「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A nonwoven raw fabric 16 is formed by needle-punch processing and has a striped pattern in the warp direction with a predetermined width.例文帳に追加

ニードルパンチ加工で形成されるとともに、経（タテ）方向に所定幅の筋模様Ｍが少なくとも一本、径（タテ）方向に形成されている不織布原反１６。 - 特許庁

After a third resist pattern 27 is formed, a recess 22 having the same width as that of the gate opening 25 is formed through selectively etching and anisotropically the cap layer 16 exclusively.例文帳に追加

第３のレジストパターン２７を形成後、キャップ層１６のみを選択的かつ異方的にエッチングし、ゲート開口部２５と同じ幅のリセス部２２を形成する。 - 特許庁

Consequently, the line width and out-of-focus amount of the pattern can be estimated more accurately than the conventional case where they are estimated based on one point spread function.例文帳に追加

これにより、従来のように一つのポイントスプレッドファンクションで近似する場合に比して、パターンの線幅及びボケ量を正確に推定することができる。 - 特許庁

To provide encoding device and method using the same pattern information suitable for a transmission environment in which a transmission band width is changed at all times like the internet.例文帳に追加

インターネットのように伝送帯域幅が随時変わる伝送環境に好適な同一模様情報を用いる符号化装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure system which can rapidly adjust the line width of a pattern exposed to a wafer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ウェハに露光されるパターンの線幅の調整を迅速に行うことのできる電子ビーム露光装置及び半導体素子製造方法を提供する。 - 特許庁

Each plane pattern width of a dummy cell active region 38 and a dummy cell element isolation region 40 partitions the dummy cell active region 38, and is optimized in the dummy cell 14.例文帳に追加

ダミーセル部１４では、ダミーセル活性領域３８及びこれを区画するダミーセル素子分離領域４０の各々の平面パターン幅が最適化されている。 - 特許庁

To provide a resist composition giving a resist film with high etching durability and reduced LWR (line width roughness) in EUV lithography that can achieve formation of an ultrafine pattern.例文帳に追加

極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、エッチング耐性が高く、ＬＷＲを低減したレジスト膜を与えるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Therefore, the width size in the vertical direction of the circuit substrate 57 can be set wider, thereby, a conductor pattern to be formed on the circuit substrate 57 can be formed with a margin.例文帳に追加

よって回路基板５７の上下方向の幅寸法を広くでき、回路基板５７に形成される導体パターンの形成を余裕をもって行える。 - 特許庁

To provide a base station antenna device capable of achieving a wide half width of not less than 100° in a horizontal plane by improving F/B ratio of radiation pattern characteristics.例文帳に追加

放射パターン特性のＦ／Ｂ比を改善し、水平面内で１００°以上の広域な半値幅を実現可能な基地局アンテナ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transfer object which is excellent in the reproducibility of the line width of a color development pattern transferred when manufacturing a color filter or the like by transfer.例文帳に追加

転写によるカラーフィルタ等製造の際に、転写される着色パターンの線幅の再現性に優れた転写体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the width of the first side surface 22 is created narrower than that of the second side surface 24 on a side close to a pad 26 composed of the conductive pattern.例文帳に追加

更に、導電パターン１６から成るパッド２６に接近する側辺では、第１側面２２の幅が第２側面２４よりも狭く構成されている。 - 特許庁

The extended pattern is formed on a substrate W or on a substrate table WT and preferably extends over a length at least 50 times wider than a width of the line.例文帳に追加

延在パターンは、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴ上に形成され、好ましくは線の幅の少なくとも５０倍の長さにわたって延在する。 - 特許庁

Consequently, a resist pattern 111 for via hole whose diameter is smaller than a width of the upper groove 110 in size is formed and a via hole 112 is formed using this as a mask.例文帳に追加

次いで、上溝１１０の幅より径が小さいビアホール形成用のレジストパターン１１１を形成し、これをマスクにビアホール１１２を形成する。 - 特許庁

Since the width of the mark pattern end exposed to the inner face of the groove incrementally increases toward groove bottom, the dicing mark 3a can be made clearer.例文帳に追加

溝内面に露出するマークパターン端の幅は溝底に向かうに従って徐々に大きくなるので、ダイシングマーク３ａをより鮮明なものとすることができる。 - 特許庁

In a second process, trimming treatment narrowing down the pattern width of the mask layer 212 is carried out in parallel, not only etching an anti-reflection coating 210 longitudinally.例文帳に追加

第２工程では，反射防止膜２１０を縦方向にエッチングするだけでなく，マスク層２１２のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。 - 特許庁

The controller 18 is configured to be mutually switchable between pulse-width modulation control based on a comparison results of a sine wave and a cosine wave, and fixed pattern control.例文帳に追加

コントローラ１８は、正弦波と搬送波との比較結果に基づくパルス幅変調制御と、固定パターン制御とを相互に切替可能に構成される。 - 特許庁

Thereby pattern printing widths A and B can be widened twice the coil width, so that a ultra-thin round coil can be formed by screen printing.例文帳に追加

