「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To precisely form a conductor circuit pattern having fine line width and low electrical resistance.例文帳に追加

微細線幅でかつ電気抵抗の低い導体回路パターンを精度よく形成する。 - 特許庁

A wiring pattern 55 is about half as wide as normal and 20 μm or so in width.例文帳に追加

配線パターン５５は幅が約２０μｍと従来に比べて約半分と狭い。 - 特許庁

The pattern width can be reduced and the power circuit board can be made small-sized.例文帳に追加

よって、パターン幅を縮小することができ、電源回路基板を小型化できる。 - 特許庁

A width W of a chrome pattern 51 is the same as the clearance between the electrodes 3A, 3B.例文帳に追加

クロムパターン５１の幅Ｗは、電極３Ａ，３Ｂ間の隙間と同じである。 - 特許庁

Next, a protection layer 17 for protecting the circuit pattern is provided in the area of the regulated width.例文帳に追加

次いで、回路パターンを保護する保護層１７を、規定幅部領域に設ける。 - 特許庁

Accordingly, pattern line width variation occurring during the development process can be reduced.例文帳に追加

よって、現像段階で生じるパターン線幅変化を減少させることができる。 - 特許庁

The width of a line-shaped overlap inspection mark pattern 2 in a second layer is set larger than the width of a line-shaped production pattern 1 in the second layer within a range from 0.85 μm-1.0 μm.例文帳に追加

ライン状の２層目の重ね合わせ検査マークのパターン２の幅を、ライン状の２層目の本番パターン１の幅より、０．８５μｍ〜１．０μｍの範囲で大きくする。 - 特許庁

To efficiently take a magnetic field caused by current circumventing a slit into an antenna pattern even if the width of the slit has become wider than the width of the antenna pattern.例文帳に追加

スリットの幅がアンテナパターンの幅より広くなってしまう場合にも、スリットを迂回する電流によって生ずる磁界を効率よくアンテナパターンに取り込めるようにする。 - 特許庁

The TEOS oxide film 5 is processed to an intermediate pattern 5a of the first width D1 by patterning based on resist and a core material pattern 5b of the second width D2 is formed by slimming processing thereto.例文帳に追加

レジストによるパターニングでＴＥＯＳ酸化膜５を第１幅Ｄ１の中間パターン５ａに加工し、スリミング処理をして第２幅Ｄ２の芯材パターン５ｂを形成する。 - 特許庁

The pattern width Y is made wider than a pattern width X of a measuring-axis-directional wiring to enhance the signal intensity in the reading head, in measurement.例文帳に追加

そうして、該パターン幅Ｙを、測定軸方向の配線のパターン幅Ｘより広くすることで、測長に際して、読取りヘッドにおける信号強度を向上することができる。 - 特許庁

More concretely the line width of the sub line conductor pattern 3a is selected to be 50% or over and 90% or below of the line width of the main line conductor pattern 2a.例文帳に追加

より具体的には、副線路用導体パターン３ａの線路幅を主線路用導体パターン２ａの線路幅の５０％以上９０％以下に設定する。 - 特許庁

Thereafter, the width of a transfer line, corresponding to each dot arrangement pattern of the pattern transferred on the photosensitive agent, is measured to calculate the aberrations from the difference between the width of each transfer line.例文帳に追加

その後、感光剤に転写されたパターンの、各ドット配列パターンに対応する転写ラインの幅を測定し、各転写ラインの幅の差から、収差を算出する。 - 特許庁

The width of the coil pattern 2 in a magnetic gap layer 11 having the coil pattern 2 and the nonmagnetic substance 3 is narrower than that of the coil pattern 2 in a magnetic substance 12 having only the coil pattern 2.例文帳に追加

コイルパターン２及び非磁性体３を有する磁気ギャップ層１１におけるコイルパターン２の幅が、コイルパターン２のみを有する磁性体層１２におけるコイルパターン２の幅よりも狭い。 - 特許庁

A pattern of a lower wiring layer Ma in a monitor mark formation region includes a part having the same pattern width and pattern pitch as a pattern of a lower wiring layer Ma of a function element formation region.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンは、機能素子形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと同じパターン幅およびパターンピッチを有する部分を含む。 - 特許庁

