「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has good line width roughness (LWR) performance and forms a pattern with suppressed application defects, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能が良好であり、且つ塗布欠陥が抑制されたパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method and a resist film using the same, which form a pattern satisfying high sensitivity, high resolution and favorable line width roughness at the same time.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネスを同時に満足するパターンを形成することが可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法並びにレジスト膜の提供。 - 特許庁

The engine stall evaluation part 32 generates a fall width maximum pattern such that the time when the engine speed reaches the minimum value due to each factor change agrees with all factor changes, and executes the evaluation with the pattern.例文帳に追加

エンスト評価部３２は、更に、個々の要因変化に起因して機関回転数が最低値となる時期が全ての要因変化について一致するような落ち込み幅最大パターンを生成し、そのパターンでの評価を実行させる。 - 特許庁

This electron beam transfer and exposure method is a method wherein the worst value of the beam edge resolution 61 of an electron optical system for projecting a pattern on a reticle on a responsive substrate is 0.9 to 1.0 times wider than the narrowest line width of an electron beam in the pattern.例文帳に追加

本発明の電子ビーム転写露光方法は、レチクル上のパターンを感応基板上に投影する電子光学系のビームエッジ分解能６１の最悪値がパターン中の最小線幅の０．９〜１．０倍である。 - 特許庁

According to the container with the solid pattern, a thick heapy ink layer 30 is formed over a flat pattern 20 attached on the surface of the container, where the width of the ink layer 30 is limited to a range of 0.5 to 5 mm.例文帳に追加

容器表面に付された平面的な模様２０の上に厚盛りインキ層３０を重ねた立体模様付き容器において、厚盛りインキ層３０の幅を、ほぼ０．５〜５ｍｍの範囲に限定したことを特徴とする。 - 特許庁

After patterning is carried out so that the dielectric film 12 and the oxide film 13 have the same pattern, the oxide film 13 is selectively etched starting from the dielectric film 12 and the oxide film 13 is formed to a pattern whose width is smaller than that of the dielectric film 12.例文帳に追加

絶縁膜１２及び酸化膜１３が同じパターンとなるように、パターニングした後に、酸化膜１３を絶縁膜１２から選択的にエッチングし、酸化膜１３を絶縁膜１２よりも小さな幅のパターンに形成する。 - 特許庁

To provide an MR thin film magnetic head manufacturing method capable of very accurately controlling an overlap volume without making manufacturing processes complicated and a new photoresist pattern forming method capable of easily obtaining a photoresist pattern of narrow width.例文帳に追加

工程を複雑化することなくオーバーラップ量を高精度に制御可能なＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び狭い幅を有するフォトレジストパターンを容易に得ることができる新規なフォトレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A photosensitive film pattern 24 is formed on a semiconductor substrate 21 on which a prescribed electrically conductive layer 22 has been formed and the line width of the pattern 24 is reduced using oxygen radicals generated by the thermal decomposition reaction of gaseous ozone.例文帳に追加

所定の電導層２２が形成された半導体基板２１上に感光膜パターン２４を形成し、オゾンガスの熱分解反応により発生される酸素ラジカル成分を用いて上記感光膜パターン２４の線幅を微細化させる。 - 特許庁

Meanwhile, in a PWM processing section, a latent image is modified in pulse width with reference to a PWM pattern table in which the print color data before the gradation conversion is made to correspond to the PWM pattern.例文帳に追加

そして、濃度補正処理部１４７及びディザ処理部１５１で印刷色データの階調が変換され、階調変換後の印刷色データからオブジェクト生成部１５３とレンダリング部１５５において潜像画像が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of forming a TEG pattern by preventing that the monitoring result has an error without reducing the monitored items and without making the width of the scribing region larger by utilizing a dummy pattern.例文帳に追加

ダミーパターンを利用することで、モニタ項目を削減することなく、且つスクライブ領域の幅を広げることなく、且つモニタ結果に誤差が含まれる事を防止して、ＴＥＧパターンを形成できる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The control system also can be operated so as to measure width of the liquid spray pattern and deviation of the liquid spray pattern from a nozzle center line of the liquid distribution system and when measured value is not within a tolerance range, alarm is given.例文帳に追加

制御システムは、また、液体スプレーパターンの幅と、液体分配システムのノズル中心線に対しての液体スプレーパターンの偏りとを測定すべく作動可能であり、それらの測定値が許容範囲外にあるならば、警告を与える。 - 特許庁

To provide a wiring pattern having a substantially identical wiring width by using a super resolution technology able to realize a fine pattern beyond the resolution of an exposure apparatus by combining process technologies without raising the resolution limit of the exposure apparatus.例文帳に追加

露光装置の解像度を超える微細パターンを、露光装置の露光限界を上げることなくプロセス技術を組み合わせて実現する超解像技術を用いて、略同一の配線幅を有する配線パターンを提供する。 - 特許庁

