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pattern widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1835件
To provide a pattern inspection apparatus and pattern inspection method for detecting with high sensitivity line width defect that generates error of line width in pattern transferred on a wafer.例文帳に追加
ウエハに転写されたパターンに線幅の誤差が発生する線幅欠陥を高感度に検出するパターン検査装置及びパターン検査方法を提供する。 - 特許庁
A line width estimation part 34 estimates a line width of an image pattern of a marked pixel line width area, based on an input image signal.例文帳に追加
線幅推定部34は、入力画像信号から注目画素線幅領域の画柄の線幅を推定する。 - 特許庁
The optical pickup device is provided with a flexible substrate 12, wherein a plurality of pattern terminals to be connected with female connectors are formed at the end part, and the pattern terminals include normal width pattern terminals 141, large-width pattern terminals 142 and thin width pattern terminals 143 to 145.例文帳に追加
光ピックアップ装置は、端部に雌側コネクタと接続される複数のパターン端子が形成されるフレキシブル基板12を備え、パターン端子は、通常幅パターン端子141と太幅パターン端子142と細幅パターン端子143〜145とを含む。 - 特許庁
Line width of the actual pattern is measured by the measurement apparatus (ST20).例文帳に追加
実際パターンの線幅を測定装置で測定する(ST20)。 - 特許庁
To quantitatively specify maximum effective pattern width of a spray gun.例文帳に追加
スプレーガンの最大有効パターン巾を定量的に特定する。 - 特許庁
The width of the auxiliary pattern 13 does not exceed the resolution limit.例文帳に追加
また、上記補助パターン13の幅が解像限界以下である。 - 特許庁
Each pattern part 12a corresponds to paper passing width D, and each pattern part 12b is formed outside the passing width D.例文帳に追加
直線状パターン部12aは通紙幅Dに対応し、湾曲パターン部12bは通紙幅Dの外側に形成される。 - 特許庁
A minimum design dimension of a wiring width of the first wiring pattern is smaller than a minimum design dimension of a wiring width of the second wiring pattern.例文帳に追加
第1の配線の配線幅の最小設計寸法は、第2の配線の配線幅の最小設計寸法よりも小さい。 - 特許庁
To form accurately a desired fine width pattern without depending upon the roughness and fineness of pattern distribution irrespective of an extraction or remnant pattern with respect to a formation method of an electron device and a fine width pattern.例文帳に追加
電子デバイス及び微細幅パターンの形成方法に関し、抜きパターンや残しパターンのいずれの場合もパターン分布の粗密に依存せずに所望の微細幅パターンを精度良く形成する。 - 特許庁
Thereby, the line width of the mask pattern can be changed into the width of the prescribed dimension of the center figure.例文帳に追加
これにより、マスクパタン線幅を中心図形の所定寸法幅に変更することができる。 - 特許庁
To improve a resolution in the width direction even if the stripe width of a stripe pattern is not reduced.例文帳に追加
ストライプパターンのストライプ幅を小さくしなくてもその幅方向の解像度を改善させる。 - 特許庁
The width of the first annular pattern 8 is set to a dimension (a) equal to the width of a separation portion 4.例文帳に追加
第1環状パターン8の幅は、分離部4の幅と同じ大きさaに設定されている。 - 特許庁
METHOD OF FORMING PATTERN FILM WITH NARROW WIDTH AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD HAVING MAGNETIC POLE LAYER WITH NARROW WIDTH例文帳に追加
微小幅のパターン膜の形成方法及び微小幅の磁極層を備えた薄膜磁気ヘッド - 特許庁
The burst pattern width is trimmed by writing a high frequency signal whose erasing width is narrower.例文帳に追加
バーストパターン幅のトリミングを、より消去幅の小さい高周波信号書き込みにより行う。 - 特許庁
In a thin film transistor, when the width of effective region of a pixel is A and the width of negative pattern of effective region of a pixel is B, the width B is larger than the width A.例文帳に追加
画素の有効領域の幅をA、画素の有効領域のネガパターンの幅をBとしたとき、幅Bが幅Aよりも大きな薄膜トランジスタとする。 - 特許庁
The sum of the width Wa of the shielding band 21 and the width Wb of the translucent band 22 in the stripe pattern 20 is three times the width of the band-like area (width of pixel element).例文帳に追加
縞柄パターン20の遮光帯21の幅Waと透光帯22の幅Wbの和は、帯状領域の幅(画素要素の幅)の3倍である。 - 特許庁
A transfer pattern which is minuter than the pattern width of an uneven pattern formed in the imprinting mold can thereby be obtained.例文帳に追加
これにより、インプリントモールドに形成された凹凸パターンのパターン幅よりも微細な転写パターンを得ることが出来る。 - 特許庁
