「pattern width」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The extending pattern is formed on the substrate or a substrate table and preferably extends 50 times as long as the width of the line.例文帳に追加

延在パターンは、基板又は基板テーブル上に形成され、好ましくは線の幅の少なくとも５０倍の長さにわたって延在する。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of giving a pattern in which a change in the line width is low, while maintaining high sensitivity even when a recycled developing solution is used.例文帳に追加

リサイクル現像液を用いても、高感度を維持しながら、線幅変化が低いパターンを与えるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The terminal part 8c, the wiring part 8d, the electrode part 8a, the twisted part 8b, and the parts where they are connected are to be the identical pattern width W0.例文帳に追加

端子部８ｃ、配線部８ｄ、電極部８ａ、絞り部８ｂ、およびそれらの接続部を同一幅Ｗ０のパターンとする。 - 特許庁

To suppress variations in the heat processing temperature between substrates and uniformize the line width of a wiring pattern between the substrates and within a surface of the substrate.例文帳に追加

基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。 - 特許庁

To form a fine pattern of uniform line width with high accuracy by reducing focus error caused by flexure of mask.例文帳に追加

マスクの撓みに起因するフォーカス誤差を低減することにより、均一な線幅の微細なパターンを高い精度で形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing system capable of highly accurately controlling the line width of a pattern formed on a substrate.例文帳に追加

基板に形成するパターンの線幅を精度よく制御することができる基板処理装置および基板処理システムを提供する。 - 特許庁

Accordingly, the wiring resistance of the wiring pattern can be easily calculated using the width and length written in the file.例文帳に追加

よって、このファイルに書き出された幅と長さを用いることにより、配線パターンの配線抵抗を容易に算出することができる。 - 特許庁

To surely remove an ink stuck on an ink delivering face even when the width of the ink delivering face of a pattern forming apparatus is small.例文帳に追加

パターン形成装置のインク吐出面の幅が小さい場合にも、インク吐出面に付着したインクを確実に除去可能とする。 - 特許庁

Further, the height of a photoresist pattern used of a liftoff can be made smaller, and so the read track width W can be made narrower.例文帳に追加

また、リフトオフに用いるフォトレジストパターンの高さを小さくすることができるため、読み取りトラック幅Ｗを狭くすることができる。 - 特許庁

An isolation region which does not exceed a prescribed width is ensured between the dummy pattern 20 and the active region 12 surrounding the inactive region.例文帳に追加

その非活性領域を取り巻く活性領域１２とダミーパターン２０との間には、所定幅を超えない分離領域を確保する。 - 特許庁

To enhance the reliability of a coil by reducing the pattern width dependency of an upward deposition rate regarding a thin-film coil and its manufacturing method.例文帳に追加

薄膜コイル及びその製造方法に関し、上方向成膜レートのパターン幅依存性を低減して、コイルの信頼性を高める。 - 特許庁

To form a wiring pattern which is free from cracks and is superior in line width reproducibility, adhesion, and conductivity and furthermore is superior in decapping.例文帳に追加

ひび割れが発生しない、線幅再現性、接着性、導電性に優れ、更にはデキャップ性に優れる配線パターンを形成すること。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure method and a charged particle beam exposure system in which nonuniformity of CD (line width of pattern) due to fogging is improved.例文帳に追加

かぶりによるＣＤの不均一性を改善した荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

In the coil pattern 11 of the layer having the land part 10, width (vertical direction) is made small so as not to overlap with the land part 10 in the same layer.例文帳に追加

ランド部１０を持つ層のコイルパターン１１は、同層内でランド部１０と重複しないように（上下方向）幅を小さくする。 - 特許庁

The resist film is subjected to exposure processing according to a conventional method and then developed to form a resist pattern 18 of a specified line width.例文帳に追加

次いで、従来の方法に従ってレジスト膜に露光処理を施し、現像して、所定線幅のレジストパターン１８を形成する。 - 特許庁

A main controller 28 changes a control factor of the system 100 contributing to the throughput, in response to a minimum line width of the pattern.例文帳に追加

また、主制御装置２８が、パターンの最小線幅に応じてスループットに寄与する露光システム１００の制御ファクタを変更する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus that reduces variation in line width of an original pattern formed on a substrate, and to provide a method of manufacturing an aperture stop.例文帳に追加

基板に形成される原版のパターンの線幅ばらつきを減少する露光装置及び開口絞りの製造方法を提供する。 - 特許庁

Stripes are extracted from the pattern image of the first camera 20, and each of the stripe is divided in a longitudinal directional in every stripe width to generate cells.例文帳に追加

第１カメラ２０のパターン画像からストライプを抽出し、各ストライプをストライプ幅毎に縦方向に分割し、セルを生成する。 - 特許庁

Respective parameters are adjusted in a relation that reaching distances of a main droplet and the satellite approximately coincides with an integral multiple of the width of an index pattern.例文帳に追加

