「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The pattern 1 for line width measurement is composed of a plurality of tapered patterns 2 with their bases 3 arranged on one straight line 6.例文帳に追加

線幅測定用パターン１は、底辺３が一直線６上に配置された複数の先細りパターン２からなる。 - 特許庁

To provide a fluorescent character display tube reducing occurrence of a break in a wire even when a wire width of a wiring pattern is narrow.例文帳に追加

配線パターンの線幅が狭い場合でも断線の発生を低減化できる蛍光表示管を提供すること。 - 特許庁

Of the tread pattern, the area ratios of the grooves of both the two regions on both the sides in the tire width direction sandwiching the tire equator line are brought to be different.例文帳に追加

トレッドパターンの、タイヤ赤道線を挟んだタイヤ幅方向の両側の領域の溝面積比が異なる。 - 特許庁

The surface acoustic wave device has a pattern 1 for measuring the line width of the metal electrode film on a part of the metal electrode film.例文帳に追加

金属電極膜の一部に、金属電極膜の線幅を測定するための線幅測定用パターン１を有する。 - 特許庁

To expose a pattern, having a fine line width on a resist with high precision by an electron beam exposure method which uses a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクを使用する電子ビーム露光方法に関し、微小線幅のパターンを高精度にレジストに露光すること。 - 特許庁

The memory cell 10 has a memory cell active region 20 having a minute plane pattern width and a memory cell element isolation region 18.例文帳に追加

メモリセル部１０は、微細な平面パターン幅のメモリセル活性領域２０及びメモリセル素子分離領域１８を有する。 - 特許庁

METHOD OF PREDICTING LINE WIDTH ROUGHNESS AND RESIST PATTERN FAILURE, PROGRAM, APPARATUS, AND USING THE SAME IN LITHOGRAPHY SIMULATION PROCESS例文帳に追加

ライン幅粗さおよびレジストパターン不良を予測する方法、プログラム、および装置、ならびにそのリソグラフィシミュレーションプロセスでの使用 - 特許庁

A resist material exhibiting such properties as the line width of a resist pattern shrinks through irradiation with an electron beam is used.例文帳に追加

レジスト材には、電子線の照射によりレジストパターンの線幅が縮小する性質を示すレジスト材料を使用する。 - 特許庁

Working with the narrow track width is conducted by a sidewall mask method using a film deposited on a sidewall of a dummy pattern as a mask.例文帳に追加

ダミーパターンの側壁に堆積させた膜をマスクとして利用するサイドウォールマスクの方法で狭トラック幅加工を行う。 - 特許庁

The first alignment mark 1 includes a line pattern 1L containing lines 1L_1, 1L_2, ..., 1L_9, the width of which increase in one direction.例文帳に追加

第１アライメントマーク１は、幅が一方向に増大する線１Ｌ_１，１Ｌ_２，…，１Ｌ_９を含むラインパターン１Ｌを有している。 - 特許庁

The second alignment mark 2 includes a space pattern 2S containing gaps 2S_1, 2S_2, ..., 2S_9, the width of which increase in one direction.例文帳に追加

第２アライメントマーク２は、幅が一方向に増大する間隙２Ｓ_１，２Ｓ_２，…，２Ｓ_９を含むスペースパターン２Ｓを有している。 - 特許庁

To provide a method for duplicating a molecular pattern, by which duplicated products with a hyperfine line width can be mass-produced in a short time.例文帳に追加

超微細な線幅の複製品を短時間に大量製造し得る分子パターンの複製方法を提供する。 - 特許庁

Since the width of the conductor pattern at the ends is made narrower, an interrupting quantity of a magnetic field is small to increase the inductive coupling.例文帳に追加

端部の導体パターンの幅を狭くしたので磁界の遮断量も小さくなり、誘導性の結合を大きくできる。 - 特許庁

For example, as shown in Fig.2, the pattern is formed to have a line width of about 100 μm and a thickness of about 150 μm.例文帳に追加

パターンは、例えば図２に示すように、線幅が１００μｍで、厚さが１５０μｍ程度のものを作製できる。 - 特許庁

In the pattern projection aligner or a method therefor, a first exposure mechanism for creating a pattern with thin width, and a second exposure mechanism for creating a pattern with a line width thicker than that of the first exposure mechanism are provided, the relative positional relation between the first and second exposure mechanisms is detected, and pattern exposure is made, based on the detected positional relation.例文帳に追加

パターン露光装置または方法において、線幅の細いパターンの作製が可能な第１の露光機構と、該第１の露光機構よりも線幅の太いパターンの作製を行う第２の露光機構とを備え、該第１の露光機構と該第２の露光機構との相対位置関係を検出し、該検出した位置関係に基づいてパターン露光するように構成する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a resist pattern which meets the requirement that the line width and LWR (Line Width Roughness) of a first resist pattern are not varied by the freezing of the first resist pattern and the formation of a second resist pattern in a double patterning method.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすレジストパターンの表面処理方法およびその表面処理方法を用いたレジストパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