The width of a trench test pattern 20e of the second test pattern 20 is made smaller than gap pattern 24, 25 of the fixed contact 2.例文帳に追加
第2テストパターン20の溝状テストパターン20eの幅を固定接点部2の間隙パターン24、25より細くする。 - 特許庁
An end of a second conductive pattern 104 is connected to a first conductive pattern 100, and the width of the second conductive pattern is narrower than that of the first conductive pattern 100.例文帳に追加
第2導電パターン104は端が第1導電パターン100につながっており、第1導電パターン100より幅が細い。 - 特許庁
To form a small-width pattern in a large thickness, and to prevent a surface thereof in its intersection part from becoming uneven when forming the small-width pattern and a large-width pattern intersecting with each other.例文帳に追加
互いに交差する幅小パターンおよび幅大パターンを形成する際に、幅小パターンを厚膜に形成することができるとともに、その交差部における表面が凸凹になることを抑制する。 - 特許庁
To provide a method for forming a pattern by which a pattern of fine width is formed more easily.例文帳に追加
微細な幅のパターンをより簡単に形成できるパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
And, the print pattern for the single side has a narrower pattern width portion than that of the end portion.例文帳に追加
そして、単独辺用プリントパターンは、端部のパターン幅に比べて狭いパターン幅の部分を有する。 - 特許庁
The pattern portion of one area is shifted relative to the pattern portions of the other areas in the width direction.例文帳に追加
また、一の領域の絵柄部は、他の領域の絵柄部に対して幅方向にずれている。 - 特許庁
To provide a pattern forming method in which a pattern with a fine width can be formed more easily.例文帳に追加
微細な幅のパターンをより簡単に形成できるパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
The measured data of a new test pattern for a testing mask are obtained by measuring the line width of each gate pattern.例文帳に追加
テスト用マスクの新規テストパターンの実測データは、各ゲートパターンの線幅について測定される。 - 特許庁
A pattern 2 for vehicle length measurement and a pattern 3 for vehicle width measurement are formed on a road surface.例文帳に追加
車長計測用パターン2と車幅計測用パターン3とを路面に形成しておく。 - 特許庁
The minimum value of X direction pattern width of a target is compared with that of the Y direction pattern width and a shifting direction and width for setting up the direction having the minimum value as a new start point are set up (S2).例文帳に追加
対象物のXとY方向のパターン幅の最小値を比較、最小値を有す方向を新たな開始点とする、ずらす方向と幅を設定する(S2)。 - 特許庁
A line width detection unit 18 detects a line width of main scanning direction and a line width of sub scanning direction for a line width detection pattern, respectively, based on input image data from a pattern detection portion 16.例文帳に追加
線幅検出部18は、パターン検出部16からの入力画像データに基づいて、線幅検出パターンの主走査方向の線幅および副走査方向の線幅をそれぞれ検出する。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING CIRCUIT PATTERN LINE WIDTH例文帳に追加
回路パターン線幅計測方法および回路パターン線幅計測装置 - 特許庁
The width of the first land pattern 210 in the thickness direction of the downwardly extending portion is set greater than the width of the second land pattern in the thickness direction of the downwardly extending portion.例文帳に追加
第1ランドパターン210の、垂下部の厚み方向の幅は、第2ランドパターンの、垂下部の厚み方向の幅よりも大きくする。 - 特許庁
The pattern width H of the circuit 6 is formed with such a pattern width that the duration of flaming from the start of energizing takes a given reference time or longer.例文帳に追加
回路6のパターン幅Hは、通電開始からの発煙時間が所定の基準時間以上となるパターン幅に形成されている。 - 特許庁
Also, a leading pattern 3a with width that is L/2 or smaller is formed in both the width directions from a central part in the longitudinal direction of the metallized pattern 2.例文帳に追加
また、メタライズパターン2の長手方向の中央部から両幅方向にL/2以下の幅の引き出しパターン3aを形成しておく。 - 特許庁
The width of the component pattern is 0.8 times or above as large as the lower limit of the prescribed range of the width of the device pattern and 1.2 times or below as large as the upper limit.例文帳に追加
要素パターンの幅は、デバイスパターン幅の規定範囲の下限値の0.8倍以上であり、かつ上限値の1.2倍以下である。 - 特許庁
When a defined bar code pattern and the inputted width pattern are collated with each other according to order of magnification of the unit width, the bar code is recognized.例文帳に追加
