「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the pattern part 12b is formed into a pattern having a large width, and its heating value is set lower than that of the pattern part 12a to prevent occurrence of temperature irregularity, so that separation of the heating element 12 from the board 11 based on the difference of the thermal expansion rates can be prevented.例文帳に追加

湾曲パターン部１２ｂは幅広のパターンに形成され、直線状パターン部１２ａの発熱量よりも発熱量が小さくなり温度ムラも発生しにくいので熱膨張率の差に基づく抵抗発熱体１２の基板１１からの剥離を防止できる。 - 特許庁

To provide a metal mask, which is made of a metal layer and is employed for a fabric-free printing and which develops no tendency for becoming thickening from the end part of a line pattern to its central part in the line pattern made of printing material obtained by printing and consequently the line pattern with a desired line width can be formed.例文帳に追加

金属層からなる、紗を用いない印刷用のメタルマスクで、印刷して得られる印刷材料からなるラインパターンにおいて、ラインパターンの端部から中央部にかけて線太になる傾向が見られず、所望のライン幅のラインパターンを形成できるメタルマスクを提供する。 - 特許庁

A scaling parameter is prepared as a parameter for determining a pattern generation space to be cut, and a plurality of cross-sections whose width is different on a pattern generation space are acquired by using the scaling parameter, and the density patterns of cloud to be acquired from the respective cross-sections are combined, so that one composite pattern can be searched.例文帳に追加

パターン生成空間のどこを切り取るかを決めるパラメータとしてスケーリングパラメータが用意されており、スケーリングパラメータを利用してパターン生成空間上での広さが異なる複数の断面を取得して、各断面から得られる雲の濃さパターンを合成して１の合成パターンを求めている。 - 特許庁

The second layer 103 is a layer in which a scoop-shaped conductor pattern along the width center of conductor patterns in the first layer 102 and the third layer 104 and an L-shaped conductor pattern 111 used to form a loop 117 so as to face the bent part of the J-shaped conductor pattern 106 are arranged.例文帳に追加

第２層１０３は、第１層１０２及び第３層１０４の導体パターンの幅中心に沿って柄杓型導体パターンと、Ｊ字状導体パターン１０６の屈曲部と向かい合ってループ１１７を形成するようなＬ字状導体パターン１１１とを配した層である。 - 特許庁

To provide a feed width-aligning lamination method for controlling a shim or a pattern joint so as not to overlap the same with a pattern printed later when the film having the pattern or the like formed thereto by a hologram or metal vapor deposition is laminated on a sheet.例文帳に追加

本発明は、ホログラムや金属蒸着の模様等が形成されたフィルムを枚葉紙にラミネートする際に、シムまたは柄の繋ぎ目が後から印刷する絵柄にかからないように制御する送り幅合わせラミネート方法および送り幅合わせラミネート装置に関するものである。 - 特許庁

Based on predetermined specific pattern representing an intrinsic number of the device, a tracking pattern generation part 410 outputs direction signals MKON or MKOFF to change the pulse width of a pulse corresponding to the drawing position of a specific pattern in the pulse train signals VDO.例文帳に追加

追跡パターン発生部４１０は、予め決められた、当該装置の固有番号を表す特定パターンに基づいて、パルス列信号ＶＤＯのうちの特定パターンの描画位置に対応するパルスのパルス幅を変更するための指示信号ＭＫＯＮ，ＭＫＯＦＦを出力する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition having an improving effect on a margin for exposure (particularly a margin for exposure through a repetitive pattern, a so-called dense pattern) in the production of a semiconductor device, that is, suppressing the variation of the line width of the isolated lines of a dense line pattern when light exposure amounts are varied.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、露光マージン（特に繰り返しパターン、いわゆるdenseパターンの露光マージン）に対する改善効果がある、すなわち露光量を変化させたときの、denseラインパターン孤立ラインの線幅変動が小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

