| 例文 |
pattern widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1835件
To form a wiring pattern that contains tungsten and has a small line width.例文帳に追加
タングステンを含み、小さな線幅を有する配線パターンを形成する。 - 特許庁
A width W1 of an outermost conductor pattern 11, for example, among conductor patterns 11 and 12 is 50 μm while a width W2 of the other conductor pattern 12 is 25 μm.例文帳に追加
また、内側の導体パターン12の間隔S_2 は25μmであり、導体パターン11と導体パターン12との間隔S_4 は25μmである。 - 特許庁
To provide a pattern line width measuring method of a semiconductor element and its apparatus for preventing error of line width measurement of an actual pattern.例文帳に追加
実際パターンの線幅測定に誤謬が発生しないようにする半導体素子のパターン線幅測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁
In a width measurement circuit 4, the wiring width is measured at a plurality of measurement positions in the wiring pattern used as a pattern to be inspected in a binary image.例文帳に追加
幅測定回路4では、2値化画像における被検査パターンとしての配線パターンの複数の測定位置で配線幅が測定される。 - 特許庁
To automatically generate a pattern which has different line width by automatically varying the line width by changing parameters on the basis of a generated reference pattern.例文帳に追加
作成した基準パターンを元にパラメータ変更により線幅を自動変更して線幅の異なるパターンを自動生成することを課題とする。 - 特許庁
To form an antenna pattern having expected pattern width by removing a conductive film by a desired width.例文帳に追加
導電膜を所期の幅で除去することで、所期のパターン幅を有するアンテナパターンを形成することができるアンテナの製造方法を提供する。 - 特許庁
Besides, the pattern width of the thin-film pattern 7 is controlled on the basis of the width of the top face 2A and a tilted angle of the side faces 2B and 2C, with high precision.例文帳に追加
しかも、上面2Aの幅および側面2B,2Cの傾斜角度に基づいて薄膜パターン7のパターン幅が高精度に制御される。 - 特許庁
Therefore, the size of a wiring pattern whose width and interval are equal is reduced as much as possible when the wiring pattern is manufactured.例文帳に追加
従って、等幅・等間隔の配線パターンはそのサイズを製造上で可能な限り縮小できる。 - 特許庁
The width of the bottom of the transverse section of this pattern 5 is formed thinner than that of the surface of the pattern 5.例文帳に追加
そして、このインダクタ用導体パターン5は、その横断面の底面幅が表面幅以下である。 - 特許庁
METHOD FOR DECIDING LIGHT RECEIVING WIDTH FOR ALIGNMENT PATTERN DETECTING SENSOR, ALIGNMENT PATTERN DETECTING SENSOR, METHOD FOR FORMING ALIGNMENT PATTERN AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加
位置合わせパターン検知センサの受光幅決定方法・位置合わせパターン検知センサ・位置合わせパターンの形成方法・画像形成装置 - 特許庁
To provide a pattern forming method independent of the density of a pattern and giving a pattern having good line width accuracy to design value.例文帳に追加
パターンの疎密に依存せず、設計値に対する線幅精度の良好なパターンを得ることが可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
A color deviation detection pattern signal generation part 27 generates a color deviation detection pattern having the pattern width obtained by the CPU 5.例文帳に追加
色ずれ検出パターン信号生成部27は、CPU5によって求められたパターン幅を有する色ずれ検出パターンを生成する。 - 特許庁
A pattern 44, with which the fine space part is inverted, is provided by extracting a pattern narrower than a width L th2 (0.2 μm, for example), out of this pattern (d).例文帳に追加
この中から幅Lth2(例えば0.2μm)以下のパターンを抽出して微細スペース部を反転したパターン44を得る(d)。 - 特許庁
It is preferred to change a distance between the pattern 3' corresponding to the line pattern 3 and the auxiliary line patterns 4 in accordance with a line width of the line pattern 3.例文帳に追加
ラインパターン3の線幅に応じて、ラインパターン3に対応するパターン3’と補助ラインパターン4との距離を変えることが好ましい。 - 特許庁
A pattern KP for inspection for the purpose of measuring the line width of the pattern to be transferred to a substrate is formed on the mask having a circuit pattern CP.例文帳に追加
回路パターンCPを有するマスクに、基板に転写されるパターンの線幅を計測するための検査用パターンKPを形成する。 - 特許庁
After a resist pattern 33 is formed, the pattern 33 is thermally treated in the case of increasing its width, and the pattern 33 is irradiated with ultraviolet rays and then thermally treated in the case of reducing its width.例文帳に追加
レジストパターン33形成後、この幅を大きくする場合はパターン33を熱処理し、この幅を小さくする場合はパターン33に紫外線照射してから熱処理をする。 - 特許庁
In the heater coil 60, a terminal pattern having wide width is arranged at the outside of a write coil relative area 70, and a heater pattern having narrower width than the terminal pattern is arranged in the write coil relative area 70.例文帳に追加
