「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The first light-transluent area B has a pattern of a wide area, and the second light-transluent area C has a pattern including a narrow width.例文帳に追加

第１半透光領域Ｂは広い領域のパターンであり、第２半透光領域Ｃは狭い幅を含むパターンである。 - 特許庁

The antenna sheet has an antenna pattern containing a loop coil pattern composed of a conductive thin film on a base material sheet, wherein the loop coil pattern has the outermost periphery coil pattern, the innermost periphery coil pattern, and a middle coil pattern and a part or all of the outermost periphery coil pattern and the innermost periphery coil pattern are wider than a line width of the middle coil pattern.例文帳に追加

基材シート上に導電性薄膜からなるループ状コイルパターンを含むアンテナパターンを有するアンテナシートにおいて、ループ状コイルパターンが最外周コイルパターン、最内周コイルパターン及び中間コイルパターンを有し、最外周コイルパターン及び最内周コイルパターンの一部又は全部が中間コイルパターンの線幅より広いことを特徴とするアンテナシートとする。 - 特許庁

The metallic circuit pattern 4b thus obtained is rectangular with a difference between an upper surface width (a) and a lower surface width b of 10% or less of a thickness t.例文帳に追加

得られる金属回路パターン４ｂは、上面幅ａと下面幅ｂの差が厚さｔの１０％以下の矩形形状となる。 - 特許庁

The backup plate 520 includes a striking portion 522 which has a width narrower than the length of a conductor pattern and extends longer than the width.例文帳に追加

バックアッププレート５２０は、導線パターンの長さよりも狭い幅を有すると共に、その幅よりも長く延びた突当部５２２を有している。 - 特許庁

To record a servo pattern of track pitch individually corresponding to characteristics (write width, read width) of a head onto a recording medium of the data storage device.例文帳に追加

データ記憶装置の記録媒体に対して、ヘッドの特性（ライト幅、リード幅）に個別的に対応したトラックピッチのサーボパターンを記録する。 - 特許庁

A brazing-material pattern 13, which is used as an alignment pattern with the optical element 2 and whose width is narrower than the width of an electrode 12 for bonding, is formed on the surface of the electrode 12 at a submount substrate 11.例文帳に追加

サブマウント基体１１の接合用電極１２上面に、光素子２の位置合わせパターンとして使用される、接合用電極１２幅より狭幅のロウ材パターン１３を設ける。 - 特許庁

The light intensity distribution and the calculative light intensity distribution in a library are compared, and the line width of the virtual pattern to which the light intensity distribution adapts is considered as the line width of the actual pattern.例文帳に追加

その光強度分布と，ライブラリ内の計算上の光強度分布が照合され，光強度分布が適合する仮想パターンの線幅が実際のパターンの線幅とされる。 - 特許庁

To provide an exposing system which can predict the quantity of exposure enough to form a resist pattern having a line width equivalent to a design value even if there is any manufacturing error in the line width of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの線幅が製造誤差を有する場合も、設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光量を予測する露光システムを提供する。 - 特許庁

The photo mask 3 is constituted of a pattern 3a which is formed on a region where the resist 2 is to be eliminated and has line width more than or equal to resolution limit and a pattern 3b having line width rougher than or equal to the resolution limit.例文帳に追加

フォトマスク３は、レジスト２を除去しようとする領域に形成した解像限界以上の線幅のパターン３ａと、解像限界以下の線幅のパターン３ｂとからなる。 - 特許庁

The tapered stubs 21 and 22 are each a portion of a right-angled triangle including a length D of a dielectric substrate 1 as one side and varies in pattern width from a maximum pattern width (length Ht) to zero.例文帳に追加

テーパ状スタブ２１及び２２は、誘電体基板１の長さＤを一辺とし、かつ、パターン幅が最大パターン幅（長さＨｔ）から零まで変化する直角三角形の一部である。 - 特許庁

At the time of projecting in the lamination direction, the pattern width (b) of a winding part 2b close to the edge electrodes 3, 4 is formed wider than the pattern width (a) of the other part 2b (b>a).例文帳に追加

