「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a pattern forming method that excels in exposure latitude and sensitivity, which can form a pattern that also excels in line-width variation, and to provide a chemically-amplified resist composition using the method.例文帳に追加

線幅バラツキに優れたパターンを形成できるとともに、露光ラチテュード及び、感度に優れたパターン形成方法及びこれに用いる化学増幅レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a characteristic pattern wherein the linear regions L1, L2, L3 are aligned along the width direction is extracted from the converted image and, from the characteristic pattern, a line running along a longitudinal direction is created.例文帳に追加

さらに、この変換後の画像から線状領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が幅方向に沿って並ぶ特徴パターンを抽出し、その特徴パターンから長手方向に沿うラインを生成する。 - 特許庁

The determination means 3 determines whether or not the determination object pattern is one character by using size information (the rate of width to the height of pattern) in addition to the comparison result of the comparison means 2.例文帳に追加

判定手段３は、比較手段２の比較結果に加え、サイズ情報（パターンの高さに対する幅の比）を用いて、判定対象パターンを一文字であるか否かを判定する。 - 特許庁

To reduce the characteristic variation of a laminated inductor by reducing the spiral conductor pattern width variation and the thickness variation of an insulating layer on which the conductor pattern is formed.例文帳に追加

絶縁層の表面に導体パターンをスクリーン印刷で形成しているので、印刷する際の印刷にじみによって導体パターンの線幅のバラツキが大きくなり、線幅を細くできない。 - 特許庁

The average reflective index of the pattern structure of the different cycle can be changed by gradually changing the width a of the projection 3 in a pattern structure of a different cycle.例文帳に追加

異なる周期のパターン構造内における凸部３の幅ａを徐々に変化させることにより、異なる周期のパターン構造の平均屈折率を変化させることができる。 - 特許庁

To express a woven pattern representing a woven fabric by the brightness of a jewelry in a foil-clad yarn cut in a fine width by forming a pattern layer on a sheet base material and then assuring a yarn sequence.例文帳に追加

シート基材上に模様層を形成した後これを糸順を確保して細幅に裁断した引箔糸において、織物に宝石の輝きで表現した織模様を表すこと - 特許庁

To provide a medical handpiece having a spray injection mechanism capable of sufficiently mixing air and liquid, having a large pattern width and capable of achieving a uniform atomized state in the whole spray injection pattern.例文帳に追加

気液が充分に混合され、パターン幅が大きく、且つ噴霧注水パターンの全体が均一な霧化状態になるような噴霧注水機構を備えた医療用ハンドピースを提供する。 - 特許庁

To accurately detect a focus, to highly accurately measure and inspect even when the line width of a pattern on a semiconductor and the pitch of the pattern become equal to or below the wavelength of an optical system.例文帳に追加

半導体のパターンの線幅、ピッチが光学系の波長以下になった場合であっても、正しいフォーカス検出を行い、高精度の計測及び検査技術を行うこと。 - 特許庁

To provide a pattern working method and a pattern working device, working the worked base within a mask width to be flat without over-etching by anisotropy working, and performing microprocessing.例文帳に追加

異方性の加工によりオーバエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき、微細加工が可能なパターン加工方法及びパターン加工装置を提供する。 - 特許庁

Since such a conductor pattern 2 is provided, a printed wiring board can mount a chip component such that the longitudinal direction thereof becomes parallel with the width direction (a) of the conductor pattern 2.例文帳に追加

このような導体パターン２を有することにより、プリント配線板は、チップ部品をその長手方向が導体パターン２の幅方向ａと平行な方向となる向きに実装することができる。 - 特許庁

To provide a method of forming fine patterning of a semiconductor device in which patterns differing in pattern density or pattern width and having various sizes and various pitches are formed on one substrate at the same time.例文帳に追加

同じ基板上にパターン密度またはパターン幅の相異なる多様な大きさ及び多様なピッチのパターンを同時に形成できる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Each representation of an industrial design which consists of a repeating surface pattern shall show a complete pattern and a sufficient portion of the repeat in length and width, and shall be of a size not less than 18 cm x 13 cm.例文帳に追加

表面模様の繰返しから構成される意匠の表示の各々は，完全な模様及び繰返しの縦横の十分な部分を表示するものとし，18cm×13cm 以上のサイズとする。 - 特許庁

Even when the direction of the stitching line L, the arrangement direction of the unit pattern T, and a shifting width or the like are changed, the needle location point is formed along the line figure 47, and the desired stitching pattern is obtained.例文帳に追加

縫い目線Ｌの方向や、単位パターンＴの配置方向，ずらし幅等を変更しても、線図形４７に沿って針落ち点が形成され、所望の縫い目模様が得られる。 - 特許庁

The main body mark part 5 is formed of a space pattern which has small line width enough to be resolved in a photosensitive film and formed by being bored in a light shield film, or a line pattern which is formed by leaving the light shield film.例文帳に追加