This warp knitting machine also includes pattern guide elements 30 for guiding patterning yarns constituting patterns of the knitted fabric and a driving unit 34 functioning to arrange the pattern guide elements 30 at predetermined pitches correspondingly to the part of the ground guide bar 26 and making the pattern guide elements 30 movable to any positions within the width of the ground guide bar 26.例文帳に追加

編地の柄を構成する柄糸を導糸する柄ガイドエレメント３０と、柄ガイドエレメント３０を所定ピッチで地ガイドバー２６の一部分に対応して配置し、柄ガイドエレメント３０を地ガイドバー２６に対してその幅内の任意の位置に移動可能にする駆動装置３４を設ける。 - 特許庁

A fine slit pattern structure of a predetermined shape is executed in respective printing elements and/or dots of a line drawing and/or a dot pattern on a basic image A expressing the face image of a person by continuously changing the printing element width or the diameter of the line drawing and/or the dot pattern.例文帳に追加

線画及び／又はドットパターンにおける画線幅や直径を連続的に変化させて人物の顔画像を表現した基本画像Ａに対して、前記線画及び／又はドットパターンのそれぞれの各画線内及び／又は各ドット内に一定形状の微小スリットパターン構造を施す。 - 特許庁

Further, the pattern width W of the resist pattern 3a for the mark for exposure position confirmation is less than the thickness of the conductor layer, and when the conductor layer is processed by the wet etching, the conductor layer 3a positioned below the resist pattern 4a for the mark for exposure position confirmation is removed.例文帳に追加

また、露光位置確認マーク用レジストパターン３ａのパターン幅Ｗは導電体層の厚さ以下であり、導電体層をウェットエッチングした際に、露光位置確認マーク用レジストパターン４ａの下に位置する導電体層３ａが除去されることを特徴とする。 - 特許庁

After the line width or the like of the resist pattern is measured (step 11) by recognizing the pattern after developing (step 10), the measured result is fed forward to etching (step 13) to be performed later and by performing etching in optimal treatment conditions, the precise circuit pattern can be finally formed.例文帳に追加

現像（ステップ１０）後のレジストパターンを認識してパターンの線幅等を測定した後（ステップ１１）、この測定結果をその後に行われるエッチング処理（ステップ１３）にフィードフォワードし、最適な処理条件でエッチング処理を行うことにより、最終的に精密な回路パターンを形成することができる。 - 特許庁

The photomask has a plurality of mutually independent light shielding patterns provided to a transparent substrate and a connection pattern which electrically connects them, and the connection pattern has such a width that the pattern is not transferred in a photolithography stage, and is transparent.例文帳に追加

本発明のフォトマスクは、透明基板に設けられている相互に独立した複数の遮光パターンと、これらの遮光パターン間を電気的に接続する接続パターンを有し、前記接続パターンは、フォトリソグラフィ工程で転写されない幅であり、かつ半透明であることを特徴とする。 - 特許庁

Also, by arranging the main seal pattern 2 by bending it in the corrugated shape in the line width of a conventional straight pattern, the peeling load of the main seal pattern 2 per unit area of glass is improved and the serious defect of seal peeling is hardly induced in the process of cutting stuck glass into a panel individual piece size.例文帳に追加

また、本シールパターン２を従来の直線パターンの線幅で波状に曲げて配置することにより、ガラスの単位面積当たりの本シールパターン２の剥離荷重が向上し、貼り合わせガラスをパネル個片サイズに切断する工程において、シール剥離という重大欠陥を誘発しにくくなる。 - 特許庁

The membrane heat-sensing member 46 mounted on the holding member constituted of the insulating film is formed into a zigzag pattern shape, having curved folding-back parts D, and the cross section of the pattern width (w) of the pattern shape is formed into a trapezoidal shape having inclined surfaces 46d formed to both ends.例文帳に追加

絶縁膜で構成する保持部材上に搭載する薄膜熱感知体４６を、湾曲した折り返し部Ｄを有する九十九折りのパターン形状に形成し、そのパターン幅ｗの断面を、両端に傾斜面４６ｄをもたせた台形形状に形成する。 - 特許庁