積層方向に投影して見て、端部電極３、４近傍の巻回部分２ｂのパターン幅ｂを、他の部分２ａのパターン幅ａに比較して広く（ｂ＞ａ）形成する。 - 特許庁

The product of the pattern length of the pattern generator 250 and counted width of the second integrator 240 becomes equal to or greater than the threshold of the magnitude, the larger the counted width of the first integrator is.例文帳に追加

パターン発生器２５０のパターン長と第２の積分器２４０のカウント幅の積は、第１の積分器２３０のカウント幅が大きいほど大きくなる大きさの閾値以上である。 - 特許庁

A line object 01 having a prescribed width is moved on a pattern on a special pattern display device 6 in a special pattern game while hiding a part of a displaying pattern 02(a), and is renewed to a new pattern 02(b).例文帳に追加

特図ゲームにおける特別図柄表示装置６上の図柄の上に、所定の幅を有するラインオブジェクト０１を、表示されている図柄０２（ａ）の一部を隠しつつ移動させることにより、新たな図柄０２（ｂ）への更新を行う。 - 特許庁

To provide a pattern projection aligner that can accurately prepare patterns with high throughput, even if a fine pattern, a pattern having thick line width, a pattern having painted large area, and the like are combined, and to provide a pattern preparation method.例文帳に追加

微細なパターンと線幅の太いパターンあるいは大面積の塗りつぶしパターン等が混在している場合においても、高精度、高スループットによってパターン作製が可能なパターン露光装置及びパターン作製方法を提供する。 - 特許庁

A monitoring pattern 104-3, which varies more in line width due to the attachment of the contamination 105 than the transferring pattern, is previously formed on a mask provided with a transferring pattern, and a variation in a line width of the monitoring pattern 104-3 due to the contamination 105 is monitored.例文帳に追加

転写用パターンをもつマスクに、転写用パターンよりもコンタミネーション１０５の付着による線幅の変動が大きいモニタ用パターン１０４−３を予め形成しておき、コンタミネーション１０５によるモニタ用パターン１０４−３の線幅の変動をモニタする。 - 特許庁

To provide a pattern printing device which improves uniformity in line width of a pattern to be printed, a film thickness, and printing position during pattern printing, and to provide a letterpress printing plate 50.例文帳に追加

パターン印刷の際、印刷されるパターンの線幅、膜厚、印刷位置の均一性を向上させるパターン印刷装置および凸版印刷版５０を提供する。 - 特許庁

After the resist pattern 7A is formed, it can be reduced in pattern width W, so that it is not required to prepare an expensive exposure system for micronizing the resist pattern 7A.例文帳に追加

レジストパターン７Ａを形成した後にそのパターン幅Ｗを縮小化できるので、レジストパターン７Ａを微細化するための高価な露光装置を用意する必要がない。 - 特許庁

A pattern connecting the output side of the driver IC 60 in an FPC 61 with individual electrodes includes, at a part thereof, two kinds of pattern 91 and 92 of different pattern width.例文帳に追加

ＦＰＣ６１のドライバＩＣ６０の出力側と個別電極とを接続するパターンには、その一部の部分に２種類のパターン幅のパターン９１、９２が含まれる。 - 特許庁

To provide a waterless planographic printing original plate showing preferable reproducibility of a wiring pattern, allowing formation of a pattern with uniform line width in printing a wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの印刷において、均一な線幅のパターンを形成することができ、配線パターン再現性が良好な水なし平版印刷版原版を提供すること - 特許庁

To provide a pattern layout method capable of efficiently extracting the length or width of a forming part comprising a pattern or area such as critical area out of that pattern.例文帳に追加

パターンの中から、そのパターンを構成する形状部分の長さや幅、あるいはクリティカルエリアなどの領域を効率的に抽出できるパターンレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

The irregularities in the line width of the pattern formed on the reticle 6 are measured, an exposure value which sets the line width of the pattern formed on the reticle 6 equal to the desired line width of a device pattern formed on a wafer 7 is obtained, and the wafer 7 is subjected to an exposure process as the exposure value is controlled corresponding to the irregularities.例文帳に追加

