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pattern widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1835件
A width of a pattern 30'd or the like positioned at the center of densely formed pattern groups 30a-30g is almost the same as the one before correction.例文帳に追加
密に形成されているパターン群30a〜30gの中央に位置するパターン30′d等の幅は、補正前とほぼ同一となっている。 - 特許庁
A first pattern part on an end part side in the endless belt width direction and a second pattern part of a rotation body are made opposite to each other in the direction crossing the endless belt width direction, and an inclined magnetic material and a nonmagnetic material are constituted as a pattern of a prescribed cycle.例文帳に追加
無端ベルト幅方向端部側の第1パターン部と回動体の第2パターン部を無端ベルトの幅方向に交差する方向において対向させ、傾斜した磁性体と非磁性体を所定周期のパターンとして構成する。 - 特許庁
Before the resist pattern images RP(C), RP(M), RP(Y) and RP(K) are formed, sample pattern images SP(C), SP(M), SP(Y) and SP(K) that have a width SL greater than the width RL of the resist pattern images in a conveyance direction D16 are formed on an intermediate transfer belt.例文帳に追加
中間転写ベルト上にレジストパターン像RP(C),RP(M),RP(Y),RP(K)を形成する前に、搬送方向D16における該レジストパターン像の幅RLより広い幅SLを有するサンプルパターン像SP(C),SP(M),SP(Y),SP(K)を形成する。 - 特許庁
An electrode width of a tilt electrode pattern and a vertical electrode pattern which are the electrode pattern in the area of the adjustment of electrode width of a liquid crystal display device, or a gap between adjacent electrodes, or a pitch between adjacent electrodes, are made almost equal.例文帳に追加
液晶表示装置の電極幅調整領域内における電極パターンである斜め電極パターンの電極幅と垂直電極パターンの電極幅あるいは隣り合う電極間の間隙あるいは電極間のピッチを略同じにする。 - 特許庁
A slit 10 is formed along the formation direction of a signal pattern 4 formed at a time when the shape of the signal pattern 4 formed on a signal layer 1 is projected on a grounding layer 3, and it is formed in an opening width (w) which is narrower than the width W of the signal pattern 4.例文帳に追加
スリット10を、信号層1に形成されている信号パターン4の形状をグランド層3に投影したときの信号パターン4の形成方向に沿い、かつ信号パターン4の幅Wよりも狭い開口幅wに形成する。 - 特許庁
At the rear surface of the printed board 1, a dummy wiring pattern having the equal width and interval as a wiring pattern 3 is formed at the position matching with the wiring pattern 3 of the front surface.例文帳に追加
プリント基板1の裏面には、表面の配線パターン3に整合する位置に、この配線パターン3と同一の幅及び間隔を有するダミー配線パターン6が形成されている。 - 特許庁
In the antifalsifying pattern 12, a latent image pattern, in which the width (LT) of a line in a region normal to a seeing direction for viewing the latent image pattern is made lager than the widths of lines in other regions.例文帳に追加
潜像パターンを視認すべく眺める方向と垂直となる領域の線幅(LT)を他の領域の線幅より大きくした潜像パターンを設けた偽造防止パターン12。 - 特許庁
To provide a pattern extraction program and a pattern extraction method, allowing extraction of a pattern wherein a width of a variable-length wild card is limited, while deleting redundancy.例文帳に追加
冗長性を削除すると共に、可変長ワイルドカードの幅を限定したパターンを抽出できるパターン抽出プログラム及びパターン抽出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To form a ceramic substrate having a microfine electrode pattern and a general electrode pattern with a line width wider than that of the microfine electrode pattern, while restraining a material loss and securing thickness uniformity of the electrode patterns.例文帳に追加
微細電極パターンとそれより線幅の広い一般電極パターンとを有するセラミック基板を、材料の損失を抑え、また、電極パターンの厚さ均一性を確保して形成する。 - 特許庁
Due to such dummy pattern insertion, fluctuations in the pattern density within the connection wiring layer can be suppressed and fluctuations in a pattern width in an etching step can be suppressed.例文帳に追加