A writing function part 10 is constituted of a coil conductor 12, a 2nd soft magnetic film pattern 14 and a 1st soft magnetic film pattern 15 which sandwich the conductor vertically and are magnetically coupled therewith, and a main magnetic pole 16 for deciding a track width.例文帳に追加

書き込み機能部１０は、コイル導体１２とこれを上下に包み、かつ磁気的に結合された第２の軟磁性膜パターン１４と第１の軟磁性膜パターン１５及びトラック幅を決定する主磁極１６から構成される。 - 特許庁

The CPU 120 corrects an adjustment pattern image on the basis of the conducted stripe element width, rewrites contents of a pattern image memory 107 and instructs an image processing section 108 and a liquid crystal light valve drive section 110 or the like to project an image.例文帳に追加

ＣＰＵ１２０は、導き出したストライプ要素幅に基づき、調整用パターン画像を修正して、パターン画像メモリ１０７の内容を書き換え、画像処理部１０８，液晶ライトバルブ駆動部１１０などに画像投射を指示する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for a resist film, which can suppress generation of bridge defects and scum, has an excellent LWR (line width roughness) performance and allows formation of a favorable fine pattern, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ブリッジ欠陥及びスカムの発生を抑制でき、かつＬＷＲ性能に優れ、良好な微細パターンを形成することが可能なレジスト膜用の感放射線性樹脂組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

In the exposure method, the pattern of a mask (M) disposed on the object surface of a projection optical system (PL) is exposed on the photosensitive substrate (W) disposed on the image surface of the projection optical system to form the pattern of a desired line width on the photosensitive substrate.例文帳に追加

投影光学系（ＰＬ）の物体面に設置されたマスク（Ｍ）のパターンを、投影光学系の像面に設置された感光性基板（Ｗ）上に露光して、感光性基板上に所望線幅のパターンを形成する露光方法。 - 特許庁

To provide a parallel line pattern mask in which the variation of width of stripe, that is, parallel pitch of monofilament is extremely small and the parallel pitch is highly accurately retained, in the parallel line pattern mask having a fine pitch using monofilament fibers.例文帳に追加

単繊維の糸を使用した微細なピッチを有する平行線型マスクにおいて、ストライプの幅、すなわち、単繊維糸の平行ピッチのバラツキが極めて少なく平行ピッチが高精度に保持された平行線型マスクを提供する。 - 特許庁

Since the leakage magnetic field of a track width direction generated from the magnetic pattern repeating units 20 formed in the magnetic pattern layer 4 is applied to the magnetization transition boundary 28 of the recording layer, the position of the magnetization transition boundary 28 is stabilized.例文帳に追加

磁気パターン層４に形成された磁気パターン繰り返し単位２０の磁壁２５から発生するトラック幅方向の漏洩磁界が記録層６の磁化遷移境界２８に印加されるため、磁化遷移境界２８の位置が安定化される。 - 特許庁

A sub-pattern 21 is specified from the width W when each sub-pattern 21 crosses a light receiving part 17 having a linear CCD 13 as a detectable range, and the angle of the rotor plate 11 can be determined from the crossing position P.例文帳に追加

これらのサブパターン２１がライン状のＣＣＤ１３を検出可能範囲として持つ受光部１７を横切るときの幅Ｗからサブパターン２１を特定し、横切る位置Ｐから回転板１１の角度を判断することができる。 - 特許庁

At the time of shifting the belt to the monochromatic image forming position, the calibration is performed, on the other hand, at the time of shifting to the multicolor image forming position, the density of the developer pattern or the line width of the pattern on the transfer/carrying belt is detected.例文帳に追加

単色画像形成位置への変換時にキャリブレーションを実行する一方、多色画像形成位置への変換時に転写搬送用ベルト上における現像剤パターンの濃度または線幅の検出を実行する。 - 特許庁

This cutting device changes and corrects [Fig. (b)] the lateral dimension of a sheet material in the lateral direction of a sheet material of a cutting pattern 55 in response to the change in the width of the sheet material, in the preliminarily memorized cutting pattern 55 [Fig. (a)].例文帳に追加

裁断装置は、予め記憶している裁断用パターン５５（図６（ａ））について、シート材の幅の変動に応じて、裁断用パターン５５のシート材の幅方向に沿った幅方向寸法を変動させる補正をする（図６（ｂ））。 - 特許庁

A CPU 120 acquires a zoom amount received from a zoom lens position detection section 122, refers to a stripe element width table stored in a stripe element width table storage section 109 and conducts a width of stripe elements in a pattern image to be formed on a liquid crystal light valve 114 on the basis of the acquired zoom amount.例文帳に追加