レチクル６に形成されたパターンの線幅のばらつきを計測し、該パターンの線幅に対してウェハ７上に形成されるデバイスパターンの線幅を所望の値にする露光量を求め、該露光量が前記ばらつきに対応して露光されるように露光量を制御する。 - 特許庁

Accordingly, the line width can be controlled precisely and the predetermined resist pattern can be obtained by measuring the line width of the resist pattern after the development and then controlling the temperature of heat treatment, based on the result of the measurement, for example, by raising the temperature of heat treatment when the line width is smaller than a predetermined width.例文帳に追加

従って、例えば、現像後のレジストパターンの線幅を測定し、この測定結果に基づいて例えば線幅が所定より小さければ加熱温度を所定より上げる等の制御を行うことにより、精密に線幅を制御することができ、所望のレジストパターンを得ることができる。 - 特許庁

Meanwhile, if the size width (a) of the transfer paper 100 is not more than the predetermined size width L2 (value obtained by subtracting the width L1 of the detection pattern forming area from the width L of the conveying belt), the test pattern for detection is formed in parallel with an image to be formed on the transfer paper 100 in a main scanning line direction.例文帳に追加

一方、転写紙１００のサイズ幅ａが、所定サイズ幅Ｌ２（搬送ベルト幅Ｌから検知用パターン形成領域幅Ｌ１を減算した値）以下の場合は、転写紙１００に形成する画像と主走査線方向並列に検知用テストパターンを形成する。 - 特許庁

At least feeding side edge part 201B of the article 10 to be processed on the pattern part 20B is provided so that the pattern width in the peripheral direction of the pattern part 20B becomes narrower toward inside from both side parts in the width direction of the processing roll 2.例文帳に追加

パターン部２０Ｂにおける少なくとも被加工物１０の供給側エッジ部２０１Ｂが、加工ロール２の幅方向両側部から内側に向けて、パターン部２０Ｂの周方向のパターン幅が狭くなるように設けられている。 - 特許庁

A plurality of reference patterns having different line width from each other are set for the measurement apparatus and the plurality of reference patterns and the actual pattern are checked for matching (ST13) and a reference pattern having a line width corresponding to the actual pattern is selected (ST14).例文帳に追加

互いに異なる線幅を有する複数の基準パターンを測定装置に設定し、複数の基準パターンと実際パターンをマッチングして（ＳＴ１３）、実際パターンに対応する線幅の基準パターン一つを選択する（ＳＴ１４）。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition capable of forming a resist pattern having small LWR (line width roughness) and excellent pattern shape.例文帳に追加

ＬＷＲが小さく、かつ、パターン形状に優れたレジストパターンを形成可能である感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A pattern width of the thin-film pattern 7 is determined on the basis of two side faces 2B and 2C which are formed through the two-step etching process.例文帳に追加

２段階のエッチング工程を経て形成される２つの側面２Ｂ，２Ｃに基づいて薄膜パターン７のパターン幅が決定される。 - 特許庁

To provide a pattern forming method and a method for producing a semiconductor device by which variation in line width of a pattern of a layer to be etched is reduced.例文帳に追加

被エッチング層のパターンの線幅ばらつきを低減させるパターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The width w of the dummy pattern 23 is made 1/10-1/3 of one side of the wiring pattern formation block or made in 10 mm or more.例文帳に追加

ダミーパターン２３の幅Ｗは、配線パターン形成ブロック２２の一辺Ｌの１／１０〜１／３又は１０ｍｍ以上に形成する。 - 特許庁

Each line pattern in the line pattern parallel running section includes line terminating sections 414 which are identical in width and substantially flush with each other.例文帳に追加

ラインパターン並走部の各ラインパターンは、同一の幅を有すると共に、互いに実質的に面一なライン終端部４１４を有する。 - 特許庁

Each calibration mark PRM on a reference wafer SW includes a first pattern and a second pattern each having a predetermined width and crossing perpendicularly to each other.例文帳に追加

基準ウエハＳＷ上の各較正用マークＰＲＭは、所定幅を有し、直交する第１パターンと第２パターンとを含んでいる。 - 特許庁

To provide a method for forming a conductive pattern which is excellent in insulation quality of a non pattern formation part and has a uniform and extremely small width or thickness.例文帳に追加

