「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an MR thin film magnetic head manufacturing method capable of very accurately controlling an overlap volume without making manufacturing processes complicated and a new photoresist pattern forming method capable of easily obtaining a photoresist pattern of narrow width.例文帳に追加

工程を複雑化することなくオーバーラップ量を高精度に制御可能なＭＲ型薄膜磁気ヘッドの製造方法、及び狭い幅を有するフォトレジストパターンを容易に得ることができる新規なフォトレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has good line width roughness (LWR) performance and forms a pattern with suppressed application defects, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能が良好であり、且つ塗布欠陥が抑制されたパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method and a resist film using the same, which form a pattern satisfying high sensitivity, high resolution and favorable line width roughness at the same time.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネスを同時に満足するパターンを形成することが可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法並びにレジスト膜の提供。 - 特許庁

The center peak of a diffracted beam pattern being detected is removed by a shield plate disposed in front of the line sensor or by applying an image processing thereto, thereby measuring the width to be measured of the micro tool based on the detected diffracted beam pattern.例文帳に追加

この検出される回折光パターンの中心ピークを、ラインセンサの前に設けた遮蔽板または画像処理によって取り除くことにより、検出された回折光パターンからマイクロ工具の被測定幅を測定する。 - 特許庁

A photosensitive film pattern 24 is formed on a semiconductor substrate 21 on which a prescribed electrically conductive layer 22 has been formed and the line width of the pattern 24 is reduced using oxygen radicals generated by the thermal decomposition reaction of gaseous ozone.例文帳に追加

所定の電導層２２が形成された半導体基板２１上に感光膜パターン２４を形成し、オゾンガスの熱分解反応により発生される酸素ラジカル成分を用いて上記感光膜パターン２４の線幅を微細化させる。 - 特許庁

After patterning is carried out so that the dielectric film 12 and the oxide film 13 have the same pattern, the oxide film 13 is selectively etched starting from the dielectric film 12 and the oxide film 13 is formed to a pattern whose width is smaller than that of the dielectric film 12.例文帳に追加

絶縁膜１２及び酸化膜１３が同じパターンとなるように、パターニングした後に、酸化膜１３を絶縁膜１２から選択的にエッチングし、酸化膜１３を絶縁膜１２よりも小さな幅のパターンに形成する。 - 特許庁

A writing function part 10 is constituted of a coil conductor 12, a 2nd soft magnetic film pattern 14 and a 1st soft magnetic film pattern 15 which sandwich the conductor vertically and are magnetically coupled therewith, and a main magnetic pole 16 for deciding a track width.例文帳に追加

書き込み機能部１０は、コイル導体１２とこれを上下に包み、かつ磁気的に結合された第２の軟磁性膜パターン１４と第１の軟磁性膜パターン１５及びトラック幅を決定する主磁極１６から構成される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for a resist film, which can suppress generation of bridge defects and scum, has an excellent LWR (line width roughness) performance and allows formation of a favorable fine pattern, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ブリッジ欠陥及びスカムの発生を抑制でき、かつＬＷＲ性能に優れ、良好な微細パターンを形成することが可能なレジスト膜用の感放射線性樹脂組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

In the exposure method, the pattern of a mask (M) disposed on the object surface of a projection optical system (PL) is exposed on the photosensitive substrate (W) disposed on the image surface of the projection optical system to form the pattern of a desired line width on the photosensitive substrate.例文帳に追加

投影光学系（ＰＬ）の物体面に設置されたマスク（Ｍ）のパターンを、投影光学系の像面に設置された感光性基板（Ｗ）上に露光して、感光性基板上に所望線幅のパターンを形成する露光方法。 - 特許庁

Meanwhile, in a PWM processing section, a latent image is modified in pulse width with reference to a PWM pattern table in which the print color data before the gradation conversion is made to correspond to the PWM pattern.例文帳に追加

そして、濃度補正処理部１４７及びディザ処理部１５１で印刷色データの階調が変換され、階調変換後の印刷色データからオブジェクト生成部１５３とレンダリング部１５５において潜像画像が形成される。 - 特許庁

To provide a parallel line pattern mask in which the variation of width of stripe, that is, parallel pitch of monofilament is extremely small and the parallel pitch is highly accurately retained, in the parallel line pattern mask having a fine pitch using monofilament fibers.例文帳に追加

単繊維の糸を使用した微細なピッチを有する平行線型マスクにおいて、ストライプの幅、すなわち、単繊維糸の平行ピッチのバラツキが極めて少なく平行ピッチが高精度に保持された平行線型マスクを提供する。 - 特許庁