本体マーク部５は感光性膜に解像する線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターン、又は遮光膜を残したラインパターンのいずれか一方で構成する。 - 特許庁

About the shape of the wiring pattern, wiring-wide-width parts 11, 12, 13, 14, 15 are structured wide and gradually become wider in a direction from a center to an outward part of the wiring pattern row.例文帳に追加

上記の配線パターンの形状は、配線太幅部１１、１２、１３、１４、１５が太く構成され、また、配線パターン列の中央部から外に向かうに従い、徐々に太くなっている。 - 特許庁

When the diameter of the conductor part 22 is almost odd number times as long as the sum of the pattern width of the contact 26 and the gap, the center of the conductor is aligned with the gap center of the pattern of the contact 26.例文帳に追加

導体部２２の直径が、接点２６のパターン幅とギャップの和の長さのほぼ奇数倍の場合、接点２６のパターンのギャップ中心に導体部２２の中心を一致させる。 - 特許庁

The ratio of the width of a tip section of a projection 4 to that of a recess 5 including an inclination section 6 at both the sides of an irregular pattern 3 in comformity to a servo pattern provided in a substrate 2 is set to not more than 0.4.例文帳に追加

基体２に設けたサーボパターンに応じた凹凸形状パターン３の両側の傾斜部６を含めた凹部５の幅に対する凸部４の先端部の幅の比を０．４以下にする。 - 特許庁

To measure a line width, while detecting only a pit, by discriminating the pit generated on the surface of a pattern from a projection, in an inspection device and a method of the wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの検査装置および方法において、パターンの表面に生じているピットと突起を区別し、ピットのみを検出しながら線幅の測定をできるようにすること。 - 特許庁

When the diameter of the conductor part 22 is almost even number times as long as the sum of the pattern width of the contact 26 and a gap, the center of the conductor 22 is aligned with the center of the pattern of the contact 26.例文帳に追加

導体部２２の直径が、接点２６のパターン幅とギャップの和の長さのほぼ偶数倍の場合、接点２６のパターンの中心に導体部２２の中心を一致させる。 - 特許庁

An annular dielectric pattern 3 with small pattern width is provided around the seal ring 5 in the grounding conductor layer 2, so as to control the position of a fillet end of a solder material that is joined with the seal ring.例文帳に追加

この接地導体層２におけるシールリング５周辺に、パターン幅の細いリング状の誘電体パターン３を設けて、シールリングを接合するろう材のフィレット端の位置を制御した。 - 特許庁

That is, the pattern projected onto an enlarged mask 110 is shifted by 1/4 of the size (the width in the X direction) of the projected pattern by generating pulse laser light L1.例文帳に追加

すなわち、０．１ｍｓ毎に、パルス状のレーザ光Ｌ１の発生によって、拡大マスク１１０上に投影されるパターンを投影パターンのサイズ（Ｘ方向の幅）の１／４づつ移動させる。 - 特許庁

Pattern width or height of the structure which subdivides the electric discharge space is decreased locally in order to realize proper thermal deformation without deviation of three-forked pattern portions of the structure.例文帳に追加

放電空間を細分化する構造体のパターン幅または高さを、当該構造体の三叉パターン部分の熱変形が偏りのない適正なものになるように、局部的に小さくする。 - 特許庁

To make it possible to avert the widening and narrowing of the line width of patterns at field boundaries in a pattern data forming method for forming the pattern data of a photomask for semiconductor device production.例文帳に追加

半導体デバイス製造用のフォトマスクのパターンデータを作成するパターンデータ作成方法において、フィールド境界でのパターンの線幅の太り、細りを回避できるようにする。 - 特許庁

The electromagnetic-shielding plate is equipped with a conductive geometrical pattern on a transparent board, where the pattern is formed of lines which are 10 to 80 μm in width and have a space of 50 to 250 meshes between them.例文帳に追加

線幅が１０〜８０μｍであり線間隔が５０〜２５０メッシュである導電性の幾何学パターンを透明基板の表面に有することを特徴とする電磁波シールド板。 - 特許庁

In this method for forming a resist pattern, after a positive resist is applied on a substrate 1, a first alignment is performed, thereby obtaining a resist pattern 2a which is patterned in a manner such that lines are arrayed at equal width and intervals.例文帳に追加

基板１の上にポジ型レジストが塗布された後に、第１の露光が行われることにより、等幅かつ等間隔で配列する線列にパターニングされたレジストパターン２ａが得られる。 - 特許庁

An overlapping width C between an electrode printing pattern 51 designed to form an internal electrode pattern layer 12a by a printing method and a margin printing pattern 61 designed to form a margin pattern layer 24 by a printing method is set to be 5 μm or more and 200 μm or less.例文帳に追加