The resist pattern 1 of a rugged mold 21 is transferred onto a resist layer 12 formed on a board 11 through an imprint method, and then the side face of the protrudent pattern of the transferred resist pattern 1 is etched to form a resist pattern 2 equipped with projections 15 having a width w4 narrower than the width w6 of the corresponding recess 23 of the mold 21.例文帳に追加

基板１１上に形成されたレジスト層１２にインプリント法で凹凸形状を有するモールド２１のレジストパターン１を転写した後、転写されたレジストパターン１の凸形状のパターン側面をエッチングすることにより、対応するモールド２１の凹部２３の幅ｗ６よりも狭い幅ｗ４の凸形状１５を有するレジストパターン２を形成する。 - 特許庁

To provide a new detergent for lithography that can keep a low surface tension even when the concentration of a surfactant is decreased, can effectively suppress pattern collapse and defects, can improve uneven pattern width (line width roughness: LWR) and minute recesses and projections (line edge roughness: LER) on a pattern side wall, and prevents a dimensional fluctuation of a resist pattern.例文帳に追加

界面活性剤の濃度を低くしても低表面張力を維持することができ、効果的にパターン倒れやディフェクトを抑制することができ、パターン幅の不均一（ＬＷＲ）・パターン側壁の微小な凹凸（ＬＥＲ）を改善することができ、さらにレジストパターンの寸法変動を生じることのない新規なリソグラフィー用洗浄剤を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which a pattern having high sensitivity and resolution, small line width roughness (LWR), and a superior exposure latitude (EL) and pattern form is formed, to provide a pattern formed by the pattern forming method, and to provide a chemically amplified resist composition used in the pattern forming method, and a resist film formed of the chemically amplified resist composition.例文帳に追加

感度及び解像力が高く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、露光ラチチュード（ＥＬ）及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。 - 特許庁

The pattern manufacturing system comprises exposure to directly draw a resist overlying on a copper foil formed on both the faces of the substrate by using the line width of the pattern line and an exposure amount designated by processing pattern data 100, forming a resist pattern by developing the exposed resist, and forming a pattern by etching the copper foil of both the faces of the substrate forming the resist pattern.例文帳に追加

加工用パターンデータ１００により指定されたパターン線の線幅と露光量を用いて、基板の両面に形成された銅箔上にラミネートされたレジストに直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、レジストパターンが形成された基板の両面の銅箔をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming film pattern which makes it possible to control the line width of a pattern as desired particularly when the pattern having a thick film is formed and, thereby realizing fine pattern and high definition pattern, and to provide a conductive film wiring, an electro-optical device, an electronic appliance and a non-contact card medium obtained by the method for forming film pattern.例文帳に追加

特に膜厚が厚いパターンを形成するにあたって、そのライン幅を所望通りに制御できるようにし、これによってパターンの微細化、高精細化を可能にした膜パターンの形成方法と、この形成方法によって得られる導電膜配線、電気光学装置、電子機器、及び非接触型カード媒体とを提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having good scratch resistance in a developer, excellent in resolution and tenting property, ensuring small variation in line width, providing a high-definition pattern, and excellent in adhesion to a substrate such as a substrate for printed wiring formation, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

現像液中での耐傷性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、線幅のバラツキが小さく、高精細なパターンが得られ、しかもプリント配線形成用基板等の基体との密着性に優れたパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

On this preliminary delivering pattern P, straight lines L constituted of several dots of ink drops I stood in the belt width direction are stood in the belt width direction, and a pair of straight lines L adjoining in the belt width direction are offset in the belt rotating direction.例文帳に追加

この予備吐出パターンＰでは、ベルト幅方向に並んだ数ドットのインク滴Ｉで構成される直線Ｌがベルト幅方向に並び、且つベルト幅方向に隣り合った一対の直線Ｌがベルト回転方向にオフセットしている。 - 特許庁

The average line width, an average space width and an average pitch width are calculated based on a peak interval of an own correlation value in a differential image of the line-and-space pattern, and based on a peak interval corresponding to a line edge on a projection data of the differential image.例文帳に追加

ライン・アンド・スペースパターンの微分画像の自己相関値のピーク間隔や微分画像の投影プロジェクションデータ上のラインエッジに対応したピーク間隔から、平均ライン幅、平均スペース幅、平均ピッチ幅を算出する。 - 特許庁

Copper foil and resist are laminated on a substrate, drawing is directly performed by using the width of the pattern line specified by pattern data for machining for exposure, the exposed resist is developed for forming a resist pattern, and the copper foil on the substrate is etched for forming a formation pattern.例文帳に追加