これにより、パターン印刷幅ＡとＢをコイル幅の２倍に広げることができ、よって、スクリーン印刷による超極細の周回コイルの作製が可能となる。 - 特許庁

To provide a measuring method and device for easily performing exact measurement of an extremely fine line width and quantification about a profile of an etching structure on a pattern wafer.例文帳に追加

極微線幅の正確な測定やパターンウェハ上のエッチング構造のプロファイルに関する定量化が容易に行える測定方法と装置を提供する。 - 特許庁

To realize a method of coating a resist that is suited for making a micro-pattern having a width of 0.2 μm or less even on an undercoated film containing nitrogen atoms and susceptible to moisture.例文帳に追加

吸湿性がある窒素原子を含む下地膜上においても０．２μｍ幅以下の微細パターン形成に適したレジスト塗布方法を提供する。 - 特許庁

Here, the width of outermost conductor pattern among a plurality of conductor patterns is set larger than that of remaining conductor patterns.例文帳に追加

導体パターン１１，１２のうち、最も外側の導体パターン１１の幅Ｗ_1 が５０μｍであり、これ以外の導体パターン１２の幅Ｗ_2 は２５μｍである。 - 特許庁

To provide a photomask capable of precisely working a light-shielding pattern and suppressing the variation of resist line width due to flare, and to provide a manufacturing method for the photomask.例文帳に追加

遮光パターンを高精度で加工できると共にフレア起因によるレジスト線幅変化を抑制できるフォトマスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To facilitate correction of correction parameters, corresponding to the measurement data of each measurement item, such as resist thickness and development line width, in a resist pattern formation device.例文帳に追加

レジストパターン形成装置において、レジスト膜厚や現像線幅等の各測定項目の測定データに対応する補正パラメータの補正作業を容易にすること。 - 特許庁

The line width of the pattern on the wafer U is measured by a line measuring unit 20 in an inspecting station 3 and the result of the measurement is accumulated in an accumulating unit 160.例文帳に追加

このウェハＵのパターンの線幅を，検査ステーション３の線幅測定装置２０において測定し，その測定結果を蓄積装置１６０に蓄積する。 - 特許庁

To provide a phenol novolak resin forming excellent fine overcrowded or isolated pattern, and excellent in sensitivity, resolution and focal depth-width property, and a positive-type photoresist composition.例文帳に追加

微細な密集、孤立パターンを良好に形成し、感度、解像性、焦点深度幅特性に優れるフェノールノボラック樹脂、ポジ型ホトレジスト組成物の提供。 - 特許庁

A point of change P4 (position of cumulative width value 180+1=181) in the tone of a dirt e1 belongs to the dirt e1 on a scanning line L2, that is, to the dark pattern.例文帳に追加

汚れｅ１の明暗の変化点Ｐ４（累積幅値１８０＋１＝１８１の位置）は、走査線Ｌ２上では汚れｅ１、つまり暗パターンに属する。 - 特許庁

Specially, when the line widths of the characters are increased in the boldface processing, a pattern in which a light emitting element one element inside from the end of the line width becomes B (blue) is avoided.例文帳に追加

特に、太字処理において、文字の線幅を太くする際、線幅の端から１つ内側の発光素子がＢ（青色）となるパターンを避ける。 - 特許庁

In addition, no laser radiation is performed prior to dicing to the scribe line of a predetermined or less width on which a metal-containing accessory pattern is provided.例文帳に追加

また、金属を含むアクセサリパターンを配置したスクライブラインであって、所定の幅以下のスクライブラインには、ダイシングに先立つレーザ照射を行わないようにした。 - 特許庁

In the winding signboard, the reinforcing sections R are provided at both ends in a width direction, and the display pattern is printed in the range from the main surface to the side faces of the reinforcing sections R.例文帳に追加

幅方向両端部に補強部Rがあり、主表面から補強部Rの側面までに至る表示模様が付された巻き看板である。 - 特許庁

This inkjet recording apparatus is equipped with the connecting head 1 which is constituted by arranging the plurality of short chips 61 in the zigzag pattern in the width direction of the recording medium 51.例文帳に追加

複数の短尺チップ６１を被記録媒体５１の幅方向に千鳥状に並べて構成されたつなぎヘッド１を備えたインクジェット記録装置である。 - 特許庁

To avoid dropping the gain of an antenna assembly having broadband antenna characteristics over a wide angle of its radiation pattern, thus obtaining a wide width of beam over a wide band.例文帳に追加

広帯域のアンテナ特性をもつアンテナ装置において、放射パターンの広角での利得の落ち込みを防止し、広帯域に亘って広いビーム幅を得る。 - 特許庁

In order to keep a terminal width as narrow as possible, 10 terminals or more are constituted as one block and a pattern is formed so that both neighbors may form Y axis symmetry.例文帳に追加