内部電極パターン層１２ａを印刷法により形成するために設計された電極印刷パターン５１と、余白パターン層２４を印刷法により形成するために設計された余白印刷パターン６１との重なり幅Ｃを５μｍ以上２００μｍ未満とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stamper capable of reducing a height defect of a pattern and fluctuation of a pattern width and accurately forming a more minute pattern shape by reducing scattering of an electron beam when a conductive layer is formed under a resist layer to draw a pattern on the resist layer.例文帳に追加

レジスト層の下に導電化層を形成してレジスト層にパターンを描画する際の電子線の散乱を低減することにより、パターンの高さ不良やパターン幅のばらつきを低減し、以ってより微細なパターン形状を精度よく形成可能なスタンパの製造方法を提供する。 - 特許庁

When an original pattern profile 1 which is to be transferred by the use of an electron beam projection exposure mask is divided into a plurality of pattern profiles that are complementary to each other, the original pattern profile 1 is divided into demarcations by the use of grids 2 whose size is determined on the basis of the minimum line width of the original pattern profile 1.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクを用いて転写すべき原パターン形状１を、相補的な複数のパターン形状に分割するのにあたって、先ず、前記原パターン形状１を、その最小線幅を基準に一区画の大きさが決定された格子２を用いて分割する。 - 特許庁

After a period calculation means 63 calculates a period h2 on the basis of the rotation angle and a longitudinal width p of the character pattern, a basic pattern generation means 64 generates a basic pattern 10 on the basis of the character pattern drawn in the memory area and the calculated period h2.例文帳に追加

周期算出手段６３が回転角度と文字パターンの縦幅ｐとに基づいて周期ｈ２を算出後、基本パターン生成手段６４がメモリ領域に描画された文字パターンと上記で算出した周期ｈ２とに基づいて基本パターン１０を生成する。 - 特許庁

To efficiently detect abnormalities such as disconnection, defective surface, vertical shape defects (such as furrowing) by forming a wiring pattern for measuring the dimension of the wiring pattern of a semiconductor device, measuring the electric resistance of the pattern, and evaluating the dimension of a pattern width using the resistance.例文帳に追加

半導体装置の配線パターンの寸法測定用の配線パターンを形成し、そのパターンの電気抵抗値の測定を行い、抵抗値でパターン幅の寸法を評価することにより、断線及び平面形状不良・垂直形状不良（くびれ等）の異常の検出を効率良く行う。 - 特許庁

The first and second auxiliary pattern parts 6 each include an auxiliary pattern, which is formed of a repetitive pattern of space patterns which have large line width enough not to be dissolved in the photosensitive film and formed by being bored in the light shield film, or a repetitive pattern of line patterns which are formed by leaving the light shield film.例文帳に追加

第１、第２の補助パターン部６は各々補助パターンを含み、補助パターンは感光性膜に解像しない線幅を有する、遮光膜を開孔したスペースパターンの繰り返しパターン、又は遮光膜を残したラインパターンの繰り返しパターンのいずれか一方で構成する。 - 特許庁

A pseudo pattern 31 with the same thickness as a conductor pattern 30 is formed at a region where no patterns are formed on each conductor pattern surface of wiring boards 18 and 19 being laminated while sandwiching a prepreg 32 so that width W is selected to set an interval to the conductor pattern 30 to a range of 100-300 μm.例文帳に追加

プリプレグ３２を挟んで積層される配線板１８，１９の各導体パターン面には、そのパターン非形成領域に、導体パターン３０との間隔が１００〜３００μｍの範囲内の幅Ｗとなるように、導体パターン３０と同じ厚さの擬似パターン３１を形成する。 - 特許庁

In the pattern formation method forming a pattern using a letterpress, ink is fed to the letterpress with a stripe shape using an anilox rolls in which the pitch a of a surface pattern satisfies a>w to the line width w of the letterpress, and a pattern is transferred to the body to be printed.例文帳に追加

凸版を用いてパターンを形成するパターン形成方法において、ストライプ形状の凸版に、表面パターンのピッチａが該凸版の線幅ｗに対してａ＞ｗとなるアニロックスロールを用いてインキを供給し、被印刷体にパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法とした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank and a mask, wherein the linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (real dimensional difference) between a design dimension of a line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of a line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Ｌｉｎｅａｒｉｔｙを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

For instance, higher wafer temperature during etching in the wafer region with the width of the resist pattern as the mask formed larger comparing to the other wafer region is capable of reducing the variations in the pattern width within the wafer surface of the film to be etched.例文帳に追加

例えば、マスクであるレジストパターン幅が他のウエハ領域に比べ大きく形成されたウエハ領域は、エッチング時のウエハ温度を他の領域より高くすることによって、被エッチンング膜のウエハ面内におけるパターン幅ばらつきを小さくすることが可能となる。 - 特許庁

