「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

And, for an error at a position regarded as non-problematic (because of line width equal to or greater than required width) on a mask or a substrate due to roundness of corner part among errors caused by the correction pattern, the design device determines that the error is a pseudo error.例文帳に追加

そして、設計装置は、補正パターンによるエラーのうち、コーナー部の丸まりによりマスク上又は基板上において問題とならない（線幅が規定以上となる）箇所のエラーは、疑似エラーと判定する。 - 特許庁

First, the line width of the inside of the wafer surface is measured after a photolithography process is completed, and a Zernike coefficient in a Zernike polynomial for indicating a plurality of in-plane pattern components is calculated from the in-plane line width measurement value of the wafer.例文帳に追加

先ず，フォトリソグラフィー工程が終了したウェハ面内の線幅を測定し，そのウェハ面内の線幅測定値から，複数の面内傾向成分を表すゼルニケ多項式のゼルニケ係数を算出する。 - 特許庁

To prevent a groove near the terminal edge part thereof from being dropped rather than the upper surface of a substrate at the upper part of a trench element isolating region and to form the groove of width narrower than opening width formable in a resist pattern.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の上部における溝の端縁部の近傍が基板上面より落ち込むのを防止するとともに、レジストパターンにおける形成可能な開口幅以下の幅の溝を形成する。 - 特許庁

A contact hole 16 for bit line contacts self-matchingly narrows to a width B at a concave portion 14e of the silicon nitride film 14 against a width of pattern A, and a hole lower part 16b is formed to surly form a contact plug 17.例文帳に追加

ビット線コンタクトのコンタクトホール１６は、パターン幅Ａに対して、シリコン窒化膜１４の凹部１４ｅで自己整合的に幅Ｂに狭められホール下部１６ｂが形成され、確実にコンタクトプラグ１７を形成できる。 - 特許庁

The resistance value parasitic on the wiring is reduced by expanding the wiring width in the layout to a designated wiring width within the range of a layout criterion by giving information on the maximum wiring width, and processing priority to the wiring in the design drawing of the circuit or the wiring pattern in layout data.例文帳に追加

回路設計図中の配線又はレイアウトデータ中の配線図形に対して最大配線幅及び処理優先度の情報を与えることでレイアウトルール違反を生じない範囲内でレイアウト中の配線幅を指定配線幅まで拡大し、配線に寄生する抵抗値を低減する。 - 特許庁

A transistor (see figure (a)) configuring a pulse delay circuit is compared with a transistor (see (b)) configuring a latch & encoder 12, and transistor length (pattern width of gate Gp, Gn) L is designed so as to be doubled (that is, the minimum line width of a design rule is doubled), and the transistor width is designed so as to be doubled.例文帳に追加

パルス遅延回路を構成するトランジスタ（図２（ａ）参照）は、ラッチ＆エンコーダ１２を構成するトランジスタ（図２（ｂ）参照）と比較して、トランジスタ長（ゲートＧｐ，Ｇｎのパターン幅）Ｌを２倍（設計ルールの最小線幅の２倍）、トランジスタ幅も約２倍に設計する。 - 特許庁

A barrier structure in which a protrusion 35 corresponding to the pattern formed of a functional liquid is provided includes a first recess 55 formed corresponding to the first pattern, a second recess 56 connected to the first pattern and formed corresponding to the second pattern narrower in width than the first pattern, and at least one or more projections 35 formed in the first recess 55.例文帳に追加

機能液により形成するパターンに対応した凸部３５が設けられた隔壁構造体であって、第１パターンに対応して設けられた第１凹部５５と、第１パターンに接続され、かつ、第１パターンよりも幅が狭い第２パターンに対応して設けられた第２凹部５６と、第１凹部５５に少なくとも１以上設けられた凸部３５と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The fine pattern with a pitch a half of that of the lithography is formed by forming a resist pattern using a lithography technology (a), making small the line width of the resist pattern using a sliming technology (b), forming a new mask pattern in a space widen by sliming by anisotropic etching under a low pressure environment (c), and carrying out etching of the under layer film using the mask pattern (d).例文帳に追加

リソグラフィ技術によりレジストパターン７を形成し（ａ）、スリミング技術によりレジストパターン７のライン幅を細くし（ｂ）、低圧環境下で異方性エッチング処理を行うことによってスリミングにより広くなったスペースに新たなマスクパターンを形成し（ｃ）、そのマスクパターンを利用して下層の膜のエッチングを行って（ｄ）、リソグラフィパターンの１／２倍のピッチの微細パターンを形成する。 - 特許庁

The near field pattern of the optical waveguide element is made to coincide with the near field pattern of the laser by forming the cross section of the incident side end of the core of the optical waveguide element into an oblong which becomes narrow in width as the cross section approaches the end surface.例文帳に追加

