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pattern widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1835件
RESIST PATTERN LINE WIDTH CALCULATING METHOD, MASK PATTERN LINE WIDTH CORRECTION METHOD, OPTICAL PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD, EXPOSURE MASK FABRICATING METHOD, ELECTRON DRAWING METHOD FOR FABRICATING THE EXPOSURE MASK, EXPOSURE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法 - 特許庁
A correcting time for a shot time of the electron beam is obtained on a line width correction volume (loading correction volume) obtained through a conversion formula of the ratio of a pattern area rate to the line width correction volume previously obtained on the basis of the calculated area of the pattern.例文帳に追加
計算されたパターン面積に基づき、あらかじめ求めてあるパターン面積率対線幅補正量の換算式によって求めた線幅補正量(ローディング補正量)から、電子ビームのショット時間の補正時間を求める。 - 特許庁
To provide a mask blank and a mask, wherein linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (actual dimensional difference) between a design dimension of the line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of the line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加
転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差(実寸法差)を抑え、Linearityを10nm以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクを提供する。 - 特許庁
The width of the first conductive pattern 21 is at least that of the external electrode 20, being a positive electrode, and the width of the second conductive pattern 31 is equal to or longer than the length of the negative electrode part 18 of the capacitor element 1 in length direction.例文帳に追加
そして、第一の導電パターン21の幅を、少なくとも陽極の外部電極20の幅以上とするとともに、第二の導電パターン31の幅を、コンデンサ素子1の陰極部18の長手方向の長さ以上とする。 - 特許庁
To improve the uniformity of a line width of a resist pattern in the face of a substrate by properly setting conditions in a photolithographic process for forming a resist pattern on a wafer.例文帳に追加
ウェハにレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程における条件設定を適正に行い,レジストパターンの線幅の基板面内の均一性を向上する。 - 特許庁
Consequently, a difference in thickness between the end part of the silver paste pattern in the width direction and around the center of the silver paste pattern becomes small, and the shrinkage stress of the bus bar electrode is greatly reduced.例文帳に追加
これにより、銀ペーストパターンの幅方向の端部と中央付近とで厚みの差が小さくなって、バスバー電極の収縮応力が大幅に低減される。 - 特許庁
To provide a bank structure in which film thickness is eliminated in a wiring pattern having different wiring width, and to provide a method for forming a film pattern, a device, an electrooptical device, and an electronic apparatus.例文帳に追加
配線幅の異なる配線パターンにおける膜厚さを無くした、バンク構造体、膜パターン形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition which forms a resist pattern with small LWR (line width roughness) and an excellent pattern shape.例文帳に追加
LWR(Line Width Roughness)が小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a pattern formation method, a chemical amplification type resist composition and a resist film for improving sensitivity, exposure latitude, mask error enhancement factor, and pattern shape, and for reducing line width variation.例文帳に追加
感度、露光ラチチュード、マスクエラーエンハンスメントファクター、パターン形状に優れ、線幅バラツキを低減できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜の提供。 - 特許庁
The pulse pattern generating circuit 6 and the high speed differential I/O8 are driven by a reference clock 7 whereby a pulse width will not be affected by the pulse pattern 11.例文帳に追加
パルスパターン生成回路6及び高速差動I/O8は基準クロック7で駆動されているため、パルスパターン11によってパルス幅が影響を受けることはない。 - 特許庁
To suppress variation in the line width of a resist pattern due to the variations in the thickness of a resist film when the resist pattern is formed by exposing the chemically amplified resist film.例文帳に追加