端子の幅を極力大きくしないため、１０本以上を１ブロックとして構成し、両隣はＹ軸ミラー写しとなるようにパターン形成をした。 - 特許庁

The grating is therefore not imaged and an exposed pattern expressed by the depth or width of each of the grooves of the phase grating is transferred to a photosensitive material.例文帳に追加

それにより、格子が結像されなくなり、位相格子の各溝の深さや幅等で表現された露光パターンが感光材料に転写される。 - 特許庁

The inside conductor pattern is provided so that a film thickness T2 and a width W2 thereof is T2÷W2<0.1 in an inside conductor electrode connection part.例文帳に追加

内部導体外部電極接続部においてその膜厚Ｔ２と幅Ｗ２がＴ２÷Ｗ２＜０．１となるような内部導体パターンを設ける。 - 特許庁

In the transmission lines in the interleave structure, the gap between adjacent conductor patterns and the width of each conductor pattern are set based on a prescribed condition.例文帳に追加

このインタリーブ構造の伝送路は、隣接する導体パターン間のギャップと導体パターンそれぞれの幅とが所定条件に基づいて設定される。 - 特許庁

To provide a phenol novolak resin excellent in sensitivity, resolution and focal depth-width property when fine overcrowded or isolated pattern is formed, and a positivetype photoeresist composition.例文帳に追加

微細な密集、孤立パターンを形成時に、高感度、高解像性、焦点深度幅特性に優れるフェノールノボラック樹脂、ポジ型ホトレジスト組成物の提供。 - 特許庁

The shield pattern 170 covers the microphone signal line 140 and the microphone 150 with a minimum width to minimize an electric length in a high-frequency band.例文帳に追加

シールドパターン１７０は、高周波帯域における電気長を最小限にするように、マイク信号線１４０とマイク１５０を最小限の幅で覆う。 - 特許庁

The dummy pattern of the emitter electrode 11 is used for forming the second insulating film 8, so that a manufacturing method with small dispersion in width and superior reproducibility can be obtained.例文帳に追加

また、第２の絶縁膜８の形成にエミッタ電極１１のダミーパターンを用いることにより、バラツキ幅の小さい、再現性に優れた製造方法となる。 - 特許庁

To provide a correction of an exposure width, which is necessary when line widths and spacings are so small that required line widths are not obtained in exposing and developing a wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの露光及び現像を行った場合、ライン＆スペースが小さい場合において要求線幅が得られないために補正が必要である。 - 特許庁

To provide a metal mask in which an opening width can be made narrower compared with a conventional one even if manufactured using the same pattern accuracy as a photoresist.例文帳に追加

フォトレジストとして同じパターン精度のものを用いて製造しても、開口幅を従来に比べて狭くすることができるメタルマスクを提供する。 - 特許庁

Concretely, data of three tracks in the DV format are recorded on one track of the magnetic tape whose width is a half inch in a data pattern which is kept unchanged as it is.例文帳に追加

具体的には、１／２インチ幅の磁気テープの１つのトラックに、ＤＶフォーマットにおける３つのトラックのデータを、そのままのデータパターンで記録する。 - 特許庁

To reduce constriction while suppressing corner rounding of a pattern having a line width wider than before by an easy method.例文帳に追加

マスクパターンの補正方法に関し、従来よりも広範な線幅のパターンにおけるコーナーラウンディングを簡単な手法により抑制するとともに、括れを低減する。 - 特許庁

To provide a substrate processing device which is capable of controlling the line width of a resist pattern and the thickness of a resist film with high accuracy, taking an environment around a substrate into consideration.例文帳に追加

基板周囲の環境を考慮した、より精密な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The conductor width D of a wiring 111 in the pattern 11 has a relationship of 1≤D/T1≤1.5 with respect to the thickness T2 of the layer 21.例文帳に追加

外部導体パターン１１における線状部１１１の線幅Ｄは，最上絶縁層の厚みＴ_１との間に，１≦Ｄ／Ｔ_１≦１．５の関係をもつ。 - 特許庁

To improve uniformity of line width in a substrate by supplying a developer, having an appropriate concentration that is suited to the characteristics of a photo resist film and the kind of baking pattern.例文帳に追加

フォトレジスト膜の特性や焼き付けパターンの種類などに応じた適正濃度の現像液を供給して基板内の線幅の均一性を向上する。 - 特許庁

The slip prevention pattern comprises: fundamental protrusions 15, each having a planar apex 14 with a size equal to or larger than a groove width d of the largest groove 13 constituting the tread pattern, which are disposed in immediate proximity to each other; and small protrusions 17, each having a planar apex with a size smaller than the groove width d of the tread pattern, which are disposed between the fundamental protrusions.例文帳に追加

上記スリップ防止模様は、トレッドパターンを構成する最大の溝１３の溝幅ｄ以上の大きさの頂部１４の平面形状を有し、かつ相互に密接して配置する基本突起１５と、上記トレッドパターンの溝幅ｄよりも小さい大きさの頂部の平面形状を有し、上記基本突起の間に配置する小突起１７とから構成されている。 - 特許庁