Since the leakage magnetic field of a track width direction generated from the magnetic pattern repeating units 20 formed in the magnetic pattern layer 4 is applied to the magnetization transition boundary 28 of the recording layer, the position of the magnetization transition boundary 28 is stabilized.例文帳に追加

磁気パターン層４に形成された磁気パターン繰り返し単位２０の磁壁２５から発生するトラック幅方向の漏洩磁界が記録層６の磁化遷移境界２８に印加されるため、磁化遷移境界２８の位置が安定化される。 - 特許庁

To provide a wiring pattern having a substantially identical wiring width by using a super resolution technology able to realize a fine pattern beyond the resolution of an exposure apparatus by combining process technologies without raising the resolution limit of the exposure apparatus.例文帳に追加

露光装置の解像度を超える微細パターンを、露光装置の露光限界を上げることなくプロセス技術を組み合わせて実現する超解像技術を用いて、略同一の配線幅を有する配線パターンを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of forming a TEG pattern by preventing that the monitoring result has an error without reducing the monitored items and without making the width of the scribing region larger by utilizing a dummy pattern.例文帳に追加

ダミーパターンを利用することで、モニタ項目を削減することなく、且つスクライブ領域の幅を広げることなく、且つモニタ結果に誤差が含まれる事を防止して、ＴＥＧパターンを形成できる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

The control system also can be operated so as to measure width of the liquid spray pattern and deviation of the liquid spray pattern from a nozzle center line of the liquid distribution system and when measured value is not within a tolerance range, alarm is given.例文帳に追加

制御システムは、また、液体スプレーパターンの幅と、液体分配システムのノズル中心線に対しての液体スプレーパターンの偏りとを測定すべく作動可能であり、それらの測定値が許容範囲外にあるならば、警告を与える。 - 特許庁

The CPU 120 corrects an adjustment pattern image on the basis of the conducted stripe element width, rewrites contents of a pattern image memory 107 and instructs an image processing section 108 and a liquid crystal light valve drive section 110 or the like to project an image.例文帳に追加

ＣＰＵ１２０は、導き出したストライプ要素幅に基づき、調整用パターン画像を修正して、パターン画像メモリ１０７の内容を書き換え、画像処理部１０８，液晶ライトバルブ駆動部１１０などに画像投射を指示する。 - 特許庁

This electron beam transfer and exposure method is a method wherein the worst value of the beam edge resolution 61 of an electron optical system for projecting a pattern on a reticle on a responsive substrate is 0.9 to 1.0 times wider than the narrowest line width of an electron beam in the pattern.例文帳に追加

本発明の電子ビーム転写露光方法は、レチクル上のパターンを感応基板上に投影する電子光学系のビームエッジ分解能６１の最悪値がパターン中の最小線幅の０．９〜１．０倍である。 - 特許庁

According to the container with the solid pattern, a thick heapy ink layer 30 is formed over a flat pattern 20 attached on the surface of the container, where the width of the ink layer 30 is limited to a range of 0.5 to 5 mm.例文帳に追加

容器表面に付された平面的な模様２０の上に厚盛りインキ層３０を重ねた立体模様付き容器において、厚盛りインキ層３０の幅を、ほぼ０．５〜５ｍｍの範囲に限定したことを特徴とする。 - 特許庁

A sub-pattern 21 is specified from the width W when each sub-pattern 21 crosses a light receiving part 17 having a linear CCD 13 as a detectable range, and the angle of the rotor plate 11 can be determined from the crossing position P.例文帳に追加

これらのサブパターン２１がライン状のＣＣＤ１３を検出可能範囲として持つ受光部１７を横切るときの幅Ｗからサブパターン２１を特定し、横切る位置Ｐから回転板１１の角度を判断することができる。 - 特許庁

At the time of shifting the belt to the monochromatic image forming position, the calibration is performed, on the other hand, at the time of shifting to the multicolor image forming position, the density of the developer pattern or the line width of the pattern on the transfer/carrying belt is detected.例文帳に追加

単色画像形成位置への変換時にキャリブレーションを実行する一方、多色画像形成位置への変換時に転写搬送用ベルト上における現像剤パターンの濃度または線幅の検出を実行する。 - 特許庁

This cutting device changes and corrects [Fig. (b)] the lateral dimension of a sheet material in the lateral direction of a sheet material of a cutting pattern 55 in response to the change in the width of the sheet material, in the preliminarily memorized cutting pattern 55 [Fig. (a)].例文帳に追加

裁断装置は、予め記憶している裁断用パターン５５（図６（ａ））について、シート材の幅の変動に応じて、裁断用パターン５５のシート材の幅方向に沿った幅方向寸法を変動させる補正をする（図６（ｂ））。 - 特許庁