基板上に銅箔およびレジストを積層し、加工用パターンデータにより指定されたパターン線の線幅を用いて直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、基板上の銅箔をエッチングして形成パターンを形成する。 - 特許庁

By appropriately selecting the interval and thickness of a resist pattern, a fine pattern having a three-dimensional height or a fine pattern having a pattern width equal to or smaller than the resolution of exposure light can be formed in a single lithographic process.例文帳に追加

本発明の構成によれば、レジストパターンの間隔と、レジストパターンの厚みを適宜選択することにより、単一のリソグラフィ工程で、３次元的な高さを持った微細パターンや、露光光の解像限界以下のパターン幅を持った微細パターンを形成することが出来る。 - 特許庁

A part where a diffusion layer 1 of a transistor and a basic pattern OP of a gate pattern overlap with each other is computed, patterns of specific width are formed on both the sides of the overlap part, and both the sides of the pattern are extended to outside the diffusion layer 1 to obtain a pattern P3 of the phase shifter.例文帳に追加

トランジスタの拡散層１とゲートパターンの基本パターンＯＰとの重複部分を算出し、重複部分の両側に所定幅のパターンを生成し、前記パターンの両側を拡散層１外まで延長して、位相シフタのパターンＰ３として生成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a color imaging device by which a pattern shape (three-dimensional shape) sis not collapsed by a film hardening treatment and a pattern width is not widened in the lateral direction even when the pattern of a color filter is a fine pattern of 3 μm×3 μm or less.例文帳に追加

カラーフィルタのパターンが３μｍ×３μｍ以下の微細なパターンであっても、硬膜処理によってパターン形状（立体形状）が崩れることのない、同時に横方向にパターン幅が拡がることのないカラー撮像素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a plating pattern where, in the case the main magnetic pole of a vertical magnetic recording head is formed using a resist pattern by plating, narrowing and fining of the pattern can be attained without causing the deformation in the widening of the pattern width even when the resist pattern is subjected to hydrophilic treatment.例文帳に追加

レジストパターンを使用してめっきにより垂直磁気記録ヘッドの主磁極を形成するといった場合に、レジストパターンに親水処理を施してもパターン幅が広がったりする変形を生じさせることなく、パターンの狭幅化、微細化を達成することができるめっきパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To restrain the lowering of throughput caused by forming a pattern image for correcting density or correcting misregistration between paper and paper by preventing the size in a paper passing width direction of an image forming apparatus from getting large because of forming the pattern image on the outside of maximum paper passing width.例文帳に追加

濃度補正やレジストレーションずれ補正用のパターン画像を、最大通紙幅の外側に形成することによる画像形成装置の通紙幅方向のサイズの増大を防止し、紙間に形成することによるスループットの低下を抑制する。 - 特許庁

For the mask patterns 14a, the pattern width W1 of the inner peripheral part A1 and the outer peripheral part B1 is 1.1-1.2 times of the pattern width W2 of an intermediate part C1 positioned between the inner peripheral part A1 and the outer peripheral part B1.例文帳に追加

マスクパターン１４（１４ａ，１４ｂ）は、その内周部分Ａ１や外周部分Ｂ１のパターン幅Ｗ１が、内周部分Ａ１と外周部分Ｂ１の間に位置する中間部分Ｃ１のパターン幅Ｗ２の１．１〜１．２倍になっている。 - 特許庁

To provide a line width measuring method by which a line width can be measured by automatically detecting a pattern to be measured even if a pattern to be measured, among the patterns formed on a color filter board, is shifted on a pixel edge.例文帳に追加

カラーフィルタ基板に形成されたパターンのうち、測定対象であるパターンが画素端部上で移動した場合でも、測定対象であるパターンを自動検出して線幅を測定することを可能とする線幅測定方法を提供する。 - 特許庁

The system is equipped with a scanning electron microscope 30 for measuring a pattern line width in a vacuum chamber 20 for dry etching so as to carry out intermediate length measurement of a pattern line width while a dry-etched photomask substrate 10 is mounted in the vacuum chamber for dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング用真空チャンバー２０にパターン線幅を測長する走査型電子顕微鏡３０を備え、ドライエッチングしたフォトマスク基板１０をドライエッチング用真空チャンバー内に載置した状態でパターン線幅を中間測長する。 - 特許庁

A table showing the relation between the power supply capacity and the wiring width of the power circuit pattern is installed in the system beforehand, and then the pattern wiring width is calculated from data on part connection information, wiring length, the number of layers, and the power supply capacity, as well as from the the table.例文帳に追加