The dielectric mask comprises a pair of dielectric films 2a, 2b specifying the first and the second regions where a pattern width at the first region is narrower than a pattern width at the second region, and dielectric films 4a, 4b provided at both sides of the dielectric films 2a, 2b at the first region.例文帳に追加

誘電体マスクは、上記第１の領域におけるパターン幅が上記第２の領域におけるパターン幅より狭い、該第１および第２の領域を規定する一対の誘電体膜２ａ、２ｂと、上記第１の領域において、誘電体膜２ａ、２ｂの両側に設けられた誘電体膜４ａ、４ｂとからなる。 - 特許庁

To provide an exposure mask, which includes a plurality of mask portions for forming wiring lines, the mask portions arranged parallel to one another and each having a width equal to or less than the minimum line width dimension determined by the resolution of an exposure apparatus, and which can give a wiring pattern made of a resist material having the same height while preventing the pattern from partially thinning.例文帳に追加

露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マスク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細くならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

A first processing condition of first processing processes S22-S25 is corrected based on a measurement value of the line width of the second resist pattern formed on one substrate, and a second processing condition of second processing processes S26-S29 is corrected based on a measurement value of the line width of the first resist pattern formed on one substrate.例文帳に追加

一の基板に形成された第２のレジストパターンの線幅の測定値に基づいて、第１の処理工程Ｓ２２〜Ｓ２５の第１の処理条件を補正し、一の基板に形成された第１のレジストパターンの線幅の測定値に基づいて、第２の処理工程Ｓ２６〜Ｓ２９の第２の処理条件を補正する。 - 特許庁

The signal pattern for the magnetic transfer 10 has signals by the bit strings 11, 12 which are adjacently arranged in a track width direction r, wherein the bit string signals 11a, 112a adjacently arranged in the track width direction r are connected by a diagonal pattern 115 where an inclination angle θ relative to a direction where the gap 15a of a magnetic head 15 is extended is 20-70°.例文帳に追加

トラック幅方向ｒに隣接して配置されたビット列11，12による信号を有する磁気転写用信号パターン10において、トラック幅方向ｒに隣接配置されたビット列信号111a,112aを、磁気ヘッド15のギャップ15aが延びる方向に対する傾斜角度θが２０〜７０゜の斜めパターン115で連結してなる。 - 特許庁

A first photomask 11 drawn only with a first circuit pattern A of a line width of a prescribed value or below among the plural circuit patterns having electrodes and wiring and a second photomask 12 drawn only with the second circuit pattern B having the line width larger than the prescribed value among the plural circuit patterns are formed.例文帳に追加

電極及び配線を有する複数の回路パターンのうちライン幅が所定値以下である第１の回路パターンＡのみが描かれた第１のフォトマスク１１と、複数の回路パターンのうちライン幅が所定値よりも大きい第２の回路パターンＢのみが描かれた第２のフォトマスク１２と作成する。 - 特許庁

The adjustable inductance filter is provided with a filter wiring line with first line width having a first end and a second end, at least one repair pattern with second line width that are arrayed between the first end and the second end of the filter wiring line, and at least one unit filter bank connected in parallel with the repair pattern.例文帳に追加

第１端部及び第２端部を備え、第１線幅を持つフィルタ配線ラインと、フィルタ配線ラインの第１端部と第２端部との間に配列され、第２線幅を持つ少なくとも一つのリペアパターンと、リペアパターンと並列に連結される少なくとも一つの単位フィルタバンクと、を備える調節可能なインダクタンスフィルタ。 - 特許庁

Since influences of charge-up in the measurement pattern 2 vary by the presence of peripheral patterns 3, 5, 7 having different aperture ratios, the line width of the pattern 2 is measured in the regions a, b, c to obtain differences in the line width among the regions a, b, c and to calculate a measurement error due to charge-up.例文帳に追加

異なる開口率の周辺パターン３，５，７が存在することで測定パターン２に対するチャージアップの影響が変化するので、各領域ａ，ｂ，ｃにおける測定パターン２の線幅測定を行い、領域ａ，ｂ，ｃ間で生じる線幅の差を求め、チャージアップによる測定誤差量を算出する。 - 特許庁