ＣＰＵ１２０は、ズームレンズ位置検出部１２２より伝えられたズーム量を取得し、ストライプ要素幅テーブル格納部１０９に格納されたストライプ要素幅テーブルを参照して、取得したズーム量に基づき、液晶ライトバルブ１１４上に形成すべきパターン画像におけるストライプ要素の幅を導き出す。 - 特許庁

The pattern 62 is formed on the subfield 42 and has a line width L selected, so that the line width L/space width becomes S≤1, 1/2, and 1/4 for L larger than 500 nm, L in the range of 400 nm to 500 nm, and L less smaller than 400 nm, respectively.例文帳に追加

実デバイスパターン６２はサブフィールド４２に形成され、線幅が５００ｎｍを越えるパターンの場合には線幅Ｌ／スペース幅Ｓ≦１、線幅が４００ｎｍ〜５００ｎｍのパターンの場合には線幅Ｌ／スペース幅Ｓ≦１／２、線幅が４００ｎｍ未満のパターンの場合には線幅Ｌ／スペース幅Ｓ≦１／４であるデバイスパターンとする。 - 特許庁

A light modulation circuit 14 for drawing a pattern with a predetermined doe width and a predetermined density by light modulation of a beam light exposed on a photosensitive surface comprises a light intensity modulation means for modulating the light intensity of the beam light, and a dot width modulation means for modulating the dot width of the beam light in the scanning direction.例文帳に追加

感光面に露光されるビーム光を光変調して所要のドット幅でかつ所要の濃度のパターンを描画するための光変調回路１４に、ビーム光の光強度を変調する光強度変調手段と、ビーム光の走査方向のドット幅を変調するドット幅変調手段を備える。 - 特許庁

The adjoining part f of respective discharge gaps comprising a main discharge electrode part fp having a wide width in a first direction D1 and a connecting part fc having a narrow width in the first direction D1 connecting the above discharge electrode part fp, is a transparent pattern linked with a second direction D2 by itself.例文帳に追加

各放電ギャップ隣接部ｆは、第１方向Ｄ１の幅が太い主放電電極部ｆｐと同部ｆｐを連結する第１方向Ｄ１の幅の細い連結部ｆｃとを有し、第２方向Ｄ２に自身繋がった透明パターンである。 - 特許庁

In an antiskid body fitted in a tread pattern groove of a snow tire, a projection 5 (15, 32) projecting out in a side surface crossing with a width direction at right angles is provided in a manner of freely moving forward and backward in the width direction by a projection forward and backward movement means A.例文帳に追加

雪道走行用タイヤのトレッドパターンの溝８に嵌着される滑り止め体において、幅方向に直交する側面に突出する突起５（１５、３２）が、突起進退手段Ａにより該幅方向に進退自在に配設される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of accurately forming a fine pattern in a semiconductor chip or the like by suppressing unevenness of line width due to dependence on the denseness of a line width in chip or the like, and to provide a system for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

１チップ内での線幅の疎密依存性に起因した線幅のばらつきを抑制して、半導体チップなどにおける微細なパターンを高精度に形成することを可能とする半導体装置の製造方法および製造システムを提供する。 - 特許庁

When a parameter showing this shape (height, bottom width, volume) exceeds a predetermined range, the sample chamber is cleaned in combination with an existing cleaning method, whereby the pattern width of the observation sample can be accurately and stably measured.例文帳に追加

そして、この形状を表すパラメータ（高さ、底面の幅、体積）が所定の範囲を超えたとき、既存のクリーニング方法を併用して試料室内の清浄化を図ることにより、観察用試料のパターン幅を精度良く、安定的に計測可能にする。 - 特許庁

The pattern of the adhesive agent is formed by the arrangement at a given spacing without overlapping mutually of the two or more adhesive agents having fixed width from the outer edge to the inside in a closed outer edge profile along the longitudinal and width directions of the back sheet.例文帳に追加

粘着剤のパターンは、バックシートの長手方向と幅方向に沿って、外縁が閉じた形状で該外縁から内側に一定の幅を有する複数の粘着剤が、相互に重なり合うことなく所定の間隔をあけて配列されて形成される。 - 特許庁

After that, the film thicknesses of the first and second portions are measured and the measured film thicknesses of the first and second portions are converted into the line width of a resist pattern on the basis of the correspondence relation between a film thickness and a line width which are previously obtained.例文帳に追加

その後，当該第１の部分と第２の部分の膜厚を測定し，予め求められている膜厚と線幅との相関により，前記測定された第１の部分の膜厚と第２の部分の膜厚をレジストパターンの線幅に換算する。 - 特許庁

To provide a digital color image processor for determining a smoothing method optimum to input equipment by using an original expressed by dots, a parallel line with pitch of twice line width pattern, or the like.例文帳に追加