光導波路素子のコアの入射側の端部の断面を端面に近づくにつれて幅が狭くなる長方形として、光導波路素子のニアフィールドパターンをレーザのニアフィールドパターンに一致させる。 - 特許庁

On the side of the tip part 22 which comes into contact with a recording medium, a groove part 22C which is almost as wide as the vertical width of the code pattern is provided along the scanning direction where an opening 22A for taking in an image of the code pattern is present.例文帳に追加

また、先端部２２の記録媒体への接触側において、コードパターンの上下幅相当の溝部２２Ｃを、コードパターンの画像取り込み用の開口２２Ａが存在する位置に、走査方向に沿って設ける。 - 特許庁

After a resistance heating element pattern with wave-like changing line width is formed in a prescribed range in a surface of the ceramic substrate, a part of the resistance heating element pattern is trimmed in this method of manufacturing the ceramic heater.例文帳に追加

セラミック基板表面の所定領域に波状に線幅が変わる抵抗発熱体パターンを形成した後、前記抵抗発熱体パターンの一部をトリミングすることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。 - 特許庁

To prevent a misregistration and transformation of a transferred image (distortion of a pattern width) and the like arising from the direction of a mask pattern even if extremely short ultraviolet light is obliquely incident upon a reflection type mask in lithography.例文帳に追加

リソグラフィ工程において、極短紫外光が反射型マスクに対して斜め入射する場合であっても、マスクパターンの方位によって生じる転写像の位置ずれや変形（パターン幅の歪み）等の発生を回避する。 - 特許庁

To provide a plate for electrodeposition metal pattern transfer in which a fine metal pattern having a width of about 20 μm can be easily used many times over (e.g. 100 times), and a wiring board fabricated by using the same.例文帳に追加

２０μｍ程度の微細な線幅の金属パターンが容易に、且つ、繰り返し多数回(例えば１００回)使用することのできる電着金属パターン転写用基板と、を使用して作製した配線板を提供する。 - 特許庁

To form a conductor pattern of fine pitch and with flat upper surface with a high precision by setting the width of an outermost conductor pattern among a plurality of conductor patterns to be larger than that of remaining conductor patterns.例文帳に追加

ファインピッチでかつ上面が平坦な導体パターンを精度よく形成することが可能なプリント配線板の導体パターンの形成方法およびそのような導体パターンを有するプリント配線板を提供することである。 - 特許庁

To obtain the resolution sufficiently coping with the fining tendency in the case of exposing a pattern by using extreme ultraviolet light, and to avoid defects such as a difference from line width and positional deviation of the pattern.例文帳に追加

極短紫外光を用いて露光を行う場合に、微細化の進展に十分に対応可能な解像性を得られるようにし、さらには線幅の相違やパターンの位置ずれ等といった不具合を招かないようにする。 - 特許庁

To suppress generation of defects such as disconnection in a PDP pattern due to dust or the like depositing on a photomask in an exposure step, and to obtain a uniform pattern width even in a large screen with high definition.例文帳に追加

露光工程時におけるフォトマスクに付着したダスト等によりＰＤＰのパターンに断線などの欠陥が発生することを抑制し、且つ、大画面、高精細であっても均一なパターン幅を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a patterning process without causing a deformation of a resist pattern and an increase in LWR (line width roughness) in forming a silicon oxide film on a photoresist pattern, in a sidewall spacer method.例文帳に追加

側壁スペーサー法において、フォトレジストパターン上に珪素酸化膜を形成したときのフォトレジストパターンの変形やＬＷＲの増大を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist composition superior in line width roughness, and further in resolution and defocusing latitude in contact hole pattern formation and superior in exposure margin, and to provide a pattern forming method using it.例文帳に追加

ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A subfield output pattern is generated which does not have a plurality of independent light output periods in the time width of one frame and the PWM driving is performed with the subfield output pattern.例文帳に追加

１フレームとされる時間幅内において複数の独立した光出力期間が存在しないようにされたサブフィールド出力パターンを形成し、このサブフィールド出力パターンによってＰＷＭ駆動を行うようにされる。 - 特許庁

Each representation of a design, which consists of a repeating surface pattern, shall show the complete pattern and a sufficient portion of the repeat in length and width, and shall not be of less size than 13.00 centimeters by 10.00 centimeters. 例文帳に追加

繰返し表面模様から構成される意匠の各表示は，完全な模様並びに長さ及び幅で当該繰返しの十分な部分を示し，かつ，寸法は少なくとも縦13.00cm，横10.00cmでなければならない。 - 特許庁

