimming processing method for a resist pattern for performing slimming processing for a resist pattern formed on a substrate comprises a slimming processing process by applying a reacting substance for solubilizing a resist pattern onto the resist pattern, carrying out heat treatment under predetermined heat treatment conditions and executing development processing for resist pattern slimming processing; and a first line width measuring process for measuring the line width of the resist pattern before the slimming processing process.例文帳に追加

基板上に形成したレジストパターンをスリミング処理するレジストパターンのスリミング処理方法において、レジストパターン上にレジストパターンを可溶化する反応物質を塗布し、次に予め決定された熱処理条件で熱処理し、次に現像処理することによって、レジストパターンにスリミング処理を行うスリミング処理工程と、スリミング処理工程前にレジストパターンの線幅を測定する第１の線幅測定工程とを含む。 - 特許庁

A signal line pattern 15a is tapered from width dimensions W of a signal line 14a and is terminated (with width dimensions (w)) before reaching the end.例文帳に追加

信号線路パターン１５ａは、信号線路１４ａの幅寸法Ｗに対してテーパ状に狭くなる形状で、端部に至る手前で（幅寸法ｗ）で終端される。 - 特許庁

To provide a lamp for a vehicle which enlarges a design width by contracting a design vertical width, and reduces a size while securing a light distribution pattern regulated by law.例文帳に追加

法規に規定された配光パターンを確保しつつ、意匠上下幅を縮小してデザイン幅の拡大と小型化を図ることができる車両用灯具を提供すること。 - 特許庁

The width W2 of the part 22a(1) of the first mask 22a is made smaller than a minimum pattern width (about 0.3 μm) formed by photolithography.例文帳に追加

この第１のマスク２２ａのうちの部分２２ａ(1) の幅Ｗ２は、フォトリソグラフィ処理によって形成可能な最小パターン幅（約０．３μｍ程度）よりも小さくなる。 - 特許庁

To provide a line width measuring apparatus and method which enable simple and quick measurement of the line width at measuring points (repeated pattern) of a substrate and a reticle.例文帳に追加

基板の各々の測定点（繰り返しパターン）における線幅の測定を短時間で簡単に行える線幅測定装置、線幅測定方法、およびレチクルを提供する。 - 特許庁

Then, the measured reduction amount of the film thickness is converted into the line width of the resist pattern under an existing processing condition by a correspondence function between the film thickness reduction amount and the line width.例文帳に追加

その後，その測定された膜厚減少量を，膜厚減少量と線幅との相関関数により，既存の処理条件時のレジストパターンの線幅に換算する。 - 特許庁

The joining pattern plate 3 has a base part 35, and a front part 34 having a lateral width larger than the base part 35 in the front, and has a vertical width equal to the left and right outer wall plates 2.例文帳に追加

接合柄板３は，基部３５と，その前方において基部３５よりも左右幅の大きい前部３４とを有し，左右の外壁板２と同等の上下幅を有する。 - 特許庁

A conversion difference D1 is calculated which indicates a difference between a measured value of a width W3 of a pattern 45a of a mask layer 45 formed on a diffraction grating layer 41 and a design value of the width.例文帳に追加

回折格子層４１の上に形成されたマスク層４５のパターン４５ａの幅Ｗ３の測定値とその設計値との差を示す変換差Ｄ１を算出する。 - 特許庁

The ratio of an elevated area width to a depressed area width of the pattern in a shift zone and/or a CSS zone can be varied over the size of a disk along its radius direction.例文帳に追加

移行ゾーンおよび／またはＣＳＳゾーンでのパターンのくぼみエリア幅に対する隆起エリア幅の比を、ディスクの半径方向寸法にわたって変化させることができる。 - 特許庁

To stabilize quality of an integrated circuit pattern, which an aligner of semiconductor forms, by suppressing variation in spectrum width such as E95 width caused by individual difference among laser apparatuses at the time of manufacture as well as variation in spectrum width such as E95 width that accompanies exchange or maintenance of the laser apparatus.例文帳に追加

レーザ装置の製造時の機差によるＥ９５幅等のスペクトル幅のばらつきや、レーザ装置の交換やメンテナンスに伴うＥ９５幅等のスペクトル幅のばらつきを抑制し、半導体の露光装置が形成する集積回路パターンの品質を安定させる。 - 特許庁

To inhibit variations in spectrum width, such as an E95 width due to difference among machines in the manufacturing of a laser device, or variations in a spectrum width, such as the E95 width accompanying the replacement or maintenance of the laser device to stabilize quality of an integrated circuit pattern formed by an exposure device of a semiconductor.例文帳に追加

レーザ装置の製造時の機差によるＥ９５幅等のスペクトル幅のばらつきや、レーザ装置の交換やメンテナンスに伴うＥ９５幅等のスペクトル幅のばらつきを抑制し、半導体の露光装置が形成する集積回路パターンの品質を安定させる。 - 特許庁

The device pattern PT12 is formed by forming a basic pattern PT having preset fixed width and length, and then forming a projection pattern PT13 to be coupled with the basic pattern PT at least partially.例文帳に追加