化学増幅型のレジスト膜を露光してレジストパターンを形成する際に、レジスト膜の膜厚のばらつきに起因するレジストパターンの線幅のばらつきを抑制する。 - 特許庁
To provide an exposure apparatus that can minimizes the minimum line width of a pattern after a photosensitive material is developed, and can maintain a good edge feature of the pattern.例文帳に追加
感材の現像後のパターンの最小線幅を最小限に抑えるとともにそのパターンのエッジ形状を良好に保つことができる露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a resist pattern, with which a finer resist pattern with a controlled line width change can be formed readily and efficiently, while reducing the occurrence of damages.例文帳に追加
より微細で線幅変動が制御されたレジストパターンを、ダメージの発生を軽減しつつ、簡便で効率的に形成可能なレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
Thus, since the cross-sectional area of the circuit pattern can be made large and current capacity can be secured by the thickness of the copper sheet, the pattern width of a large current part can be reduced.例文帳に追加
この構成によれば、銅板の厚みにより回路パターンの断面積を大きくし電流容量を確保できるため、大電流部のパターン幅を縮小できる。 - 特許庁
The aperture ratio of the peripheral aperture ratio regulation pattern 14 is set at nearly the same average value of the aperture ratio over the entire part of the chip pattern 11 and the width thereof is set at ≥10 mm.例文帳に追加
周辺開口率調整パターン14の開口率を、チップパターン11全体の開口率の平均値とほぼ同一にし、その幅を10mm以上とった。 - 特許庁
To reduce variance in width of a striped pattern to be formed when the striped pattern which lies exceeding a shot size of a stepper is baked by exposure by the stepper.例文帳に追加
ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う際に、形成するストライプ状パターンの幅の寸法のばらつきを低減する。 - 特許庁
To easily and surely form, with the existing photolithography technology, a wiring pattern in the line width which is thinner than that of a resist pattern formed by the photolithography.例文帳に追加
従来のフォトリソグラフィの技術を用いながら、容易且つ確実に、フォトリソグラフィによって形成されるレジストパターンの線幅よりも細い線幅の配線パターンを形成する。 - 特許庁
Each representation of a design which consists of a repeating surface pattern shall show the complete pattern and a sufficient portion of the repeat in length and width. 例文帳に追加
反復する表面模様から構成される意匠の表示は,それぞれ,全体の模様を示し,かつ,反復部分を十分な長さと幅で示すものでなければならない。 - 特許庁
To provide an aligner which can suppress the minimum line width of a pattern of a photosensitive material after developing to the minimum limit and which can keep the edge profile of the pattern in a preferable state.例文帳に追加
感材の現像後のパターンの最小線幅を最小限に抑えるとともにそのパターンのエッジ形状を良好に保つことができる露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide a ceramic heater capable of reducing the entire width of a heater pattern, without damaging the printing state, and capable of forming a heater pattern that has less dispersions in the heater resistance.例文帳に追加
印刷状態を損なうことなく、パターン全幅を小さくすることができ、かつヒータ抵抗のばらつきが少ないヒータパターンを形成できるセラミックヒータを提供すること。 - 特許庁
The test pattern 33 is read out by means of a scanner 31, and an arithmetic unit 32 measures the luminance of three colors RGB for each dot in the line width direction of the test pattern 33 thus read out.例文帳に追加
スキャナ31でテストパターン33を読み取り、演算装置32で読み取ったテストパターン33のライン幅方向の1ドット毎にRGB3色の輝度を測定する。 - 特許庁
The reinforcing pattern 3 is formed in an extended portion 3A in a thin shape that the width L of the rod butt side end portion of the reinforcing pattern 3 along the circumference direction is reduced toward the butt side.例文帳に追加
補強パターン3の竿尻側端部の形状を、竿尻側程、竿の周方向に沿った幅Lが短くなる細幅形状の延長部分3Aに形成してある。 - 特許庁
The pattern film deposition is performed by the Physical Vapor Deposition (PVD) method by using a mask M having a plurality of wires arrayed at the spacing corresponding to the width of the line-like pattern.例文帳に追加
ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤを有するマスクMを用いて、物理気相成長(PVD)法によりパターン成膜を行う。 - 特許庁