かかるダミーパターンを挿入することにより,接続配線層におけるパターンの疎密度の変動を抑えることができ,エッチング工程によるパターン幅の変動を抑えることができる。 - 特許庁
To stably manufacture a transfer master disk substrate with a surface formed with rugged pattern excellent in line width accuracy, and excellent in pattern shape accuracy where pattern defect is inhibited.例文帳に追加
表面凹凸パターンの線幅精度が良好で、パターン欠陥が抑制されパターン形状精度が良好な転写用原盤基板を安定的に製造することを可能とする。 - 特許庁
Then anisotropic etching processing is performed from the upper part of the third insulating film pattern 8 to pattern the first insulating film 2 and form the first insulating film pattern 9 with the spacer width F/2.例文帳に追加
次に第3の絶縁膜パターン8上方より異方性エッチング処理を施し第1の絶縁膜2をパターニングしてスペース幅F/2の第1の絶縁膜パターン9を形成する。 - 特許庁
To implement a highly sensitive defect inspection method in a pattern inspection apparatus by reducing the effect of the unevenness of the brightness of a pattern generated from the variation of the film thickness and the scattering of the pattern width.例文帳に追加
パターン検査装置において、膜厚の違いやパターン幅のばらつきなどから生じるパターンの明るさむらの影響を低減して、高感度な欠陥検査を実現する。 - 特許庁
A photo-setting latent image pattern 5 is formed on the numerously-lined relief 1 by exposing the numerously-lined pattern having continuous density gradation in the direction of the pattern width so as to intersect the numerously-lined relief 1.例文帳に追加
万線状レリーフ1と交差するようにパターン幅方向に連続濃度階調を有する万線パターンを露光して、万線状レリーフ1に光硬化潜像パターン5を形成する。 - 特許庁
The thick-line pattern 2C of the photomask 10 extends in parallel to the repetitive patterns 2a and 2b, and has a larger line width W1 than a line pattern 2a and a space pattern 2b.例文帳に追加
フォトマスク10の太線パターン2cは、繰り返しパターン2a、2bと並走するように延び、かつラインパターン2aおよびスペースパターン2bよりも太い線幅W1を有している。 - 特許庁
To obtain a photomask capable of suppressing the reduction of the line width of an isolated pattern even when the photomask has a dense pattern and an isolated pattern and to obtain an exposure device with the photomask.例文帳に追加
孤立パターンと密集パターンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターンの線幅が細くなるのを抑制できるフォトマスク及びそれを備えた露光装置を提供する。 - 特許庁
The pattern with a uniform line width can be exposed by correcting an electronic radiation dosage of the basis of the measured result of the line width of the mark 6.例文帳に追加
マーク6の線幅の測定結果に基づいて、電子線量を補正することにより均一な線幅のパターンを露光することが可能となる。 - 特許庁
METHOD FOR CHANGING WIDTH OF CAST SLAB DURING CONTINUOUS CASTING, SYSTEM FOR CHANGING WIDTH OF CAST SLAB, UNIT FOR MAKING POSITIONAL PATTERN TABLE OF SHORT SIDES IN MOLD AND COMPUTER PROGRAM AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加
連続鋳造中の鋳片幅変更方法、鋳片幅変更システム、鋳型短辺の位置パターン表生成装置、コンピュータプログラム、及び記録媒体 - 特許庁
The width of the resist pattern 18 is set nearly equal to the width of the wires of the terminal part 40A, and is prevented from existing on a glass substrate located between the wires.例文帳に追加
レジストパターン18の幅を端子部40Aの配線の幅と略々同じ幅とし、配線の間にあるガラス基板には存在しないようにする。 - 特許庁
To provide a method of correcting a light proximity effect so that the wiring width in the straight line part between the bending parts of a 'U shaped' pattern has a prescribed wiring width.例文帳に追加
「コの字」状パターンの屈曲部間の直線部の配線幅が所定配線幅になるように光近接効果補正を行う方法を提供する。 - 特許庁
To accurately measure connection states in the width direction, even when a thin and long overlapping region of split pattern regions is small in the width direction.例文帳に追加
分割パターン領域どうしの細長い重なり領域が短手方向に小さくても、その短手方向に関して、精度良く繋ぎ合わせ状態を測定する。 - 特許庁
