「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

After the hard mask patter 70 is formed and before the first side wall 140 is formed, the side surface 52 of the hard mask pattern 70 is inclined in a direction wherein the width of the hard mask pattern 70 becomes narrower upward.例文帳に追加

ハードマスクパターン７０を形成した後、第１のサイドウォール１４０を形成する前に、ハードマスクパターン７０の側面５２を、上に行くにつれてハードマスクパターン７０の幅が狭くなる方向に傾斜させる。 - 特許庁

The switching pattern determination means 16 determines the switching pattern of a switch S11 by conducting the pulse-width modulation by using the phase-voltage command value converted by the phase-voltage command value conversion means 14.例文帳に追加

スイッチングパターン決定手段１６は、相電圧指令値変換手段１４で変換された各相電圧指令値を用いてパルス幅変調を実施することにより、スイッチＳ11，…のスイッチングパターンを決定する。 - 特許庁

A mask pattern 1 including a measurement pattern 2 having the same line width in regions a, b, c which are interposed by peripheral patterns 3, 5, 7 having different aperture ratios of 0%, 50% and 100%, respectively, is formed on a mask.例文帳に追加

マスクに、測定パターン２の同一線幅の領域ａ，ｂ，ｃがそれぞれ、異なる開口率０％，５０％，１００％の周辺パターン３，５，７に挟まれたマスクパターン１を形成する。 - 特許庁

To provide a pattern manufacturing system for suppressing irregularity from occurring on line width of a pattern line by irregularity of thickness of a conductor formed on a substrate, and to provide an exposure device and an exposure method.例文帳に追加

基板上に形成する導体の厚さのばらつきによりパターン線の線幅にばらつきが生じるのを抑えることができるパターン製造システム、露光装置、及び露光方法を提供する。 - 特許庁

According to space frequency characteristics on each portion of the pattern image, a space filter (width which is the column-wise size of a variable window VW, for example) is set for each portion of the pattern image.例文帳に追加

パターン画像の各部分における空間周波数特性に基づき、各部分に対応する空間フィルタ（例えば、可変窓ＶＷの列方向サイズである幅）をパターン画像の各部分ごとに設定する。 - 特許庁

In one side deflection blow pattern and the other side deflection blow pattern, air capacity is different in width direction both sides of a case 2, so that an occupant can perform blow control finer than in the past.例文帳に追加

一方側偏向送風パターン及び他方側偏向送風パターンでは、ケース２の幅方向両側において風量が異なるので、乗員は従来よりも細やかな送風制御が行える。 - 特許庁

To provide a fine pattern forming method for stably forming a pattern of a base film having a width not greater than a resolution limit in a reproductive manner while strongly but easily removing a sacrificial film.例文帳に追加

犠牲膜を、強度を有しながらも容易に除去できるものとし、解像限界以下の幅を持つ下地膜のパターンを再現性良く安定して形成できる微細パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of forming a pattern with an excellent resolution, a wide exposure latitude (EL) and a small line width variation (LWR), a chemical amplification resist composition used in the method, and a resist film.例文帳に追加

解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the pattern film deposition is performed by the PVD method by using a mask having a plurality of wire parts arrayed at the spacing corresponding to the width of the line-like pattern while one wire is bent.例文帳に追加

若しくは、１本のワイヤが折り曲げられて形成され、ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤ部を有するマスクを用いて、ＰＶＤ法によりパターン成膜を行う。 - 特許庁

In a bus pattern design, in the case that a mini-via is disposed in association with an inner layer clearance in the power source layer, whether a power source line of a predetermined width is assured or not between the mini-vias of the bus pattern.例文帳に追加

バスパターン設計において、電源層に内層クリアランスを伴うミニビアが配置された場合には、そのバスパターンのミニビア間に、所定幅の電源ラインが確保されているか否かを判断している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element that can prevent a defect of a print pattern by forming a print pattern formed on a cliche so that its depth varies with the line width.例文帳に追加

クリシェに形成される印刷パターンを、その線幅によって深さが異なるように形成することによって、印刷パターンの不良を防止できる液晶表示素子の製造方法を提供しようとする。 - 特許庁

A display part 50D is constituted of two kinds of parts, i.e., a main display part 50Da of a dot matrix pattern having a height of 32 dots and a width of 96 dots, and an indicator part 50Db of a pattern of 28 pentagonal electrodes.例文帳に追加

表示部５０Ｄは、高さ３２×幅９６のドットマトリックスパターンである主表示部５０Ｄａと、２８個の五角形の電極パターンであるインジケータ部５０Ｄｂの２種類から構成されている。 - 特許庁

Each representation of a design which consists of a repeating surface pattern shall show the complete pattern and a sufficient portion of the repeat in length and width, and shall not be of less size than 17 cm by 12 cm.例文帳に追加