The translucent antenna comprises a conductive layer of an arbitrary geometrical pattern, e.g. a lattice pattern having line width of 2-40 μm, formed on a transparent substrate.例文帳に追加
透光性のアンテナであって、透明基板上に、線幅2〜40μmの格子状等、任意の幾何学模様パターンからなる導電層を形成したことを特徴としている。 - 特許庁
To provide a material pattern formation method by an ink-jet method for giving a rectangular material pattern with good control performance of fine line width.例文帳に追加
本発明の目的は、微細な線幅制御性の良い矩形な材料パターンが得られるインクジェット方式による材料パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a method for forming a thin-film pattern having a fine pattern width with high accuracy without depending on the resolution limit of an aligner.例文帳に追加
露光装置の解像限界に依存せずに、微小なパターン幅を有する薄膜パターンを高精度に形成することが可能な薄膜パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wiring board which can surely form a wiring pattern in prescribed width and firmly adhere a wiring pattern and an insulating layer each other.例文帳に追加
配線パターンを所定の幅で正確に形成することが可能であるとともに配線パターンと絶縁層とが強固に密着した配線基板を提供すること。 - 特許庁
Accordingly, without having to change the line width of the stripe part S1 of each light-shielding pattern, energy quantity contributing resist resolution in each light-shielding pattern can be balanced.例文帳に追加
これにより、各遮光パターンのストライプ部S1の線幅を変えることなく、各遮光パターンにおけるレジスト解像に寄与するエネルギー量をバランスさせることができる。 - 特許庁
The pulse width of the probe pulses is shorter than the cycle of maximum frequency component signal of the test pattern, for wide band measurement of the test pattern waveform.例文帳に追加
これらプローブパルスのパルス幅は上記テストパターンの最大周波数成分信号の周期に比べて短くし、テストパターン波形の広帯域計測ができるようにする。 - 特許庁
One unit pattern UP includes 3-20 pitch patterns PP as the pattern between the pitch lines PL passing the center of gravity g of the center blocks 9C and stretching in the tire width direction.例文帳に追加
一つのユニットパターンUPは、センターブロック9Cの重心gを通りかつタイヤ幅方向にのびるピッチ線PL、PL間のパターンであるピッチパターンPPを3〜20個含む。 - 特許庁
Further, the track pattern line has a specified shape different from those of the first and second reference pattern lines, and extended over the width of at least one servo track.例文帳に追加
さらに、トラックパターンラインは、第1および第2の基準パターンラインの所定形状と異なる所定形状を有し、少なくとも一つのサーボトラックの幅にわたって延在する。 - 特許庁
To provide a method for forming a conductive pattern during heating of an etching solution, whereby accurate time when the formation of the conductive pattern having an accurate pattern width is completed becomes available.例文帳に追加
エッチング液を加温しながら、導電パターンを形成する方法において、形成すべき導電パターンが精密なパターン幅で形成された時点を正確に知ることができる導電パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁
The photomask 1 includes a pattern forming region 3, an annular region 4 having a prescribed width surrounding the pattern forming region, and a non-transfer pattern forming region 5 outside the annular region 4, on a glass substrate 2.例文帳に追加
フォトマスク1において、ガラス基板2上には、パターン形成領域3と、これを取り囲む所定幅の環状領域4と、環状領域4の外側の非転写パターン形成領域5とが設定されている。 - 特許庁
To enhance coating efficiency by providing a handholding type spray gun capable of spraying coating according to a spray pattern in a jet amount fitted to the spray pattern corresponding to the width of the coating surface of a coating target to instantaneously change over the spray pattern and the jet amount.例文帳に追加
被塗装物の塗装面の広さに応じて、スプレーパターンとそれに適合した噴出量で噴霧できるようにし、その切り替えを瞬時にできる手持ち式のスプレーガンを提供し、塗装効率の向上を図る。 - 特許庁
Data of the pattern for determination stored in a pattern data storage part 301 includes data in which light deflection surfaces 43, to which a light beam LB is radiated in formation of an electrostatic latent image of each thin-width pattern, are the same.例文帳に追加
パターンデータ記憶部301に記憶されている判定用パターンのデータは、各細幅パターンの静電潜像の形成において光ビームLBを照射する光偏向面43が同じとなるデータを含む。 - 特許庁
The processing part 20 includes bearer parts 20A positioned on both side parts in the width direction of the processing roll 2 and having no heat seal pattern, and a pattern part 20B positioned between the bearer parts 20A and having the heat seal pattern.例文帳に追加