単位幅の倍率の並びで、規定されているバーコードパターンと入力の幅パターンを照合することによりバーコードを認識する。 - 特許庁
The lengths of the uniform width lower coil pattern piece 74 and the uniform width upper coil pattern piece 76 are regulated to be the absolute minimum.例文帳に追加
均一幅下部コイルパターン片74および均一幅上部コイルパターン片76の長さは必要最小限に規定されることができる。 - 特許庁
To provide a measuring method of a fine pattern line width and its system.例文帳に追加
微細パターン線幅測定方法およびそのシステムを提供する。 - 特許庁
Width W1 of a circuit pattern at a part where the bending line L crosses is wider than width W2 of the circuit pattern at other parts.例文帳に追加
折り曲げ線Lが交差する部分の回路パターンの幅W1は、他の部分の回路パターンの幅W2よりも広くなっている。 - 特許庁
POWER CIRCUIT PATTERN WIRING WIDTH GENERATION SYSTEM AND ITS GENERATION METHOD例文帳に追加
電源回路パターン配線幅生成システムおよびその生成方法 - 特許庁
To provide a method of calculating a resist pattern line width on the basis of which a pattern line width is calculated for optical proximity effect correction.例文帳に追加
光近接効果補正のためのマスクパターン・ライン幅を算出する前提となるレジストパターン・ライン幅を算出する方法を提供する。 - 特許庁
Width is gradually widened from the coil conductor pattern 34a to the coil conductor pattern 34d, and the width is gradually narrowed from the coil conductor pattern 34d to the coil conductor pattern 34g.例文帳に追加
コイル導体用パターン34aからコイル導体用パターン34dに向かって徐々に幅を広くし、コイル導体用パターン34dからコイル導体用パターン34gに向かって徐々に幅を狭くする。 - 特許庁
To diminish a mask pattern in pattern width after the mask pattern is formed and also to reduce the cost of plant investment which increases with scaling-down of the mask pattern.例文帳に追加
マスクパターンを形成した後にそのパターン幅を縮小化できるようにすると共に、マスクパターンの微細化に伴う設備投資コストを低減できるようにする。 - 特許庁
The method for forming a pattern includes a first application step S30 for linearly supplying a high-viscosity application liquid to a principal surface of a substrate to form a small-width pattern, and a second application step S50 for linearly supplying a low-viscosity application liquid onto the principal surface of the substrate and the small-width pattern to form a large-width pattern intersecting with the small-width pattern.例文帳に追加
基板の主面に高粘度の塗布液を線状に供給して幅小パターンを形成する第1塗布工程(ステップS30)と、基板の主面および幅小パターン上に低粘度の塗布液を線状に供給して、幅小パターンと交差する幅大パターンを形成する第2塗布工程(ステップS50)とを含む。 - 特許庁
A calculating formula of the band width of the antenna, an inter-pattern capacitance, a pattern width closely relating to coupling and a pattern pitch in addition to a pattern fold-back width that closely relates to the capacitive component between conductor patterns is derived, by which the band width of the antenna can be obtained.例文帳に追加
導体のパタ−ン間の容量成分に密接に関係するパタ−ン切り返し幅に加え、パタ−ン間の容量、結合に密接に関係するパタ−ン幅、パタ−ンピッチより成り立つ計算式を用いて帯域幅を求め、この計算式にしたがって計算する。 - 特許庁
In this case, line width is attached to the hairline pattern, based on a function to determine the inputted line width.例文帳に追加
その際、ヘアラインパターンに対して、入力された線幅を定める関数に基づいて線幅を付ける。 - 特許庁
The gate width W1 of each upper and lower layer 34A and 34B is smaller than a resist pattern width W2.例文帳に追加
上層34A及び下層34Bのゲート幅W1は、レジストパターン幅W2よりも狭くなる。 - 特許庁
The character pattern is given to a character line width calculating part 35, and the width of lines constituting the character.例文帳に追加
文字パターンは文字線幅算出部35に与えられ、文字を構成する線の幅が算出される。 - 特許庁
To obtain a further appropriate resist pattern by enlarging both a mask pattern size and a resist pattern width and increasing the controllable parameter.例文帳に追加
マスクパターンサイズの増大とともにレジストパターン幅を大きくし、制御できるパラメータを増加させ、より適切なレジストパターンを得る。 - 特許庁
The resin pattern 10 may have a high density area of high pattern density and a low density area of low pattern density, and it may have a wide area of wide pattern width and a narrow area of narrow pattern width.例文帳に追加
樹脂パターン10は、パターン密度が高い高密度領域と、パターン密度が低い低密度領域とを有するものであってもよく、パターン幅の広い広幅領域とパターン幅の狭い細幅領域とを有するものであってもよい。 - 特許庁
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