主滴とサテライトとの着弾距離が、インデックスパターンの幅の整数倍に略一致するような関係に各パラメータを調整する。 - 特許庁

For example, the recorder records two track data of DV format in an untouched data pattern in a single track of the 8 mm width tape.例文帳に追加

例えば、８ｍｍ幅の磁気テープの１つのトラックに、ＤＶフォーマットにおける２つのトラックのデータを、そのままのデータパターンで記録する。 - 特許庁

By this constitution, even in the case where the residue is extremely thin or in the case where the width of the resist pattern is narrow, the residue can be precisely detected.例文帳に追加

これにより、残渣が極めて薄い場合や、パターンの幅が狭い場合などであっても精度高く残渣を検出することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor apparatus having a pattern where the minimum width thereof is formed of isolated narrow space as small as possible.例文帳に追加

最小幅が可及的に小さい孤立した狭いスペースからなるパターンを有する半導体装置を製造することを可能にする。 - 特許庁

Furthermore, the conductor pattern comprises a radiating electrode (38) positioned at an opposite side of the tip-end electrode with the substrate therebetween, and its width is formed wide.例文帳に追加

また、導体パターンは、基体を挟んで先端電極の反対側に位置する放射電極(38)を備え、その幅を大きく形成させる。 - 特許庁

The use of the pattern of the decimation achieves the band width a half or three-quarters in the data sampling rate after the decimation.例文帳に追加

このデシメーション・パターンを使用して、デシメーション後のデータ・サンプリング・レートの２分の１乃至４分の３の帯域幅を達成することができる。 - 特許庁

Inspection units 10 and 20 performing macro defect inspection or line width measurement of a pattern are disposed in the indexer ID.例文帳に追加

マクロ欠陥検査やパターンの線幅測定等を行う検査ユニット１０および検査ユニット２０はインデクサＩＤの内部に配置している。 - 特許庁

To manufacture easily an electromagnetic wave shielding type light transmission window material having a mesh conductive pattern with small line width and high numerical aperture.例文帳に追加

線幅が小さく開口率の高いメッシュ状の導電性パターンを有した電磁波シールド性光透過窓材を容易に製造する。 - 特許庁

By using the mask pattern of the reduced width as a mask, ion implantation for forming a diffusion layer is performed and a diffusion layer is formed.例文帳に追加

そして、幅の狭くなったマスクパターンをマスクとして、拡散層を形成するためのイオン注入を行い、拡散層を形成する。 - 特許庁

Namely, the correlation between the pitch of the pattern and correction quantities (bias quantity) of the line width and length of the shifter part is assumed and put in a table.例文帳に追加

つまり、パターンのピッチと、シフタ部の線幅、線長の補正量（以下、バイアス量と言う）との相関関係を規定し、テーブル化する。 - 特許庁

The encoder configuration comprises an illumination portion, an absolute scale pattern with the absolute track, and a detector having a width dimension YDETABS.例文帳に追加

エンコーダ構造は、照明部と、アブソリュートトラックを備えたアブソリュートスケールパターンと、幅寸法ＹＤＥＴＡＢＳを有する検出器を備える。 - 特許庁

To improve reliability of information transmission of a glass panel and a drive unit by enlarging the pitch width of the pattern printing of a glass panel.例文帳に追加

ガラスパネルのパターン印刷のピッチ幅を大きくする事ができ、ガラスパネル部とドライバユニット部の情報伝達の信頼性の向上を狙う。 - 特許庁

A gap for assuring insulation is formed with a fixed width between the side of the substrate 1 and the wiring pattern and between the wiring patterns.例文帳に追加

基板１の側部と配線パターンとの間、および配線パターン間には、絶縁性を確保するための間隙を一定幅で形成する。 - 特許庁

In the positioning method, a synchronous mark formed at intervals equivalent to the track width in positioning at spiral servo pattern is not used.例文帳に追加

この位置決め方法では位置決めにあたってスパイラルサーボパターンにトラック幅に相当する間隔で形成される同期マークは利用されない。 - 特許庁

Since the substrate whose temperature is controlled at a desired value is shifted to the following step, a variance of line width of the pattern after development can be eliminated.例文帳に追加

この基板温度が所望値に制御された基板が次工程に移行されるので、現像後のパターンの線幅のバラツキを抑制する。 - 特許庁

In this embodiment, the protruding part 105 is formed at the center of the width direction of the top plate 103 as one straight shape pattern.例文帳に追加

本実施形態において、凸部１０５は、天板部１０３の幅方向中央に1本の直線状のパターンとして設けられている。 - 特許庁

To provide a repair method for a paste pattern in which the line width of the paste pattern is kept constant in a repair section of the paste pattern where a defect occurs by applying paste by a dot coating system by an amount corresponding to the repair section.例文帳に追加