網点や万線パターン等により表現された原稿を用いて、入力機器に最適な平滑化方法を決定するデジタルカラー画像処理装置を提供する。 - 特許庁

The inflow direction of the liquid crystal is made nearly linear by widening the total width of the seal opening part more than about two thirds of an edge of the seal pattern.例文帳に追加

液晶の流入方向は、シール開口部の合計幅をシールパターン１辺の略２／３以上に拡大することによってほぼ直線状とすることができる。 - 特許庁

To provide a conductive paste composition for a solar cell electrode, which preferably forms a large cross section printing pattern with a thin width diameter without damaging the printing characteristics.例文帳に追加

印刷性を損なうことなく細幅寸法で断面積の大きな印刷パターンを好適に形成し得る太陽電池電極用導電性ペースト組成物を提供する。 - 特許庁

The width of the middle 13c of a stripe pattern of the n-type buffer layer 13 is the same as the conventional one and a source layer 16 is disposed as to correspond to the middle 13c.例文帳に追加

しかも、ｎ型バッファ層１３のストライプ・パターンの中間部１３ｃの幅は、従来と同様であり、ソース層１６は、中間部１３ｃに対応して配置されている。 - 特許庁

To provide a forming method to easily obtain a conductive pattern which is comparatively thick without any deposition spot even in the line width which is smaller than the deposition diameter of ink.例文帳に追加

より簡便に比較的厚さが大きく、インクの着弾径より小さな線幅でも着弾痕のない導電性パターンを得る形成方法を提供することにある。 - 特許庁

The substrate is made by peeling the mold to a diagonal direction after it is pressed by a nano-inprinting method by using a mold 15 with the concavo-convex pattern 16 where the groove width is modulated in the depth direction.例文帳に追加

深さ方向に溝幅が変調された凹凸パターン１６を有する金型１５を用いて、ナノインプリント法により押圧した後、斜め方向に剥離して作製する。 - 特許庁

Consequently, working to decide the width of the electrically conductive pattern on the electrode tool is facilitated, which leads to reduce cost as a whole of a dynamic pressure bearing device by reduction of manhours, etc.例文帳に追加

従って、電極工具上の導電パターン幅を決定する作業が容易になり、工数等の削減によって動圧軸受装置全体としてのコストダウンが可能になる。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition that find applications in formation of microscopic patterns for semiconductor production and that is superior to conventional products in exposure latitude, LWR (line width roughness) and pattern collapse performance.例文帳に追加

半導体製造の微細なパターン形成に用いられ、従来品よりも露光ラチチュード、ＬＷＲ、パターン倒れ性能に優れた感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

At least a partial pattern width Y of a wiring along a direction orthogonal to a measuring axis direction is expanded in the first loop part 12 and the second loop part 14 of a scale loop 11.例文帳に追加

スケールループ１１の第１ループ部１２や第２ループ部１４の、測定軸方向に直交方向の配線の少なくとも一部のパターン幅Ｙを拡張する。 - 特許庁

To a whole of the absorbent body 22, a lattice pattern 4 formed with a plurality of lines 42 extended in the longitudinal direction and the width direction perpendicular to the longitudinal direction are given.例文帳に追加

吸収体２２の全体には、長手方向および長手方向に垂直な幅方向に伸びる複数の線４２にて形成される格子状のパターン４が付与される。 - 特許庁

To provide a pattern correction equipment which can efficiently generate minute fog particles and can correct a defective portion without protruding from the width of a micropattern.例文帳に追加

微小な霧粒子を効率良く生成することができ、微細パターンの幅からはみ出すことなく欠陥部を修正することが可能なパターン修正装置を提供する。 - 特許庁

The pattern of a second impurity area 62, formed for adding the impurity has a line width which, is narrower than that of the first impurity area 60 by one rank.例文帳に追加

この不純物を追加するための第２不純物領域６２のパターンが、第１不純物領域６０のライン幅より一回り狭いライン幅を有している。 - 特許庁

To provide a method for forming a wiring pattern which prevents the width of the wiring from increasing in an etching process, and prevents the wiring from corroding in a wet treatment process that follows the etching process.例文帳に追加

配線パターンの形成方法に関し、エッチング工程における配線幅の増大と、エッチング工程後のウエット処理工程における配線の腐食を防止する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for electron beams, X-rays or EUV rays in which the resist pattern profile and changes in the line width in the post exposure period in a vacuum chamber are improved.例文帳に追加

レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

It is preferable that, with every 100 μm or more of a change in the warpage of the substrate with respect to a reference value, the width of a pattern is changed to be thinner by 1 μm to 5 μm.例文帳に追加

ここで、基板のそり量が基準値に対して１００μｍ以上変化する毎に、パターンの幅を１μｍ〜５μｍ細く変更することが望ましい。 - 特許庁