加工部20は、加工ロール2の幅方向両側部に位置しヒートシールのパターンを有していないベアラー部20Aと、ベアラー部20Aの間に位置しヒートシールのパターンを有するパターン部20Bとを具備している。 - 特許庁
To provide a pattern forming method capable of preventing deformation of a photoresist pattern or increase in LWR (line width roughness) when a silicon oxide film is formed on the photoresist pattern in a sidewall spacer method.例文帳に追加
側壁スペーサー法において、フォトレジストパターン上に珪素酸化膜を形成した際のフォトレジストパターンの変形やLWRの増大を防ぐことができるパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a slimming processing method for a resist pattern which can reduce variation in line width of a resist pattern after slimming processing when the resist pattern formed by exposure processing and development processing is subjected to slimming processing.例文帳に追加
露光処理、現像処理を行って形成したレジストパターンをスリミング処理する際に、スリミング処理後のレジストパターンの線幅のばらつきを低減させることができるレジストパターンのスリミング処理方法を提供する。 - 特許庁
Since the pattern is made to be moved to and from in a prescribed direction with a shaking width with which the pattern is not switched to another pattern, information on the expectation value can be given so as to be grasped surely by a new performance mode.例文帳に追加
また、図柄の揺れは、他の図柄に切り替わらない揺れ幅での所定方向における往復動としているので、斬新な演出態様で確実に期待値を把握できるに通知することができる。 - 特許庁
To provide a device for processing a resist pattern and a method of processing a resist pattern which are adapted that can realize uniform and high-precision thinning of the line width of a resist pattern arranged on a substrate, using a low cost and easy technique.例文帳に追加
基板上に配置されているレジストパターンの線幅の均一且つ高精度な細線化を、安価且つ容易な手法で実現することが可能なレジストパターン処理装置及びレジストパターン処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a pattern forming method by which a track width and the like can be optimally designed according to the shape of a recording head and the like.例文帳に追加
記録ヘッド等の形状に応じてトラック幅などを最適に設計し得るパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
A first wiring pattern 43 extends at a relatively small third width W3 between second conductive pads 47, 47.例文帳に追加
第2導電パッド47、47同士の間で第1配線パターン43は比較的に小さい第3幅W3で広がる。 - 特許庁
To improve uniformity in a resist residual film after development and to suppress variations in the line width and pitches of a wiring pattern.例文帳に追加
現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。 - 特許庁
To provide a method, a device and electronic equipment for forming a pattern having a cross section shape with a narrow width and a uniform thickness.例文帳に追加
幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するパターン形成方法、デバイスおよび電子機器を提供する。 - 特許庁
To store an output pattern of a device under test in the main memory, without increasing the band width request for the main memory by a testing apparatus.例文帳に追加
試験装置のメインメモリの要求バンド幅を増やすことなく、被試験デバイスの出力パターンをメインメモリに格納する。 - 特許庁
A bit address pattern is made on a disk type recording medium used for an information recording device of a variable track width system.例文帳に追加
可変トラック幅方式の情報記録装置に用いられるディスク状記録媒体上にビットアドレスパターンを作成する。 - 特許庁
To provide a resist composition that forms a pattern having good resolution, line width roughness, and line edge roughness.例文帳に追加
優れた解像度、ラインウィドゥスラフネス又はラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an exposure apparatus that can reduce alignment errors or focus errors, thus achieving a pattern form and a line width as targets.例文帳に追加
アライメント誤差又はフォーカス誤差を低減し、目標とするパターン形状、線幅を達成する露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic recording head manufacturing method that forms reversed trapezoidal main poles of a narrow pattern width.例文帳に追加
パターン幅の狭い、逆台形状の主磁極を形成することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
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