And the width of an extended end 150 of the wiring pattern for arranging the power feeding spring 140 is extended so as to be wider than a wiring width to that point.例文帳に追加
そして、給電バネ140を配置する配線パターンの延長端150の幅をそこまでの配線幅よりも幅広になるように拡張する。 - 特許庁
The width of wiring of the connection 2A on the wiring pattern 2 is less than the width of wiring of part except the connection 2A in the overlapping area.例文帳に追加
上記配線パターン2における接続部2Aの配線幅は、上記重畳領域における接続部2A以外の部分の配線幅よりも細い。 - 特許庁
The yarn winding device includes: a twill-angle setting part 44; a traverse-width setting part 45; a creeping pattern setting part 46; an average-width calculating part 47; and a creeping-control part.例文帳に追加
綾角設定部44と、トラバース幅設定部45と、クリーピングパターン設定部46と、平均幅算出部47と、クリーピング制御部と、を備える。 - 特許庁
For instance, pattern-opening width of the screen print at spots of filling into the dummy rib is made smaller than that of display region to let printed line width of this portion narrow.例文帳に追加
例えば、ダミーリブへの充填箇所におけるスクリーン版のパターン開口巾を表示領域のそれよりも小さくし、当該部の印刷ライン巾を細くする。 - 特許庁
The tread pattern of this pneumatic tire is formed with a plurality of blocks 26 partitioned by circumferential grooves 22, narrow width lug grooves 24N and wide width lug grooves 24W.例文帳に追加
トレッド部には、周方向溝22と狭幅ラグ溝24Nと広幅ラグ溝24Wとによって区画された複数のブロック26が形成されている。 - 特許庁
A gate electrode pattern 105 having a stroke width larger than a predetermined gate stroke width CD is formed on a semiconductor substrate 101 through a gate insulating film 103.例文帳に追加
半導体基板101上に、ゲート絶縁膜103を介して所定のゲート線幅CDよりも大きい線幅のゲート電極パターン105を形成する。 - 特許庁
To set a temperature of a heat plate so that a width of line of a resist pattern is uniformly formed on a wafer surface.例文帳に追加
レジストパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されるように,熱板の温度設定を行う。 - 特許庁
To provide a resist composition which provides a pattern having an excellent line width roughness (LWR).例文帳に追加
優れたラインウィズスラフネス(LWR)を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
Thus, the pattern image whose stripe element width is corrected is formed on the liquid crystal light valve 114.例文帳に追加
これにより、液晶ライトバルブ114上には、ストライプ要素幅が修正されたパターン画像が形成される。 - 特許庁
A pattern 10' not narrower than some width can be exposed by increasing the quantity of a beam current.例文帳に追加
ここで、幅がある程度以上に広いパターン10´は、ビーム電流量を上げて露光することができる。 - 特許庁
In the other method, a variation quantity in the width of a gap of a pattern is given to the other servo band.例文帳に追加
他の方法では、他のサーボ・バンドに対してパターンのギャップの幅における変化量が与えられる。 - 特許庁
A line control system 240 performs a prescribed line width control processing to the extracted pattern part.例文帳に追加
ライン制御システム240は、抽出されたパターン部位に対し、所定のライン幅制御処理を施す。 - 特許庁
To set the temperature of a hot plate oven so that the line width of a resist pattern is formed uniformly in a wafer surface.例文帳に追加
レジストパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されるように,熱板の温度設定を行う。 - 特許庁
The insulating pattern layer 5 has a narrow and small groove 9 of a width impossible of visual recognition.例文帳に追加
絶縁パターン層5は、目視により認識することができない幅の狭小溝9を有している。 - 特許庁
To provide a pattern forming method by which patterns differing in width can be easily formed at the same time.例文帳に追加
幅の異なるパターンを同時に容易に形成することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
When the identification pattern can be identified even once, an original with an A4 width is read (S9).例文帳に追加
1度でも前記識別パターンが識別できた時は、A4幅での原稿の読み取りを行う(S9)。 - 特許庁
To provide a pattern correcting method capable of performing correction, even if the width of defect on a substrate is small.例文帳に追加