表面繰返し模様から構成される意匠の各表示は完全な模様及び長さ並びに幅についての十分な繰返し部分を示し，寸法が長さ17cm，幅12cm以上でなければならない。 - 特許庁

In the overlap mark as a groove pattern (base 8) having an inner wall covered with a tungsten material 4, the depth and width of the groove pattern (base 8) are set at a value of 1 μm or smaller and at a value not smaller than 3 μm and not larger than 5 μm respectively.例文帳に追加

タングステン４で覆われた内壁を有する溝パターン（下地８）からなる重ね合わせマークにおいて、溝パターン（下地８）の深さを１μｍ以下、幅を３μｍ以上５μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern film, capable of forming a pattern film with a narrower width than the resolution of an exposure machine and a resist used independently of etching at the end.例文帳に追加

最終的にエッチングに依存せずとも、使用される露光機及びレジストの分解能よりも小さな幅を有するパターン膜を形成することができるパターン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition for forming a fine line pattern particularly even when the space width of a line-and-space pattern is wide and excellent also in transparency, sensitivity and resolution to radiation.例文帳に追加

特に、ライン・アンド・スペースパターンのスペース幅が広い場合にも、微細なラインパターンを形成でき、しかも放射線に対する透明性、感度、解像度等にも優れた感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a roller-like developer carrier having an electrode pattern on a surface, which can inexpensively form the electrode pattern which is fine, has uniform line width, hardly causes disconnection, and has high quality.例文帳に追加

微細かつ線幅が均一で断線が生じ難い高品質な電極パターンを安価で形成できる、表面に電極パターンを有するローラ状の現像剤担持体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for generating reference data for performing the inspection of a line width by an APM-PER inspection method using the reference data regardless of a resist pattern or a pattern after etching and re-etching.例文帳に追加

レジストパターンやエッチング後及び再エッチング後のパターンに関わらず、基準データを用いてＡＰＭ−ＰＥＲ検査法による線幅の検査を行うための基準データの生成方法を提供する。 - 特許庁

Grooves 3a and 3b each having a width W1 and formed by digging in a mask substrate 1 are provided on both sides of a light shielding pattern 2 formed on the mask substrate 1 by leaving an interval H1 from the pattern 2.例文帳に追加

マスク基板１上に形成された遮光パターン２の両側に、マスク基板１を掘り込むことにより形成された幅Ｗ１の溝３ａ、３ｂを間隔Ｈ１だけ隔てて設ける。 - 特許庁

To provide a new radiation sensitive composition for color filter not only having sufficient hardening property even with a low exposure but also having an excellent pattern shape, further forming a pixel pattern with a narrow line width.例文帳に追加

低露光量でも十分な硬化性を有するのみならず、パターン形状に優れかつ線幅が狭く画素パターンを形成することができる新規なカラーフィルタ用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To make it possible to prevent deviation from the design of a lithography pattern that is caused by the switching of lithograph devices, when forming a resist pattern that includes a layout with a minimum line width of 100 nm or less.例文帳に追加

最小線幅が１００ｎｍ以下のレイアウトを含むレジストパターンの形成において、描画装置の切り替え作業に起因する描画パターンの設計からのずれを防止することを可能とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern groove, the method facilitating groove formation even for a narrow pattern groove having a groove width of ≤80 μm, and also to provide a method for manufacturing a glass waveguide type optical circuit using the same.例文帳に追加

溝幅が80μｍ以下の狭いパターン溝であっても容易に溝形成が可能なパターン溝の形成方法及びそれを用いたガラス導波路型光回路の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a coating pattern capable of simultaneously measuring the width direction and the conveying direction of the coating pattern and eliminating an influence of distance fluctuation in the optical axis direction.例文帳に追加

塗工パターンの幅方向および搬送方向の測定の同時性を実現し、光軸方向の距離変動の影響も無くすことができる塗工パターンの測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁

For example, a servo pattern 2, a guard space 4, a data burst 3, the guard space 4, the servo pattern 2, the guard space 4, the data burst 3, ... are arranged on a plurality of data bands b0 to b3 provided in a width direction of the magnetic tape 1.例文帳に追加

磁気テープ１の幅方向に複数設けられるデータバンドｂ０〜ｂ３上に、サーボパターン２、ガードスペース４、データバースト３、ガードスペース４、サーボパターン２、ガードスペース４、データバースト３、・・・のように配置されている。 - 特許庁

In a flat gate electrode 5, a base pattern 51 and a top pattern 53 are joined with a narrow joining part 52, and each side groove 54 with a given width is provided on both sides of the joining part 52.例文帳に追加

ゲート電極５は、基部パターン５１と先端パターン５３を細幅の連結部５２を介して接続し、この連結部５２の両側に所定幅の溝部５４を形成した平面形状としている。 - 特許庁

