「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, the line width of the pattern to be formed on the substrate W can be highly accurately controlled.例文帳に追加

よって、基板Ｗに形成させるパターンの線幅を精度よく制御することができる。 - 特許庁

Also, at least the maximum width yi of the second coordinate axis of each pattern data is computed (step A3).例文帳に追加

また、各パターンデータの少なくとも第２の座標軸の最大幅ｙｉを算出する（ステップＡ３）。 - 特許庁

The alignment pattern 7A includes a plurality of linear portions 13 having a width (b) (b>a, e.g., 6 μm).例文帳に追加

アライメントパターン７Ａは、幅がｂ（ｂ＞ａ、たとえば、６μｍ）の直線部１３を複数含んでいる。 - 特許庁

The striker members 200a and 200b are arranged outside the width for forming a toner pattern 101.例文帳に追加

また、突き当て部材２００ａ、２００ｂをトナーパターン１０１の形成幅よりも外側に配置する。 - 特許庁

In the pattern (1), four blocks (2×2 in length and width) of the divided blocks correspond to one pixel.例文帳に追加

このパターン（１）は，分割されたブロックの４（縦２×横２）ブロックが１画素に対応している。 - 特許庁

To efficiently inspect the finishing state of the pattern width on a stent surface.例文帳に追加

ステント表面のパターン幅の仕上がり状態の検査を、効率よく行う方法を提供する。 - 特許庁

Preset plural rectangular divided patterns A1 for each of width are extracted from the pattern data.例文帳に追加

パターンデータから、予め設定した複数の幅毎の長方形の分割パターンＡ１を抽出する。 - 特許庁

In the case of bamboo tsuzura, thin constant width bamboo boards are woven in a matrix pattern and made into a square box shape. 例文帳に追加

竹製の葛籠の場合、細く幅をそろえた竹を縦横に編み、四角い箱の形を作る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The spatial frequency of the contrast of the light and dark pattern 21 is changed according to the width of each slit.例文帳に追加

明暗パターン２１のコントラストは、各スリットの幅に応じて空間周波数が変化している。 - 特許庁

The width W1 of the edge part of the projected pattern part 6a is made larger than the width W2 of the edge part at a peripheral part, and the stress is relaxed.例文帳に追加

この凸状パターン部６ａの縁部の幅Ｗ１が周辺部における縁部の幅Ｗ２のより大きく、応力が緩和されている。 - 特許庁

To execute appropriate pulse width modulation according to irregularity of an element or a driving system in case of executing pulse width modulation according to a digital data pattern.例文帳に追加

デジタルデータのパターンによるパルス幅変調を行う場合において、素子或いは駆動系のバラツキに応じて、適切なパルス幅変調を行う。 - 特許庁

Each detection part 2 reads in a noncontact way a pattern of the track T1 with a width greater than the reading width in the direction vertical to the moving direction.例文帳に追加

各検出部２は移動方向に垂直な方向の読み取り幅よりも広い幅で前記トラックＴ１のパターンを非接触読み取りする。 - 特許庁

Thus, the widening of the pattern width of the photoresist for forming the tip end part 17d is prevented, and the width of a writing track is narrowed.例文帳に追加

これにより、先端部１７ｄを形成するためのフォトレジストのパターン幅の広がりを防止でき、書込トラック幅の狭小化が可能となる。 - 特許庁

The mask 8 is provided with an opening having an exposure margin of 0.5-1.0 times of the line width in the line width direction of the resist pattern 7.例文帳に追加

マスク８は、レジストパターン７の線幅方向に、この線幅の０．５倍以上１．０倍以下の寸法の露光マージンを有する開口部を備える。 - 特許庁

To control the characteristics such as a line width of a pattern to be transferred using other characteristics than the upper limit of the spectrum width as spectrum characteristics of laser light.例文帳に追加

レーザ光のスペクトル特性として、スペクトル幅の上限値以外の特性を用いて、露光されるパターンの線幅等の特性を制御する。 - 特許庁

Since pit width or groove width is made narrow when a shallow rugged pattern is recorded, multiple exposure with a wobble signal is performed.例文帳に追加