電源回路パターンの電源容量と配線幅との関係を表すテーブルを予めシステムに設置しておき、部品間接続情報、配線長、層数、電源容量のデータと、上記テーブルからパターン配線幅を演算する。 - 特許庁

To provide a method for forming a line pattern from an original mask by a proximity exposure method in which the width of a line pattern in a black matrix or black stripes can be decreased to around a 6 μm line width by a PB (post baking) processing.例文帳に追加

近接露光方法による原版マスクからのラインパターン形成方法において、ブラックマトリクスあるいはブラックストライプのラインパターンの幅をＰＢ処理において６μｍレベル線幅と微細化して形成することができるパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To enable the formation of a pattern having a finer width which exceeds the limit of dimensional shape such as a film thickness of the layer which is lifted off and is patterned and a cut shape of resist when the pattern having the narrow width is formed by means of the lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法により狭小な幅を有するパターンを形成する際に、リフトオフされてパターニングされる層の膜厚や、レジストの切れ込み形状などの寸法形状の限界を越えた、より微細な幅を有するパターンの形成を可能にする。 - 特許庁

To efficiently prevent variations generating in a pattern dimension after processing even when a spectrum width such as a half-width or the like varies in laser beams illuminating on a photomask formed with a mask pattern, and to enhance a product yield and a throughput.例文帳に追加

マスクパターンが形成されたフォトマスクへ照明されるレーザー光において、半値幅などのスペクトル幅が変動する場合でも、加工後のパターン寸法にバラツキが生ずることを効率的に防止し、製品歩留まりおよびスループットを向上する。 - 特許庁

In a grooved wall panel, a pattern coating film of a width of 0.5-5 mm in a naturally swaying form is formed on the grooves, or a groove-gradating pattern coating film of a width of 15-300 mm is formed in and around the grooves.例文帳に追加

溝加工された壁パネルにおいて、溝部上に幅０．５〜５ｍｍの自然ゆらぎ調形状の模様塗膜又は、溝部ないし溝部周辺に幅１５〜３００ｍｍの溝ぼかし模様塗膜が形成されていることを特徴とする壁パネルとする。 - 特許庁

By means of pattern matching, a position X1 is located at which the width of an illumination area 212 in an arrow Y direction in an inspection area g1 on the binarized image 216 is the minimum width H1.例文帳に追加

パターンマッチングにより、二値化画像２１６上の検査範囲ｇ１における照明範囲２１２の矢印Ｙ方向の幅が最小幅Ｈ１となる位置Ｘ１を特定する。 - 特許庁

as far as not exceeding the maximum sewing width (S50: NO), the unit embroidery region is expanded to width capable of completely including the partial pattern (S51).例文帳に追加

さらに、横方向にはみ出していれば（Ｓ４９：ＹＥＳ）、最大縫製幅を超えない限り（Ｓ５０：ＮＯ）、部分模様が完全に包含される幅までその単位刺繍領域を拡張する（Ｓ５１）。 - 特許庁

To form a resist pattern with a width of not more than 1 μm and a column type structure or a wall type structure with a width of not more than 1 μm on a semiconductor substrate or the like employing an equal-magnification exposure type exposure device.例文帳に追加

等倍露光型露光装置を用いて、半導体基板などに幅１μm以下のレジストパターンおよび幅１μm以下の柱状構造や壁状構造を形成する。 - 特許庁

The width of the peripheral region A_peri is narrower than the conventional width because the bond pad region is not secured but only a part of the bond pad wiring pattern 12 which is in a line form is present.例文帳に追加

周辺領域Ａ_periの幅は、ボンドパッド領域が確保されていなくて、ライン形態である一部のボンドパッド配線パターン１２だけが存在するので、従来と比べて狭くなっている。 - 特許庁

To provide a pseudo-random number pattern generating circuit capable of realizing a high speed operation even when output bit width is increased and easily being designed even when the output bit width is changed.例文帳に追加

出力ビット幅を大きくする場合でも高速動作を実現でき、出力ビット幅を変える場合でも容易に設計することができる擬似乱数パターン発生回路を提供する。 - 特許庁

The high-definition image forming device exhibits a high reproducibility by correcting image data so as to make the light emission pulse width to a prescribed pulse width for an isolated dot pattern.例文帳に追加

孤立ドットパターンの場合に、発光パルス幅が所定のパルス幅になるように画像データを補正することにより、再現性の高い高品位な画像形成形成装置を提供する。 - 特許庁

The original reading apparatus reads the width of the triangle pattern 9A through the scanning of an image sensor and sets a position of the image sensor at which the width reaches a prescribed value as the reference position of the original reading.例文帳に追加

イメージセンサの走査により三角パターン９Ａの幅を読み取り、この幅が所定値になったときのイメージセンサの位置を原稿読み取りの基準位置として設定する。 - 特許庁