ペーストパターンの欠陥が発生したリペア区間に対して、リペア区間に対応する量のペーストを点形塗布方式により塗布することで、リペア区間でペーストパターンの線幅を一定に維持し得るペーストパターンのリペア方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method and a chemically amplified negative resist composition exhibiting a large depth of focus (DOF) and small line width roughness (LWR) and being capable of forming a pattern having a superior pattern shape and reduced bridge defects.例文帳に追加

フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、パターン形状に優れ、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法及び化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供することを課題としている。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern and a pattern forming apparatus for forming a fine pattern with thin width and a high aspect ratio by using long wavelength light which can be generated without using an expensive large device.例文帳に追加

高価で大型な装置を用いずに発生することができる長波長の光を用いて、幅が細い微細なパターンであって、高アスペクト比のパターンを形成することができるパターン形成方法およびパターン形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an active ray-sensitive or radiation-sensitive composition having excellent roughness characteristics such as LWR (line width roughness), DOF (depth of focus) for an isolated space pattern (trench pattern) and exposure latitude, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

ＬＷＲ等のラフネス特性、孤立スペースパターン（トレンチパターン）のＤＯＦ、及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an exposure method and an aligner wherein exposure can be made with high resolution but without exchanging a mask pattern having a fine width (e.g. smaller than 0.15 μm), with the pattern being a mixture pattern ranging from various patterns, isolated and complicated patterns including L and S patterns.例文帳に追加

微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）線幅を持ち、各種パターンや、Ｌ＆Ｓパターンから孤立及び複雑なパターンまでが混在するマスクパターンを、マスクを交換せずに、解像度良く露光可能な露光方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of exposing which can control a pattern line width by correcting a proximity effect by making a dose in a small region on a substrate to be transferred uniform even when a pattern array on a master and a pattern array on the substrate to be transferred are different.例文帳に追加

原版上のパターン配列と被転写基板上のパターン配列が異なる場合にも、被転写基板上小領域内のドーズ量を一様にして近接効果を補正し、パターン線幅制御を行うことのできる露光方法等を提供する。 - 特許庁

Consequently, part of each pixel pattern 202 and part of a BM pattern 201 are overlapped with the field cycle in the projected image Ps on the screen, and a human views the image as if the longitudinal width 202C of each pixel pattern 202 were expanded.例文帳に追加

これにより、スクリーン上の投写像Ｐｓにおいて、各画素パターン２０２の一部とＢＭパターン２０１の一部とがフィールド周期で上下方向に重畳され、人間の目には、各画素パターン２０２の縦幅２０２Ｖが擬似的に広がったように見える。 - 特許庁

The generation method for the mask data comprises a process of resizing a wiring layer pattern 120 and forming a resized pattern 130 so as to make a resize amount positive (+), a process of eliminating the resized pattern having a mutually overlapping part among the resized patterns 130 and a process of forming a stress mitigation layer pattern having a prescribed width on the outer side of the resized pattern.例文帳に追加

マスクデータの生成方法は、リサイズ量がプラス（＋）となるように、配線層パターン１２０をリサイズしてリサイズパターン１３０を形成する工程と、前記リサイズパターン１３０のうち相互に重なる部分を有するリサイズパターンを削除する工程と、前記リサイズパターンの外側に、所定の幅を有する応力緩和層パターンを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

In the exposure mask 1 where a doughnut pattern 3 and a plurality of long patterns 5 are provided on a thin film membrane 2 as an opening-like exposure pattern, a crosslinking pattern 7 thinner than the minimum line width of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5 is stretched across the opposite sides at the opening part of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5.例文帳に追加

薄膜状のメンブレン２に開口状の露光パターンとしてドーナツパターン３および複数の長尺パターン５が設けられている露光マスク１であり、ドーナツパターン３および複数の長尺パターン５の開口部の対向辺間に、ドーナツパターン３および各長尺パターン５の最小線幅よりも細い線幅の架橋パターン７を掛け渡してなる。 - 特許庁

In the pattern forming method for a semiconductor device, a gate line, a padding and a selection line are formed at the same time by forming a pattern for a gate line using a first photoresist pattern and a first antireflection film, and forming a pattern for a padding and a selection line of a width wider than that for the gate line using a second photoresist pattern and a second antireflection film.例文帳に追加

第1のフォトレジストパターン及び第1の反射防止膜を用いてゲートライン用パターンを形成し、第2のフォトレジストパターン及び第2の反射防止膜を用いてゲートラインより広い幅のパッド及びセレクトライン用パターンを形成することにより、ゲートライン、パッド及びセレクトラインを同時に形成することができる半導体素子のパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a pattern forming material having good strippability, excellent in resolution and tenting property, excellent also in developability, and ensuring little change in resist line width, profile, etc., irrespectively of a change in development time (large development latitude), and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

剥離性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、しかも現像性にも優れ、現像時間が変化してもレジストの線幅、プロファイルなどの変化が少ない（現像ラチチュードの広い）パターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