浅い凹凸パターンを記録する場合は一般的にピット幅またはグルーブ幅が狭くなってしまうため、ウォブル信号との多重露光を行う。 - 特許庁

A pattern having a pulse width of 2T being narrower than the minimum pulse width 3T formed on a normal disk is formed on a disk 1.例文帳に追加

ディスク１には、通常のディスクに形成されている最小パルス幅３Ｔよりさらに狭い２Ｔのパルス幅のパターンが形成されている。 - 特許庁

The pattern manufacturing system comprises imaging a plurality of kinds of copper thicknesses of test substrates forming a test pattern including the pattern lines of various line widths by an image recognizing means 60, and preparing a correction table indicating corresponding relationship of the copper thickness, the line width and an exposure correction amount by really measuring the line width of the pattern line.例文帳に追加

様々な線幅のパターン線を含むテストパターンが形成された複数種類の銅厚のテスト基板を画像認識手段６０により撮像し、パターン線の線幅を実測して銅厚、線幅、及び露光補正量の対応関係を示す補正テーブルを作成する。 - 特許庁

A resin pattern capable of ion exchange is formed by using a photosensitive resin, then a solution containing a metal constituent is absorbed in the resin pattern and calcined, to obtain a conductive member pattern; and in this method, the width of the resin pattern before calcination process is made 1 μm or less and (width/height) is made 5 or less.例文帳に追加

感光性樹脂を用いてイオン交換可能な樹脂パターンを形成し、該樹脂パターンに金属成分を含む溶液を吸収させ、次いで焼成して導電性部材パターンを得る方法において、焼成工程前の樹脂パターンの幅を１μｍ以下、（幅／高さ）を５以下とする。 - 特許庁

When a pattern 13 having a relatively large area and a wiring pattern 14 of a narrow width are formed on a surface of a base 15, only a boundary part of the pattern having the relatively large area and the wiring pattern of the narrow width are scanned, so that an attempt is made to shorten the scanning time and the analysis time.例文帳に追加

比較的面積の大きいパターン１３と狭幅の配線パターン１４が基体１５表面に形成されている場合、比較的面積の大きいパターンの境界部と狭幅の配線パターンのみの走査を行って、走査時間と解析時間の短縮化を図る。 - 特許庁

To avoid the distortion of a semiconductor element pattern due to flares by sectioning a mask in a test pattern region and a chip pattern region and setting a fine pattern having a line width small enough to form no pattern in exposure on the test pattern region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関し、さらに詳しくは、マスク開口領域を縮小しフレア効果を減少させることにより、望むパターンを歪みなく転写させ得るようにした半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

A circuit pattern is used by an electron beam projection exposure method by using the stencil reticle provided with an opening pattern 21 surrounding an island-like central pattern 23 and a support pattern 22 having a pattern width of a resolution limit or less of an electron beam exposure system and supporting the opening pattern 21.例文帳に追加

島状の中心パターン２３を囲む開口パターン部２１と、電子線描画装置の解像限界以下のパターン幅を有し、開口パターン部２１を支持する支持パターン部２２と、を備えたステンシルマスクを用いて、電子線投影露光法により回路パターンを形成する。 - 特許庁

The mask includes a first pattern repeating in a first direction, a second pattern having a first width W1 and arranged between the first patterns and parallel to the first pattern, and a supplemental pattern disposed between the first pattern and the second pattern and is spaced apart by a first distance D1 from the second pattern.例文帳に追加

該マスク及び方法は、第１方向に繰り返された第１パターンと、第１パターンの間に位置し、第１パターンと平行に配列される第１幅Ｗ１の第２パターンと、を備え、第１パターンと第２パターンとの間に配置され、第２パターンと第１間隔Ｄ１を維持する補助パターンを備える。 - 特許庁

To provide a pattern forming technology for forming a prescribed pattern on a substrate by applying an application liquid containing a pattern forming material from a nozzle relatively moved to the surface of the substrate, wherein the pattern stable in the pattern width and in an end part position is formed.例文帳に追加