基板上のパターンの欠陥幅が小さくとも修正が可能なパターン修正方法を提供する。 - 特許庁
To precisely control the line width of a resist pattern in the longitudinal direction of a substrate to be processed, and between substrates to be processed.例文帳に追加
被処理基板の面内及び被処理基板間のレジストパターンの線幅を精度高く制御すること。 - 特許庁
The diameter of the through-hole 2a is set to be larger than the width of the ground wiring pattern 3b.例文帳に追加
貫通孔2aの直径はグランド用配線パターン3bの幅よりも大きく設定されている。 - 特許庁
To provide an exposure method capable of suppressing nonuniformity in the line width of an exposure pattern due to flare.例文帳に追加
フレアによる露光パターンの線幅のばらつきを抑制することができる露光方法を提供する。 - 特許庁
On the other hand, when the probability is low, the oscillation width of the special pattern SP is displayed small.例文帳に追加
また、前記度合が低い場合には当該特別図柄SPの揺動幅が小さく表示される。 - 特許庁
All of the pattern-like plotting openings are formed by cutting linear portions having a prescribed width t from the film.例文帳に追加
パターン状の描画用開口の全てを所定幅tの線状の切り抜き処理により形成する。 - 特許庁
The rugged pattern is axially symmetric with respect to the center line in the width direction of the fixing belt.例文帳に追加
凹凸パターンは、定着ベルトの幅方向に関する中心線に関して線対称となっている。 - 特許庁
To provide a resist composition with which a pattern having excellent line width roughness(LWR) can be obtained.例文帳に追加
優れたラインウィズスラフネス(LWR)を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
Part of the pattern edge 12E attains the state lacking by the width |Δw| after the irradiation with the laser beam.例文帳に追加
レーザー光照射後は、パターンエッジ12Eの一部が幅|Δw|だけ欠損した状態となる。 - 特許庁
To provide pattern width measurement equipment for performing non-destructive measurement without generating seizure on a mask substrate to be measured, and for accurately measuring a pattern width on the substrate to which microfabrication has been performed under the consideration of individual exposure conditions as an effective pattern width in exposure equipment.例文帳に追加
被測定マスク基板に焼き付きを生じさせることなく、非破壊での測定を可能とするとともに、個々の露光条件を考慮して精度良く微細加工処理が施された基板上のパタン幅を露光機における実効的なパタン幅として測定することが可能なパタン幅測定装置を提供する。 - 特許庁
A pattern narrowed part A having a narrowed pattern width is formed in a pattern 2a to be detected, and when the current of the pattern 2a is shunted into the pattern narrowed part A and a primary winding 31a of a current transformer 30a, the current of the primary winding 31a is made to flow less.例文帳に追加
検出すべきパターン2aにパターン幅を細くしたパターン狭窄部Aを設け、パターン2aの電流をパターン狭窄部Aと変流器30aの一次巻線31aとに分流させる際に、前記一次巻線31aの電流をより少なくする。 - 特許庁
In the pattern forming method for forming a transfer pattern for a design pattern by performing lithographic processing, the line width measuring position of the design pattern is extracted on the basis of a previously set condition and a length measuring position recognition pattern is added to the extracted position (ST101).例文帳に追加
リソグラフィ処理を行うことで設計パターンの転写パターンを形成するパターン形成方法において、予め設定された条件に基づいて設計パターンにおける線幅測長箇所を抽出し、抽出箇所に測長箇所認識パターンを追加する(ST101)。 - 特許庁
To simultaneously realize exposure processing for the width of a film carrier tape for mounting multithread electronic parts even on the carrier pattern of the same width or the carrier pattern of different width in accordance with the product wiring patterns of the multiple carrier patterns without exchanging an exposure device.例文帳に追加
露光装置を取り替えることなく、複数のキャリアパターンの製品配線パターンの種類に応じて、同じ幅のキャリアパターンであっても、異なる幅のキャリアパターンであっても、同時に多条電子部品実装用フィルムキャリアテープの幅にわたって露光処理を可能とする。 - 特許庁
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