A method for creating (S5) correction pattern data comprises a step of extracting (S1) a metal pattern from layout pattern data, extracting (S2) and expanding (S3) the minimum area violation pattern, detecting and improving (S4) an interconnection interval violation, and compensating a pattern width.例文帳に追加

レイアウトパターンデータからメタルパターンを抽出（Ｓ１）し、最小面積違反パターンを抽出（Ｓ２）して拡張（Ｓ３）し、配線間隔違反を検出、改善（Ｓ４）し、パターン幅を補正して修正パターンデータを生成（Ｓ５）する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for inspecting a stroke width in which an accurate inspection of the stroke width of a formed pattern can be realized.例文帳に追加

形成されたパターンの線幅の高精度な検査を実現できる線幅検査方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

At this time, the control metal gate 125an is formed smaller in width than a width of the control gate mask pattern 130.例文帳に追加

このとき、制御金属ゲート１２５ａｎの幅は、制御ゲートマスクパターン１３０の幅より小さくなるように形成されている。 - 特許庁

A mask is disposed on which a pattern having a line width substantially smaller than a converted value on the object surface of a desired line width.例文帳に追加

所望線幅の物体面における換算値よりも実質的に小さい線幅のパターンが形成されたマスクを設置する。 - 特許庁

Phase shifters of the same phase are installed on both sides of the gate pattern of a minute dimension width relatively wider than the smallest dimension width.例文帳に追加

最小寸法幅より比較的広い微細寸法幅であるゲートパターンの両側には、同位相の位相シフタが設けられる。 - 特許庁

Expansion of the pattern width of a photoresist for forming the tip end part 17c is prevented and making the writing track width minute is possible.例文帳に追加

先端部１７ｃを形成するためのフォトレジストのパターン幅の広がりを防止でき、書込トラック幅の微小化が可能となる。 - 特許庁

In this case, the line width difference is a difference between a line width of a pattern extending in a first direction along a plane of the substrate and a line width of a pattern extending in a second direction perpendicular to the first direction along the plane of the substrate.例文帳に追加

ここで、前記線幅差は、基板の面に沿って第１方向に延びるパターンの線幅と該基板の面に沿って前記第１方向に垂直な第２方向に延びるパターンの線幅との差である。 - 特許庁

The cell is divided in each unit lithography area having width obtained by reducing only the MSD pattern width from maximum available lithography width in charged particle beam deflection only of sub-deflection.例文帳に追加

副偏向のみの荷電ビームの偏向で描画可能な最大幅から、その長辺方向のパターン幅だけ小さくした幅を有する単位描画領域でセルを分割する。 - 特許庁

To provide an optical receiving circuit capable of reducing pulse width distortion even though a data pattern changes.例文帳に追加

データパターンが変化してもパルス幅歪みが低減可能な光受信回路を提供する。 - 特許庁

The strip conductor 22 is formed by extending a strip conductor 12 at the same pattern width.例文帳に追加

ストリップ導体２２は、ストリップ導体１２を同一パターン幅で延設されたものである。 - 特許庁

To highly accurately and rapidly evaluate a pattern even with a narrow width of tolerance data.例文帳に追加

公差データの幅が狭い場合であっても、高い精度でかつ高速にパターンを評価する。 - 特許庁

To make uniform the width of a conductive pattern composed of silicon from bottom to top.例文帳に追加

シリコンから構成される導電パターンの下から上までの幅を均一化すること。 - 特許庁

To equalize the line width of a pattern of a processing film formed on a substrate, in a substrate plane.例文帳に追加

基板上に形成される被処理膜のパターンの線幅を基板面内で均一にする。 - 特許庁

The line width L of the mesh pattern is preferably ≥10 μm and ≤100 μm.例文帳に追加

網状パターンの線幅Ｌとしては１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。 - 特許庁

METHOD OF ESTIMATING LINE WIDTH AND OUT-OF-FOCUS AMOUNT OF PATTERN FOR CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE SYSTEM例文帳に追加