The second aperture 2a and the first aperture 5a are separately adjusted based on the line width data and the line width density difference data of the pattern transferred by the aligner onto a wafer 6, and this changes the optical intensity of the image plane on the wafer 6 for the adjustment of the density of the resist pattern to be transferred onto the wafer 6.例文帳に追加

この露光装置によってウェハ６上へ転写したパターンの線幅データおよび線幅疎密差データに基づいて、第２の開口２ａおよび第１の開口５ａをそれぞれ調整することにより、ウェハ６上の結像面での光強度を変化させ、ウェハ６上に転写されるレジストパターンの疎密性を調整する。 - 特許庁

A plurality of stripe type electrode patterns 8 formed to have a wider pattern width than the width of a space 10 is arranged so that the liquid crystal molecules are oriented in the pattern longitudinal direction when the polymerizable components mixed in the liquid crystal layer 24 while applying the voltage to the liquid crystal display layer 24 are solidified to form the polymer.例文帳に追加

液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン８が配列している。 - 特許庁

A line screen frequency is set so as to satisfy a relational expression relating to the line screen frequency between a width of a second area in a pattern corresponding to the largest gradation value in the first screen group and a width of the first area in a pattern corresponding to the smallest gradation value in the second screen group.例文帳に追加

スクリーン線数は、第１スクリーン群のうち最も高い階調値に対応するパターンにおける第２領域の幅と、第２スクリーン群のうち最も低い階調値に対応するパターンにおける第１領域の幅との間のスクリーン線数に関連する関係式を満足するように設定されている。 - 特許庁

A pattern detecting section 50 detects whether or not a line is a vertical line in a width of one dot based on a target pixel and a pattern of two-bit data of a peripheral pixel adjacent thereto in a main scanning direction and a data converting section 60 converts multi-value data of the pixel forming the vertical line to light emission data so as to enlarge the width of the vertical line.例文帳に追加

パターン検出部５０は注目画素とその主走査方向に隣接する周辺画素の２ビットデータのパターンに基づいて１ドット幅の縦線か否かを検出し、データ変換部６０は縦線の幅が太くなるようにその縦線を構成する画素の多値データを発光データに変換する。 - 特許庁

Then, the wiring width concerned is compared with a wiring width at a reference position corresponding to the measurement position of a confirming pattern that becomes a comparison reference being stored in a reference image memory 7 by a comparison circuit 8, and the presence or absence of a defect in the pattern to be inspected is judged based on a compared result by a judgment circuit 9.例文帳に追加

そして、比較回路８にて当該配線幅と基準画像メモリ７に記憶されている比較基準となる良品パターンの前記測定位置と対応する基準位置での配線幅とが比較され、判定回路９で比較結果に基づいて被検査パターンにおける欠陥の有無が判定される。 - 特許庁

In the pneumatic tire 10, a tread of the tire is provided with an asymmetric tread pattern for designating an inner side and an outer side in attachment and the tread pattern has a plurality of sipes 22 on a rib or a block 20 and has a narrow block 20 row having narrower width than the width of a rib of a central part or the blocks 20b, 20c.例文帳に追加

空気入りタイヤ１０において、タイヤ１０のトレッドは装着時に内側、外側を指定する非対称トレッドパターンを備え、このトレッドパターンは、リブ又はブロック２０に複数のサイプ２２を有し、かつセンター部のリブ又はブロック２０ｂ、２０ｃの幅よりも幅の狭い幅狭ブロック２０ｄ列を有する。 - 特許庁

A plurality of stripe-like electrode patterns 8 in which a pattern width is formed to be wider than a width of a space 10, are arranged so that the liquid crystal molecule is aligned in a longitudinal direction of the pattern when the polymer is formed by solidifying a polymerizable component mixed in the liquid crystal layer 24 while a voltage is applied to the liquid crystal layer 24.例文帳に追加