To prevent wiring from being reduced in reliability and manufacturing yield due to it that a wiring pattern, which is formed resting on single minimum line width data in the formation of a wiring mask pattern, is used in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

配線マスクパターン発生において、単一最小線幅データで発生させた配線パターンを半導体装置等で使用することに起因する配線の信頼性低下や製造歩留り低下を抑制する。 - 特許庁

To prevent early degradation of a conductor pattern and its burning out, by increasing a current capacity value with no increase in width dimension of the conductor pattern of which a current capacity value is not sufficiently large without applying this invention.例文帳に追加

電流値容量が十分に大きくない導体パターンであっても、その導体パターンの幅寸法を増大させることなく電流値容量を増大させて、その導体パターンの早期劣化や焼き切れを防止する。 - 特許庁

In the method for tracking unauthorized access, a traffic measuring section 101 for logging temporal transition in number of packets from a network traffic as a traffic pattern having a width of a predetermined time T, and a storage section 102 for storing the information of traffic pattern are provided at each observation point.例文帳に追加

各観測点には、ネットワークトラヒックからパケット数の時間的推移を一定時間Tの幅でトラヒックパターンとして切出しを行うトラヒック測定部101と、トラヒックパターンの情報を格納する記憶部102とを有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern for fabricating a semiconductor elements without requiring an exposure process where misalignment takes places as the design rule becomes fine and the minimum line width of a pattern decreases.例文帳に追加

デザインルールが微細になりパターンの最小線幅が減少するにつれてミスアラインメント発生しやすくなる露光工程を行うことなく、半導体素子を製造するためのパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

The plurality of wiring patterns 2 are formed in one portion of the metal foil pattern formation region 4 so that the ratio of the width of the wiring pattern 2 to the interval between the wiring patterns 2 becomes not less than 1 and not more than 8.7.例文帳に追加

金属箔パターン形成領域４の一部では、配線パターン２同士の間隔に対する配線パターン２の幅の比率が１を越え且つ８．７以下となるように、複数の配線パターン２を形成している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first wiring pattern in which lines and spaces are alternately arranged with a predetermined pitch in a first direction; and a contact pad 30B that is disposed between the lines of the first wiring pattern and has a width three times that of the predetermined pitch.例文帳に追加

第１方向に所定ピッチでラインとスペースが交互に配列された第１配線パターンと、第１配線パターンのライン間に配置され、所定ピッチの３倍の幅を有するコンタクトパッド３０Ｂとを有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern by which a high- density resist pattern the line width of which can be controlled excellently on the surface of a wafer and between wafers can be formed, a semiconductor manufacturing apparatus a semiconductor device, and a portable information terminal.例文帳に追加

ウェハ面内,ウェハ間の線幅制御性の良好な高密度レジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法および半導体製造装置および半導体装置および携帯情報端末を提供する。 - 特許庁

To provide a noise filter circuit for a switching power source in which the width of a conductor pattern can be made small and the conductor pattern can be prevented from being burnt when a line bypass capacitor short-circuits.例文帳に追加

この発明は、導体パターンの幅を小さくでき、しかもラインバイパスコンデンサが短絡した場合において、導体パターンが焼損しないようにできるスイッチング電源用のノイズフィルタ回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

The width of a distant part 20a (or 10a) of the second inductor pattern 20 (or the first inductor pattern 10) is formed to be set smaller than that of its adjacent part 20b (or 10b) thereof.例文帳に追加

第２のインダクタパターン２０（または第１のインダクタパターン１０）における遠方部分２０ａ（または１０ａ）の幅寸法は、その近接部分２０ｂ（または１０ｂ）の幅寸法よりも小さくなるように形成されている。 - 特許庁

The size of the width 25 of an image of a side face of the most upper layer of a pattern which should appear on an SEM image (d) when a wafer 3 is tilted can be calculated from an actual thickness of the most upper layer of the pattern and a tilting angle of the wafer 3.例文帳に追加

ウェーハ３傾斜時のＳＥＭ像（ｄ）に現れるべきパターン最上層側面の像の幅２５の大きさは、パターン最上層の実際の厚さとウェーハ３の傾斜角度から算出可能である。 - 特許庁

In the sheet size detection device, the width of a protruding part of a recessed and protruding pattern of a lever 1 interlocking with a side fence is narrowed so that pressing of a push switch E in a specific detection pattern which is caused by position displacement of the side fence is surely prevented from being generated.例文帳に追加

サイドフェンスに連動するレバー１の凹凸パターンの凸部の幅を狭くして、サイドフェンスの位置ずれによるある特定の検知パターンでのプッシュスイッチＥの押圧が確実に生じないようにする。 - 特許庁

To provide a method for applying a filter process only reacting to the shape of a wiring pattern instead of the reaction to foreign substances, and detecting the disconnections of the wiring pattern and defects of width abnormality from a processed result.例文帳に追加