ヒータコイル60は、ライトコイル相対領域70の外部に幅広の端子パターンを配置し、ライトコイル相対領域70内に記端子パターンより幅の狭いヒータパターンを配置する。 - 特許庁
A divided margin band having the same width as the MSD pattern width is set on the outside of the unit lithography area.例文帳に追加
単位描画領域の外郭にその長辺方向のパターン幅と同じ幅の分割マージン帯を設定する。 - 特許庁
The width in the peripheral direction of the track pitch variation measuring pattern 13 is fixed.例文帳に追加
トラックピッチ変動測定用パターン13の周方向幅は一定である。 - 特許庁
Longitudinal line of the lattice pattern has a width of two pixels or more, e.g. three pixels.例文帳に追加
格子状パターンの縦線の幅は2画素以上、例えば3画素とする。 - 特許庁
ii. Equipment that can burn a pattern with a line width of less than 1 micrometer 例文帳に追加
2 一マイクロメートル未満の線幅のパターンを焼き付けることができるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
The hole 21 is formed larger than the width of the microscopic wire pattern of the electrode 15.例文帳に追加
コンタクトホール21は、ゲート電極15の細線パターンの幅よりも大きい。 - 特許庁
To manufacture a printed wiring board by stabilizing the line width of a pattern.例文帳に追加
パターンの線幅を安定させてプリント配線板を製造できるようにする。 - 特許庁
The width of a pattern formed by the conductor protruded in the second region is smaller than the width of a pattern formed by the conductor provided in the first region.例文帳に追加
第2の領域に突出されている導体によるパターンの幅は、第1の領域に設けられた導体によるパターンの幅より小さくなっている。 - 特許庁
With this movement, width of the fourth pattern row C4 is enlarged toward right, and width of the second pattern row C2 is shrunken from left.例文帳に追加
これにより、第4図柄列C4の列幅は右方向へ向けて拡大されるとともに、第2図柄列C2の列幅は左方向から縮小される。 - 特許庁
In forming stitches of specified needle swing pattern, the width of needle swing is divided by the needle application number of needle swing pattern so as to obtain one needle swing width (S2).例文帳に追加
所定の針振りパターンの縫い目を形成するとき、針振り巾を針振りパターン針数で割って商を求め1針振り巾を算出する(S2)。 - 特許庁
The line width W of a character pattern 20 is obtained by line width detecting processing of a line width detecting part 5 and a sub-pattern consisting of the directional components of the character is obtained by sub- pattern extracting processing of a sub-pattern extracting part 7 to be stored respectively in plural memories 8 to 11.例文帳に追加
文字パタン20の線幅Wが線幅検出部5の線幅検出処理により求められ、文字の方向成分で構成されたサブパタンが、サブパタン抽出部7のサブパタン抽出処理で求められてそれぞれ複数のメモリ8〜11に格納される。 - 特許庁
A byte arraying circuit 20 generates data by bytes from the output signal of a data width expanding circuit and an A1A1 pattern detecting circuit 119, an A2A2 pattern detecting circuit 129, and a successive pattern detecting circuit 150 performs A1A1 pattern detection.例文帳に追加
本発明は、バイト単位の並列データに対してフレーム同期を得るためにバイト整列及びフレーム同期回路に対して次のような回路を設けた。 - 特許庁
The dummy dielectric film pattern is parallel to the selective gate pattern and self-aligned with one sidewall of the selective gate pattern and overlapped with the selective gate pattern by an amount corresponding to a predetermined width.例文帳に追加
ダミー誘電膜パターンは前記選択ゲートパターンと平行し、選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。 - 特許庁
To provide a mask pattern correcting method which can easily eliminate a minute level difference formed after line width correction of a pattern.例文帳に追加
パターンの線幅補正後に生じる微小段差を、簡易に解消できるマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁
The flash emission pattern of the light source part 2 is structured of fine light control pattern by the pulse width modulation control.例文帳に追加
また、光源部2の点滅発光パターンがパルス幅変調制御による微調光パターンにより構成される。 - 特許庁
To provide a positive resist composition and a resist pattern forming method for forming a resist pattern with reduced line width roughness.例文帳に追加
LineWidthRoughnessの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The width of the phase shifter is adjusted based on the distance from the pattern and other patterns near the pattern.例文帳に追加
前記パターンと近接する他のパターンから前記パターンまでの距離に基づいて、位相シフターの幅を調整する。 - 特許庁
The average-width calculating part 47 calculates an average traverse width of a traverse guide 17 on the basis of a set traverse width set by the traverse-width setting part 45 and a creeping pattern set by the creeping pattern setting part 46.例文帳に追加