液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン８が配列している。 - 特許庁

The reference image generation part 3 calculates gradation values of respective pixels according to the number of subpixels belonging to patterns expanded in the respective pixels and regards the frequency values, obtained by dividing the gradation values by the number of gradation steps, as the width of the patterns expanded in the pixels to calculate the pattern width of the measured pattern and reference data.例文帳に追加

参照画像生成部３は、各画素内に展開されたパターンに属するサブ画素数に基づいて各画素の階調値を算出し、階調値を階調ステップ数で割った回数値をその画素内に展開されたパターンの幅として、被測定パターンと参照データのパターン幅を算出する。 - 特許庁

A plurality of stripe type electrode patterns 8 formed to have wider pattern width than width of a space 10 is arranged so that the liquid crystal molecules are oriented in a pattern longitudinal direction when polymerizable components mixed in the liquid crystal layer 24 while applying voltage to the liquid crystal display layer 24 are solidified to form the polymer.例文帳に追加

液晶層２４に電圧を印加しながら液晶層２４中に混合された重合性成分を固化してポリマーを形成する際に液晶分子がパターン長手方向に配向するように、スペース１０の幅よりパターン幅の方が広く形成された複数のストライプ状電極パターン８が配列している。 - 特許庁

The mask stripes 22 are belt- like members of the same width, and disposed in a sun-shade screen at same intervals, and a large number of belt-like pattern apertures 24 having the same width and length are demarcated by the mask stripe 22 adjacent to each other.例文帳に追加

マスクストライプ２２は、同じ幅の帯状部材であって、同じ間隔ですだれ状に配列され、相互に隣合うマスクストライプ２２によって多数個の同じ幅で同じ長さを有する帯状パターン開口２４が区画されている。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has improved performance of Line Width Roughness and Depth of Focus and also adapted to a liquid immersion process with a line width of ≤45 nm, and to provide a pattern forming method employing the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス、デプスオブフォーカスの性能が改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A metallized pattern 3 is formed on the upper surface of a mount 2 that is made of a pyrogenic conductive material such as ceramics, the width is set nearly equal to the width of a light-emitting device 1, and the length is set shorter than a length L of the light-emitting device 1 by α.例文帳に追加

セラミックス等の高熱伝導材料から成るマウント２の上面にメタライズパターン３を形成し、その寸法を幅は発光素子１の幅と略等しく、長さは発光素子１の長さＬよりαだけ短くしておく。 - 特許庁

Second and third patterns having a second width that is different from a first one are arranged at a fixed distance in the first direction of the first pattern that is arranged in a fixed cycle in the first direction and has the first width.例文帳に追加

第１の方向に一定の周期で配置され第１の幅を有する第１のパターンのその第１の方向に一定の距離を離して、第１の幅と異なる第２の幅を有する第２と第３のパターンを配置する。 - 特許庁

To easily form optimum mask patterns for ordinary exposure at the time of forming circuit patterns of the smallest line width corresponding to the line width of fine line patterns by the multiple exposure of fine line pattern exposure and the ordinary exposure.例文帳に追加

微細線パターン露光と通常露光との多重露光によって微細線パターンの線幅に対応する最小線幅の回路パターンを形成する際の、前記通常露光用として最適なマスクパターンを容易に作成する。 - 特許庁

An original pattern 10, which is formed on an Si substrate that is to serve as an epitaxial wafer, is so regulated in a line width dx in the direction of an X-axis and a line width dy in the direction of a Y-axis as to compensate for anisotropy in epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャルウエハの元になるＳｉ基板上に形成する原パターン１０で、エピタキシャル成長の異方性を補償するように、Ｘ軸方向の線幅ｄｘとＹ軸方向の線幅ｄｙとを調整する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which a pattern excellent in exposure latitude (EL) and line width variance (LWR) or CD (critical dimension) uniformity (CDU) is formed; to provide a pattern formed by the same; to provide a chemically amplified resist composition used in the pattern forming process; and to provide a resist film formed from the resist composition.例文帳に追加