Cell data comprising the major side direction (MSD) pattern width of a critical pattern included in each cell and capable of reducing manufacturing margin for the manufacture of a semiconductor device, the size of the cell and the arrangement position of the cell are prepared in each cell.例文帳に追加

セルに含まれ半導体装置を製造する際に製造マージンが少ないクリティカルパターンの長辺方向のパターン幅とセルの大きさと配置位置を有するセル毎のセルデータを作成する。 - 特許庁

In a lithography method, an original layout with line patterns and pad patterns is designed, and a pad pattern is extracted, and then a first reduction layout which is reduced by a first reduction width relative to the pad pattern layout is obtained.例文帳に追加

ラインパターン及びパッドパターンを含む原本レイアウトを設計して、パッドパターンを抽出した後、パッドパターンのレイアウトに対して第１縮小幅に縮小された第１縮小レイアウトを得る。 - 特許庁

The number of etching factors Ef of the wiring pattern 2 in the subtractive method is 2 to 4, the top width T of the wiring 3 of the wiring pattern 2 is 2 to 6 μm, and a wiring pitch is ≤30 μm.例文帳に追加

サブトラクティブ法における配線パターン２のエッチングファクタEfが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅Tが２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下とする。 - 特許庁

The extension ratio η of the line width when the pattern data of a line conductor is converted into the pattern data of a plating window through CAD/CAM conversion is set higher for a region where the line conductors are distributed coarsely.例文帳に追加

線路導体の図形データを、メッキウィンドウの図形データにＣＡＤ／ＣＡＭ変換する際の線路幅の拡張比率ηを、導体線路が疎に分布する領域ほど大きくなるように設定する。 - 特許庁

A size of a subfield and a width of a pole in a stencil mask are input as parameters, a division line for dividing a pattern data with keeping a hierarchical structure into the subfields is marked, and the pattern is divided into the subfields.例文帳に追加

ステンシルマスクのサブフィールドのサイズと支柱の幅をパラメータ入力し、階層構造を保持したままのパターンデータをサブフィールドに分割するための区切り線を入れ、上記パターンをサブフィールドに分割する。 - 特許庁

To provide an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern excellent in in-plane uniformity (CDU) of line width, and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

線幅の面内均一性（ＣＤＵ）に優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus which converts drawing instructions on the basis of the width in a main scanning direction of a figure pattern constituting a gradation pattern, and also to provide an image forming apparatus which is equipped with the image processing apparatus.例文帳に追加

グラデーションパターンを構成する図形パターンの主走査方向における幅を基準に描画命令の変換を行う画像処理装置およびそれを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

Then, in a region of the first region A, wherefrom a mask pattern 16 for forming an activated region is excluded, there is modified and designed the layout of a first quasi mask pattern 40a for forming a first quasi-activated region having a width which is not smaller than the predetermined width in a semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、この第１領域Ａのうち活性化領域形成用マスクパターン１６外の領域に、半導体下地に所定幅以上の幅を有する第１の疑似の活性化領域を形成するための第１疑似マスクパターン４０ａのレイアウトを修正設計する。 - 特許庁

To provide a conductive film pattern forming method wherein disconnection, especially at a region where the width changes, is prevented in a process of forming on a receptor layer a conductive film pattern continuous but with a change in width; and to provide a wiring board, an electronic device, an electronic apparatus, and a noncontact type card medium.例文帳に追加

受容層上に連続した幅の異なる部分を有する導電膜パターンを形成する場合に、特に幅が変化する部分での断線を防止した、導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体を提供する。 - 特許庁

The first antenna pattern 11 is a repetitive pattern of triangle waves comprising a thin and long line with a prescribed amplitude L(11) drawn by a conductor thin film 11a with a prescribed line width w and a pitch P(11) of each triangle waveform is selected about thrice the line width w of the dielectric thin film 11a.例文帳に追加

第１アンテナパターン１１は一定線幅ｗの導電体薄膜１１ａにより描かれた細長い一定振幅Ｌ（１１）の三角波形の繰り返しパターンであり、各三角波形のピッチＰ（１１）が誘電体薄膜１１ａの線幅ｗの約３倍とされている。 - 特許庁

The mold for resin molding is a sheet made of 4-methyl-1-pentene base polymer, at least the surface of one side of which a micro-pattern comprising of a pattern having tongues and/or grooves is provided under the condition that the tongue width and/or the groove width is 10 nm-50 μm.例文帳に追加

少なくとも片方の表面に微細パターンを有し、その微細パターンが凸部および／または凹部を有するパターンからなり、その凸部および／または凹部の幅が１０ｎｍ〜５０μmである、４−メチル−１−ペンテン系重合体を含む樹脂からなるシート、そのシートである樹脂成形用モールド。 - 特許庁