このデバイスパターンＰＴ１２の形成は、予め設定した一定の幅および長さを有する基本パターンＰＴを形成すると共に、基本パターンＰＴの少なくとも一部に連結されるように突出パターンＰＴ１３を形成することにより行う。 - 特許庁

In a photomask having a light shielding zone formed around a mask pattern region where a mask pattern is drawn by scanning by each of a specified drawing width, an inspection pattern for inspecting the misalignment of the drawn images in the mask pattern region is formed outside the light shielding zone.例文帳に追加

マスクパターンを所定の描画幅ずつ走査することによって描画したマスクパターン領域の外周に遮光帯を形成したフォトマスクにおいて、遮光帯の外側に、マスクパターン領域の描画ズレを検査するための検査パターンを形成した。 - 特許庁

A first wiring pattern having a line width W and extending in a first direction is generated, and a second wiring pattern having a predetermined angle with the first wiring pattern and extending on the slant is generated so that its end part is overlapped each other with the end part of the first wiring pattern.例文帳に追加

第１方向に延びる線幅がＷの第１配線パターンを生成し、第１配線パターンと所定の角度を成して斜めに延びる第２配線パターンを、その終端部が第１配線パターンの終端部と重なり合うように生成する。 - 特許庁

An aperture 15 having a width wider than the width of the conductive film pattern 13 is opened on the film to be an etching mask so as to make the angle Θ by transversal edge of the aperture 15 on the conductive film pattern 13, and a longitudinal edge of the conductive film pattern 13 covered by a matching mask, a sharp angle.例文帳に追加

次に、エッチングマスクとなる膜に、導電膜パターン１３の横幅より広い横幅をもつ開口部１５を、導電膜パターン１３上の開口部１５の横縁と、エッチングマスクにより覆われる導電膜パターン１３の縦縁とのなす角度Θが鋭角となるように、開ける。 - 特許庁

A second reduction layout which is reduced by a second reduction width larger than the first reduction width relative to the pad pattern layout is obtained, and then an assist pattern layout which is self-aligned to the pad pattern layout by deducting the second reduction layout from the first reduction layout is obtained.例文帳に追加

パッドパターンのレイアウトに対して第１縮小幅より大きい第２縮小幅に縮小された第２縮小レイアウトを得た後、第１縮小レイアウトから第２縮小レイアウトを差引してパッドパターンのレイアウトに自己整列される補助パターンのレイアウトを得る。 - 特許庁

Then, in an exposure device B, the same L/S pattern is formed using the same mask, and the coherence factor of the exposure device B is adjusted to achieve the condition that the dimensional difference becomes minimum between the line width PB in that L/S pattern and the line width PA in the L/S pattern formed in the exposure device A.例文帳に追加

次に、露光装置Ｂにおいて、同一のマスクを用いて同一のＬ／Ｓパターンを形成するとともに、当該Ｌ／Ｓパターンのライン幅ＰＢと、露光装置Ａで形成したＬ／Ｓパターンライン幅ＰＡとの間の寸法差が最小になる条件に、露光装置Ｂのコヒーレンスファクタを調整する。 - 特許庁

The utterance contents having a high-similarity change pattern and the different utterance contents are set as the same group, and the utterance contents having a low-similarity change pattern and the different utterance contents are set as another group from a change pattern of a longitudinal width and lateral width of lips to the utterance contents, and the utterance contents are identified on the basis of group classification.例文帳に追加

発話内容に対する唇の縦幅と横幅の変化パターンから異なる発話内容で変化パターンの類似性が高いものは同一グループ、異なる発話内容で変化パターンの類似性が低いものは別グループとし、発話内容をグループ分類に基づいて識別する。 - 特許庁

A phase shift mask in which a phase of a transmitted light through one electrode pattern is inverted to a phase of a transmitted light through the other electrode pattern is used as a reticle for forming the reproducing track width of the magnetic head of the magnetic disk device to form ≤0.25μm track width.例文帳に追加

磁気ディスク装置の磁気ヘッドの再生トラック幅を形成するためのレチクルに、一方の電極パターンの透過光の位相が他方の透過光の位相と反転する位相シフトマスクを用い、0.25μｍ以下のトラック幅を形成する。 - 特許庁

Then a second mask M2 consisting of a recessed pattern M2Xa of a line width d2 and a recessed pattern M2Xb of the line width d1 is imaged while the position of the focus is changed and the relative positions MD2 of both patterns M2Xa and M2Xb are measured.例文帳に追加

次に、線幅ｄ２の凹パターンＭ２Ｘａと線幅ｄ１の凹パターンＭ２Ｘｂとからなる第２マークＭ２Ｘをフォーカス位置を変化させながら撮像し、両凹パターンＭ２Ｘａ，Ｍ２Ｘｂの相対位置ＭＤ２を計測する。 - 特許庁

Consequently, in the case the width size of a spray pattern of a coating material particle sprayed from the rotating spray head 4 is wide, the outside electrodes 12 are moved back and in the case the width size of the spray pattern is narrow, the outside electrodes 12 are moved forth.例文帳に追加

これにより、回転霧化頭４から噴霧される塗料粒子によるスプレーパターンの幅寸法が広いときには、外部電極１２は後退し、スプレーパターンの幅寸法が狭いときには、外部電極１２は前進する。 - 特許庁