基板表面に対して相対移動するノズルからパターン形成材料を含む塗布液を塗布して、基板上に所定のパターンを形成するパターン形成技術において、パターン幅および端部位置の安定したパターンを形成する。 - 特許庁

This minimum layout pattern dimension detector comprises an input part 2 reading a pattern file with a description of layout pattern of a semiconductor integrated circuit by coordinate values, a data storage part 3 for storing the pattern file, and a minimum dimension detecting part 4 for detecting the layout pattern with the pattern of minimum width dimension, from the layout pattern in the pattern file.例文帳に追加

本発明の最小レイアウトパターン寸法検出装置は、半導体集積回路のレイアウトパターンが座標値により記述されたパターンファイルを読み込む入力部２と、前記パターンファイルが記憶されるデータ記憶部３と、前記パターンファイルにおけるレイアウトパターンから、パターンの幅が最小寸法のレイアウトパターンを検出する最小寸法検出部４とからなる。 - 特許庁

To form a mask pattern of high dimensional precision by preventing the change of width of a mask pattern line after plasma dry etching to a resist pattern turning to an etching mask, in a forming method of a mask pattern for an EUV lithography.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、エッチング・マスクとなるレジストパターンに対するプラズマ・ドライエッチング後のマスクパターン線幅変動を防止し、高寸法精度なマスクパターンを形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist pattern improving material, a formation method of a resist pattern and a manufacturing method of a semiconductor device which can improve an LWR (line width roughness) of a resist pattern without more than necessary fluctuations in a resist pattern size.例文帳に追加

レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

By using a photomask with a pattern that has a line width being equal to or less than a resolution limit for the surface of the resist pattern 12, a groove (dummy pattern) with a depth that does not reach the substrate 11 is formed, and the volume of the resist pattern 12 is reduced.例文帳に追加

レジストパターン１２の表面には、解像限界以下の線幅のパターンを有するフォトマスクを用いることにより、基板１１に達しない深さの溝（ダミーパターン）を形成し、レジストパターン１２の体積を小さくする。 - 特許庁

In the step S1 in the manufacturing process, at least the conductor pattern width, conductor pattern thickness, and insulating layer thickness are taken as parameters, and an effective conductor pattern width expressed by multiplying these parameters by a prescribed factor to correct them is introduced, and the simulation values of the characteristic impedances are calculated as a function of the effective conductor pattern width.例文帳に追加

このとき、製造プロセスにおいては、ステップＳ１において、少なくとも、導体パターン幅、導体パターン厚、及び絶縁層厚をパラメータとするとともに、これらパラメータに対して所定の係数を乗じて補正することによって表される実効導体パターン幅を導入し、実効導体パターン幅の関数として、特性インピーダンスのシミュレーション値を算出する。 - 特許庁

The impedance of the antenna can be roughly adjusted, by changing the width of the pattern 27 for regulating impedance, and the resonance frequency can be roughly adjusted by changing the width of the pattern 28 for regulating the frequency.例文帳に追加

インピーダンス調整用パターン２７の幅を変更することでアンテナのインピーダンスを粗調整でき、周波数調整用パターン２８の幅を変更することで共振周波数を粗調整できる。 - 特許庁

By this setup, the line width of the resist pattern is predicted by the use of the above function models, a feed forward control can be realized, and the line width of the resist pattern and the thickness of the resist film can be controlled with high accuracy.例文帳に追加

これにより、上記関数モデルによって、例えば線幅を予測することによりフィードフォワード制御が可能となり、精密な線幅制御及びレジスト膜厚制御を行うことができる。 - 特許庁

A width Tb1 of a pattern 21a of an embedded via mask 1a for forming the via contact is made broader than a width TL1 of the pattern 26 of an upper-layer wiring mask 6.例文帳に追加

前記ビアコンタクトを形成するための埋め込みビアマスク１ａのパターン２１ａの幅Ｔ_b1は前記上層配線を形成するための上層配線マスク６のパターン２６の幅Ｔ_L1より広くなっている。 - 特許庁

In the method, a step 240 of processing image data into halftone data is executed by using a processor which can process a first halftone pattern having a first data width into SIMD-processed pattern having a second data width.例文帳に追加