A CPU 120 acquires a zoom amount received from a zoom lens position detection section 122, refers to a stripe element width table stored in a stripe element width table storage section 109 and conducts a width of stripe elements in a pattern image to be formed on a liquid crystal light valve 114 on the basis of the acquired zoom amount.例文帳に追加

ＣＰＵ１２０は、ズームレンズ位置検出部１２２より伝えられたズーム量を取得し、ストライプ要素幅テーブル格納部１０９に格納されたストライプ要素幅テーブルを参照して、取得したズーム量に基づき、液晶ライトバルブ１１４上に形成すべきパターン画像におけるストライプ要素の幅を導き出す。 - 特許庁

The pattern 62 is formed on the subfield 42 and has a line width L selected, so that the line width L/space width becomes S≤1, 1/2, and 1/4 for L larger than 500 nm, L in the range of 400 nm to 500 nm, and L less smaller than 400 nm, respectively.例文帳に追加

実デバイスパターン６２はサブフィールド４２に形成され、線幅が５００ｎｍを越えるパターンの場合には線幅Ｌ／スペース幅Ｓ≦１、線幅が４００ｎｍ〜５００ｎｍのパターンの場合には線幅Ｌ／スペース幅Ｓ≦１／２、線幅が４００ｎｍ未満のパターンの場合には線幅Ｌ／スペース幅Ｓ≦１／４であるデバイスパターンとする。 - 特許庁

A light modulation circuit 14 for drawing a pattern with a predetermined doe width and a predetermined density by light modulation of a beam light exposed on a photosensitive surface comprises a light intensity modulation means for modulating the light intensity of the beam light, and a dot width modulation means for modulating the dot width of the beam light in the scanning direction.例文帳に追加

感光面に露光されるビーム光を光変調して所要のドット幅でかつ所要の濃度のパターンを描画するための光変調回路１４に、ビーム光の光強度を変調する光強度変調手段と、ビーム光の走査方向のドット幅を変調するドット幅変調手段を備える。 - 特許庁

When a parameter showing this shape (height, bottom width, volume) exceeds a predetermined range, the sample chamber is cleaned in combination with an existing cleaning method, whereby the pattern width of the observation sample can be accurately and stably measured.例文帳に追加

そして、この形状を表すパラメータ（高さ、底面の幅、体積）が所定の範囲を超えたとき、既存のクリーニング方法を併用して試料室内の清浄化を図ることにより、観察用試料のパターン幅を精度良く、安定的に計測可能にする。 - 特許庁

The pattern of the adhesive agent is formed by the arrangement at a given spacing without overlapping mutually of the two or more adhesive agents having fixed width from the outer edge to the inside in a closed outer edge profile along the longitudinal and width directions of the back sheet.例文帳に追加

粘着剤のパターンは、バックシートの長手方向と幅方向に沿って、外縁が閉じた形状で該外縁から内側に一定の幅を有する複数の粘着剤が、相互に重なり合うことなく所定の間隔をあけて配列されて形成される。 - 特許庁

The adjoining part f of respective discharge gaps comprising a main discharge electrode part fp having a wide width in a first direction D1 and a connecting part fc having a narrow width in the first direction D1 connecting the above discharge electrode part fp, is a transparent pattern linked with a second direction D2 by itself.例文帳に追加

各放電ギャップ隣接部ｆは、第１方向Ｄ１の幅が太い主放電電極部ｆｐと同部ｆｐを連結する第１方向Ｄ１の幅の細い連結部ｆｃとを有し、第２方向Ｄ２に自身繋がった透明パターンである。 - 特許庁

In an antiskid body fitted in a tread pattern groove of a snow tire, a projection 5 (15, 32) projecting out in a side surface crossing with a width direction at right angles is provided in a manner of freely moving forward and backward in the width direction by a projection forward and backward movement means A.例文帳に追加

雪道走行用タイヤのトレッドパターンの溝８に嵌着される滑り止め体において、幅方向に直交する側面に突出する突起５（１５、３２）が、突起進退手段Ａにより該幅方向に進退自在に配設される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of accurately forming a fine pattern in a semiconductor chip or the like by suppressing unevenness of line width due to dependence on the denseness of a line width in chip or the like, and to provide a system for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

１チップ内での線幅の疎密依存性に起因した線幅のばらつきを抑制して、半導体チップなどにおける微細なパターンを高精度に形成することを可能とする半導体装置の製造方法および製造システムを提供する。 - 特許庁

After that, the film thicknesses of the first and second portions are measured and the measured film thicknesses of the first and second portions are converted into the line width of a resist pattern on the basis of the correspondence relation between a film thickness and a line width which are previously obtained.例文帳に追加