非パターン形成部の絶縁性に優れ、微細かつ均一な幅又は厚みの導体パターンを形成できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition showing good LWR (line width roughness), a pattern profile and extremely superior performance in pattern-falling resistance.例文帳に追加

良好なＬＷＲとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性において極めて優れた性能を示すレジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a formation method of a fine pattern capable of forming a line pattern having a narrower line width than a resolution limit of an exposure device.例文帳に追加

露光装置の解像限界よりも狭い線幅を有するラインパターンを形成可能な微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The resist pattern having a film thickness 1 to 100 μm and an aspect ratio (ratio of a line width to the film thickness of the resist pattern) ≥3.5 is formed.例文帳に追加

膜厚が１〜１００μｍであり、アスペクト比（レジストパターンの膜厚に対する線幅の比）が３．５以上であるレジストパターンとする。 - 特許庁

The width of a ridge test pattern 10e of the first test pattern 10 is made smaller than contact terminal patterns 21a, 22a, 23a of the fixed contact 2.例文帳に追加

第１テストパターン１０の畝状テストパターン１０ｅの幅を固定接点部２の接点端子パターン２１ａ，２２ａ，２３ａより細くする。 - 特許庁

To improve temporal stability and pattern forming property after preparation and to suppress variation in the line width of a pattern due to variation in light exposure.例文帳に追加

調製後の経時安定性及びパターン形成性を向上し、露光量変動によるパターンの線幅変動を抑制する。 - 特許庁

The material pattern formation method by an ink-jet method gives a rectangular material pattern with good control performance of fine line width.例文帳に追加

本発明のインクジェット方式による材料パターン形成方法は、微細な線幅制御性の良い矩形な材料パターンが得られる。 - 特許庁

It is basically Osaka yakidashi (a temper pattern around the root of blade) which is added with Gonome (regular wavelike pattern) of a broad regular width which could reach the line of ridge. 例文帳に追加

-大坂焼き出しに焼き幅が鎬筋にかかる程広く、一定のリズムの互の目を交え、焼き幅が一定となるものを基本とする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The coordinates at the intersection point of the pattern 11 and the boundary 12 of the sub-fields is first determined and the line width W of the pattern in this place is determined.例文帳に追加

まず、パターン１１とサブフィールドの境界１２との交点の座標を求め、その場所におけるパターンの線幅Ｗを求める。 - 特許庁

Further, the width of the second wiring pattern is formed to be wider than the first wiring pattern for connecting each detection electrode and each vibration electrode.例文帳に追加

さらに、第２配線パターンの幅を各検出電極及び各加振電極を結線する第１配線パターンより広く形成する。 - 特許庁

A rectangular pattern 14 is connected to a line and space pattern 42 having a width not separately resolved by a stepper or an optical length measuring instrument.例文帳に追加

矩形パターン４１は，ステッパあるいは光学測長機で分離解像しない幅を有するラインアンドスペースパターン４２と接合している。 - 特許庁

For example, a control of a trimming amount of the line width of the photoresist 105b is performed so that the line width of the photoresist 105b may be the same as the line width of the mask pattern constituted by the SiO_2 layer 103.例文帳に追加

例えば、フォトレジスト１０５ｂの線幅が、ＳｉＯ_2層１０３からなるマスクパターンの線幅と同一になるようにフォトレジスト１０５ｂの線幅のトリミング量の制御を行う。 - 特許庁

The pulse width of a recording pulse for forming the marks is changed to a plurality of pulse width values, and recording power is changed to a plurality of power levels to record the pattern train for each pulse width.例文帳に追加

マークを形成するための記録パルスのパルス幅を複数のパルス幅値に変化させ、各々のパルス幅について、記録パワーを複数のパワーレベルに変更してパターン列を記録する。 - 特許庁

To restrain a line width generated in a splice part of each transfer pattern spliced on a photosensitive substrate.例文帳に追加

感光基板上で継ぎ合わせる各転写パターンの継ぎ部に生じる線幅差を抑制する。 - 特許庁