第１データ幅を有する第１ハーフトーンパターンを、第２データ幅を利用するＳＩＭＤ可能なプロセッサを用いて、画像データにハーフトーン化処理２４０を実行するための方法を提供する。 - 特許庁

In order to decrease the main line self inductance more than the sub line self inductance, the line width of the sub line conductor pattern 3a is selected narrower than the line width of the main line conductor pattern 2a.例文帳に追加

そして、主線路の自己インダクタンス値を副線路の自己インダクタンス値より低くするため、副線路用導体パターン３ａの線路幅が、主線路用導体パターン２ａの線路幅より狭く設定されている。 - 特許庁

Pattern matching (c) using a detection pattern of one (lateral) pixel by four (longitudinal) pixels is performed for a lateral line (a) of interest with a 2-pixel width and an oblique line (a) of interest to make line width corrections.例文帳に追加

２ｐｉｘｅｌ幅の横方向の注目ライン（ａ）および斜め方向の注目ライン（ｂ）に対し、１（横）ｘ４（縦）ｐｉｘｅｌの検出パターンによるパターンマッチング（ｃ）を行って線幅補正する。 - 特許庁

The line width W1 of the thick-line pattern 2c is within a range of P1×(n±0.25), where P1 is the pitch of the line pattern 2a and (n) is an integer.例文帳に追加

ラインパターン２ａのピッチをＰ１とし、ｎを整数としたとき、太線パターン２ｃの線幅Ｗ１は、Ｐ１×（ｎ±０．２５）の範囲内にある。 - 特許庁

The line width of the pattern of the absorbing film 4 adjacent to a pattern defect correcting portion is made narrow, thereby improving the reflection rate.例文帳に追加

パターン欠陥修正部に隣接する吸収膜４のパターンの線幅を狭くすることにより、反射率を向上させることができる。 - 特許庁

To detect a position by an optimum pattern for an individual system by setting a ratio between the pattern width of a first color (reference color) and that of a second color.例文帳に追加

第１色目（基準色）と第２色目のパターン幅の比を設定することにより、個々のシステムに最適なパターンで位置検知する。 - 特許庁

To exactly obtain a distribution of a line width difference between a pattern which is constituted on a mask and a design pattern, or a distribution of positional errors of these patterns.例文帳に追加

マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。 - 特許庁

The line terminating section equalizing dummy pattern 420 includes a plurality of line-like patterns which are identical in width and formed at equal intervals as the line pattern.例文帳に追加

ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 - 特許庁

To keep the detection capacity of the flaw on a semiconductor pattern even if the line width and pitch of the semiconductor pattern become the wavelength of inspection light or below.例文帳に追加

半導体パターンの線幅、ピッチが検査光の波長以下になっても半導体パターン上の欠陥の検出能力を維持すること。 - 特許庁

A lead-out pattern 3a, of a width equal to or less than L/2, is formed in both widthwise directions from the central part in the longitudinal direction of the metallizing pattern 2.例文帳に追加

また、メタライズパターン２の長手方向の中央部から両幅方向にＬ／２以下の幅の引き出しパターン３ａを形成しておく。 - 特許庁

The width of the pattern 31 is changed to make the output changing state in the sliding direction of the pattern 31 to be linear.例文帳に追加

抵抗体パターン３１の摺動方向に向かう出力の変化の状態がリニアになるように、抵抗体パターン３１の幅を変更する。 - 特許庁

To achieve high-precision finishing by adjusting variations in the finishing of the width of a pattern line caused by the thickness of copper foil, or the like for forming a pattern.例文帳に追加

銅箔厚などによるパターン線の線幅の仕上がりのばらつきを調整して、パターンを形成することで精度の高い仕上がりにする。 - 特許庁

To suppress disconnection of a wiring line and losing pattern width by preventing lack of a print resist pattern occurring in a level difference section and by filling a gap.例文帳に追加

段差部などに生じた印刷レジストパターンの欠落を防止し空隙を埋め、配線の断線やパターンの細りなどを抑制することにある。 - 特許庁