荷電粒子線露光装置におけるパターンの線幅及びボケ量の推定方法 - 特許庁

To enhance uniformity in the width at a space portion when a periodic pattern is exposed or formed.例文帳に追加

周期的パターンを露光又は形成する際にスペース部の幅の均一性を高める。 - 特許庁

The pattern-forming equipment has a limiting dimension profile which is uneven in the width direction.例文帳に追加

パターン形成装置は、その幅方向に平坦ではない限界寸法プロファイルを有する。 - 特許庁

To provide an antenna assembly for which the beam width of the E surface element pattern of an excitation dipole antenna is widened.例文帳に追加

励振ダイポールアンテナのＥ面素子パターンのビーム幅を広げたアンテナ装置を得る。 - 特許庁

A wiring pattern is recognized and a wiring length or wiring width is exactly and efficiently found.例文帳に追加

配線パターンを認識し、配線長や配線幅を正確かつ効率的に求める。 - 特許庁

To draw a paste pattern different in width or height of a coating paste with high accuracy.例文帳に追加

塗布ペーストの幅や高さの異なるペーストパターンを高精度に描画できるようにする。 - 特許庁

To easily form a copper wiring pattern having the designed width and thickness.例文帳に追加

目的とする設計値の幅および厚みをもつ銅配線パターンを容易に形成する。 - 特許庁

Moreover, fluctuation LER in the line width in the target pattern is measured with SEM (S4).例文帳に追加

そして、ＳＥＭにより、ターゲットパターンにおける線幅ばらつきＬＥＲを測定する（Ｓ４）。 - 特許庁

APPARATUS FOR MEASURING WIDTH OF PATTERN STRUCTURE ON MASK OR SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR INDUSTRY例文帳に追加

半導体産業用のマスクないし基板上のパターン構造の幅を測定する装置 - 特許庁

To uniformize the width or film thickness of a resin film pattern without producing bulge or gyagi.例文帳に追加

バルジやギャギーが発生することなく、樹脂膜パターンの幅や膜厚を均一化する。 - 特許庁

To improve uniformity in the wafer plane distribution in regard to the film thickness and line width of a thin film or a pattern.例文帳に追加

薄膜又はパターンの膜厚や線幅の面内分布の均一性を向上させる。 - 特許庁

A line pattern on a semiconductor device now measures several tens of nanometers in width. 例文帳に追加

半導体デバイス上の直線パターンは、今や幅 数10ナノメータと測定される(になっている)。 - 科学技術論文動詞集

To prevent a seek pattern forming circuit 5 which does not include a pulse having extremely more narrow width than regular pulse width in an outputted seek pattern even when a generation period of a seek pattern is shorter than an applying period of a step pulse.例文帳に追加

シークパターンの発生周期がステップパルスの印加周期より短くなった場合でも、出力されるシークパターン中に正規のパルス幅よりも極端に幅狭のパルスを含まないシークパターン形成回路５を提供する。 - 特許庁

Since the library of the light intensity distribution of a virtual pattern is created, based on the measured refractive index n after pattern formation and the like, the precise line width adapted to the pattern state at the time of line width measurement is measured.例文帳に追加

仮想パターンの光強度分布のライブラリがパターン形成後の実測の屈折率ｎなどに基づいて作成されるので，線幅測定時のパターン状態に適合した正確な線幅が測定される。 - 特許庁

To form a resist pattern which allows a projection part of a resist pattern after a process of etching a remaining film to have a desired width equal to or larger than a width of the projection part of the resist pattern before the process of etching the remaining film.例文帳に追加

レジストパターンの形成において、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅が、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅となることを可能とする。 - 特許庁

Along with the above steps, width-corrected pattern data as the data after correcting the optical proximity effect relating to width are created (S8, S10) by sliding the outline of the layout pattern shown by the design pattern data.例文帳に追加

これと並行して、設計パターンデータが示すレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する（Ｓ８及びＳ１０）。 - 特許庁

Scanning width of a carriage is kept constant at the time of printing a regulation pattern regardless of the sheet size or the type of regulation pattern.例文帳に追加

調整パターンの印字時のキャリッジの走査幅を、用紙サイズ及び調整パターンの種別にかかわらず、常に一定幅とした。 - 特許庁