露光ラチチュード（ＥＬ）と、線幅バラツキ（ＬＷＲ）又はＣＤ（クリティカルディメンジョン）均一性（ＣＤＵ）とに優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該レジスト組成物により形成されたレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent and a resist composition for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating due to the freezing process and the formation of the second resist pattern and resist composition and to provide a pattern formation process by use of them.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅及びＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤、レジスト組成物およびそれらを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The other second antenna pattern 12 is a repetitive pattern of triangle waves comprising a thin and long line with a prescribed amplitude L(12) drawn by a conductor thin film 12a with the prescribed line width w and formed to a region corresponding to the forming region of the first antenna pattern 11 in a state of being orthogonal to the first antenna pattern 11.例文帳に追加

他方の第２アンテナパターン１２も一定線幅ｗの導電体薄膜１２ａにより描かれた細長い一定振幅Ｌ（１２）の細長い三角波形の繰り返しパターンであり、第１アンテナパターン１１の形成領域に対応する領域に形成されており、しかも、当該第１アンテナパターン１１とは直交する状態に形成されている。 - 特許庁

The spaces which are formed between the ends of the first conductive pattern 1a and the second conductive pattern 2a and have a prescribed width or below are removed from the original patterns consisting of the plural conductive patterns, by which the first patterns connected with the ends of the first conductive pattern 1a and the second conductive pattern 2a are drawn on the first photomask A.例文帳に追加

第１のフォトマスクＡには、複数の導電パターンよりなる元パターンから、第１の導電パターン１ａと第２の導電パターン２ａの端部との間に形成され且つ所定値以下の幅を持つスペースが除去されることにより、第１の導電パターン１ａと第２の導電パターン２ａの端部とが接続された第１のパターンが描かれている。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process being applied to the first resist pattern in a double patterning method and satisfying the requirements for preventing line width and LWR of the first resist pattern from fluctuating owing to the freezing process and the formation of the second resist pattern, and also to provide a pattern formation method by use of it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの線幅とＬＷＲが変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれおよびそれを用いたパターン形成方法を提供すること - 特許庁

To provide a surface treatment agent for a freezing process that meets the requirement that (1) the line width of a first resist pattern does not fluctuate and (2) the line edge roughness (LER) of the first resist pattern does not deteriorate, by a freezing process in a freezing process that is applied to the first resist pattern in a double patterning method, and a pattern forming method using it.例文帳に追加

ダブルパターニング法における第一のレジストパターンに対して行うフリージングプロセスにおいて、フリージング処理によって、（１）第一のレジストパターンの線幅が変動しない、（２）第一のレジストパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が悪化しない、という要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus in which a pulse width corresponding to a code being generated from a pattern detecting circuit can be set such that an image output comprising a set of dot patterns has the same density even if a code being generated from the pattern detecting circuit is different due to positional relation of an image pattern and a pattern detection matrix.例文帳に追加

画像パターンとパターン検出マトリクスとの位置関係によってパターン検出処理回路で生成されるコードが異なる場合でも、同じ網点パターンの集合からなる画像出力の濃度が同じとなるようにパターン検出処理回路が生成するコードに対応したパルス幅の設定を行なえる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide glass paste which can realize a coating film having a reflectance with less variation even after execution of coating and thermal treatment and which can offer a pattern with less variation in its bottom width when using the glass paste as an underlying layer in pattern processing by a photolithographic method.例文帳に追加

塗布、加熱処理を行った後も塗布膜の反射率のばらつきが少なく、フォトリソグラフィ法によりパターン加工を行う際の下地層として用いた場合に、パターンの底部幅のばらつきの少ないガラスペーストを提供する。 - 特許庁

To obtain a coating device for applying a prescribed belt-like pattern on both surfaces of continuous paper at a low cost, the coating device capable of applying the belt-like pattern on the optional position of the continuous paper in the travelling direction and the width direction.例文帳に追加

連続紙の両面に所定の帯状パターンを塗工する塗工装置を安価に得ることができると共に、連続紙の走行方向と幅方向にわたる任意の位置に帯状パターンを塗工できるようにする。 - 特許庁