Moreover, since e.g. by connecting the outer four from the outermost wiring pattern 24a as dummy wirings 24b to form a reinforcement part 26 with a width E larger than the width D of the outermost wiring pattern 24a, the wiring pattern 24 can withstand the stresses of kinks or the like, with respect to the liquid crystal panel 2 of a flexible substrate 3.例文帳に追加

また、最外側の配線パターン２４ａから例えば外側に４本をダミー配線２４ｂとして、それらを繋ぎ、当該最外側の配線パターン２４ａの幅Ｄより幅広Ｅとなる補強部２６とすることで、当該配線パターン２４をフレキシブル基板３の液晶パネル２に対する捩れなどによるストレスにも耐えられるようにできる。 - 特許庁

In the method of manufacturing an exposure mask which is used to perform pattern exposure with a high resolution by shifting the phase of light transmitting both sides in the line width direction of a mask pattern, high-precision patterns requiring line width precision and high-resolution patterns requiring pattern exposure with high resolution are extracted from gate patterns (design patterns) (S2).例文帳に追加

マスクパターンの線幅方向両側を透過する光の位相をシフトさせることで高解像度のパターン露光を行う際に用いられる露光マスクの作製方法であって、ゲートパターン（設計パターン）の中から、線幅精度が要求される高精度パターンと、高解像度でのパターン露光が要求される高解像度パターンとを抽出する（Ｓ２）。 - 特許庁

On an image-transferred object 8, a colored patch pattern TK is formed at a position corresponding to an opposed position with respect to detecting means for detecting a toner adhesion amount, and a transparent patch pattern TW is formed in an area in a width direction other than the opposed position in such a manner that an image area ratio in the width direction parallel to the colored patch pattern TK is variable.例文帳に追加

被転写体８においてトナー付着量を検知する検知手段との対向位置に対応する位置に有色パッチパターンＴＫを形成して、その対向位置を除く幅方向の範囲において有色パッチパターンＴＫに並列する幅方向の画像面積率を可変して透明パッチパターンＴＷを形成する。 - 特許庁

When the birefringence is 1.2 nm/cm or less, a pattern including an isolated line is exposed; when the birefringence is 2 nm/cm or less, a pattern including dense lines is exposed with high control accuracy of the line width; and when the birefringence is 4 nm/cm or less, a pattern containing dense lines is exposed at regular control accuracy of the line width.例文帳に追加

複屈折量が１．２ｎｍ／ｃｍ以下の場合には、孤立線を含むパターンを露光し、複屈折量が２ｎｍ／ｃｍ以下の場合には、密集線を含むパターンを高い線幅制御精度で露光し、複屈折量が４ｎｍ／ｃｍ以下の場合には、密集線を含むパターンを通常の線幅制御精度で露光する。 - 特許庁

In a portion of a ground solid pattern 121 of a ground layer 12 wherein it overlaps with the oscillation circuit pattern 161 of the wiring layer 16 when projected in a substrate vertical direction, a pattern punch is formed 122 wherefrom a portion of the same width or a larger range of the oscillation circuit pattern 161 is removed.例文帳に追加

また、グランド層１２についても、グランドベタパターン１２１のうち配線層１６の発振回路パターン１６１と基板垂直方向に投射したときに重なる部分について当該発振回路パターン１６１と同一幅またはそれよりも広範囲の部分を除去したパターン抜き部１２２を形成するようにしている。 - 特許庁

The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part.例文帳に追加

プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition enabling a pattern to be formed, the pattern having improved line width roughness, remedied development defects and pattern collapse and exhibiting good conformability to an immersion liquid in immersion exposure, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス、現像欠陥並びにパターン倒れが改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method which, in double patterning, can form a second resist pattern while retaining a first resist pattern without dissolving the first resist agent in the second resist agent, and which can suppress a line width variation of the first resist pattern and is suitably adopted even for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

ダブルパターニングにおいて、第二のレジスト剤に第一のレジスト剤が溶解することなく、第一のレジストパターンを保持したまま第二のレジストパターンを形成することができ、更には第一のレジストパターンの線幅変動を抑制することができ、液浸露光プロセスにも好適に採用されるレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a conductive pattern manufacturing method which does not visibly recognize a conductive pattern even if a width of an insulation processing region is widened by partly insulating a transparent conductive layer when the conductive pattern is formed and which is capable of obtaining a conductive pattern having stable electric performance by surely insulating an insulating part.例文帳に追加

透明な導電層を部分的に絶縁化して導電パターンを形成する際に絶縁化処理の領域の幅を広くしても、導電パターンが視認されず、また、絶縁部を確実に絶縁させて安定した電気的性能を有する導電パターンを得ることができる導電パターンの製造方法を提供する。 - 特許庁