異物に反応せずに、配線パターンの形状にのみ反応するフィルタ処理を適用し、その処理結果から配線パターンの断線または幅異常の欠陥を検出する方法を提供することにある。 - 特許庁

The line width of the image of the line pattern 41 is measured at a plurality of positions in the lengthwise direction of the image of the central line pattern 41 and the optical characteristic of the optical system to be analyzed is obtained on the basis of a result of the measurement.例文帳に追加

中央のラインパターン４１の像の長手方向の複数の位置において、それぞれラインパターン４１の像の線幅を計測し、その計測結果に基づいてその被検光学系の光学特性を求める。 - 特許庁

Since the degree of freedom of a layout of the wiring pattern 35 is increased and the width of the wiring pattern 35 can be broadly secured, the emission of the light from the light-emitting element 32 can be restrained from being made uneven due to a voltage drop caused by wiring resistance.例文帳に追加

配線パターン３５のレイアウトの自由度が増え、配線パターン３５の幅を広くとれるので、配線抵抗による電圧降下に起因する発光素子３２の発光ムラを抑制することができる。 - 特許庁

Thereby, the utilization rate of the flux of light for the light from each light emitting element 24 is improved, and a light distribution pattern with comparatively narrow vertical width can be formed.例文帳に追加

これにより、各発光素子２４からの光に対する光束利用率を高めるとともに比較的上下幅の狭い配光パターンを形成可能とする。 - 特許庁

The width dimension of the sealing portion 16 can be suppressed, and a liquid crystal panel 11 can be obtained by cutting with high accuracy from the scheduled cutting line along the segmented position by the auxiliary pattern 39.例文帳に追加

シール部16の幅寸法を抑制でき、かつ、補助パターン39によって分断した位置に沿って割断予定線から精度よく液晶パネル11を割断できる。 - 特許庁

To obtain a pattern having a uniform line width by suppressing adverse effect of resist dissolution components even when various kinds of resist having dissolution rates different from each other are processed.例文帳に追加

互いに溶解速度の異なる種々のレジストを処理する場合であっても、レジスト溶解成分の影響を抑えて線幅が均一なパターンを得ること。 - 特許庁

To provide a winding signboard on which a display pattern is printed in the range from a main surface to side faces although the signboard has reinforcing sections R at both ends in a width direction.例文帳に追加

幅方向両端部に補強部Rがあるにも拘わらず、主表面から側面に至る表示模様が付された巻き看板を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition which has excellent resolution performance, a low LWR (Line Width Roughness), excellent pattern collapse resistance and excellent defectiveness.例文帳に追加

解像性能に優れるだけでなく、ＬＷＲが小さく、パターン倒れ耐性に優れ、且つ、欠陥性にも優れる感放射線性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To enable good printing without breakage of a protruded part even when the protruded part in a printing pattern of a flexographic printing plate is formed small in width.例文帳に追加

フレキソ印刷版の印刷パターンにおける凸部の幅が細く構成されていても、該凸部の破壊がなく、良好な印刷を行うことを可能とする。 - 特許庁

The electric resistance values with the first length part W1 and the second length part W2 are measured, which is compared/calculated for evaluating a wiring pattern width.例文帳に追加

第１の長さの部分Ｗ1と、第２の長さの部分Ｗ2との電気抵抗値を測定し、測定値を比較演算して配線パターン幅を評価する - 特許庁

To solve the problem that a pattern to be printed is inclined and distorted, because a printing sheet carried by an endless belt is inclined, when there is a speed difference in the width direction of the endless belt.例文帳に追加

エンドレスベルトの幅方向に速度差があると、エンドレスベルトで搬送される印刷用シートが傾斜し、印刷したいパターンが傾斜したり歪んだりする。 - 特許庁

Important sections, such as semiconductor laser sections, can be protected, since the defective connection such as the short circuit is less likely to occur in the small-width pattern terminals 143 to 145.例文帳に追加

細幅パターン端子１４３〜１４５は、短絡などの接続不良を起こしにくいので半導体レーザ部などの重要部を保護することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device such as an SRAM or the like wherein SWT (Side wall transfer) process is used to form a pattern with nonuniform width.例文帳に追加

パターン幅が均一でないパターンを形成できるＳＷＴ（Side wall transfer）プロセスを用いたＳＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The asymmetry value of a reproduction signal corresponding to each recording power obtained by reproducing the recorded pattern train is measured for each pulse width value.例文帳に追加

記録されたパターン列を再生して得られる各々の記録パワーに対応した再生信号のアシンメトリ値を、各々のパルス幅値に対して測定する。 - 特許庁