Since the width of the coil pattern 2 in the magnetic gap layer 11 is made narrower and the width of the nonmagnetic substance 3 is made wider in this structure, even when a magnetic flux is leaked from a center leg, the leakage magnetic flux does not interlink with the coil pattern 2 (arrow), so that generation of the eddy current loss is prevented.例文帳に追加

磁気ギャップ層１１のコイルパターン２の幅を狭めて、非磁性体３の幅を広げた構造にしているため、中央脚から磁束が漏洩しても、その漏洩磁束がコイルパターン２と鎖交することはなく（矢印）、渦電流損の発生が防止される。 - 特許庁

A narrow-width decorative seal layer 5 having a narrow width along the rod axial line is formed on the coated layer 4 of a rod material, and an undercoating guide layer 6, having width equal to the width of the decorative seal layer 5 along the rod axial line and having a color or pattern applied to the decorative seal is formed inside of the decorative seal layer 5.例文帳に追加

竿素材の塗装層４上に竿軸線方向に沿った幅が狭い小幅の装飾シール層５、装飾シール層５の内側に、装飾シール層５の竿軸線方向に沿った幅と同幅、かつ、装飾シールに施された色彩又は模様を施した下塗ガイド層６を形成する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for measuring a circuit pattern line width, which enable reduction in measuring errors of line width and shorten ing of the processing time, without requiring a large capacity memory.例文帳に追加

線幅の計測誤差を減少させ、かつ、大容量のメモリを必要としないで処理時間を短縮することができる回路パターン線幅計測方法および回路パターン線幅計測装置を提供する。 - 特許庁

In the case that temperature of etching fluid is from 30° to 70°, the bus electrode 5b is overetched from an end of a photoresist pattern 30 by about a second width d2 which is shorter than a first width d1 and becomes to have an inclination angle β of 40° to 49°.例文帳に追加

蝕刻液の温度が30℃である場合、バス電極４bはフォトレジストパターン30の末端から第1幅d１より短い第2幅d２ほど過蝕刻され、約40〜49°の傾斜角βを有するようになる。 - 特許庁

A notch is a part formed at the end of the multi-pattern substrate among gaps, the length of the insertion 21 is nearly equal to the length of the notch, and the width of the insertion 21 is substantially equal to the width of the notch.例文帳に追加

切り欠きは、空隙のうちで多面取り基板の端部に形成された部分であり、挿入部２１の長さと切り欠きの長さは略等しく、且つ、挿入部２１の幅と切り欠きの幅は略等しい。 - 特許庁

The tread pattern 16 of this pneumatic tire is formed with: rib grooves 22 along the tire circumferential direction U; and a plurality of blocks partitioned by narrow width lug grooves 24N perpendicular to the rib grooves 24 and wide width lug grooves 24W.例文帳に追加

タイヤ周方向Ｕに沿ったリブ溝２２と、リブ溝２２に直交する狭幅ラグ溝２４Ｎ及び広幅ラグ溝２４Ｗによって区画された複数のブロックがトレッド部１６に形成されている。 - 特許庁

The system has a function of verifying the pattern line width with the dimensional specification; and if the line width fails the specification, the system has a function of automatically performing feedback and continuing the dry etching in the vacuum chamber for dry etching.例文帳に追加

パターン線幅を寸法規格と照合し、寸法規格に至らない際には、自動でフィードバックしてドライエッチング用真空チャンバー内でドライエッチングを継続して行う機能を備えたこと。 - 特許庁

The overall width (A-A directional size) of the external layer material 20 is made smaller than the overall width of the internal layer material 11 to expose a target pattern when the external layer material 20 is laminated on the internal layer material 11.例文帳に追加

外層材２０の全幅（Ａ−Ａ方向のサイズ）を内層材１１の全幅より小さくしておき，内層材１１に外層材２０を積層したときにターゲットパターン１２が露出するようにする。 - 特許庁

For an amount of toner which forms an unfixed image of a lateral line pattern of a predetermined width on a paper, the toner amount of the transfer direction downstream side lower than the width center is made smaller than the toner amount of the upstream side.例文帳に追加

紙上の所定の幅の横ラインパターンの未定着画像を形成するトナーの量を幅中心よりも搬送方向した流側のトナー量を上流側のトナー量よりも少なくする。 - 特許庁

In the pneumatic tire having a tread T of rib pattern, the inequality of W1≥0.4.1/2 TW, where W1 is the tread width from a tread end to a shoulder main groove 5L, and TW is the full width of the tread.例文帳に追加

リブパターンのトレッドＴを有する空気入りタイヤであり、トレッド端からショルダー主溝５Ｌまでのトレッド幅Ｗ１とトレッド全幅ＴＷとの関係をＷ１≧０．４・１／２ＴＷとしている。 - 特許庁