平均幅算出部47は、トラバース幅設定部45により設定された設定トラバース幅と、クリーピングパターン設定部46により設定されたクリーピングパターンとに基づき、トラバースガイド17の平均トラバース幅を算出する。 - 特許庁
To form a pattern on a body under the state suppressing the dispersion of the line width (such as the dispersion of a hole diameter in the case of a contact-hole pattern) of the pattern.例文帳に追加
パターンの線幅ばらつき(コンタクトホールパターンの場合のホール径のばらつきなど)が抑制された状態で、パターンを物体上に形成する。 - 特許庁
Instead of the use of the pattern A, an etching mask film is first formed and an auxiliary pattern composed of a pattern L and having a relatively large line width is transferred to the mask film.例文帳に追加
その代わりに、まず、エッチングマスク膜を形成し、そして、パターンLからなる線幅の比較的大きい補助パターンをその膜に転写する。 - 特許庁
The driving pattern table includes a fixed pattern or a pattern with modulated pulse width for improving the feeding distribution capability of the stepping motor.例文帳に追加
該駆動パターンテーブルは、上記ステッピングモータの送り分配能を向上させるための固定パルスパターンもしくはパルス幅変調したパターンを含む。 - 特許庁
Moreover, in the embodiment adopting the cross sections of the form of the trigonometric functions, a pattern in which only the height is changed while keeping the width of the projections and recesses constant, a pattern in which the width and height is varied while keeping the product of the width and height constant, or a pattern in which the combinations of the width and height are variously changed may be used.例文帳に追加
その他、三角関数形状では、凹凸の幅を一定にして高さのみを種々変化させる態様、幅及び高さの積を一定にして幅及び高さを種々変化させる態様、または幅及び高さの組み合わせを種々変化させる態様を採用してもよい。 - 特許庁
To form respective circuit patterns on a printed board in the expected pattern width.例文帳に追加
プリント基板上に、回路パターン各々を所期のパターン幅として形成すること。 - 特許庁
A width size L1 of a connection 11a of a conductive pattern 11 is made narrower than a width size L2 of a wiring 11b.例文帳に追加
導電パターン11の接続部11aの幅寸法L1を、配線部11bの幅寸法L2よりも狭くする。 - 特許庁
To achieve a method for adjusting a resist pattern width, which improves accuracy in adjusting the width.例文帳に追加
レジストパターン幅寸法を調整する精度が向上するレジストパターン幅寸法の調整方法を得ることを目的とする。 - 特許庁
To provide an electrostatic apparatus capable of setting the width of a coating pattern to a desired width and improving the coating efficiency.例文帳に追加
塗布パターン幅を所望の大きさに設定でき、塗装効率を向上できる静電塗装装置を提供すること。 - 特許庁
Furthermore, scanning width at the time of printing a regulation pattern is set equal to that at the time of printing with a maximum print width.例文帳に追加
さらに調整パターン印字時の走査幅が最大印字幅で印字するときの走査幅と同じである構成とした。 - 特許庁
Furthermore, the core material film 31 is slimmed, to form a line-and-space-like pattern of a second width smaller than the first width.例文帳に追加
さらに、芯材膜31をスリミングして第1の幅より小さい第2の幅のラインアンドスペース状のパターンを形成する。 - 特許庁
A mask pattern 4 consisting of a first mask pattern 4a in the shape of a line of with a width WT of 0.15 μm and a second mask pattern 4b in the shape of a line with a width WF of 1.0 μm parallel with the pattern 4a is made on a mask 1.例文帳に追加
マスク1に、線幅W_Tが0.15μmの線形状の第1マスクパターン4a、このパターン4aに平行な線幅W_Fが1.0μmの線形状の第2マスクパターン4bからなるマスクパターン4を形成する。 - 特許庁
The transmission direction indicating means 807 may be provided at part of the wiring pattern 802 in a range beyond the width of the pattern or in the range of the width of the pattern.例文帳に追加
また、伝送方向表示手段807は、配線パターン802の一部においてこの一部のパターン幅を超える範囲に設けられてもよいし、この一部のパターン幅の範囲内に設けられてもよい。 - 特許庁
Subsequently, the resist pattern 18 is irradiated with an electron beam at an irradiation energy of 100eV-500keV to shrink the line width of the resist pattern 18 thus forming a resist pattern 20 having a shrunk line width.例文帳に追加
続いて、レジストパターン18に100eV以上500keV以下の照射エネルギーで電子線を照射して、レジストパターン18の線幅を縮小させ、線幅が縮小したレジストパターン20を形成する。 - 特許庁
The pattern width of all wiring used for an oscillation circuit is set equal to or below the terminal width (pin width) of an integrated circuit 102, and the wiring having the pattern width as mentioned above is connected to a ground terminal (pin) 106 with the shortest length so as to make a loop area small.例文帳に追加
発振回路に用いる全ての配線のパターン幅を集積回路102の端子幅(ピン幅)よりも同等以下のサイズとし、このパターン幅を有する配線でループ面積を小さくなるように最短長でグランド端子(ピン)と接続する。 - 特許庁
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| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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