その後，当該第１の部分と第２の部分の膜厚を測定し，予め求められている膜厚と線幅との相関により，前記測定された第１の部分の膜厚と第２の部分の膜厚をレジストパターンの線幅に換算する。 - 特許庁

To provide a pattern correction equipment which can efficiently generate minute fog particles and can correct a defective portion without protruding from the width of a micropattern.例文帳に追加

微小な霧粒子を効率良く生成することができ、微細パターンの幅からはみ出すことなく欠陥部を修正することが可能なパターン修正装置を提供する。 - 特許庁

The printed length of the test pattern 96 is equal to or longer than a width dimension of a printing region of bar codes 98 (98a to 98c).例文帳に追加

このテストパターン９６の印字長さは、バーコード９８（９８ａ〜９８ｃ）の印字領域の幅寸法を同じ寸法、あるいはそれよりも長い寸法に形成されている。 - 特許庁

The pattern of a second impurity area 62, formed for adding the impurity has a line width which, is narrower than that of the first impurity area 60 by one rank.例文帳に追加

この不純物を追加するための第２不純物領域６２のパターンが、第１不純物領域６０のライン幅より一回り狭いライン幅を有している。 - 特許庁

To provide a method for forming a wiring pattern which prevents the width of the wiring from increasing in an etching process, and prevents the wiring from corroding in a wet treatment process that follows the etching process.例文帳に追加

配線パターンの形成方法に関し、エッチング工程における配線幅の増大と、エッチング工程後のウエット処理工程における配線の腐食を防止する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for electron beams, X-rays or EUV rays in which the resist pattern profile and changes in the line width in the post exposure period in a vacuum chamber are improved.例文帳に追加

レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型電子線、Ｘ線又はＥＵＶ用レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic vending machine in which it is unnecessary to change the width of an article delivery port according to a chamber pattern and interference between a delivery door and the other equipment is prevented.例文帳に追加

庫室パターンに応じて商品取出口の幅を変更する必要がなく、払出扉と他の機器との干渉を防止することのできる自動販売機を提供する。 - 特許庁

In a terminal part 8c, five standard patterns are arranged in parallel so that the longitudinal direction is the direction along which the gate wiring extends, making the effective pattern width 50 μm.例文帳に追加

端子部８ｃは、同じく５本の基準パターンをゲート配線の延在方向に長手方向をもつ如く並列に形成して実効的なパターン幅を５０μｍとする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chip-type electronic equipment having an external electrode whose pattern width is uniform, whose thickness is constant even at the corner, and whose mechanical strength is excellent.例文帳に追加

パターン幅が均一で、角部においても厚みが一定で機械的強度に優れた外部電極を有するチップ型電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving the accuracy of pattern width of a photosensitive film by changing an exposure condition by a new factor.例文帳に追加

新たな因子で露光条件を変化させることにより、感光膜のパターン幅の精度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask which can control line width with higher accuracy without influence of fine and coarse patterns and pattern size at the time of application of the near exposure method.例文帳に追加

近接露光法を適用する際に、パターンの疎密、パターンサイズに影響されることなく、高精度な線幅制御が可能となるステンシルマスクを提供することである。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring with a narrow line width in a state that adhesiveness to a substrate is superior, as a method for forming a wiring pattern by an ink jet method.例文帳に追加

インクジェット法による配線パターンの形成方法として、線幅の細い配線を、基板に対する密着性が良い状態で形成できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the width size of spaces can equally be formed when forming a line-and-space pattern by a sidewall transfer process.例文帳に追加

側壁転写プロセスによりラインアンドスペースパターンを形成するときに、スペースの幅寸法を等しく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric sewing machine capable of forming same stitches or seams of high quality when stitches of specified pattern is formed through designation of needle swing width.例文帳に追加

針振り巾を指定して所定の針振りパターンの縫い目を形成するとき、縫い目の揃った高品質なパターン縫いを行うことが可能な電子ミシンを提供する。 - 特許庁

In the expression (1), D_MIN is a minimum value in the width of a ridge and a trough of the rugged pattern and A is a positive number not larger than 20.例文帳に追加

Ｄ_Ｓ≦ＡＤ_ＭＩＮ・・・・・（１）（但し、式（１）中、Ｄ_ＭＩＮは前記凹凸パターンにおいて山部の幅及び谷部の幅のうちその最小値であり、Ａは２０以下の正数である） - 特許庁

To provide a device for sorting a micromirror device to obtain a drawing pattern with good linearity and no recess in a width or thickness direction, in a maskless exposure apparatus.例文帳に追加

マスクレス露光装置において、幅方向にも厚さ方向にも窪みのない直線性の良い描画パターンを得るためのマイクロミラーデバイス選別装置を提供する。 - 特許庁